JPH0625230B2 - ヒドラゾン基を側鎖に有するスチレン系共重合体およびその製造方法 - Google Patents
ヒドラゾン基を側鎖に有するスチレン系共重合体およびその製造方法Info
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、新規なヒドラゾン基を有するスチレン系共重
合体およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、電荷
発生材料および電荷移動材料を用いた電子写真感光体に
おいて、電荷移動材料として優れた機能を有するヒドラ
ゾン基を有するスチレン系共重合体およびその製造方法
に関するものである。
合体およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、電荷
発生材料および電荷移動材料を用いた電子写真感光体に
おいて、電荷移動材料として優れた機能を有するヒドラ
ゾン基を有するスチレン系共重合体およびその製造方法
に関するものである。
[従来の技術およびその課題] 従来、電子写真方式において使用される感光体の光導電
材料として、セレン(Se),硫化カドミウム(Cd
S),酸化亜鉛(ZnO),アモルファスシリコン(a
−Si)等の無機物質がある。これらの無機系感光体は
多くの長所を持っているが、それと同時に種々の欠点、
例えば有害であることや、コスト高であること等の欠点
を持っている。このため、近年になって、これらの欠点
のない有機物質を用いた有機感光体が数多く提案され、
実用化に供されている。
材料として、セレン(Se),硫化カドミウム(Cd
S),酸化亜鉛(ZnO),アモルファスシリコン(a
−Si)等の無機物質がある。これらの無機系感光体は
多くの長所を持っているが、それと同時に種々の欠点、
例えば有害であることや、コスト高であること等の欠点
を持っている。このため、近年になって、これらの欠点
のない有機物質を用いた有機感光体が数多く提案され、
実用化に供されている。
また、これらの感光体の構造としては、電荷担体を発生
する材料(以下、電荷発生材料と呼称する)と、発生し
た電荷担体を受け入れ、これを移動させる材料(以下、
電荷移動材料と呼称する)とを別々の層にした機能分離
型感光体を有する多層構造と、電荷担体発生と電荷移動
とを同一材料で行う単層タイプ感光体を有する単層構造
が挙げられるが、多層構造の方が材料の選択の巾が大き
く、かつ高感度になることから、多く採用されている。
する材料(以下、電荷発生材料と呼称する)と、発生し
た電荷担体を受け入れ、これを移動させる材料(以下、
電荷移動材料と呼称する)とを別々の層にした機能分離
型感光体を有する多層構造と、電荷担体発生と電荷移動
とを同一材料で行う単層タイプ感光体を有する単層構造
が挙げられるが、多層構造の方が材料の選択の巾が大き
く、かつ高感度になることから、多く採用されている。
近年、ノンインパクトプリンティング技術の発展に伴っ
て、レーザ光源を使用した電子写真式プリンタの開発研
究が盛んに行われている。これらの装置においては、装
置サイズの小型化と、高速化に伴って、感光材料につい
ても、電荷発生材料の高感度化および電荷移動材料の高
移動度化が望まれている。
て、レーザ光源を使用した電子写真式プリンタの開発研
究が盛んに行われている。これらの装置においては、装
置サイズの小型化と、高速化に伴って、感光材料につい
ても、電荷発生材料の高感度化および電荷移動材料の高
移動度化が望まれている。
電荷移動材料の場合、その移動度は、バインダ(例えば
ポリカーボネート)中における移動材料(例えばトリフ
ェニルアミン類化合物)の濃度に大きく依存することが
知られている(高橋,艸林,横山,電子写真,25,16
(1986))。移動材料の濃度を高くすると移動度は高く
なるが、物性が悪くなり、例えばヒビ割れを起こしたり
する。さらにプリント時の紙の通過の際、機械的摩耗が
激しくなる。そのため、電荷移動材料をバインダ中に高
濃度で加えることは困難である。
ポリカーボネート)中における移動材料(例えばトリフ
ェニルアミン類化合物)の濃度に大きく依存することが
知られている(高橋,艸林,横山,電子写真,25,16
(1986))。移動材料の濃度を高くすると移動度は高く
なるが、物性が悪くなり、例えばヒビ割れを起こしたり
する。さらにプリント時の紙の通過の際、機械的摩耗が
激しくなる。そのため、電荷移動材料をバインダ中に高
濃度で加えることは困難である。
本発明は以上述べたような従来の事情に鑑みてなされた
もので、高濃度で使用しても、ヒビ割れなどを起こさ
ず、機械的に優れた物性を有し、しかも高い移動度を有
する電荷移動材料として有用な新規な化合物およびその
製造方法を提供することを目的とする。
もので、高濃度で使用しても、ヒビ割れなどを起こさ
ず、機械的に優れた物性を有し、しかも高い移動度を有
する電荷移動材料として有用な新規な化合物およびその
製造方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明者らは、このような従来の状況に鑑みて研究を続
けた結果、ポリマーの側鎖に電荷移動剤を導入すること
により、電荷移動剤が高濃度になり、高移動度を示すこ
とを見出した。
けた結果、ポリマーの側鎖に電荷移動剤を導入すること
により、電荷移動剤が高濃度になり、高移動度を示すこ
とを見出した。
本発明は、一般式[I]; (式中、Rは水素原子、炭素原子数が1〜4の低級アル
キル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ基を表
す) で示される構造単位(構造単位数:x)と、 式; で示される構造単位(構造単位数:y)よりなり、x,
yは、1>x/(x+y)≧0.01を満たすような1
以上の整数で示されることを特徴とする分子量1,000〜5
00,000のヒドラゾン基を側鎖に有するスチレン系共重合
体である。
キル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ基を表
す) で示される構造単位(構造単位数:x)と、 式; で示される構造単位(構造単位数:y)よりなり、x,
yは、1>x/(x+y)≧0.01を満たすような1
以上の整数で示されることを特徴とする分子量1,000〜5
00,000のヒドラゾン基を側鎖に有するスチレン系共重合
体である。
また、その製造方法は、一般式[II]; で示される構造単位と、 式[III]; で示される構造単位よりなる4−ホルミルスチレン系共
重合体と、 一般式[IV]; (式中、Rは水素原子、炭素原子数が1〜4の低級アル
キル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ基を表
す) で示されるヒドラゾン化合物とを反応させることよりな
るか、あるいは一般式[V]; (式中、Rは前記と同一意味) で示されるヒドラゾン基含有スチレン化合物と、 式[VI]; で示されるスチレンとを共重させることよりなることを
特徴とする。
重合体と、 一般式[IV]; (式中、Rは水素原子、炭素原子数が1〜4の低級アル
キル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ基を表
す) で示されるヒドラゾン化合物とを反応させることよりな
るか、あるいは一般式[V]; (式中、Rは前記と同一意味) で示されるヒドラゾン基含有スチレン化合物と、 式[VI]; で示されるスチレンとを共重させることよりなることを
特徴とする。
本発明によるヒドラゾン基を側鎖に有するスチレン系共
重合体は、例えば次のようにして製造することができ
る。
重合体は、例えば次のようにして製造することができ
る。
即ち、その第1の方法は、まず4−クロロスチレンのグ
リニャール試薬を製造した後、ジメチルホルムアミド
(DMF)を加えて4−ホルミルスチレンを製造する。
(w.J.Dale,L.Starr and C.
W.Strobel,J.Org.Chem.,26,19
65,2225)。次いで、4−ホルミルスチレンのアルデヒ
ド基をアセタールとして保護した後、該化合物とスチレ
ンとを適当な重合開始剤の存在下で重合させ、次いで酸
性溶液中で加水分解してアセタール基をはずすことによ
り、前記一般式[II]および式[III]で示される構造単位
よりなる4−ホルミルスチレン系共重合体を製造する。
次いでこの共重合体と、前記一般式[IV]で示されるヒド
ラジン化合物とを反応させることにより、本発明のスチ
レン系共重合体を得ることができる。
リニャール試薬を製造した後、ジメチルホルムアミド
(DMF)を加えて4−ホルミルスチレンを製造する。
(w.J.Dale,L.Starr and C.
W.Strobel,J.Org.Chem.,26,19
65,2225)。次いで、4−ホルミルスチレンのアルデヒ
ド基をアセタールとして保護した後、該化合物とスチレ
ンとを適当な重合開始剤の存在下で重合させ、次いで酸
性溶液中で加水分解してアセタール基をはずすことによ
り、前記一般式[II]および式[III]で示される構造単位
よりなる4−ホルミルスチレン系共重合体を製造する。
次いでこの共重合体と、前記一般式[IV]で示されるヒド
ラジン化合物とを反応させることにより、本発明のスチ
レン系共重合体を得ることができる。
また、その第2の方法は、上記と同様にして4−ホルミ
ルスチレンを製造した後、4−ホルミルスチレンに、所
望の1,1−ジアリールヒドラジン化合物を加え、酸性
触媒の存在下で縮合させて、前記一般式[V]で示される
ヒドラゾン基含有スチレン化合物を製造する。この単量
体およびスチレン[VI]を必要に応じて重合開始剤を用い
て重合させることによっても本発明のスチレン系共重合
体を得ることができる。
ルスチレンを製造した後、4−ホルミルスチレンに、所
望の1,1−ジアリールヒドラジン化合物を加え、酸性
触媒の存在下で縮合させて、前記一般式[V]で示される
ヒドラゾン基含有スチレン化合物を製造する。この単量
体およびスチレン[VI]を必要に応じて重合開始剤を用い
て重合させることによっても本発明のスチレン系共重合
体を得ることができる。
本発明の共重合体は、ベンゼン、クロロホルム、塩化メ
チレンなどの溶剤に易溶で、メタノール、エタノールに
は不溶である。また、塩化メチレンに溶解させた溶液を
キャストすることによって、硬いフィルムを製造するこ
とができ、しかも何らヒビ割れ等が認められないもので
あり、電子写真感光体の電荷移動剤として極めて有用な
ものである。
チレンなどの溶剤に易溶で、メタノール、エタノールに
は不溶である。また、塩化メチレンに溶解させた溶液を
キャストすることによって、硬いフィルムを製造するこ
とができ、しかも何らヒビ割れ等が認められないもので
あり、電子写真感光体の電荷移動剤として極めて有用な
ものである。
[実施例] 以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
実施例1 本実施例では、次の一連の反応式で示される方法によっ
て、式(3)で示されるスチレン系共重合体を製造した。
て、式(3)で示されるスチレン系共重合体を製造した。
(式中、xおよびyは、それぞれ1>x/(x+y)≧
0.01を満たすような1以上の整数を表す) 化合物(1)の製造 1フラスコ中に、金属マグネシウム14.7g、エチルエ
ーテル20mlおよび少量の臭化エチルを加え、加熱してマ
グネシウムを活性化させた。さらに、4−クロロスチレ
ン81.8g/テトラヒドロフラン(THF)400mlの溶液
を3時間を要して加えた。反応中、発熱を起こし高温に
なるので、水浴で冷却して反応溶液を50℃以下に保持し
た。滴下終了後、さらに2時間室温で反応を続けた。ジ
メチルホルムアミド(DMF)43.8gを2時間を要して
滴下し、さらに室温で一夜放置した。エチルエーテル50
0mlを加え、反応溶液を希塩酸水溶液中に加えた。抽
出を行い、エーテル層を純水で洗浄後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。エーテルを留出後、蒸溜して4−ホルミ
ルスチレンを製造した(沸点70℃/0.8mmHg)。42g
(63%)の収量であった。
0.01を満たすような1以上の整数を表す) 化合物(1)の製造 1フラスコ中に、金属マグネシウム14.7g、エチルエ
ーテル20mlおよび少量の臭化エチルを加え、加熱してマ
グネシウムを活性化させた。さらに、4−クロロスチレ
ン81.8g/テトラヒドロフラン(THF)400mlの溶液
を3時間を要して加えた。反応中、発熱を起こし高温に
なるので、水浴で冷却して反応溶液を50℃以下に保持し
た。滴下終了後、さらに2時間室温で反応を続けた。ジ
メチルホルムアミド(DMF)43.8gを2時間を要して
滴下し、さらに室温で一夜放置した。エチルエーテル50
0mlを加え、反応溶液を希塩酸水溶液中に加えた。抽
出を行い、エーテル層を純水で洗浄後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。エーテルを留出後、蒸溜して4−ホルミ
ルスチレンを製造した(沸点70℃/0.8mmHg)。42g
(63%)の収量であった。
化合物(2)の製造 上記方法にて製造した化合物(1)66g、1,1−ジフ
ェニルヒドラジン92.5g、ベンゼン300ml、そして少量
のパラトルエンスルホン酸をディーンスタルク受器の付
いた500mlフラスコに仕込み、加熱して2時間還流し
た。反応終了後、ベンゼンを留出し、メタノールで再結
小晶して、融点79℃の淡黄色の固体である化合物(2)
を得た。
ェニルヒドラジン92.5g、ベンゼン300ml、そして少量
のパラトルエンスルホン酸をディーンスタルク受器の付
いた500mlフラスコに仕込み、加熱して2時間還流し
た。反応終了後、ベンゼンを留出し、メタノールで再結
小晶して、融点79℃の淡黄色の固体である化合物(2)
を得た。
化合物(3)の製造 50mlフラスコ中に化合物(2)15g、スチレン5g、ベ
ンゼン15mlを仕込み、さらにアゾビスイソブチロニトリ
ル(AIBN)0.5gを加えた。60℃で24時間重合を行っ
た後、重合溶液を多量のメタノール中に投入した。得ら
れた固体を減圧下、50℃で乾燥した。収量17.5g、重量
平均分子量180,000、数平均分子量84,000の化合物
(3)を得た。
ンゼン15mlを仕込み、さらにアゾビスイソブチロニトリ
ル(AIBN)0.5gを加えた。60℃で24時間重合を行っ
た後、重合溶液を多量のメタノール中に投入した。得ら
れた固体を減圧下、50℃で乾燥した。収量17.5g、重量
平均分子量180,000、数平均分子量84,000の化合物
(3)を得た。
実施例2 本実施例では、次の反応式で示される方法によって、式
(3)で示されるスチレン系共重合体を製造した。
(3)で示されるスチレン系共重合体を製造した。
(式中、xおよびyは、それぞれ1>x/(x+y)≧
0.01を満たすような1以上の整数を表す) 100ml中にポリ(p−ホルシルスチレン)5g、1,1
−ジフェニルヒドラジン15g、テトラヒドロフラン
(THF)50mlを仕込み、室温で4時間反応を行った。
反応終了後、THFを減圧で留出し、ベンゼン50mlを加
えて、その溶液をメタノール500ml中に投入した。得ら
れた固体の生成物を濾過後、乾短を行って化合物(3)
を製造した。収量12.3gであった。
0.01を満たすような1以上の整数を表す) 100ml中にポリ(p−ホルシルスチレン)5g、1,1
−ジフェニルヒドラジン15g、テトラヒドロフラン
(THF)50mlを仕込み、室温で4時間反応を行った。
反応終了後、THFを減圧で留出し、ベンゼン50mlを加
えて、その溶液をメタノール500ml中に投入した。得ら
れた固体の生成物を濾過後、乾短を行って化合物(3)
を製造した。収量12.3gであった。
応用例1 Al基板上にナイロンよりなる下地層が形成され、該下
地層上に電荷発生量としてフタロシアニンを含むブチラ
ールフィルム(0.1μm厚)が途布されるAl基板上
に、化合物(3)/塩化メチレン(1:1重量比)溶液
を塗布し、80℃、30分間焼き付けて15μm厚の電荷移動
層を形成せしめた。
地層上に電荷発生量としてフタロシアニンを含むブチラ
ールフィルム(0.1μm厚)が途布されるAl基板上
に、化合物(3)/塩化メチレン(1:1重量比)溶液
を塗布し、80℃、30分間焼き付けて15μm厚の電荷移動
層を形成せしめた。
静電複試験装置を用いて−5kVのコロナ放電で表面電
位−1054Vにせしめた後、照度5ルックスになるように
して光照射し、その表面電位が1/2になるまでの時間
(秒)を求め、半減露光量E1/2(ルックス・秒)を
得た。その結果はVpo=1000ボルト、E1/2=0.96
ルックス・秒と非常に高い移動度を示した。また機械的
物性も非常に良好であった。
位−1054Vにせしめた後、照度5ルックスになるように
して光照射し、その表面電位が1/2になるまでの時間
(秒)を求め、半減露光量E1/2(ルックス・秒)を
得た。その結果はVpo=1000ボルト、E1/2=0.96
ルックス・秒と非常に高い移動度を示した。また機械的
物性も非常に良好であった。
第1図は本応用例にて製造した感光体の概略断面図で、
図中、1はAl基板、2は電荷発生層、3は電荷移動
層、4は下地層である。
図中、1はAl基板、2は電荷発生層、3は電荷移動
層、4は下地層である。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明による新規なスチレン系共
重合体は、電子写真感光体における電荷移動材料として
用いた場合、機械的に優れた物性を有し、かつ高い移動
度を有しており、優れた機能を有する材料としてその有
用性が期待される。
重合体は、電子写真感光体における電荷移動材料として
用いた場合、機械的に優れた物性を有し、かつ高い移動
度を有しており、優れた機能を有する材料としてその有
用性が期待される。
第1図は本発明の一実施例で得られる共重合体を用いた
電子写真感光体の概略断面図である。 1……Al基板 2……電荷発生層 3……電荷移動層 4……下地層
電子写真感光体の概略断面図である。 1……Al基板 2……電荷発生層 3……電荷移動層 4……下地層
Claims (3)
- 【請求項1】一般式; (式中、Rは水素原子、炭素原子数が1〜4の低級アル
キル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ基を表
す) で示される構造単位(構造単位数:x)と、 式; で示される構造単位(構造単位数:y)よりなり、x,
yは、1>x/(x+y)≧0.01を満たすような1
以上の整数で示されることを特徴とする分子量1,000〜5
00,000のヒドラゾン基を側鎖に有するスチレン系共重合
体。 - 【請求項2】式; で示される構造単位と、 式; で示される構造単位よりなる4−ホルミルスチレン系共
重合体と、 一般式; (式中、Rは水素原子、炭素原子数が1〜4の低級アル
キル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ基を表
す) で示されるヒドラジン化合物とを反応させることを特徴
とする一般式; (式中、Rは前記と同一意味) で示される構造単位と、 式; で示される構造単位よりなる分子量1,000〜500,000のヒ
ドラゾン基を側鎖に有するスチレン系共重合体の製造方
法。 - 【請求項3】一般式; (式中、Rは水素原子、炭素原子数が1〜4の低級アル
キル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ基を表
す) で示されるヒドラゾン基含有スチレン化合物と、 式; で示されるスチレンとを共重合させることを特徴とする
一般式; (式中、Rは前記と同一意味) で示される構造単位と、 式; で示される構造単位よりなる分子量1,000〜500,000のヒ
ドラゾン基を側鎖に有するスチレン系共重合体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9290489A JPH0625230B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | ヒドラゾン基を側鎖に有するスチレン系共重合体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9290489A JPH0625230B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | ヒドラゾン基を側鎖に有するスチレン系共重合体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02272006A JPH02272006A (ja) | 1990-11-06 |
| JPH0625230B2 true JPH0625230B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=14067469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9290489A Expired - Fee Related JPH0625230B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | ヒドラゾン基を側鎖に有するスチレン系共重合体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0625230B2 (ja) |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP9290489A patent/JPH0625230B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02272006A (ja) | 1990-11-06 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |