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JPH0631900B2 - Radiation image conversion panel manufacturing method - Google Patents
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JPH0631900B2 - Radiation image conversion panel manufacturing method - Google Patents

Radiation image conversion panel manufacturing method

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Publication number
JPH0631900B2
JPH0631900B2 JP60245808A JP24580885A JPH0631900B2 JP H0631900 B2 JPH0631900 B2 JP H0631900B2 JP 60245808 A JP60245808 A JP 60245808A JP 24580885 A JP24580885 A JP 24580885A JP H0631900 B2 JPH0631900 B2 JP H0631900B2
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JP
Japan
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stimulable phosphor
image conversion
radiation image
conversion panel
phosphor layer
Prior art date
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久憲 土野
亜紀子 加野
邦昭 中野
幸二 網谷
文生 島田
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Konica Minolta Inc
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  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは放射線に対する感度
の高い放射線画像変換パネルの製造方法に関するもので
ある。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a radiation image conversion panel using a stimulable phosphor, and more particularly to a method for producing a radiation image conversion panel having high sensitivity to radiation. It is a thing.

(発明の背景) X線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このX線画像を得るために、被写体を透
過したX線を蛍光体層(蛍光スクリーン)に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。し
かし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光
体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるようにな
った。
(Background of the Invention) Radiation images such as X-ray images are often used for disease diagnosis. In order to obtain this X-ray image, X-rays that have passed through the subject are irradiated onto the phosphor layer (fluorescent screen), thereby generating visible light, and this visible light is used in the same way as when taking a normal photograph. A so-called radiograph in which a film using salt is irradiated and developed is used. However, in recent years, a method of directly taking out an image from the phosphor layer without using a film coated with silver salt has been devised.

この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せし
め、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的
には、例えば米国特許3,859,527号及び特開昭55-12144
号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は赤外線を輝尽励
起光とした放射線画像変換方法が示されている。この方
法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変
換パネルを使用するもので、この放射線画像変換パネル
の輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて被
写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを
蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光体
層を輝尽励起光で走査することによって各部の蓄積され
た放射線エネルギーを放射させてこれを光に変換し、こ
の光の強弱による光信号により画像を得るものである。
この最終的な画像はハードコピーとして再生しても良い
し、CRT上に再生しても良い。
As this method, the radiation that has passed through the subject is absorbed by the phosphor, and then the phosphor is excited by, for example, light or thermal energy so that the radiation energy accumulated by the absorption by the phosphor is emitted as fluorescence. , There is a method of detecting this fluorescence and imaging. Specifically, for example, U.S. Pat. No. 3,859,527 and JP-A-55-12144.
Japanese Patent No. 3187242 discloses a radiation image conversion method using a stimulable phosphor and using visible light or infrared light as stimulated excitation light. This method uses a radiation image conversion panel in which a stimulable phosphor layer is formed on a support, and the radiation that has passed through the subject is applied to the stimulable phosphor layer of this radiation image conversion panel to apply the radiation to each part of the subject. A latent image is formed by accumulating the radiation energy corresponding to the radiation transmittance, and thereafter, the stimulable phosphor layer is scanned with stimulable excitation light to radiate the accumulated radiation energy of each part to generate a latent image. The light is converted into light and an image is obtained by an optical signal depending on the intensity of the light.
This final image may be played back as a hard copy or on a CRT.

この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光体層を
有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スクリーン
を用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収率およ
び光変換率(両者を含めて以下「放射線感度」という)
が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く、しかも
高鮮鋭性であることが要求される。
A radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer used in this radiation image conversion method has a radiation absorption rate and a light conversion rate (including both of them, as in the case of the radiographic method using the above-described fluorescent screen). Radiation sensitivity ")
Needless to say, the image has good graininess and high sharpness.

ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは粒径1〜30μm程度の粒状の輝尽性蛍光体と
有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保護層上に
塗布、乾燥して作成されるので、輝尽性蛍光体の充填密
度が低く(充填率50%)、放射線感度を充分高くするに
は輝尽性蛍光体層の層厚を厚くする必要があった。
However, in general, a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer applies a dispersion containing a granular stimulable phosphor having a particle size of about 1 to 30 μm and an organic binder onto a support or a protective layer, Since it is produced by drying, the packing density of the stimulable phosphor is low (filling ratio 50%), and it was necessary to increase the layer thickness of the stimulable phosphor layer in order to sufficiently increase the radiation sensitivity.

一方、これに対し前記放射線画像変換方法における画像
の鮮鋭性は、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の
層厚が薄いほど高い傾向にあり、鮮鋭性の向上のために
は、輝尽性蛍光体層の薄層化が必要であった。
On the other hand, the sharpness of the image in the radiation image conversion method tends to be higher as the layer thickness of the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel is smaller. It was necessary to thin the luminescent phosphor layer.

また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性
は、放射線量子数の場所的ゆらぎ(量子モトル)あるい
は放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ
(構造モルト)等によって決定されるので、輝尽性蛍光
体層の層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される
放射線量子数が減少して量子モトルが増加したり、構造
的乱れが顕在化して構造モトルが増加したりして画質の
低下を生ずる。よって画像の粒状性を向上させるために
は輝尽性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。
Further, the graininess of the image in the radiation image conversion method is determined by the spatial fluctuation of the radiation quantum number (quantum mottle), the structural disorder of the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel (structural malt), or the like. Therefore, as the layer thickness of the stimulable phosphor layer becomes thinner, the number of radiation quantum absorbed in the stimulable phosphor layer decreases and the quantum mottle increases, or structural disorder becomes apparent and the structure mottle increases. As a result, the image quality is degraded. Therefore, in order to improve the graininess of the image, the stimulable phosphor layer needs to be thick.

即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度および画像の粒状性と、画像の鮮鋭性
とが輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を
示すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する
感度と粒状性と鮮鋭性間のある程度の相互犠牲によって
作成されてきた。
That is, as described above, in the conventional radiation image conversion panel, the sensitivity to radiation and the graininess of the image, and the sharpness of the image show the opposite tendency to the layer thickness of the stimulable phosphor layer. The radiation image conversion panels have been made at the trade-off between radiation sensitivity and some degree of graininess and sharpness.

ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーン中の蛍光体の瞬間発光(放射線照射時の発
光)の広がりによって決定されるのは周知の通りである
が、これに対し前述の輝尽性蛍光体を利用した放射線画
像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換パネ
ル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって決定さ
れるのではなく、すなわち放射線写真法におけるように
蛍光体の発光の広がりによって決定されるのではなく、
輝尽励起光の該パネル内での広がりに依存して決まる。
なぜならばこの放射線画像変換方法においては、放射線
画像変換パネルに蓄積された放射線画像情報は時系列化
されて取り出されるので、ある時間(ti)に照射された
輝尽励起光による輝尽発光は望ましくは全て採光されそ
の時間に輝尽励起光が照射されていた該パネル上のある
画素(xi,yi)からの出力として記録されるが、もし輝尽
励起光が該パネル内で散乱等により広がり、照射画素(x
i,yi)の外側に存在する輝尽性蛍光体をも励起してしま
うと、上記(xi,yi)から画素からの出力としてその画素
よりも広い領域からの出力が記録されてしまうからであ
る。従って、ある時間(ti)に照射された輝尽励起光によ
る輝尽発光が、その時間(ti)に輝尽励起光が真に照射さ
れていた該パネル上の画素(xi,yi)からの発光のみであ
れば、その発光がいかなる広がりを持つものであろうと
得られる画像の鮮鋭性には影響がないのである。
By the way, it is well known that the sharpness of an image in the conventional radiographic method is determined by the spread of the instantaneous light emission (light emission at the time of radiation irradiation) of the phosphor in the fluorescent screen. The sharpness of the image in the radiation image conversion method using a fluorescent substance is not determined by the spread of the stimulated emission of the stimulable phosphor in the radiation image conversion panel, that is, as in radiography, Rather than being determined by the spread of
It is determined depending on the spread of stimulated excitation light in the panel.
In this radiation image conversion method, since the radiation image information accumulated in the radiation image conversion panel is taken out in time series, it is desirable that the stimulated emission due to the stimulated excitation light irradiated at a certain time (ti). Is recorded as the output from a certain pixel (xi, yi) on the panel that was all illuminated and was irradiated with stimulated excitation light at that time, but if the stimulated excitation light spreads in the panel due to scattering, etc. , Irradiation pixel (x
If the stimulable phosphor existing outside (i, yi) is also excited, the output from a region wider than the pixel is recorded as the output from the pixel from (xi, yi) above. is there. Therefore, stimulated emission by the stimulated excitation light irradiated at a certain time (ti), from the pixel (xi, yi) on the panel that was actually irradiated with the stimulated excitation light at that time (ti) If only the luminescence is emitted, the sharpness of the obtained image will not be affected regardless of the extent of the luminescence.

このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性を改善する
方法がいくつか考案されて来た。例えば特開昭55-14644
7号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層中に
白色粉体を混入する方法、特開昭55-163500号記載の放
射線画像変換パネルを輝尽性蛍光体の輝尽励起光波長領
域における平均反射率が前記輝尽性蛍光体の輝尽発光波
長領域における平均反射率よりも小さくなるように着色
する方法等である。しかし、これらの方法は鮮鋭性を改
良すると必然的に感度が著しく低下してしまい、好まし
い方法とは言えない。
Under these circumstances, some methods have been devised to improve the sharpness of radiographic images. For example, JP-A-55-14644
No. 7, a method of mixing a white powder in the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel, the radiation image conversion panel described in JP-A-55-163500, the stimulable excitation light wavelength of the stimulable phosphor For example, there is a method of coloring so that the average reflectance in the region is smaller than the average reflectance in the stimulated emission wavelength region of the stimulable phosphor. However, these methods are not preferable methods because the sensitivity inevitably decreases remarkably when the sharpness is improved.

本出願人は、前述のような欠点及び特性間の相反性に鑑
みて、特願昭59-196365号において輝尽性蛍光体層に結
着剤を含有しない放射線画像変換パネル及びその製造方
法を提案している。これによれば、前記放射線画像変換
パネルの輝尽性蛍光体層が結着剤を含有しないので輝尽
性蛍光体の充填率が著しく向上すると共に輝尽性蛍光体
層の輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が向上し、放射線
画像変換パネルの放射線に対する感度と画像の粒状性が
改善されると同時に画像の鮮鋭性も改善される。
In view of the above-mentioned drawbacks and reciprocity between properties, the present applicant has proposed a radiation image conversion panel containing no binder in the stimulable phosphor layer and a method for producing the same in Japanese Patent Application No. 59-196365. is suggesting. According to this, since the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel does not contain a binder, the filling rate of the stimulable phosphor is significantly improved and the stimulable excitation light of the stimulable phosphor layer and The directivity of stimulated emission is improved, the sensitivity of the radiation image conversion panel to radiation and the graininess of the image are improved, and at the same time, the sharpness of the image is improved.

前記の結着剤を含有しない放射線画像変換パネルは、ス
パッタリング法、CVD法、蒸着法、イオンプレーティン
グ法等種々の気相堆積法で製造可能であるが、製造コス
トを考慮するとスパッタリング法あるいは蒸着法が最も
好ましい方法と言える。
The radiation image conversion panel containing no binder can be manufactured by various vapor phase deposition methods such as a sputtering method, a CVD method, a vapor deposition method and an ion plating method. Method is the most preferred method.

ところが、前記蒸着法に於て一般的に行なわれている抵
抗加熱法で輝尽性蛍光体層を形成した場合、ある坩堝温
度に対する輝尽性蛍光体を構成する複数の物質は蒸気圧
がそれぞれ異なり、蒸気圧の高い物質ほど優先的に蒸発
する。このため支持体上に形成された輝尽性蛍光体層の
組成は坩堝中に仕込んだ輝尽性蛍光体の組成と一致せ
ず、放射線画像変換パネルの放射線に対する感度が低下
する重大な欠点のあることが明らかとなった。
However, when the stimulable phosphor layer is formed by the resistance heating method that is generally performed in the vapor deposition method, the vapor pressures of a plurality of substances constituting the stimulable phosphor for a certain crucible temperature are respectively different. In contrast, the higher the vapor pressure of the substance, the more preferentially it will evaporate. Therefore, the composition of the stimulable phosphor layer formed on the support does not match the composition of the stimulable phosphor charged in the crucible, and the sensitivity to radiation of the radiation image conversion panel is reduced. It became clear that there is.

すなわち、輝尽性蛍光体を気相堆積させる方法は、前記
したように数々の利点を齎すが、輝尽性蛍光体の層を形
成する場合に該蛍光体の気化条件を蔑ろにすることによ
って大きな陥穽に陥る。
That is, the method of vapor-depositing the stimulable phosphor brings about various advantages as described above, but when the layer of the stimulable phosphor is formed, the vaporization condition of the phosphor is neglected. Fall into a big trap.

例えばTlを不活剤とするRbBr:Tl輝尽性蛍光体に関する
本発明者らの研究によると、該蛍光体の発光強度は第9
図に示すようにTl含有量が 10-2〜100mol%の範囲にあっては瞬間発光強度は一定で
ありTl含有量が一定幅に収っている限り一般的蛍光体と
してその組成比に関し深く注意する必要がない。
For example, according to the present inventors' research on RbBr: Tl stimulable phosphor using Tl as an inactivating agent, the emission intensity of the phosphor is 9th.
Is Tl content as shown in FIG its composition ratio as 10 -2 ~10 0 mol% of In the range instantaneous light emission intensity is constant and as long as common phosphor Tl content is Osamu' constant width You don't have to be very careful about it.

しかし本発明に係る放射線画像変換パネルの死命を制す
る輝尽発光は3×10-2mol%付近にピークを有しその前
後で強度は大きく低下する。
However, the stimulated emission that controls the death of the radiation image conversion panel according to the present invention has a peak at around 3 × 10 -2 mol%, and the intensity is greatly reduced before and after that.

従って、蒸着法によって輝尽性蛍光体を気相堆積させる
際に付活剤と輝尽性蛍光体母体の蒸気圧が異ることによ
って、均一に調製した付活輝尽性蛍光体の蒸発源体から
付活剤が、蛍光体母体に先行し或は遅滞してパネル支持
体に蒸着され輝尽性蛍光体層中で厚み方向に付活剤濃度
が異なり最適濃度から逸脱すれば、付活剤の本来の目的
の活性付与は転じて付活剤による中毒症状を呈するに到
る。因みにRbBrの蒸気圧は777℃に於て1mmHgを示しTlB
rは522℃に於て10mmHgを呈し蒸気圧に大差を有してい
る。
Therefore, when vapor-depositing the stimulable phosphor by the vapor deposition method, the vapor pressures of the activator and the stimulable phosphor matrix are different, so that the evaporation source of the uniformly prepared stimulable phosphor is When the activator from the body is vapor-deposited on the panel support before or after the phosphor matrix and the activator concentration varies in the thickness direction in the stimulable phosphor layer and deviates from the optimum concentration, the activator is activated. The original purpose of imparting the activity of the agent eventually leads to the manifestation of poisoning by the activator. By the way, the vapor pressure of RbBr shows 1mmHg at 777 ℃ and TlB.
r is 10 mmHg at 522 ℃, and has a large difference in vapor pressure.

この点に関心を払った事例はなく、往々にして総体的に
は最適の付活剤濃度であるにも拘らず性能不良の付活輝
尽性蛍光体層の例を見る。
We have not paid any attention to this point, and we often look at examples of activatable stimulable phosphor layers that have poor performance despite overall optimum activator concentration.

一方、前記スパッタリング法による透明な輝尽性蛍光体
層の製造は特開昭59-60300号により知られている。
On the other hand, the production of a transparent stimulable phosphor layer by the above-mentioned sputtering method is known from JP-A-59-60300.

前記製造方法は、輝尽性蛍光体を表面より順次スパッタ
リングすることにより、輝尽性蛍光体層を形成するので
スパッタリング前の輝尽性蛍光体の化学組成と気相堆積
した後の輝尽性蛍光体の化学組成とが概略一致し放射線
感度が向上する利点がある。
The manufacturing method, by sequentially sputtering the stimulable phosphor from the surface, to form a stimulable phosphor layer, so the chemical composition of the stimulable phosphor before sputtering and the stimulability after vapor deposition There is an advantage that the chemical composition of the phosphor is approximately the same and the radiation sensitivity is improved.

しかし前記製造方法による透明輝尽性蛍光体層を有する
放射線画像変換パネルは、第10図に示すように輝尽性蛍
光体層が透明であるため、該蛍光体層その他の構成層の
界面での輝尽励起光の反射により広範囲にわたってハレ
ーションを起し該輝尽励起光が散乱し、輝尽性蛍光体を
輝尽励起するので画像の鮮鋭性が著しく劣化する欠点を
有していた。
However, the radiation image conversion panel having a transparent stimulable phosphor layer by the above-mentioned manufacturing method, since the stimulable phosphor layer is transparent as shown in FIG. 10, at the interface of the phosphor layer and other constituent layers. The reflection of the stimulated excitation light causes halation over a wide range, the stimulated excitation light is scattered, and the stimulable phosphor is stimulated to be excited, so that the sharpness of the image is significantly deteriorated.

また前記製造方法による透明輝尽性蛍光体層の形成には
輝尽性蛍光体結晶を大きく成長させる必要があり、高速
に輝尽性蛍光体層を形成させると該蛍光体層が透明とは
ならないので前記放射線画像変換パネルの生産性は著し
く低いという欠点を有しており、その改良が望まれてい
た。
Further, in order to form the transparent stimulable phosphor layer by the manufacturing method, it is necessary to grow the stimulable phosphor crystal to a large extent, and when the stimulable phosphor layer is formed at high speed, the phosphor layer is not transparent. Therefore, there is a drawback that the productivity of the radiation image conversion panel is extremely low, and improvement thereof has been desired.

(発明の目的) 本発明は輝尽性蛍光体を用いた前記提案の放射線画像変
換パネルの製造方法に関連し、本発明の目的は画像の鮮
鋭性が高く解像力に優れた放射線画像変換パネルの製造
方法を提供することにある。
(Object of the Invention) The present invention relates to the method for producing the proposed radiation image conversion panel using a stimulable phosphor, and the object of the present invention is to provide a radiation image conversion panel having high image sharpness and excellent resolution. It is to provide a manufacturing method.

本発明の他の目的は、気相堆積法の利点を充分に発揮さ
せた画像の良好な粒状性と鮮鋭性とを有し、且つ放射線
に対する感度の高い放射線画像変換パネルの製造方法を
提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a method for producing a radiation image conversion panel which has good graininess and sharpness of an image and which has the advantages of the vapor deposition method, and which is highly sensitive to radiation. Especially.

更に本発明の他の目的は、気相堆積速度が速く、生産性
の高い放射線画像変換パネルの製造方法を提供すること
にある。
Still another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a radiation image conversion panel having a high vapor deposition rate and high productivity.

(発明の構成) 本発明者らは輝尽性蛍光体層のスパッタリング法による
形成方法について鋭意研究を重ねた結果、輝尽性蛍光体
のスパッタリング速度を高めることによって支持体上の
輝尽性蛍光体が微細結晶化して不透明となり、従来の透
明な輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルと比
較して高鮮鋭性を示すことを見い出し本発明を完成する
に至った。
(Structure of the Invention) As a result of intensive studies on the method for forming a stimulable phosphor layer by the present inventors, the inventors have found that the stimulable phosphor on the support is increased by increasing the sputtering rate of the stimulable phosphor. The present invention has been completed by finding that the body becomes finely crystallized and becomes opaque and exhibits high sharpness as compared with a conventional radiation image conversion panel having a transparent photostimulable phosphor layer.

すなわち前記本発明の目的はスパッタリング法により少
なくとも一層の輝尽性蛍光体層を形成する放射線画像変
換パネルの製造方法に於て、前記輝尽性蛍光体層の堆積
速度AがA≧2×103Å/分の範囲に含まれることを特
徴とする放射線画像変換パネルの製造方法によって達成
される。
That is, the object of the present invention is a method for producing a radiation image conversion panel in which at least one stimulable phosphor layer is formed by a sputtering method, and the deposition rate A of the stimulable phosphor layer is A ≧ 2 × 10 5. This is achieved by a method for manufacturing a radiation image conversion panel, which is characterized by being included in the range of 3 Å / min.

更に本発明の態様としては前記堆積速度Aが5×103
/分≦A≦5×105Å/分であることが好ましい。
Further, according to an aspect of the present invention, the deposition rate A is 5 × 10 3 Å
/ Min ≦ A ≦ 5 × 10 5 Å / min is preferable.

尚、本発明に於て微細結晶が輝尽性蛍光体層の層厚方向
に配列した微細柱状結晶構造となった場合特に画像の鮮
鋭性が向上し好ましい。
In the present invention, it is preferable that the fine crystals have a fine columnar crystal structure arranged in the layer thickness direction of the stimulable phosphor layer because the sharpness of the image is improved.

本発明に於てスパッタリング法とは、加速された粒子
(一般にはイオン)が固体表面に衝突したとき、運動量
の交換によって固体を構成する原子あるいは分子を空間
へ叩き出すスパッタリング現象を利用して、目的とする
物質を蒸発させ所定の変換パネル基板(支持体)上に気
相堆積させる方法である。
In the present invention, the sputtering method uses a sputtering phenomenon in which, when accelerated particles (generally ions) collide with the surface of a solid, the atoms or molecules constituting the solid are knocked out into space by exchange of momentum, In this method, a target substance is evaporated and vapor-deposited on a predetermined conversion panel substrate (support).

本発明に言うスパッタリング法は前記スパッタリング現
象を利用したすべての方法を含んでいるが、一般的に絶
縁物である輝尽性蛍光体を効率的にスパッタリングする
ためには実質的には高周波を利用した高周波スパッタリ
ングが好ましく、高周波スパッタリングの中でも特にマ
グネトロンスパッタリングが堆積速度を向上させる目的
で好ましい。また前記スパッタリング法を反応性スパッ
タリング法、化学スパッタリング法等としてもよいし、
またスパッタリング法、反応性スパッタリング法及び化
学スパッタリング法を時系列的に組合せて併用してもよ
い。
The sputtering method referred to in the present invention includes all methods utilizing the above-mentioned sputtering phenomenon, but in order to efficiently sputter the stimulable phosphor which is generally an insulator, a high frequency is substantially used. The high frequency sputtering described above is preferable, and among the high frequency sputtering, magnetron sputtering is particularly preferable for the purpose of improving the deposition rate. Further, the sputtering method may be a reactive sputtering method, a chemical sputtering method, or the like,
Further, the sputtering method, the reactive sputtering method and the chemical sputtering method may be used in combination in a time series.

更に前記スパッタリング法とは異なるスパッタリング法
としてイオンビームスパッタリング法がある。
Further, as a sputtering method different from the above-mentioned sputtering method, there is an ion beam sputtering method.

以下本発明を図により詳細に説明する。The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図は本発明に用いるスパッタリング装置の1例であ
る高周波スパッタリング装置の断面概略図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a high frequency sputtering device which is an example of the sputtering device used in the present invention.

同図に於て1はベルジャー(真空槽)、2は高周波電源
装置、11はインピーダンスのマッチングボックス、3は
シャッター、4は輝尽性蛍光体を堆積させる支持体、6
はスパッタリング材料である輝尽性蛍光体(以下ターゲ
ットと言うことがある)5を保持するターゲット電極、
7は前記支持体4を保持するためのターゲット電極の対
向電極、8はスパッタリングガスの導入口、9はターゲ
ット電極6とベルジャー1との間の放電を防止するため
のシールド板である。10は膜厚モニターである。
In the figure, 1 is a bell jar (vacuum chamber), 2 is a high frequency power supply device, 11 is an impedance matching box, 3 is a shutter, 4 is a support for depositing a stimulable phosphor, 6
Is a target electrode that holds a stimulable phosphor (hereinafter also referred to as a target) 5 that is a sputtering material,
Reference numeral 7 is a counter electrode of a target electrode for holding the support 4, 8 is a sputtering gas inlet, and 9 is a shield plate for preventing discharge between the target electrode 6 and the bell jar 1. 10 is a film thickness monitor.

更に14は必要に応じプラズマをターゲット5と支持体4
との間に閉じ込めるマグネット、13は必要に応じスパッ
タ開始時に熱電子を供給するための点火用ヒータであ
る。
Further, 14 is a target 5 and a support 4 for plasma as necessary.
A magnet 13 confined between and is an ignition heater for supplying thermoelectrons at the start of sputtering if necessary.

本発明に於て前記スパッタリング装置を用いるに当っ
て、まづスパッタリング材料である輝尽性蛍光体は均一
に溶解させるかプレス、ホットプレスによって板状に形
成してターゲット5を作成した後、該ターゲットをター
ゲット電極6に接着する。
In using the sputtering device in the present invention, the stimulable phosphor that is a sputtering material is first uniformly dissolved or formed into a plate shape by pressing or hot pressing to prepare a target 5, The target is adhered to the target electrode 6.

また、前記ターゲット5はかならずしも支持体上に堆積
させる組成をもった輝尽性蛍光体である必要はなく、輝
尽性蛍光体原料を混和したものであってもよい。スパッ
タリングによってターゲット上で或は支持体上でもしく
は支持体に飛翔する間に目的組成を生成するものであっ
てもよい。
The target 5 does not necessarily have to be a stimulable phosphor having a composition to be deposited on a support, and may be a mixture of stimulable phosphor raw materials. The target composition may be produced by sputtering on a target or on a support or during flight to the support.

ターゲット電極6及びターゲット5はスパッタリング中
陽イオンによって激しく叩かれて、温度が上昇するので
ターゲット電極6の裏面に冷却水を流して冷却するのが
好ましい。また、対向電極7及び支持体4もスパッタリ
ング中に発生する二次電子の衝突によって加熱されるの
で必要に応じて冷却するのが好ましい。
Since the target electrode 6 and the target 5 are violently hit by cations during sputtering to increase the temperature, it is preferable to flow cooling water on the back surface of the target electrode 6 to cool it. Further, since the counter electrode 7 and the support 4 are also heated by the collision of secondary electrons generated during sputtering, it is preferable to cool them if necessary.

まづ、ターゲット電極6の対向電極上に支持体4を設置
する。また支持体4は加熱ヒータ等によって50〜350℃
に加熱されてもよい。
First, the support 4 is placed on the counter electrode of the target electrode 6. The support 4 is heated to 50 to 350 ° C by a heater or the like.
It may be heated to.

尚支持体4の蒸着素地表面は、一連の特願昭59-266913
号乃至同59-266916号に記載されているように輝尽性蛍
光体が微細柱状ブロックに区分されるように加工されて
いてもよい。
The surface of the vapor-deposited substrate of the support 4 is formed by a series of Japanese Patent Application No. 59-266913.
No. 59 to 266916, the stimulable phosphor may be processed so as to be divided into fine columnar blocks.

次いでメインバルブ等(図示せず)を操作してベンジャ
ー1の内部の気体を排除し10-4〜10-7Torr程度の真空度
とする。
Then, the main valve or the like (not shown) is operated to eliminate the gas inside the venger 1 to obtain a vacuum degree of about 10 −4 to 10 −7 Torr.

次いで真空槽内に不活性ガス(例えばAr,Ne等)をスパ
ッタリングガス導入口8から導入して1〜10-2Trr台の
真空度とした後、ターゲット電極6と対向電極7の間に
高周波電力を供給する。
Next, after introducing an inert gas (eg, Ar, Ne, etc.) into the vacuum chamber from the sputtering gas inlet 8 to a vacuum degree of the order of 1 to 10 -2 Trr, a high frequency wave is applied between the target electrode 6 and the counter electrode 7. Supply power.

前記高周波電力の供給により放電プラズマが生じ、ター
ゲット5のスパッタリングが開始される。ターゲットの
表面は一般に酸化、吸着ガス等で汚れているのでシャッ
タ3を閉じたまま予備スパッタリングを行い、汚れを取
り除いてからシャッタ3を開いて支持体4上への輝尽性
蛍光体の堆積を始めることが好ましい。
Discharge plasma is generated by the supply of the high frequency power, and the sputtering of the target 5 is started. Since the surface of the target is generally contaminated with oxidation, adsorbed gas, etc., pre-sputtering is performed with the shutter 3 closed, and after removing the contamination, the shutter 3 is opened to deposit the photostimulable phosphor on the support 4. It is preferable to start.

膜厚モニタ10によって堆積速度、堆積膜厚を監視しなが
らスパッタリングを進め、所定の膜厚となったらスパッ
タリングを停止する。
The sputtering proceeds while monitoring the deposition rate and the deposited film thickness by the film thickness monitor 10, and the sputtering is stopped when the film thickness reaches a predetermined value.

本発明に於て輝尽性蛍光体の堆積速度Aは支持体上に形
成される輝尽性蛍光体層が微細結晶化し輝尽励起光に対
し不透明となるように選択されることが重要である。輝
尽性蛍光体層が不透明となる前記堆積速度は支持体の温
度によっても異なるが、高速度の方が不透明となり易
く、堆積速度AはA≧2×103Å/分であることが必要
であり、更にA≧5×103Å/分であることが好まし
い。堆積速度Aが2×103Å/分未満の場合には前記理
由の他に輝尽性蛍光体層の製造に時間がかかりすぎるた
め好ましくない。また、堆積速度Aが5×105Å/分を
過える場合にはスパッタリングの速度コントロールが困
難となったり、感度が低下したりするため好ましくな
い。
In the present invention, it is important that the deposition rate A of the stimulable phosphor is selected so that the stimulable phosphor layer formed on the support becomes finely crystallized and becomes opaque to the stimulable excitation light. is there. The deposition rate at which the stimulable phosphor layer becomes opaque varies depending on the temperature of the support, but a higher rate tends to cause opacity, and the deposition rate A must be A ≧ 2 × 10 3 Å / min. And it is preferable that A ≧ 5 × 10 3 Å / min. When the deposition rate A is less than 2 × 10 3 Å / min, it takes too much time to manufacture the stimulable phosphor layer in addition to the reasons described above, which is not preferable. Further, if the deposition rate A exceeds 5 × 10 5 Å / min, it is not preferable because it becomes difficult to control the sputtering rate or the sensitivity is lowered.

尚、支持体4は輝尽性蛍光体を堆積する前に該支持体上
をスパッタリング(一般に逆スパッタリングと言う)し
て清浄面を得るようにしてもよい。
The support 4 may be sputtered (generally referred to as reverse sputtering) on the support before depositing the stimulable phosphor to obtain a clean surface.

更に前記装置例ではターゲットが上部にあり、支持体が
下部にあったが、これに限定されることはなく、ターゲ
ットと支持体とが対向して置れていればよい。また、ス
パッタリングガスに前記不活性ガスの他に必要に応じ反
応性ガスを一部混合して反応性スパッタリングとしても
よい。
Further, in the above-mentioned example of the device, the target was on the upper side and the support was on the lower side, but the present invention is not limited to this, and the target and the support may be placed so as to face each other. Further, reactive sputtering may be carried out by partially mixing a reactive gas with the sputtering gas, if necessary, in addition to the above-mentioned inert gas.

本発明の如くターゲットをスパッタリングして気相堆積
を行う場合には輝尽性蛍光体の種類、付活剤の有無に拘
らず均一に順次スパッタリングされるので輝尽性蛍光体
層に於る層厚方向の組成に偏倚を生ずる恐れはない。
In the case of performing vapor phase deposition by sputtering a target as in the present invention, the layers in the stimulable phosphor layer are uniformly sputtered regardless of the type of stimulable phosphor and the presence or absence of an activator. There is no risk of bias in the composition in the thickness direction.

第2図には平板型高周波マグネトロンスパッタリング装
置のターゲット電極構造を示す。
FIG. 2 shows a target electrode structure of a flat plate type high frequency magnetron sputtering apparatus.

平板型高周波マグネトロン・スパッタリング装置は前記
した高周波スパッタリング装置とはターゲットを含むタ
ーゲット電極構造が異なるだけで基本構造は同様であ
る。
The flat-plate high-frequency magnetron sputtering apparatus has the same basic structure as the above-described high-frequency sputtering apparatus except that the structure of the target electrode including the target is different.

同図に於て5はターゲット、6aは電極板(ボール・ピ
ース)、6bはマグネットであって、電極板6aとマグ
ネット6bによってターゲット電極6が形成される。マ
グネット6bはターゲットと電極板の間に必要個数、磁
極が交互になるように設けられトロイダル型のトンネル
状磁場20を形成し、放電プラズマはほゞこの周辺に拘束
されるのでターゲットのスパッタリングが増大し、支持
体への堆積速度が増大し、大型の平板状パネルの作成に
好適であり生産性も高い。
In the figure, 5 is a target, 6a is an electrode plate (ball piece), and 6b is a magnet. The target electrode 6 is formed by the electrode plate 6a and the magnet 6b. The magnets 6b are provided between the target and the electrode plate so that a required number of magnetic poles are alternately arranged to form a toroidal tunnel-shaped magnetic field 20, and the discharge plasma is substantially confined to the periphery of the target, which increases target sputtering. The deposition rate on the support is increased, which is suitable for producing a large flat panel and has high productivity.

更に第3図に他の型式の高周波マグネトロンスパッタリ
ング装置の例を示した。
Further, FIG. 3 shows an example of another type of high frequency magnetron sputtering apparatus.

同図に示す例は円型マグネトロンスパッタリング装置で
あって、この装置の特徴は、ターゲットと対向電極とが
一つの蒸発源を構成し、両者の間に高周波電力を供給す
ることにより、トロイダル型磁場にプラズマリングを生
じ、電気的にも機械的にも独立に配置された支持体に対
し蒸着が行われる点にある。同図に於て7は円板状の対
向電極、5はターゲットであり、リング状に対向電極7
を囲んでいる。ターゲット5の裏面には電極板(図示せ
ず)とマグネット6bが配置され、ターゲット電極6を
構成する。前記のようにターゲット裏面のマグネットに
より、磁場20が生じ、電場とによってターゲット上にプ
ラズマリング21を発生する。このリングから出たイオン
がターゲットをスパッタリングし、指向性の強いスパッ
タリング原子が放出される。
The example shown in the figure is a circular magnetron sputtering apparatus, and the characteristic of this apparatus is that the target and the counter electrode constitute one evaporation source, and high-frequency power is supplied between the two, toroidal magnetic field. A plasma ring is generated at the point where vapor deposition is performed on a support that is arranged electrically and mechanically independently. In the figure, 7 is a disk-shaped counter electrode, 5 is a target, and a ring-shaped counter electrode 7
Surrounds. An electrode plate (not shown) and a magnet 6b are arranged on the back surface of the target 5 to form the target electrode 6. As described above, the magnetic field 20 is generated by the magnet on the back surface of the target, and the plasma ring 21 is generated on the target by the electric field. The ions emitted from this ring sputter the target, and the highly-directed sputtering atoms are emitted.

同図に於て前記第1図及び第2図に用いた信号と同一信
号は機能的に同義である。
In the figure, the same signals as those used in FIGS. 1 and 2 are functionally synonymous.

第4図には更に他の型式の高周波スパッタリング装置の
例を示した。該例は同軸円筒電極型マグネトロンスパッ
タリング装置と称されるものである。
FIG. 4 shows an example of still another type of high frequency sputtering apparatus. This example is called a coaxial cylindrical electrode type magnetron sputtering device.

この装置は円筒状に重なったターゲットとターゲット電
極から成る筒内に複数個の短いマグネットの同種磁極を
対向させて装填したもので、第4図は該円筒軸に直角な
断面を示している。電極近傍でのイオン化が大きく、低
圧ガスの下でも大きいイオン化電流がえられる。
In this apparatus, a plurality of short magnets having the same magnetic poles are mounted facing each other in a cylinder composed of a target and a target electrode which are overlapped in a cylindrical shape, and FIG. 4 shows a cross section perpendicular to the cylinder axis. Ionization is large near the electrodes, and a large ionization current can be obtained even under low pressure gas.

また第5図にイオンビーム・スパッタリング装置を参考
に示した。この装置は蒸着速度が遅いため工業的生産に
は向かないが研究的手段としては重要であって本発明に
基礎データを提供したものである。
The ion beam sputtering system is shown in FIG. 5 for reference. This device is not suitable for industrial production due to its low deposition rate, but it is important as a research tool and provided the basic data for the present invention.

本発明に係る放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍光
体とは、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射さ
れた後に、光的、熱的、機械的、化学的または電気的等
の刺激(輝尽励起)により、最初の光もしくは高エネル
ギー放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体を
言うが、実用的な面から好ましくは500nm以上の輝尽
励起によって輝尽発光を示す蛍光体である。本発明に係
る放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体とし
ては、例えば特開昭48−80487号に記載されてい
るBaSO4;Ax(但しAはRy,Tb及びTmのうち少なくとも1
種であり、xは0.001≦x<1モル%である。)で表わ
される蛍光体、特開昭48−80488号記載のMgS
O4:Ax(但しAはHo或いはDyのうちいづれかであり、0.
001≦x≦1モル%である)で表わされる蛍光体、特開
昭48−80489号に記載されているSrSO4:Ax(但
しAはDy,Tb及びTmのうち少なくとも1種であり、xは
0.001≦x<1モル%である。)で表わされている蛍光
体、特開昭51−29889号に記載されているNa2S
O4,CaSO4及びBaSO4等にMn,Dy及Tbのうち少なくとも1種
を添加した蛍光体、特開昭52−30487号に記載さ
れているBeO,LiF,MgSO4及びCaF2等の蛍光体、特開昭5
3−39277号に記載されているLi2B4O7:Cu,Ag等の
蛍光体、特開昭54−47883号に記載されているLi
2O・(B2O2)x:Cu(但しxは2<x≦3)、及びLi2O・(B2
O2)x:Cu,Ag(但しxは2<x≦3)等の蛍光体、米国
特許3,859,527号に記載されているSrS:Ce,Sm、SrS:Eu,
Sm、La2O2S:Eu,Sm及び(Zn,Cd)S:Mn,X(但しXは
ハロゲン)で表わされる蛍光体が挙げられる。また、特
開昭55−12142号に記載されているZnS:Cu,Pb蛍
光体、一般式がBaO・xAl2O3:Eu(但し0.8≦x≦10)
で表わされるアルミン酸バリウム蛍光体、及び一般式が
MIIO・xSiO2:A(但しMIIはMg,Ca,Sr,Zn,Cd又はBaであ
りAはCe,Tb,Eu,Tm,Pb,Tl,Bi及びMnのうち少なくとも1
種であり、xは0.5≦x<2.5である。)で表わされるア
ルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。また、一
般式が (Ba1-x-yMgxCay)FX:eEu2+ (但しXはBr及びClの中の少なくとも1つであり、x,
y及びeはそれぞれ0<x+y≦0.6、xy≠0及び10≦
e≦5×10なる条件を満たす数である。)で表わされ
るアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55−
12144号に記載されている一般式が LnOX:xA (但しLnはLa,Y,Gd及びLuの少なくとも1つを、XはCl
及び/又はBrを、AはCe及び/又はTbを、xは0<x<
0.1を満足する数を表わす。)で表わされる蛍光体、特
開昭55−12145号に記載されている一般式が (Ba1-xMII x)FX:yA (但しMIIは、Mg,Ca,Sr,ZnおよびCdのうち少なくとも1
つを、XはCl,Br及びIのうちの少なくとも1つを、A
はEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb及びErのうち少なくとも
1つを、x及びyは0≦x≦0.6及び≦y≦0.2なる条件
を満たす数を表わす。)で表わされる蛍光体、特開昭5
5−84389号に記載されている一般式がBaFX:xCe,
yA(但し、XはCl,Br及びIのうちの少なくとも1つ、
AはIn,Tl,Gd,Sm及びZrのうちの少なくとも1つであ
り、x及びyはそれぞれ0<x≦2×10-1及び0<y
≦5×10-2である。)で表わされる蛍光体、特開昭5
5−160078号に記載されている一般式が MIIFX・xA:yLn (但しMIIはMg,Ca,Ba,Sr,Zn及びCdのうちの少なくとも
1種、AはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y2O3,La
2O3,In2O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,Ta2O5及び
ThO2のうちの少なくとも1種、LnはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,
Ho,Nd,Yb,Er,Sm及びGdのうちの少なくとも1種であり、
xはCl,Br及びIのうちの少なくとも1種であり、x及
びyはそれぞれ5×10-5≦x≦0.5及び0<y≦0.2な
る条件を満たす数である。)で表わされる希土類元素付
活2価金属フルオロハライド蛍光体、一般式がZnS:
A、CdS:A、(Zn,Cd)S:A、ZnS:A,X及びCdS:
A,X(但しAはCu,Ag,Au又はMnであり、Xはハロゲン
である。)で表わされる蛍光体、特開昭57−1482
85号に記載されている下記いづれかの一般式 xM3(PO4)2・NX2:yA M3(PO4)2・yA (式中、M及びNはそれぞれMg,Ca,Sr,Ba,Zn及びCdのう
ち少なくとも1種、XはF,Cl,Br及びIのうち少なく
とも1種、AはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sb,Tl,
Mn及びSnのうち少なくとも1種を表わす。また、x及び
yは0<x≦6、0≦y≦1なる条件を満たす数であ
る。)で表わされる蛍光体、下記いづれかの一般式 nReX3・mAX′2:xEu nReX3・mAX′2:xEu,ySm (式中、ReはLa,Gd,Y,Luのうち少なくとも1種、Aはア
ルカリ土類金属、Ba,Sr,Caのうち少なくとも1種、X及
びX′はF、Cl,Brのうち少なくとも1種を表わす。ま
た、x及びyは、1×10-4<x<3×10-1、1×1
-4<y<1×10-1なる条件を満たす数であり、n/m
は1×10<n/m<7×10-1なる条件を満たす。)
で表わされる蛍光体、および下記一般式 MIX・aMIIX′2・bMIIIX″3:cA (但し、MIはLi,Na,K,RbおよびCoから選ばれる少なく
とも1種のアルカリ金属であり、MIIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,
Zn,Cd,CuおよびNiから選ばれる少なくとも1種の二価金
属である。MIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,T
b,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,GaおよびInから選ばれる少な
くとも1種の三価金属である。X,X′およびX″は
F,Cl,BrおよびIから選ばれる少なくとも1種のハロ
ゲンである。AはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,L
u,Sm,Y,Tl,Na,Ag,CuおよびMgから選ばれる少なくと
も1種の金属である。
In the radiation image conversion panel according to the present invention, the stimulable phosphor means a stimulus (photostimulation) such as optical, thermal, mechanical, chemical or electrical after first irradiation with light or high energy radiation. Excitation means a phosphor that exhibits stimulated emission corresponding to the initial irradiation dose of light or high-energy radiation. From a practical point of view, a phosphor that exhibits stimulated emission upon excitation of 500 nm or more is preferable. is there. Examples of the stimulable phosphor used in the radiation image conversion panel according to the present invention include BaSO 4 ; Ax (where A is at least 1 of Ry, Tb and Tm) described in JP-A-48-80487.
And x is 0.001 ≦ x <1 mol%. ), MgS described in JP-A-48-80488
O 4 : Ax (where A is either Ho or Dy, 0.
001 ≦ x ≦ 1 mol%, SrSO 4 : Ax described in JP-A-48-80489 (wherein A is at least one of Dy, Tb and Tm, and x Is
0.001 ≦ x <1 mol%. ), Na 2 S described in JP-A-51-29889
Phosphors obtained by adding at least one of Mn, Dy and Tb to O 4 , CaSO 4, BaSO 4, etc., fluorescence of BeO, LiF, MgSO 4, CaF 2, etc. described in JP-A-52-30487 Body, JP-A-5
Phosphors such as Li 2 B 4 O 7 : Cu, Ag described in JP-A-3-39277, and Li described in JP-A-54-47883.
2 O ・ (B 2 O 2 ) x: Cu (where x is 2 <x ≦ 3), and Li 2 O ・ (B 2
O 2 ) x: Cu, Ag (where x is 2 <x ≦ 3) and other phosphors, SrS: Ce, Sm, SrS: Eu, described in US Pat. No. 3,859,527.
Examples include phosphors represented by Sm, La 2 O 2 S: Eu, Sm and (Zn, Cd) S: Mn, X (where X is a halogen). Further, a ZnS: Cu, Pb phosphor described in JP-A-55-12142, which has a general formula of BaO.xAl 2 O 3 : Eu (however, 0.8 ≦ x ≦ 10)
The barium aluminate phosphor represented by
M II O · xSiO 2 : A (where M II is Mg, Ca, Sr, Zn, Cd or Ba, and A is at least one of Ce, Tb, Eu, Tm, Pb, Tl, Bi and Mn)
Seed and x is 0.5 ≦ x <2.5. ) Alkaline earth metal silicate-based phosphors represented by Also, the general formula is (Ba 1-xy Mg x Ca y ) FX: eEu 2+ (where X is at least one of Br and Cl, and x,
y and e are 0 <x + y ≦ 0.6, xy ≠ 0 and 10 ≦, respectively.
It is a number that satisfies the condition of e ≦ 5 × 10. ) Alkaline earth fluorohalide phosphor, represented by JP-A-55-
No. 12144 has the general formula LnOX: xA (where Ln is at least one of La, Y, Gd and Lu, and X is Cl.
And / or Br, A is Ce and / or Tb, and x is 0 <x <
Represents a number that satisfies 0.1. ), The general formula described in JP-A-55-12145 is (Ba 1-x M II x ) FX: yA (where M II is Mg, Ca, Sr, Zn and Cd). At least one
X is at least one of Cl, Br and I, A
Represents at least one of Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb and Er, and x and y represent numbers satisfying the conditions of 0 ≦ x ≦ 0.6 and ≦ y ≦ 0.2. ), A phosphor represented by
The general formula described in 5-84389 is BaFX: xCe,
yA (where X is at least one of Cl, Br and I,
A is at least one of In, Tl, Gd, Sm, and Zr, and x and y are 0 <x ≦ 2 × 10 −1 and 0 <y, respectively.
≦ 5 × 10 −2 . ), A phosphor represented by
The general formula described in No. 5-160078 is M II FX · xA: yLn (where M II is at least one of Mg, Ca, Ba, Sr, Zn and Cd, A is BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, ZnO, Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , La
2 O 3 , In 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , GeO 2 , SnO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 and
At least one of ThO 2 and Ln is Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr,
At least one of Ho, Nd, Yb, Er, Sm and Gd,
x is at least one of Cl, Br and I, and x and y are numbers satisfying the conditions of 5 × 10 −5 ≦ x ≦ 0.5 and 0 <y ≦ 0.2, respectively. ) A rare earth element-activated divalent metal fluorohalide phosphor having a general formula of ZnS:
A, CdS: A, (Zn, Cd) S: A, ZnS: A, X and CdS:
Phosphors represented by A and X (where A is Cu, Ag, Au or Mn and X is halogen), JP-A-57-1482.
No. 85, one of the following general formulas xM 3 (PO 4 ) 2 · NX 2 : yA M 3 (PO 4 ) 2 · yA (wherein M and N are Mg, Ca, Sr, Ba, and At least one of Zn and Cd, X at least one of F, Cl, Br and I, A is Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Sb, Tl,
Represents at least one of Mn and Sn. Further, x and y are numbers satisfying the conditions of 0 <x ≦ 6 and 0 ≦ y ≦ 1. ), A phosphor represented by the general formula nReX 3 · mAX ′ 2 : xEu nReX 3 · mAX ′ 2 : xEu, ySm (wherein Re is at least one of La, Gd, Y and Lu, A Is an alkaline earth metal, at least one of Ba, Sr, and Ca, X and X ′ are at least one of F, Cl, and Br, and x and y are 1 × 10 −4 <x <. 3 x 10 -1 , 1 x 1
It is a number satisfying the condition of 0 -4 <y <1 × 10 -1 , and n / m
Satisfies the condition 1 × 10 <n / m <7 × 10 −1 . )
Phosphor represented in the following general formula M I X · aM II X ' 2 · bM III X "3: cA ( where, M I at least one alkali is that Li, Na, K, are selected from Rb and Co Is a metal, M II is Be, Mg, Ca, Sr, Ba,
It is at least one divalent metal selected from Zn, Cd, Cu and Ni. M III is Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, T
It is at least one trivalent metal selected from b, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In. X, X'and X "are at least one halogen selected from F, Cl, Br and I. A is Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, L
It is at least one metal selected from u, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu and Mg.

またaは、0≦a<0.5の範囲の数値であり、bは0≦
b<0.5の範囲の数値であり、cは0<c≦0.2の範囲の
数値である。)で表わされるアルカリハライド蛍光体等
が挙げられる。特にアルカリハライド蛍光体はスパッタ
リング法で輝尽性蛍光体層を形成させやすく好ましい。
Also, a is a numerical value in the range of 0 ≦ a <0.5, and b is 0 ≦ a <0.5.
The value is in the range of b <0.5, and the value of c is in the range of 0 <c ≦ 0.2. ) Alkali halide phosphors represented by). Alkali halide phosphors are particularly preferred because they facilitate formation of a stimulable phosphor layer by a sputtering method.

しかし、本発明に係る放射線画像変換パネルに用いられ
る輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではな
く、放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝
尽発光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であっても
よい。
However, the stimulable phosphor used in the radiation image conversion panel according to the present invention is not limited to the above-described phosphor, and it exhibits stimulated emission when irradiated with stimulated excitation light after irradiation with radiation. Any phosphor may be used as long as it is a phosphor.

本発明に係る放射線画像変換パネルは前記の輝尽性蛍光
体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝
尽性蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群であってもよ
い。また、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性
蛍光体は同一であってもよいが異なっていてもよい。
The radiation image conversion panel according to the present invention may be a stimulable phosphor layer group composed of one or more stimulable phosphor layers containing at least one kind of the stimulable phosphor described above. The stimulable phosphor contained in each stimulable phosphor layer may be the same or different.

本発明に係る放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の
層厚は放射線画像変換パネルの放射線に対する感度、輝
尽性蛍光体の種類等によって異なるが、30μm〜10
00μmの範囲から選ばれるのが好ましく、50μm〜
800μmの範囲から選ばれるのがより好ましい。輝尽
性蛍光体層の層厚を30μm未満にした場合には放射線
吸収率が極端に低下して放射線感度が悪くなり、画像の
粒状性が劣化するばかりか輝尽性蛍光体層が透明となり
易く、輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での横方向への広
がりが著しく増大し、画像の鮮鋭性が劣化する傾向にあ
るので好ましくない。
The layer thickness of the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel according to the present invention varies depending on the sensitivity of the radiation image conversion panel to radiation, the type of stimulable phosphor, and the like, but is 30 μm to 10 μm.
It is preferably selected from the range of 00 μm, and 50 μm to
More preferably, it is selected from the range of 800 μm. When the layer thickness of the stimulable phosphor layer is less than 30 μm, the radiation absorptivity is extremely reduced, the radiation sensitivity is deteriorated, the granularity of the image is deteriorated, and the stimulable phosphor layer becomes transparent. This is not preferred because it tends to occur easily, the lateral spread of the stimulable excitation light in the stimulable phosphor layer significantly increases, and the sharpness of the image tends to deteriorate.

第6図は本発明に係る放射線画像変換パネルの輝尽性蛍
光体の層厚および該層厚に対応する輝尽性蛍光体の附着
量と放射線感度の関係を表わしている。本発明に係る放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層は従来の蛍光体を
結着剤中に懸濁分散させた分散型の放射線画像変換パネ
ルの様に結着剤を含んでいないので輝尽性蛍光体の附着
量(充填率)が従来の放射線画像変換パネルの約2倍あ
り、輝尽性蛍光体層単位厚さ当りの放射線吸収率が向上
し従来の放射線画像変換パネルより放射線に対して高感
度となるばかりか、画像の粒状性が向上する。
FIG. 6 shows the relationship between the radiation sensitivity and the layer thickness of the stimulable phosphor of the radiation image conversion panel according to the present invention, and the amount of the stimulable phosphor deposited corresponding to the layer thickness. Since the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel according to the present invention does not contain a binder as in a dispersion type radiation image conversion panel in which a conventional phosphor is suspended and dispersed in a binder, it is bright. The adhering amount (filling rate) of the stimulable phosphor is about twice that of the conventional radiation image conversion panel, and the radiation absorption rate per unit thickness of the stimulable phosphor layer is improved, resulting in more radiation than the conventional radiation image conversion panel. On the other hand, not only high sensitivity but also graininess of the image is improved.

また、本発明に係る放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光
体層は結着剤を含有しておらず、また輝尽性蛍光体層が
微細結晶化しているので、輝尽励起光及び輝尽発光の指
向性に優れており、輝尽励起光および輝尽発光の透過性
が高く、従来の分散型の放射線画像変換パネルより層厚
を厚くすることが可能である。
Further, the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel according to the present invention does not contain a binder, and since the stimulable phosphor layer is finely crystallized, stimulating excitation light and stimulable It has excellent directivity of light emission, high transparency to stimulated excitation light and stimulated emission, and can have a larger layer thickness than the conventional dispersion type radiation image conversion panel.

さらに、本発明に係る放射線画像変換パネルの輝尽性蛍
光体層は前述のように指向性に優れているため、輝尽励
起光の輝尽性蛍光体層中での散乱が減少、従来の分散型
放射線画像変換パネル及び透明な輝尽性蛍光体層を有す
る従来の気相堆積型放射線画像変換パネルより画像の鮮
鋭性が著しく向上する。
Furthermore, since the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel according to the present invention has excellent directivity as described above, scattering of the stimulable excitation light in the stimulable phosphor layer is reduced, and The sharpness of the image is remarkably improved as compared with the conventional vapor phase deposition type radiation image conversion panel having the dispersion type radiation image conversion panel and the transparent photostimulable phosphor layer.

本発明に係る放射線画像変換パネルにおいて用いられる
支持体としては各種高分子材料、ガラス、金属等が用い
られ、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフ
ィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリア
ミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフ
ィルム、ポリカーボネイトフィルム等のプラスチックフ
ィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート
或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好まし
い。
As the support used in the radiation image conversion panel according to the present invention, various polymer materials, glass, metals and the like are used, and cellulose acetate film, polyester film, polyethylene terephthalate film, polyamide film, polyimide film, triacetate film, polycarbonate film. A plastic film such as the above, a metal sheet of aluminum, iron, copper, chromium or the like, or a metal sheet having a coating layer of the metal oxide is preferable.

これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍
光体層との接着性を向上させる目的でマット面としても
いし、反射層あるいは吸収層を設けてもよい。また、支
持体の表面は第7図(a)に示すような凹凸面41として
もよいし、(b)に示すように隔絶されたタイル状板43
を敷きつめた構造でもよい。第7図(a)の場合には輝尽
性蛍光体層が第7図(c)の断面図に示すように凹凸面4
1によって細分化されるので画像の鮮鋭性が一段と向上
する。第7図(b)の場合には輝尽性蛍光体層が支持体の
タイル状板43の輪郭を維持しながら堆積するので、結
果的には輝尽性蛍光体層は第7図(d)の断面図に示すよ
うに亀裂46によって隔絶された輝尽性蛍光体の柱状ブ
ロック45から成るため、画像の鮮鋭性が一段と向上す
る。
The surface of these supports may be a smooth surface, may be a matte surface for the purpose of improving the adhesion to the stimulable phosphor layer, and may be provided with a reflection layer or an absorption layer. Further, the surface of the support may be an uneven surface 41 as shown in FIG. 7 (a), or a tile-shaped plate 43 isolated as shown in FIG. 7 (b).
It may be a structure that is spread. In the case of FIG. 7 (a), the stimulable phosphor layer has an uneven surface 4 as shown in the sectional view of FIG. 7 (c).
Since it is subdivided by 1, the sharpness of the image is further improved. In the case of FIG. 7 (b), the stimulable phosphor layer is deposited while maintaining the contour of the tile plate 43 of the support, and as a result, the stimulable phosphor layer is formed as shown in FIG. As shown in the sectional view of), since the columnar block 45 of the stimulable phosphor is isolated by the crack 46, the sharpness of the image is further improved.

さらにこれら支持体は、輝尽性蛍光体層との接着性を向
上させる目的で輝尽性蛍光体層が設けられる面に下引層
を設けてもよい。また、これら支持体の層厚は用いる支
持体の材質等によって異なるが、一般的には80μm〜
2000μmであり、取扱い上の点からさらに好ましく
は80μm〜1000μmである。
Further, these supports may be provided with an undercoat layer on the surface on which the stimulable phosphor layer is provided for the purpose of improving the adhesiveness with the stimulable phosphor layer. The layer thickness of these supports varies depending on the material of the support used and the like, but is generally 80 μm to
The thickness is 2000 μm, and more preferably 80 μm to 1000 μm from the viewpoint of handling.

本発明に係る放射線画像変換パネルに於ては、一般的に
前記輝尽性蛍光体層が露呈する面に、輝尽性蛍光体層を
物理的にあるいは化学的に保護するための保護層が設け
られてもよい。この保護層は、保護層用塗布液を輝尽性
蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あるいは
あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接
着してもよい。保護層の材料としては酢酸セルロース、
ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネ
ート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等の通常の保護
層用材料が用いられる。また、この保護層は蒸着法、ス
パッタリング法等により、SiC,SiO2,SiN,Al2O3などの無
機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層
厚は一般には0.1μm〜100μm程度が好ましい。
In the radiation image conversion panel according to the present invention, a protective layer for physically or chemically protecting the stimulable phosphor layer is generally provided on the surface on which the stimulable phosphor layer is exposed. It may be provided. This protective layer may be formed by directly coating the protective layer coating solution on the stimulable phosphor layer, or by forming a protective layer separately formed in advance on the stimulable phosphor layer. Good. Cellulose acetate as the material of the protective layer,
Usual protective layer materials such as nitrocellulose, polymethylmethacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, vinylidene chloride and nylon are used. Further, this protective layer may be formed by laminating an inorganic substance such as SiC, SiO 2 , SiN, Al 2 O 3 by a vapor deposition method, a sputtering method or the like. Generally, the thickness of these protective layers is preferably about 0.1 μm to 100 μm.

本発明に係る放射線画像変換パネルは第8図に概略的に
示される放射線画像変換方法に用いられた場合、優れた
鮮鋭性、粒状性及び感度を与える。すなわち、第8図に
於て、51は放射線発生装置、62は被写体、53は本
発明に係る放射線画像変換パネル、54は輝尽励起光
源、55は該放射線画像変換パネルより放射された輝尽
発光を検出する光電変換装置、56は55で検出された
信号を画像として再生する装置、57は再生された画像
を表示する装置、58は輝尽励起光と輝尽発光とを分離
し、輝尽発光のみを透過させるフィルターである。尚5
5以降は53からの光情報を何らかの形で画像として再
生できるものであればよく、上記に限定されるものでは
ない。
The radiation image conversion panel according to the present invention provides excellent sharpness, graininess and sensitivity when used in the radiation image conversion method schematically shown in FIG. That is, in FIG. 8, 51 is a radiation generator, 62 is a subject, 53 is a radiation image conversion panel according to the present invention, 54 is a stimulated excitation light source, and 55 is radiation stimulated by the radiation image conversion panel. A photoelectric conversion device for detecting light emission, a device 56 for reproducing the signal detected by 55 as an image, a device 57 for displaying the reproduced image, a device 58 for separating stimulated excitation light and stimulated emission light, It is a filter that transmits only exhausted light. 5
From 5 onward, the light information from 53 can be reproduced as an image in some form, and is not limited to the above.

第8図に示されるように、放射線発生装置51からの放
射線は被写体52を通して本発明に係る放射線画像変換
パネル53に入射する。この入射した放射線は放射線画
像変換パネル53の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエ
ネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成され
る。次にこの蓄積像を輝尽励起光源54からの輝尽励起
光で励記して輝尽発光として放出せしめる。放射線画像
変換パネル53は、輝尽性蛍光体層が微細結晶化して輝
尽性蛍光体層の輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く
なるため上記輝尽励起光による走査の際に、輝尽励起光
が輝尽性蛍光体層中で拡散するのが抑制される。
As shown in FIG. 8, the radiation from the radiation generator 51 enters the radiation image conversion panel 53 according to the present invention through the subject 52. The incident radiation is absorbed by the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 53, the energy is accumulated, and an accumulated image of a radiation transmission image is formed. Next, this accumulated image is excited by stimulated excitation light from the stimulated excitation light source 54 and emitted as stimulated emission. In the radiation image conversion panel 53, since the photostimulable phosphor layer is finely crystallized and the directivity of the photostimulable phosphor layer is enhanced, the directivity of the photostimulable phosphor layer and photostimulated light emission is increased. The diffusion of stimulated excitation light in the stimulable phosphor layer is suppressed.

放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置55で光電変換し、画像再生装置56
によって画像として再生し、画像表示装置57によって
表示することにより、被写体の放射線透過像を観察する
ことができる。
Since the intensity of the stimulated luminescence emitted is proportional to the amount of accumulated radiation energy, this optical signal is photoelectrically converted by the photoelectric conversion device 55 such as a photomultiplier tube, and the image reproduction device 56.
By reproducing the image as an image and displaying it by the image display device 57, the radiation transmission image of the subject can be observed.

(実施例) 次に本発明を実施例により説明する。(Examples) Next, the present invention will be described by examples.

実施例1 支持体として500μm厚の化学強化ガラスを平板型高
周波スパッタリング装置の真空槽中に設置した。ターゲ
ットとしてはRbBr:0.0006Tlアルカリハライド輝尽性蛍
光体をプレスにより平板状に加工したものを用いた。続
いてスパッタリング装置を5×10-6Torrまで排気した
後、スパッタリングガスとしてArを導入して4×10-3
Torrのガス圧とした。
Example 1 As a support, a chemically strengthened glass having a thickness of 500 μm was placed in a vacuum chamber of a flat plate type high frequency sputtering apparatus. As the target, an RbBr: 0.0006Tl alkali halide stimulable phosphor processed into a flat plate by a press was used. Subsequently, the sputtering apparatus was evacuated to 5 × 10 −6 Torr, and Ar was introduced as a sputtering gas to 4 × 10 −3.
The gas pressure was Torr.

次いで支持体を200℃に加熱保持しながら電極間に1
3.56MHzの高周波電力を供給してスパッタリングを行な
った。目的とする輝尽性蛍光体層を得るために膜厚モニ
タによりスパッタリング速度を検出し、スパッタリング
速度が2×104Å/分となるようにコントロールし
た。輝尽性蛍光体層の層厚が200μmとなったところ
でスパッタリングを終了させ、本発明の製造による放射
線画像変換パネルAを得た。
Then, while holding the support at 200 ℃,
Sputtering was performed by supplying high frequency power of 3.56 MHz. In order to obtain the target stimulable phosphor layer, the sputtering rate was detected by a film thickness monitor, and the sputtering rate was controlled to be 2 × 10 4 Å / min. When the layer thickness of the stimulable phosphor layer reached 200 μm, the sputtering was terminated to obtain a radiation image conversion panel A manufactured by the present invention.

このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Aに管電圧80KVpのX線を10mR照射した後、He-Neレ
ーザ光(633nm)で輝尽励起し、輝尽性蛍光体層から
放射される輝尽発光を光検出器(光電子増倍管)で光電
変換し、この信号を画像再生装置によって画像として再
生し、銀塩フィルム上に記録した。信号の大きさより、
放射線画像変換パネルAのX線に対する感度を調べ、ま
た得られた画像より、画像の変調伝達関数(MTF)お
よび粒状性を調べ第1表に示す。
The radiation image conversion panel A of the present invention thus obtained was irradiated with 10 mR of X-ray with a tube voltage of 80 KVp, and then stimulated by He-Ne laser light (633 nm) to radiate from the stimulable phosphor layer. The stimulated emission thus generated was photoelectrically converted by a photodetector (photomultiplier tube), and this signal was reproduced as an image by an image reproducing device and recorded on a silver salt film. From the size of the signal,
The sensitivity of the radiation image conversion panel A to X-rays was investigated, and the modulation transfer function (MTF) and graininess of the image were examined from the obtained image.

第1表に於て、X線に対する感度は本発明の放射線画像
変換パネルAを100として相対値で示してある。ま
た、変調伝達関数(MTF)は、空間周波数が2サイク
ル/mmの時の値であり、粒状性は(良い,普通,悪い)
をそれぞれ(○,△,×)で示してある。
In Table 1, the sensitivity to X-rays is shown as a relative value with the radiation image conversion panel A of the present invention as 100. The modulation transfer function (MTF) is a value when the spatial frequency is 2 cycles / mm, and the granularity is (good, normal, bad).
Are each indicated by (○, Δ, ×).

実施例2 実施例1に於て、第1図に示す高周波スパッタリング装
置に変更した以外は実施例1と同様にして本発明による
放射線画像変換パネルBを得た。
Example 2 A radiation image conversion panel B according to the present invention was obtained in the same manner as in Example 1 except that the high frequency sputtering apparatus shown in FIG. 1 was used.

このようにして得られた本発明による放射線画像変換パ
ネルBは、実施例1と同様にして評価し、結果を第1表
に併記する。
The radiation image conversion panel B according to the present invention thus obtained was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are also shown in Table 1.

実施例3 実施例1に於て、ターゲットとしてアルカリハライド輝
尽性蛍光体を用いる代わりに、アルカリハライド輝尽性
蛍光体原料(RbBr1モル,TlBr0.0006モルの混合物)を
用いた以外は実施例1と同様にして本発明による放射線
画像変換パネルCを得た。
Example 3 Example 3 except that an alkali halide stimulable phosphor raw material (a mixture of 1 mol of RbBr and 0.0006 mol of TlBr) was used instead of the alkali halide stimulable phosphor as a target in Example 3. A radiation image conversion panel C according to the present invention was obtained in the same manner as in 1.

このようにして得られた本発明による放射線画像変換パ
ネルCは実施例1と同様にして評価し、結果を第1表に
併記する。
The radiation image conversion panel C according to the present invention thus obtained was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are also shown in Table 1.

比較例1 アルカリハライド輝尽性蛍光体(RbBr:0.0006Tl)8重
量部とポリビニルプチラール樹脂1重量部とを溶剤(シ
クロヘキサノン)5重量部を用いて混合・分散し、輝尽
性蛍光体層用塗布液を調整した。次にこの塗布液を水平
に置いた500μm厚の支持体としての化学強化ガラス
上に均一に塗布し、自然乾燥させて200μm厚の輝尽
性蛍光体層を形成した。
Comparative Example 1 8 parts by weight of an alkali halide stimulable phosphor (RbBr: 0.0006Tl) and 1 part by weight of polyvinyl butyral resin were mixed and dispersed with 5 parts by weight of a solvent (cyclohexanone) to form a stimulable phosphor layer. The coating liquid for the was prepared. Next, this coating liquid was uniformly applied on a chemically strengthened glass as a support having a thickness of 500 μm and horizontally dried to form a photostimulable phosphor layer having a thickness of 200 μm.

このようにして得られた比較による放射線画像変換パネ
ルPは実施例1と同様にして評価し、結果を第1表に併
記する。
The comparative radiation image conversion panel P thus obtained was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are also shown in Table 1.

第1表より明らかなように本発明による放射線画像変換
パネルA〜Cは、比較による放射線画像変換パネルPに
比べてX線感度が約2倍高くしかも画像の粒状性が優れ
ていた。これは本発明による放射線画像変換パネルは輝
尽性蛍光体層が微細結晶化し、輝尽励起光及び輝尽発光
の指向性が高いことと、輝尽性蛍光体の充填率が比較に
よるパネルに比べて高くX線の吸収率が良いためであ
る。
As is clear from Table 1, the radiation image conversion panels A to C according to the present invention had an X-ray sensitivity about twice higher than that of the comparison radiation image conversion panel P and excellent image graininess. This is because in the radiation image conversion panel according to the present invention, the stimulable phosphor layer is finely crystallized, and the directivity of stimulated excitation light and stimulated emission is high, and the filling rate of the stimulable phosphor is a comparative panel. This is because the X-ray absorption rate is higher than that of the conventional one.

また、本発明による放射線画像変換パネルA〜Cは比較
による放射線画像変換パネルPに比べてX線感度が高い
にもかかわらず鮮鋭性の点でも優れていた。これも、本
発明による放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層が微
細結晶の構造を有し、輝尽励起光の指向性が高いため
に、輝尽励起光であるHe-Neレーザの輝尽性蛍光体層中
での散乱が減少するためである。
Further, the radiation image conversion panels A to C according to the present invention were excellent in sharpness as compared with the radiation image conversion panel P for comparison, although the X-ray sensitivity was high. Also, the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel according to the present invention has a structure of fine crystals, and since the directivity of the stimulable excitation light is high, the luminescence of He-Ne laser which is the stimulable excitation light. This is because scattering in the exhaustive phosphor layer is reduced.

実施例4 実施例1に於て、スパッタリング速度を8×103Å/分
とし、輝尽性蛍光体層厚を50μmとしたこと以外は実
施例1と同様にして本発明による放射線画像変換パネル
Dを得た。
Example 4 A radiation image conversion panel according to the present invention in the same manner as in Example 1 except that the sputtering rate was 8 × 10 3 Å / min and the stimulable phosphor layer thickness was 50 μm. I got D.

このようにして得られた本発明による放射線画像変換パ
ネルDは実施例1と同様にして評価し、結果を第2表に
示す。
The radiation image conversion panel D according to the present invention thus obtained was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 2.

実施例5 実施例1に於て、スパッタリング速度を3×103Å/分
とし、輝尽性蛍光体層を50μmとしたこと以外は実施
例1と同様にして本発明による放射線画像変換パネルE
を得た。
Example 5 A radiation image conversion panel E according to the present invention was carried out in the same manner as in Example 1 except that the sputtering rate was 3 × 10 3 Å / min and the stimulable phosphor layer was 50 μm.
Got

このようにして得られた本発明による放射線画像変換パ
ネルEは実施例1と同様にして評価し、結果を第2表に
併記する。
The radiation image conversion panel E according to the present invention thus obtained was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are also shown in Table 2.

比較例2 実施例1に於て、スパッタリング速度を5×102Å/分
とし、輝尽性蛍光体層厚を50μmとしたこと以外は実
施例1と同様にして比較による透明輝尽性蛍光体層を有
する放射線画像変換パネルQを得た。
Comparative Example 2 Comparative transparent stimulable fluorescence was carried out in the same manner as in Example 1 except that the sputtering rate was 5 × 10 2 Å / min and the stimulable phosphor layer thickness was 50 μm. A radiation image conversion panel Q having a body layer was obtained.

このようにして得られた比較による放射線画像変換パネ
ルQは実施例1と同様にして評価し、結果を第2表に併
記する。
The comparative radiation image conversion panel Q thus obtained was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are also shown in Table 2.

第2表より明らかなように本発明による放射線画像変換
パネルD,Eは比較による放射線画像変換パネルQより
画像の鮮鋭性が優れていた。これは比較による放射線画
像変換パネルQは輝尽性蛍光体層が透明であり輝尽励起
光の横方向への広がりが大きく、鮮鋭性が劣化したため
である。
As is clear from Table 2, the radiation image conversion panels D and E according to the present invention were superior in image sharpness to the comparison radiation image conversion panel Q. This is because in the radiation image conversion panel Q for comparison, the stimulable phosphor layer is transparent, the stimulable excitation light is widely spread in the lateral direction, and the sharpness is deteriorated.

実施例6 実施例1に於てターゲットとしてアルカリハライド輝尽
性蛍光体を用いる代わりに、BaFBr:0.001Eu輝尽性蛍光
体を用いた以外は実施例1と同様にして本発明による放
射線画像変換パネルFを得た。
Example 6 A radiation image conversion according to the present invention was performed in the same manner as in Example 1 except that BaFBr: 0.001Eu stimulable phosphor was used instead of the alkali halide stimulable phosphor as the target in Example 1. Panel F was obtained.

このようにして得られた本発明による放射線画像変換パ
ネルFは高鮮鋭性であり、2サイクル/mmでのMTFは
47%であった。
The radiation image conversion panel F according to the present invention thus obtained had a high sharpness and the MTF at 2 cycles / mm was 47%.

(発明の効果) 設計特性を現出する輝尽性蛍光体組成を忠実に写しとっ
た気相堆積層を形成する手段として該組成の輝尽性蛍光
体を表面から均一に蒸発させる高周波スパッタリング法
を採用し、設計と製品との間の性能偏倚を排除し、品質
の保証性を高めると共に安定した信頼性のある生産工程
とすることができる。
(Effects of the Invention) As a means for forming a vapor-phase deposited layer that faithfully copies the composition of a stimulable phosphor exhibiting design characteristics, a high frequency sputtering method for uniformly evaporating a stimulable phosphor of the composition from the surface Is adopted, the performance deviation between the design and the product is eliminated, the quality assurance is enhanced, and the production process is stable and reliable.

また、本発明によれば、輝尽性蛍光体層が微細結晶化し
て不透明であるため輝尽励起光の横への広がりが抑制さ
れ、画像の鮮鋭性が向上する。
Further, according to the present invention, since the photostimulable phosphor layer is finely crystallized and opaque, lateral spread of the photostimulable excitation light is suppressed and the sharpness of the image is improved.

本発明は、その効果が極めて大きく工業的に有用であ
る。
The present invention is extremely effective and industrially useful.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明に用いられる高周波スパッタリング装置
の概要図、第2図は平板型高周波マグネトロン・スパッ
タリング装置のターゲット陰極付近の構造を示す。第3
図は円型高周波マグネトロン・スパッタリング装置の概
要図、第4図は同軸同筒型高周波マグネトロン・スパッ
タリング装置概要平面図、第5図はイオンビーム・スパ
ッタリング装置の概要図である。 第6図は本発明によってえられる放射線画像変換パネル
の特性図である。 第7図は本発明に係る支持体の輝尽性蛍光体を堆積させ
る側の素地面の例及び堆積層の断面を示す。 第8図は放射線画像変換の説明図である。 第9図は付活剤Tlの輝尽性蛍光体中濃度と発光強度の関
係を示す図である。また第10図は透明な輝尽性蛍光体
層を有する変換パネルの輝尽励起光のハレーションを示
す説明図である。 1…ベルジャー(真空槽)、 2…高周波電源、3…シャッター、 4…支持体、5…ターゲット、 6…ターゲット電極、7…対向電極、 8…スパッタリングガス導入口、 9…シールド板、10…膜厚モニター、 11…マッチングボックス、 14…マグネット、20…磁場、 21…プラズマリング。
FIG. 1 is a schematic view of a high frequency sputtering apparatus used in the present invention, and FIG. 2 shows a structure near a target cathode of a flat plate type high frequency magnetron sputtering apparatus. Third
FIG. 4 is a schematic view of a circular high-frequency magnetron sputtering apparatus, FIG. 4 is a schematic plan view of a coaxial same-cylinder high-frequency magnetron sputtering apparatus, and FIG. 5 is a schematic view of an ion beam sputtering apparatus. FIG. 6 is a characteristic diagram of the radiation image conversion panel obtained by the present invention. FIG. 7 shows an example of the ground surface of the support according to the present invention on the side where the stimulable phosphor is deposited and a cross section of the deposited layer. FIG. 8 is an explanatory diagram of radiation image conversion. FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the concentration of the activator Tl in the stimulable phosphor and the emission intensity. Further, FIG. 10 is an explanatory diagram showing halation of photostimulation excitation light of a conversion panel having a transparent photostimulable phosphor layer. 1 ... Bell jar (vacuum chamber), 2 ... High frequency power source, 3 ... Shutter, 4 ... Support, 5 ... Target, 6 ... Target electrode, 7 ... Counter electrode, 8 ... Sputtering gas inlet port, 9 ... Shield plate, 10 ... Film thickness monitor, 11… matching box, 14… magnet, 20… magnetic field, 21… plasma ring.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島田 文生 東京都日野市さくら町1番地 小西六写真 工業株式会社内 審査官 田村 爾 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Fumio Shimada No. 1 Sakura-cho, Hino-shi, Tokyo Konishi Roku Photo Co., Ltd. Judge Tamura

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】スパッタリング法により少なくとも一層の
輝尽性蛍光体層を形成する放射線画像変換パネルの製造
方法に於て、前記輝尽性蛍光体層の堆積速度AがA≧2
×103Å/分の範囲に含まれることを特徴とする放射線
画像変換パネルの製造方法。
1. A method for producing a radiation image conversion panel in which at least one stimulable phosphor layer is formed by a sputtering method, wherein the deposition rate A of the stimulable phosphor layer is A ≧ 2.
A method for manufacturing a radiation image conversion panel, characterized in that the radiation image conversion panel is contained in a range of × 10 3 Å / min.
【請求項2】前記堆積速度Aが5×103Å/分≦A≦5
×105Å/分である特許請求の範囲第1項記載の放射線
画像変換パネルの製造方法。
2. The deposition rate A is 5 × 10 3 Å / min ≦ A ≦ 5
The method for producing a radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the method is × 10 5 Å / min.
【請求項3】前記スパッタリング法が高周波スパッタリ
ング法であることを特徴とする特許請求の範囲第1項ま
たは第2項記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
3. The method of manufacturing a radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the sputtering method is a high frequency sputtering method.
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