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JPH0632358B2 - Method for manufacturing ceramic circuit board with resistor - Google Patents
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JPH0632358B2 - Method for manufacturing ceramic circuit board with resistor - Google Patents

Method for manufacturing ceramic circuit board with resistor

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Publication number
JPH0632358B2
JPH0632358B2 JP63159822A JP15982288A JPH0632358B2 JP H0632358 B2 JPH0632358 B2 JP H0632358B2 JP 63159822 A JP63159822 A JP 63159822A JP 15982288 A JP15982288 A JP 15982288A JP H0632358 B2 JPH0632358 B2 JP H0632358B2
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resistor
layer
ceramic substrate
conductor
metal layer
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清隆 脇
昇 山口
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、抵抗体付セラミック回路板の製造方法に関
し、通常の配線用導体回路とともに抵抗体が形成された
セラミック回路板を製造する方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic circuit board with a resistor, and a method for manufacturing a ceramic circuit board on which a resistor is formed together with a normal conductor circuit for wiring. It is a thing.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

抵抗体を含むセラミック回路板を製造する方法として
は、従来、焼結されたセラミック基板上に導体回路とな
るAg/Pd等を主成分とする貴金属ペーストをスクリ
ーン印刷等によって印刷するとともに、RuOを主成
分とするフリツト入りの抵抗体ペーストをスクリーン印
刷等によって印刷し、酸化雰囲気中において焼成するこ
とによって、導体回路と抵抗体を同時に形成する方法が
一般的であった。
Conventionally, as a method of manufacturing a ceramic circuit board including a resistor, a precious metal paste containing Ag / Pd or the like as a main component, which becomes a conductor circuit, is printed on a sintered ceramic substrate by screen printing or the like, and RuO 2 is used. It is a general method to form a conductor circuit and a resistor at the same time by printing a frit-containing resistor paste containing as a main component by screen printing and firing it in an oxidizing atmosphere.

しかし、上記方法では、マイグレーションが発生し易
く、また配線抵抗も10〜30mΩ/□と高い。そこ
で、最近、上記方法を改良して、マイグレーションの防
止や配線抵抗の低減化とともにペースト材料の低コスト
化を図れる方法として、Cu等を主成分とする卑金属ペ
ーストとLaB、SnO等を主成分とするフリット
入りの抵抗体ペーストを組み合わせ、両者を窒素雰囲気
中で焼成して、導体回路と抵抗体を同時に形成する方法
が盛んになっている。
However, in the above method, migration is likely to occur and the wiring resistance is as high as 10 to 30 mΩ / □. Therefore, recently, as a method of improving the above method to prevent migration and reduce the wiring resistance and reduce the cost of the paste material, a base metal paste containing Cu or the like as a main component and LaB 6 , SnO 2 or the like are mainly used. A method of forming a conductor circuit and a resistor at the same time by combining resistor paste containing frit as a component and firing both in a nitrogen atmosphere has become popular.

しかし、上記方法でも、導体金属ペーストをスクリーン
印刷しているため100μm以下の微細配線の形成が困
難であるとともに、ペースト中にガラス質を含むために
ハンダ付着性が劣り、不良品が出やすく、使用時に故障
を起こし易いという問題がある。また、抵抗体ペースト
を窒素雰囲気中で焼成する必要があり、ペースト材料の
完成度が低いこともあって、従来の空気焼成用抵抗体ペ
ーストに比べて、性能的に全ての面で充分に匹敵すると
は言えない。
However, even in the above method, since the conductor metal paste is screen-printed, it is difficult to form fine wiring of 100 μm or less, and since the paste contains glass, the solder adhesion is poor and defective products are likely to be produced. There is a problem that it is easy to cause a failure during use. In addition, the resistor paste needs to be fired in a nitrogen atmosphere, and the degree of perfection of the paste material is low. Therefore, in comparison with the conventional resistor paste for air firing, the performance is sufficiently comparable in all aspects. I can't say that.

一方、微細配線回路を形成する方法として、メタライジ
ング法によって、セラミック基板の表面に、ガラス質を
含まない導体金属層を形成し、写真製版技術等を用いて
回路を形成する方法が提案されている。しかし、この方
法は、抵抗体ペーストを焼成する際の高温で導体金属層
が酸化されるのを防止するために、不活性あるいは還元
性雰囲気で焼成しなければならないといった制約があ
る。
On the other hand, as a method of forming a fine wiring circuit, a method of forming a conductor metal layer not containing glass on the surface of a ceramic substrate by a metallizing method and forming the circuit by using a photoengraving technique has been proposed. There is. However, this method has a limitation that firing must be performed in an inert or reducing atmosphere in order to prevent the conductor metal layer from being oxidized at a high temperature when firing the resistor paste.

そこで、RuOを主成分とする空気焼成用抵抗体ペー
ストを印刷・焼成して抵抗体層を形成した後、抵抗体層
の上に保護層を形成し、セラミック基板の表面および抵
抗体層の露出部分全体を、強酸によって同時に粗化し、
ついで触媒・活性化処理を行った後、化学めっきまたは
化学めっきと電気めっきを施して導体金属層を形成し、
この導体金属をパターンエッチングして導体回路を形成
する方法が提案されており、特開昭61−185995
号公報に開示されている。
Therefore, after a resistor paste for air firing containing RuO 2 as a main component is printed and fired to form a resistor layer, a protective layer is formed on the resistor layer, and the surface of the ceramic substrate and the resistor layer are formed. The entire exposed area is simultaneously roughened with a strong acid,
Then, after conducting a catalyst / activation treatment, chemical plating or chemical plating and electroplating are performed to form a conductor metal layer,
A method of pattern-etching this conductor metal to form a conductor circuit has been proposed, and is disclosed in JP-A-61-185995.
It is disclosed in the publication.

また、前記したような各従来技術は、特開昭61−27
0885号公報、特開昭61−194794号公報等に
開示されており、本願出願人は同様の技術について、特
願昭61−35767号および特願昭63−62347
号にて特許出願している。
Further, each of the above-mentioned prior arts is disclosed in JP-A-61-27.
Japanese Patent Application No. 61-35767 and Japanese Patent Application No. 63-62347 disclose the same technique as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 0885 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-194794.
Patent application has been made.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

ところが、上記した特開昭61−185995号公報に
開示の先行技術では、セラミック基板と導体回路あるい
は抵抗体層と導体回路との密着力を高めるために、セラ
ミック基板および抵抗体層の露出部分を強酸で粗化して
いるために、この粗化処理によって抵抗体層が侵され、
抵抗体層の性能品質に悪影響を与えるという問題があっ
た。このような問題を起こさないためには、粗化処理
を、抵抗体層の性能品質に影響がない程度に抑えればよ
いが、そうすると導体回路とセラミック基板および抵抗
体層との密着力が劣るものとなってしまう。
However, in the prior art disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 61-185995 mentioned above, in order to enhance the adhesion between the ceramic substrate and the conductor circuit or the resistor layer and the conductor circuit, the exposed portions of the ceramic substrate and the resistor layer are Since it is roughened with a strong acid, this roughening treatment attacks the resistor layer,
There is a problem that the performance quality of the resistor layer is adversely affected. In order to prevent such a problem, the roughening treatment should be suppressed to such an extent that the performance quality of the resistor layer is not affected, but then the adhesion between the conductor circuit and the ceramic substrate and resistor layer will be poor. It becomes a thing.

そこで、この発明の課題は、上記従来技術において、抵
抗体層の性能品質に悪影響を与えることなく、導体回路
とセラミック基板および抵抗体層との密着力を高めるこ
とのできる抵抗体付セラミック回路板の製造方法を提供
することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a ceramic circuit board with a resistor in the above-mentioned prior art, which can enhance the adhesion between the conductor circuit and the ceramic substrate and the resistor layer without adversely affecting the performance quality of the resistor layer. It is to provide a manufacturing method of.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

上記課題を解決する、この発明のうち、請求項1記載の
発明は、製造過程において以下の工程(1)〜(3)を含むよ
うにしている。
Among the inventions for solving the above problems, the invention according to claim 1 includes the following steps (1) to (3) in the manufacturing process.

(1) セラミック基板に抵抗体層を形成し、抵抗体層の
上に保護層を形成する工程。
(1) A step of forming a resistor layer on a ceramic substrate and forming a protective layer on the resistor layer.

(2) セラミック基板表面および抵抗体層の露出部分に
対して、所定の回路パターンに対応する導体金属層を薄
膜形成手段により形成する工程。
(2) A step of forming a conductor metal layer corresponding to a predetermined circuit pattern on the surface of the ceramic substrate and the exposed portion of the resistor layer by a thin film forming means.

(3) 導体回路が形成されたセラミック基板を、窒素雰
囲気中において200〜800℃の温度範囲内で加熱処
理する工程。
(3) A step of heating the ceramic substrate on which the conductor circuit is formed within a temperature range of 200 to 800 ° C. in a nitrogen atmosphere.

〔作用〕[Action]

請求項1記載の発明によれば、導体回路が形成されたセ
ラミック基板を加熱処理することによって、導体回路と
セラミック基板および抵抗体層との密着力を高めること
ができる。
According to the invention described in claim 1, the ceramic substrate on which the conductor circuit is formed is heat-treated, whereby the adhesion between the conductor circuit and the ceramic substrate and the resistor layer can be increased.

特に、導体回路となる導体金属層を薄膜形成手段で形成
するとともに、加熱処理を、窒素雰囲気中において20
0〜800℃の温度範囲内で行うことにより、抗体体層
およびその上を覆う保護層の特性を損なうことなく、導
体回路とセラミック基板との密着力、および、導体回路
と抵抗体層との密着力を、十分に高めることができる。
In particular, a conductor metal layer to be a conductor circuit is formed by a thin film forming means, and heat treatment is performed in a nitrogen atmosphere for 20 minutes.
By performing the treatment within the temperature range of 0 to 800 ° C., the adhesion between the conductor circuit and the ceramic substrate and the contact between the conductor circuit and the resistor layer can be achieved without impairing the characteristics of the antibody layer and the protective layer covering the antibody layer. Adhesion can be sufficiently enhanced.

これは、導体金属層や抵抗体層などの材料の組み合わせ
に応じて、前記温度範囲内の適切な温度で加熱処理を行
うと、導体金属層を薄膜形成したときに生じる残留応力
や接合面における組織構造の不均一が解消されるなどの
作用が生じることよって、密着力の向上が図れるものと
考えられる。
This is because when the heat treatment is performed at an appropriate temperature within the above temperature range depending on the combination of materials such as the conductor metal layer and the resistor layer, the residual stress in the thin film formation of the conductor metal layer and the joint surface It is considered that the adhesion can be improved by the action such as eliminating the nonuniformity of the tissue structure.

但し、加熱処理を大気中で行ったり、加熱温度を高くし
たりすると、抵抗体層および保護層の特性に悪影響が生
じる。具体的には、抵抗体層あるいは保護層は、大気中
かつ高温度で加熱されると、酸化されてしまったりして
特性が大きく変化した、場合によっては溶融変形してし
まったりする。これでは、抵抗体層および保護層の本来
の機能を十分に発揮できなくなる。抵抗体層および保護
層は、通常、焼成により形成されるので、この焼成時の
温度と同じ程度か少し高い温度までの比較的低い温度で
あれば、悪影響は生じ難いと考えられるので、前記した
ような温度範囲の規定が有効となる。また、窒素雰囲気
中であれば、抵抗体層や保護層が酸化される心配がない
のである。
However, if the heat treatment is performed in the atmosphere or the heating temperature is raised, the characteristics of the resistor layer and the protective layer are adversely affected. Specifically, when the resistor layer or the protective layer is heated in the atmosphere and at a high temperature, the resistor layer or the protective layer may be oxidized and the characteristics may be greatly changed, or may be melted and deformed in some cases. With this, the original functions of the resistor layer and the protective layer cannot be sufficiently exhibited. Since the resistor layer and the protective layer are usually formed by firing, adverse effects are unlikely to occur at a relatively low temperature of about the same as or slightly higher than the firing temperature. The regulation of such temperature range is effective. Further, in a nitrogen atmosphere, there is no concern that the resistor layer and the protective layer will be oxidized.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は、この発明にかかる抵抗体付セラミック回路板
の製造方法の1例を工程流れ図によって示しており、こ
れにしたがって順次説明を加える。また、第2図には、
製造された抵抗体付セラミック回路板の断面構造を示し
ている。
FIG. 1 shows an example of a method of manufacturing a ceramic circuit board with a resistor according to the present invention by a process flow chart, and the explanation will be sequentially added according to the flow chart. Also, in FIG.
The cross-sectional structure of the manufactured ceramic circuit board with a resistor is shown.

〔工程〕 焼結されたセラミック基板1を用意する。セラミック基
板1の材質は、アルミナ,フォステライト,ステアタイ
ト,ジルコニア,ムライト,コージライト,ジルコン,
チタニア等の酸化物系セラミック材料を主に用いるが、
炭化物系あるいは窒化物系等、任意のセラミック材料を
使用することができる。
[Step] A sintered ceramic substrate 1 is prepared. The material of the ceramic substrate 1 is alumina, fosterite, steatite, zirconia, mullite, cordierite, zircon,
Mainly used oxide-based ceramic materials such as titania,
Any ceramic material such as a carbide type or a nitride type can be used.

〔工程〕 必要に応じて、セラミック基板1の表面を粗化する。こ
の粗化処理によって、後工程で形成される導体金属層2
と基板表面との密着力(いわゆるアンカー効果)を向上
させることができる。導体金属層2を気相法によって形
成する場合には、この粗化処理を行わなくてもよいが、
導体金属層2を化学めっき法によって形成する場合に
は、この粗化処理を行うことが好ましい。粗化処理の方
法は、セラミック基板1を、例えば、熱リン酸,溶融ア
ルカリ,HF等の溶液中に浸漬する方法、あるいは研磨
やサンドブラスト等によって物理的に粗化する方法等が
あるが、その他の粗化処理方法も採用できる。
[Step] The surface of the ceramic substrate 1 is roughened if necessary. By this roughening treatment, the conductor metal layer 2 formed in a later step
It is possible to improve the adhesion between the substrate and the substrate surface (so-called anchor effect). When the conductor metal layer 2 is formed by the vapor phase method, this roughening treatment need not be performed.
When the conductor metal layer 2 is formed by the chemical plating method, it is preferable to perform this roughening treatment. Examples of the roughening method include a method of immersing the ceramic substrate 1 in a solution of hot phosphoric acid, molten alkali, HF, etc., or a method of physically roughening it by polishing or sandblasting. The roughening treatment method of can also be adopted.

〔工程〕 セラミック基板1の所定の位置に、抵抗体ペーストをス
クリーン印刷等の手段で、所定のパターンになるように
塗布乾燥させる。その後、セラミック基板1とともに抵
抗体ペーストを焼成して、抵抗体層3を形成する。
[Step] A resistor paste is applied and dried at a predetermined position on the ceramic substrate 1 by a means such as screen printing so as to form a predetermined pattern. Then, the resistor paste is fired together with the ceramic substrate 1 to form the resistor layer 3.

抵抗体ペーストは、PdO/Pd/Ag系もしくはRu
系等の抵抗成分を、Si,Ca,Al等の酸化物を
含むガラスや有機系ビヒクル等と混合してペースト化し
たもの等、通常の抵抗体形成用の材料が使用される。抵
抗体ペーストの使用にあたっては、セラミック基板の材
料と適合するものを選択して使用するのが好ましいが、
通常、最も安定した特性を有するRuO系のものが好
適である。
Resistor paste is PdO / Pd / Ag system or Ru
A usual resistor forming material is used, such as a mixture of an O 2 -based resistance component with glass containing an oxide of Si, Ca, Al or the like, an organic vehicle, or the like to form a paste. When using the resistor paste, it is preferable to select and use one that is compatible with the material of the ceramic substrate,
Usually, the RuO 2 type having the most stable characteristics is suitable.

抵抗体ペーストを乾燥および構成する方法は、通常の抵
抗体形成方法と同様の方法で行われるが、例えば、つぎ
のような条件が一般的である。すなわち、スクリーン印
刷等によってセラミック基板1上に印刷された抵抗体ペ
ーストを、50〜200℃で乾燥させた後、成分中のガ
ラスフリットが溶融接合する温度、好ましくは500〜
1100℃、より好ましくは600〜950℃の範囲で
構成する。
The method for drying and forming the resistor paste is the same as the method for forming a resistor, but the following conditions are common, for example. That is, after the resistor paste printed on the ceramic substrate 1 by screen printing or the like is dried at 50 to 200 ° C., the temperature at which the glass frit in the components is melt-bonded, preferably 500 to
1100 degreeC, More preferably, it comprises in the range of 600-950 degreeC.

〔工程〕 抵抗体層3の一部を覆って保護層4を形成する。この保
護層4は、抵抗体層3の耐熱性、耐湿性、耐薬品性等を
向上させ、抵抗値のドリフトを減少させるために形成す
る。保護層4は、後工程で抵抗体層3と導体金属層2と
を接続するための部分を除いて、抵抗体層3の全体を覆
うようにする。保護層4としては、従来の製造方法でも
用いられている、通常のオーバーコートガラスを用いる
ことができるが、このオーバーコートガラスの代わり
に、感光性ポリイミド、ポリイミド、エポキシ樹脂、ト
リアジン系材料等から形成された有機系あるいは無機系
物質で、後工程における粗化処理で使用される酸等に対
して耐性のあるものからなる保護層4を用いることもで
きる。
[Step] The protective layer 4 is formed so as to cover a part of the resistor layer 3. The protective layer 4 is formed to improve the heat resistance, moisture resistance, chemical resistance, etc. of the resistor layer 3 and reduce the drift of the resistance value. The protective layer 4 covers the entire resistor layer 3 except a portion for connecting the resistor layer 3 and the conductor metal layer 2 in a later step. As the protective layer 4, an ordinary overcoat glass, which is also used in the conventional manufacturing method, can be used. Instead of the overcoat glass, a photosensitive polyimide, a polyimide, an epoxy resin, a triazine-based material, or the like is used. It is also possible to use the protective layer 4 formed of an organic or inorganic substance that is formed and has resistance to the acid or the like used in the roughening treatment in the subsequent step.

保護層4の形成方法は、通常の方法で実施できるが、例
えば、つぎのような条件が一般的である。すなわち、ス
クリーン印刷法を用いて、前記抵抗体層3の一部を除く
全体を覆って、オーバーコート用ガラスペーストを印刷
形成した後、300〜800℃でガラスペーストを焼成
することによって、保護層4を形成する。
The protective layer 4 can be formed by a usual method, but for example, the following conditions are common. That is, a protective layer is formed by printing an overcoat glass paste by printing using a screen printing method to cover the entire resistor layer 3 except a part thereof, and then firing the glass paste at 300 to 800 ° C. 4 is formed.

〔工程〕 必要に応じて、抵抗体層3のうち、保護層4で覆われて
いない露出部分を粗化処理する。こうして粗化処理され
た抵抗体層3の露出部分の上に導体金属層2を形成すれ
ば、いわゆるアンカー効果によって、抵抗体層3と導体
金属層2との接続部分の密着性が向上する。粗化処理す
る方法は、前記したセラミック基板1の粗化処理で説明
した熱リン酸のような強い粗化作用を有する処理方法を
用いる必要はなく、比較的弱い粗化方法であっても、抵
抗体層3を粗化処理することができる。具体的には処理
方法としては、例えば、リン酸,フッ酸,クロム酸,硫
酸等の酸、あるいはNaOH等のアルカリ溶液を用いる
方法が適用できる。この粗化処理によって、抵抗体層3
の露出部分と同時に、保護層4やセラミック基板1の表
面がある程度粗化されても構わないが、保護層4による
抵抗体層3の保護効果や抵抗体層3の性能に悪影響を与
えない程度の粗化処理方法を適用する。
[Step] If necessary, the exposed portion of the resistor layer 3 which is not covered with the protective layer 4 is roughened. When the conductor metal layer 2 is formed on the exposed portion of the resistor layer 3 thus roughened, the adhesion between the resistor layer 3 and the conductor metal layer 2 is improved by the so-called anchor effect. The roughening treatment does not need to use the treatment method having a strong roughening action such as hot phosphoric acid described in the roughening treatment of the ceramic substrate 1 described above. The resistor layer 3 can be roughened. Specifically, as a treatment method, for example, a method using an acid such as phosphoric acid, hydrofluoric acid, chromic acid, sulfuric acid, or an alkaline solution such as NaOH can be applied. By this roughening treatment, the resistor layer 3
Although the surface of the protective layer 4 and the surface of the ceramic substrate 1 may be roughened to some extent at the same time as the exposed portion of the protective layer 4, the protective layer 4 does not adversely affect the protective effect of the resistive layer 3 and the performance of the resistive layer 3. The roughening treatment method of is applied.

〔工程〕 セラミック基板1の表面および抵抗体層3の霧出部分全
体に導体金属層2を形成する。導体金属層2としては、
通常の導体回路の材料として用いられている各種の金属
材料が用いられ、化学めっき,蒸着,スパッタリング,
イオンプレーティング等の、通常の薄膜形成手段のなか
から選ばれた任意の方法が適用できる。
[Step] The conductor metal layer 2 is formed on the surface of the ceramic substrate 1 and the entire sprayed portion of the resistor layer 3. As the conductor metal layer 2,
Various metal materials used as materials for ordinary conductor circuits are used, such as chemical plating, vapor deposition, sputtering,
Any method selected from ordinary thin film forming means such as ion plating can be applied.

化学めっきの場合には、通常のセンシタイジング−アク
チベーション法を用いて、セラミック基板1表面に金属
パラジウムを析出させて表面を活性化させる。その後、
化学銅めっき浴あるいは化学ニッケルめっき浴等に、前
記活性化されたセラミック基板1を浸漬し、銅あるいは
ニッケル等の導体金属層2を形成させる。
In the case of chemical plating, a normal sensitizing-activation method is used to deposit metallic palladium on the surface of the ceramic substrate 1 to activate the surface. afterwards,
The activated ceramic substrate 1 is immersed in a chemical copper plating bath or a chemical nickel plating bath to form a conductor metal layer 2 of copper or nickel.

蒸着,スパッタリング,イオンプレーティング等の気相
法、あるいはCVD法を用いて導体金属層2を形成する
こともできる。気相法を用いる場合、第1工程でCrま
たはTiの金属層を形成し、その上に第2工程として銅
またはニッケル等の金属層を形成させる方法や、400
℃程度に加熱された粗面化済みのセラミック基板1に、
上記同様のCrまたはTiの金属層および銅またはニッ
ケル等の金属層を順次形成する方法を採用することによ
って、セラミック基板1と薄膜金属層2との密着力が増
大する。
The conductor metal layer 2 can also be formed using a vapor phase method such as vapor deposition, sputtering, ion plating, or a CVD method. When using the vapor phase method, a method of forming a metal layer of Cr or Ti in the first step, and forming a metal layer of copper or nickel on the metal layer in the second step, or 400
On the roughened ceramic substrate 1 heated to about ℃,
By adopting the same method of sequentially forming the metal layer of Cr or Ti and the metal layer of copper or nickel similar to the above, the adhesion between the ceramic substrate 1 and the thin film metal layer 2 is increased.

〔工程〕 必要に応じて、導体金属層2の上に電解めっきを行う。
前記工程の化学めっき法や気相法等では、1〜数μmの
薄い金属層しか形成出来ないので、導体回路として必要
な導体金属層2の厚みを分厚くするには、金属層の厚付
けを行える電解めっき法を併用することが好ましい。
[Step] If necessary, electrolytic plating is performed on the conductor metal layer 2.
In the chemical plating method or the vapor phase method in the above process, only a thin metal layer having a thickness of 1 to several μm can be formed. Therefore, in order to increase the thickness of the conductor metal layer 2 necessary for a conductor circuit, the metal layer should be thickened. It is preferable to use an electrolytic plating method that can be performed together.

〔工程〕 セラミック基板1および抵抗体層3の霧出部分全体に形
成された導体金属層2を、エッチングによって、所定の
回路パターンに形成する。エッチングによる回路形成の
詳細については、通常の印刷回路板の製造方法と同様に
行われるので、具体的な工程の説明は省略する。このよ
うな、エッチングによる回路形成を行うと、配線抵抗の
小さな銅等の卑金属導体を使用して、線幅、線間30μ
mという微細パターンを形成することが可能になる。
[Step] The conductive metal layer 2 formed on the entire ceramic substrate 1 and the resistor layer 3 is formed into a predetermined circuit pattern by etching. The details of the circuit formation by etching are the same as those in the ordinary method for manufacturing a printed circuit board, and thus the description of the specific steps is omitted. When such a circuit is formed by etching, a base metal conductor such as copper having a small wiring resistance is used, and the line width and the line spacing are 30 μm.
It becomes possible to form a fine pattern of m.

なお、導体回路の形成手段としては、上記のように、セ
ラミック基板1の全体に形成された導体金属層2をエッ
チングする方法のほか、予め回路パターンに対応するパ
ターンを有するめっきレジスト層を形成しておき、回路
パターンに相当する部分のみに、めっき法で導体金属層
2を形成する方法等、エッチングを行わずに直接導体回
路を形成することもできる。その他、導体回路の形成手
段としては、通常の印刷回路板の製造方法で用いられる
各種の導体回路形成手段を適用することができる。
As a conductor circuit forming means, as described above, in addition to the method of etching the conductor metal layer 2 formed on the entire ceramic substrate 1, a plating resist layer having a pattern corresponding to a circuit pattern is formed in advance. It is also possible to directly form the conductor circuit without etching such as a method of forming the conductor metal layer 2 by a plating method only on the portion corresponding to the circuit pattern. In addition, as the conductor circuit forming means, various conductor circuit forming means used in a usual method for manufacturing a printed circuit board can be applied.

〔工程〕 つぎに、導体金属層2が形成されたセラミック基板1
を、窒素雰囲気中で加熱処理する。処理温度は、200
〜800℃の範囲で行うのが好ましく、より好ましくは
400〜700℃の範囲内で実施する。この加熱処理に
よって、導体回路2と抵抗体層3およびセラミック基板
1が強固に密着する。特に、抵抗体層3と導体回路2と
の接続個所における密着力が顕著に向上する。
[Step] Next, the ceramic substrate 1 on which the conductor metal layer 2 is formed
Is heat-treated in a nitrogen atmosphere. The processing temperature is 200
The temperature is preferably in the range of to 800 ° C, more preferably in the range of 400 to 700 ° C. By this heat treatment, the conductor circuit 2, the resistor layer 3, and the ceramic substrate 1 are firmly adhered. In particular, the adhesive force at the connection point between the resistor layer 3 and the conductor circuit 2 is significantly improved.

処理時間は適宜に設定されるが、例えば1〜100分程
度行われる。加熱雰囲気は、窒素のみからなるか、窒素
を主体にして窒素以外の成分は微量にしか含まれない雰
囲気、すなわち実質的に窒素雰囲気と言える加熱雰囲気
中で行われる。なお、必要であれば、上記加熱雰囲気中
に、2〜200ppm程度の微量の酸素を含んでいても
よい。但し、上記加熱処理では、セラミック基板1の表
面に形成された抵抗体層3,導体金属層2,保護層4等
の性能に悪影響を及ぼさないように実施するのが好まし
い。
The processing time is appropriately set, but is, for example, about 1 to 100 minutes. The heating atmosphere is composed of only nitrogen or an atmosphere containing nitrogen as a main component and containing only a small amount of components other than nitrogen, that is, a heating atmosphere which can be said to be substantially a nitrogen atmosphere. If necessary, the heating atmosphere may contain a small amount of oxygen of about 2 to 200 ppm. However, it is preferable that the heat treatment is performed so as not to adversely affect the performance of the resistor layer 3, the conductor metal layer 2, the protective layer 4, etc. formed on the surface of the ceramic substrate 1.

〔工程〕 必要に応じて、抵抗体層3のトリミングを行い、所望の
抵抗値に調整する。トリミングの方法は通常の抵抗体付
回路板と同様の方法が用いられ、例えば、アブレッシブ
トリミング,レーザートリミング等の方法がある。その
中でも、高速処理が行え、高性能なレーザートリミング
が、この発明の実施にとって、最も好ましいものであ
る。
[Step] If necessary, the resistor layer 3 is trimmed to adjust it to a desired resistance value. As the trimming method, the same method as that for a normal circuit board with a resistor is used, and for example, there are methods such as abrasive trimming and laser trimming. Among them, laser trimming, which is capable of high-speed processing and has high performance, is the most preferable for implementing the present invention.

以上のような各工程を経て、第2図に示すような、抵抗
体付セラミック回路板が製造される。
Through the above steps, a ceramic circuit board with a resistor as shown in FIG. 2 is manufactured.

上記実施例において、薄膜金属層20および導体金属層
2からなる導体回路を構成する金属として、配線抵抗が
小さく安価な銅,ニッケル等の卑金属導体を使用するこ
とによって、線幅、線間30μmという微細パターンの
導体回路を安価に形成することができる。また、金を使
用すれば、マイグレーションの心配がなく、はんだ付け
性等が良好になる。
In the above embodiment, a base metal conductor such as copper or nickel, which has a low wiring resistance and is inexpensive, is used as the metal forming the conductor circuit including the thin-film metal layer 20 and the conductor metal layer 2. It is possible to inexpensively form a conductor circuit having a fine pattern. In addition, if gold is used, there is no fear of migration, and solderability and the like will be good.

RuO系等の空気焼成用抵抗体ペーストを使用すれ
ば、窒素焼成用抵抗体ペーストに比べて、高精度で高信
頼性の抵抗体層3を形成することができ、例えば、回路
定数に対する抵抗特性が±2%以内という、極めて高精
度な抵抗体層3を備えたセラミック回路板を製造するこ
とができる。
If a resistor paste for air firing such as RuO 2 system is used, it is possible to form the resistor layer 3 with higher accuracy and higher reliability as compared with the resistor paste for nitrogen firing. It is possible to manufacture a ceramic circuit board provided with the resistor layer 3 having extremely high accuracy, the characteristic being within ± 2%.

つぎに、この発明にかかる抵抗体付セラミック回路板の
製造方法を実際に適用した具体的実施例について説明す
る。
Next, specific examples in which the method for manufacturing a ceramic circuit board with a resistor according to the present invention is actually applied will be described.

−実施例1− 焼結セラミック基板1として、96%アルミナ基板
(4″×4″×0.635mm)を用い、この基板1を熱
リン酸に浸漬して、基板表面を均一に粗化した。粗化に
よって、表面粗さが最大粗さ2〜3μmになった。粗化
処理の後、充分に洗浄して乾燥させた。乾燥後、セラミ
ック基板1の上にRuO系の抵抗体ペーストをスクリ
ーン印刷し、乾燥後、空気中850℃で焼成して抵抗体
層3を形成した。このあと、抵抗体層3のうち、導体金
属層2との接続部分となる一部を除いて全体を覆うよう
に、オーバーコート用ガラスペーストをスクリーン印刷
し、乾燥させた後、空気中600℃の条件で焼成して保
護層4を形成した。抵抗体層3の露出部分に対して、5
%のフッ酸溶液を用いて粗化処理を行い、その後充分に
水洗および乾燥させた。
—Example 1— A 96% alumina substrate (4 ″ × 4 ″ × 0.635 mm) was used as the sintered ceramic substrate 1, and the substrate 1 was immersed in hot phosphoric acid to uniformly roughen the substrate surface. . The roughening brought the surface roughness to a maximum roughness of 2-3 μm. After the roughening treatment, it was thoroughly washed and dried. After drying, a RuO 2 -based resistor paste was screen-printed on the ceramic substrate 1. After drying, the resistor layer 3 was formed by firing in air at 850 ° C. After that, a glass paste for overcoat is screen-printed so as to cover the entire resistor layer 3 except for a part that is a connection portion with the conductor metal layer 2, and after drying, 600 ° C. in air. The protective layer 4 was formed by firing under the conditions described above. 5 for the exposed portion of the resistor layer 3.
Roughening treatment was carried out using a hydrofluoric acid solution of 1%, and then the resultant was thoroughly washed with water and dried.

セラミック基板1に、化学めっき法によって銅層を形成
し、さらに電解めっき法によって金属銅の厚付けを行
い、合わせて厚み10μmの導体金属層2を形成した。
その後、50ppm の酸素を含む窒素雰囲気中600℃で
加熱処理を行った。この状態で、抵抗体層3の露出部分
と導体金属層2とは強固に接着しているとともに、導体
金属層2とセラミック基板1とを密着力は2.0〜3.
0kg/mm2と、極めて高い値を示した。
A copper layer was formed on the ceramic substrate 1 by a chemical plating method, and a copper metal was further applied by an electrolytic plating method to form a conductor metal layer 2 having a total thickness of 10 μm.
Then, heat treatment was performed at 600 ° C. in a nitrogen atmosphere containing 50 ppm of oxygen. In this state, the exposed portion of the resistor layer 3 and the conductor metal layer 2 are firmly adhered, and the conductor metal layer 2 and the ceramic substrate 1 have an adhesive force of 2.0 to 3.
A very high value of 0 kg / mm 2 was shown.

つぎに、導体金属層2に対して、写真製版技術を用いて
パターンエッチングを施し、線幅、線間50μmの導体
回路を形成した。このようにして得られた抵抗体付セラ
ミック回路板について、抵抗体層3の回路定数に対する
抵抗特性を測定したところ、±2%以内で高精度な値を
示した。その後、抵抗体層3の抵抗値が所望の値になる
ように、レーザートリマーでトリミング調整することに
よって、第2図に示すような、抵抗体付セラミック回路
板が製造できた。
Next, the conductor metal layer 2 was subjected to pattern etching by using a photoengraving technique to form a conductor circuit having a line width and a line spacing of 50 μm. With respect to the ceramic circuit board with a resistor thus obtained, the resistance characteristic with respect to the circuit constant of the resistor layer 3 was measured, and a highly accurate value within ± 2% was shown. After that, trimming adjustment was performed with a laser trimmer so that the resistance value of the resistor layer 3 became a desired value, whereby a ceramic circuit board with a resistor as shown in FIG. 2 could be manufactured.

−実施例2− 焼結セラミック基板1として、92%アルミナ基板を用
い、NaOH溶融塩に浸漬することによって、表面を最
大粗さ2〜3μm程度に粗化処理した後、充分に洗浄し
て乾燥させた。乾燥後、セラミック基板1の上に、Ru
系の抵抗体ペーストをスクリーン印刷し、乾燥させ
た後、空気中900℃の条件で焼成して抵抗体層3を形
成した。このあと、抵抗体層3の所定部分を覆うよう
に、オーバーコート用ガラスペーストをスクリーン印刷
し、乾燥させた後、空気中580℃の条件で焼成して保
護層4を形成した。さらに、抵抗体層3の露出部分を、
10%のクロム酸溶液を用いて粗化し、充分に水洗・乾
燥した。
Example 2 A 92% alumina substrate was used as the sintered ceramic substrate 1, and the surface was roughened to a maximum roughness of about 2 to 3 μm by immersing it in a molten salt of NaOH, then thoroughly washed and dried. Let After drying, Ru on the ceramic substrate 1
An O 2 -based resistor paste was screen-printed, dried, and then fired in air at 900 ° C. to form a resistor layer 3. After that, a glass paste for overcoating was screen-printed so as to cover a predetermined portion of the resistor layer 3, dried, and then baked in air at 580 ° C. to form a protective layer 4. Furthermore, the exposed portion of the resistor layer 3 is
The mixture was roughened with a 10% chromic acid solution, thoroughly washed with water and dried.

セラミック基板1の表面および抵抗体層3の霧出部分の
全体に、化学めっき法のみで、厚み5μmの銅層からな
る導体金属層2を形成した。その後、窒素雰囲気中65
0℃で加熱処理を行った。
A conductor metal layer 2 made of a copper layer having a thickness of 5 μm was formed only on the surface of the ceramic substrate 1 and the sprayed portion of the resistor layer 3 by a chemical plating method. Then, in a nitrogen atmosphere, 65
Heat treatment was performed at 0 ° C.

この状態で、抵抗体層3の露出部分と導体金属層2とは
強固に接着しているとともに導体金属層2とセラミック
基板1との密着力は2.0〜3.0kg/mm2と、極めて高
い値を示した。
In this state, the exposed portion of the resistor layer 3 and the conductor metal layer 2 are firmly adhered, and the adhesion force between the conductor metal layer 2 and the ceramic substrate 1 is 2.0 to 3.0 kg / mm 2 . The value was extremely high.

つぎに、導体金属層2に対して、写真製版技術を用いて
パターンエッチングを施し、線幅、線間50μmの導体
回路を形成した。このようにして得られた抵抗対付セラ
ミック回路板について、抵抗体層3の回路定数に対する
抵抗特性を測定したところ、±2%以内で高精度な値を
示した。その後、抵抗対層3の抵抗値が所望の値になる
ように、レーザートリマーでトリミング調整した。
Next, the conductor metal layer 2 was subjected to pattern etching by using a photoengraving technique to form a conductor circuit having a line width and a line spacing of 50 μm. With respect to the ceramic circuit board with a resistance pair thus obtained, the resistance characteristic with respect to the circuit constant of the resistor layer 3 was measured, and a highly accurate value within ± 2% was shown. Then, trimming was adjusted by a laser trimmer so that the resistance value of the resistance layer 3 was a desired value.

−実施例3− 焼結セラミック基板1として、99%アルミナ基板を用
い、この基板の表面をフッ酸を用いて、最大粗さ1〜2
μmに粗化処理した後、充分に洗浄して乾燥させた。乾
燥したセラミック基板1の上にRuO系の抵抗体ペー
ストをスクリーン印刷し、乾燥させた後、空気中850
℃で焼成して抵抗体層3を形成した。抵抗体層3の所定
部分を覆うように、オーバーコート用ガラスペーストを
スクリーン印刷し、乾燥させた後、空気中600℃の条
件で焼成して保護層4を形成した。
-Example 3-A 99% alumina substrate was used as the sintered ceramic substrate 1, and the surface of this substrate was hydrofluoric acid to have a maximum roughness of 1-2.
After roughening to μm, it was thoroughly washed and dried. A RuO 2 -based resistor paste was screen-printed on the dried ceramic substrate 1 and dried, and then 850 in air.
The resistor layer 3 was formed by firing at ° C. The overcoat glass paste was screen-printed so as to cover a predetermined portion of the resistor layer 3, dried, and then baked in air at 600 ° C. to form the protective layer 4.

つぎに、抵抗体層3の露出部分を10%の硫酸溶液を用
いて粗化し、充分に水洗・乾燥した後、スパッタリング
法によって銅管を形成し、さらに電解めっき法によって
金属銅の厚付けを行い、厚み12μmの導体金属層2を
形成した。その後、70ppm の酸素を含む窒素雰囲気中
において600℃で加熱処理を行った。
Next, the exposed portion of the resistor layer 3 is roughened by using a 10% sulfuric acid solution, sufficiently washed with water and dried, and then a copper tube is formed by a sputtering method, and further a copper metal is thickened by an electrolytic plating method. Then, a conductor metal layer 2 having a thickness of 12 μm was formed. Then, heat treatment was performed at 600 ° C. in a nitrogen atmosphere containing 70 ppm of oxygen.

この状態で、抵抗体層3の露出部分と導体金属層2とは
強固に接着しているとともに、導体金属層2とセラミッ
ク基板1との密着力は2.0〜3.0kg/mm2と、極めて
高い値を示した。
In this state, the exposed portion of the resistor layer 3 and the conductor metal layer 2 are firmly adhered, and the adhesive force between the conductor metal layer 2 and the ceramic substrate 1 is 2.0 to 3.0 kg / mm 2 . , Showed an extremely high value.

つぎに、導体金属層2に対して、写真製版技術を用いて
パターンエッチングを施し、線幅、線間50μmの導体
回路を形成した。このようにして得られた抵抗体付セラ
ミック回路板について、抵抗体層3の回路定数に対する
抵抗特性を測定したところ、±2%以内で高精度な値を
示した。その後、抵抗対層3の抵抗値が所望の値になる
ように、レーザートリマーでトリミング調整した。
Next, the conductor metal layer 2 was subjected to pattern etching by using a photoengraving technique to form a conductor circuit having a line width and a line spacing of 50 μm. With respect to the ceramic circuit board with a resistor thus obtained, the resistance characteristic with respect to the circuit constant of the resistor layer 3 was measured, and a highly accurate value within ± 2% was shown. Then, trimming was adjusted by a laser trimmer so that the resistance value of the resistance layer 3 was a desired value.

−実施例4− セラミック基板1として96%アルミナ基板を用い、抵
抗体ペーストをセラミック基板1上に、所定の形状にな
るように直接描画した以外は、前記実施例2と同様の工
程で、抵抗体付セラミック回路板を製造した。その結
果、得られたセラミック回路板の抵抗体層3の抵抗値の
バラツキは、実施例2と同様の優れた特性を有するもの
であった。
—Example 4— A 96% alumina substrate was used as the ceramic substrate 1, and the resistor paste was directly drawn on the ceramic substrate 1 so as to have a predetermined shape. A ceramic circuit board with a body was manufactured. As a result, the variation in the resistance value of the resistor layer 3 of the obtained ceramic circuit board had the same excellent characteristics as in Example 2.

−実施例5− 焼結セラミック基板として、99%アルミナ基板を用
い、導体金属層2となる銅層を、電解めっきを行わず、
化学めっきのみで厚み8μmになるように形成した以外
は、実施例1と同様の工程で、抵抗体付セラミック回路
板を製造した。その結果、得られたセラミック回路板の
抵抗体層3の抵抗値のバラツキは、実施例1と同様の優
れた特性を有するものであった。
-Example 5-A 99% alumina substrate was used as the sintered ceramic substrate, and the copper layer to be the conductor metal layer 2 was not subjected to electrolytic plating.
A ceramic circuit board with a resistor was manufactured by the same steps as in Example 1 except that the thickness was 8 μm only by chemical plating. As a result, the variation in the resistance value of the resistor layer 3 of the obtained ceramic circuit board had the same excellent characteristics as in Example 1.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上に述べた、この発明にかかる抵抗体付セラミック回
路板の製造方法のうち、請求項1記載の発明によれば、
抵抗体層および保護層が形成されたセラミック基板の表
面および抵抗体層の露出部分に導体回路を形成した後、
加熱処理を行うことによって、導体回路と抵抗体層およ
びセラミック基板との密着力を大幅に高めることができ
た。この加熱処理では、従来の粗化処理のように、抵抗
体層に悪影響を与える心配がないため、高精度で高信頼
性の低抗体層を有するセラミック回路板を製造すること
ができる。
According to the invention described in claim 1, among the methods for manufacturing a ceramic circuit board with a resistor according to the present invention described above,
After forming a conductor circuit on the surface of the ceramic substrate on which the resistor layer and the protective layer are formed and on the exposed portion of the resistor layer,
By performing the heat treatment, the adhesion between the conductor circuit and the resistor layer and the ceramic substrate could be significantly increased. Unlike the conventional roughening treatment, this heat treatment does not have a bad influence on the resistor layer, so that it is possible to manufacture a ceramic circuit board having a highly accurate and highly reliable low antibody layer.

しかも、導体金属ペーストの焼成によって導体回路を製
造する方法等に比べ、微細回路が形成でき、低抵抗の導
体金属を用いることができるので配線抵抗が低くなり、
抵抗体層として高性能なものを使用できるので、より高
精度で高信頼性を有する抵抗体層を備えたセラミック回
路板を提供することができる。
Moreover, as compared with a method of manufacturing a conductor circuit by firing a conductor metal paste, a fine circuit can be formed, and a conductor metal having a low resistance can be used, so that the wiring resistance becomes low,
Since a high-performance resistor layer can be used, it is possible to provide a ceramic circuit board provided with a resistor layer having higher accuracy and higher reliability.

特に、導体回路となる導体金属層を薄膜形成手段で形成
するとともに、加熱処理を、窒素を主成分とする雰囲気
中において200〜800℃の温度範囲内で行うことに
より、抗体体層およびその上を覆う保護層の特性を損な
うことなく、銅層からなる導体回路とセラミック基板お
よび抵抗体層との密着力を高めることができ、抵抗体付
セラミック回路板の品質性能を向上させることができる
のである。
In particular, the conductor metal layer to be a conductor circuit is formed by the thin film forming means, and the heat treatment is performed within a temperature range of 200 to 800 ° C. in an atmosphere containing nitrogen as a main component, whereby the antibody body layer and the upper layer are formed. Since the adhesion between the conductor circuit made of a copper layer and the ceramic substrate and the resistor layer can be increased without impairing the characteristics of the protective layer that covers the resistor layer, the quality performance of the ceramic circuit board with a resistor can be improved. is there.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の実施例を示す工程流れ図、第2図は
製造された抵抗体付セラミック回路板の断面図である。 1……セラミック基板、2……導体金属層、3……抵抗
体層、4……保護層
FIG. 1 is a process flow chart showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of a manufactured ceramic circuit board with a resistor. 1 ... Ceramic substrate, 2 ... Conductor metal layer, 3 ... Resistor layer, 4 ... Protective layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−95396(JP,A) 特開 昭61−185995(JP,A) 特開 昭61−194794(JP,A) 特開 昭58−24464(JP,A) 特開 昭55−123196(JP,A) 特開 昭57−207395(JP,A) 特開 昭61−225047(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-55-95396 (JP, A) JP-A-61-185995 (JP, A) JP-A-61-194794 (JP, A) JP-A-58- 24464 (JP, A) JP 55-123196 (JP, A) JP 57-207395 (JP, A) JP 61-225047 (JP, A)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】セラミック基板に導体回路とともに抵抗体
が形成されたセラミック回路板を製造する方法であっ
て、以下の工程(1)〜(3)を含むことを特徴とする抵抗体
付セラミック回路板の製造法。 (1) セラミック基板に抵抗体層を形成し、抵抗体層の
上に保護層を形成する工程。 (2) セラミック基板表面および抵抗体層の露出部分に
対して、所定の回路パターンに対応する導体金属層を薄
膜形成手段により形成する工程。 (3) 導体回路が形成されたセラミック基板を、窒素雰
囲気中において200〜800℃の温度範囲内で加熱処
理する工程。
1. A method of manufacturing a ceramic circuit board in which a resistor is formed on a ceramic substrate together with a conductor circuit, the method including the following steps (1) to (3): Board manufacturing method. (1) A step of forming a resistor layer on a ceramic substrate and forming a protective layer on the resistor layer. (2) A step of forming a conductor metal layer corresponding to a predetermined circuit pattern on the surface of the ceramic substrate and the exposed portion of the resistor layer by a thin film forming means. (3) A step of heating the ceramic substrate on which the conductor circuit is formed within a temperature range of 200 to 800 ° C. in a nitrogen atmosphere.
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