JPH0638494B2 - Compound semiconductor device - Google Patents
Compound semiconductor deviceInfo
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- JPH0638494B2 JPH0638494B2 JP63300717A JP30071788A JPH0638494B2 JP H0638494 B2 JPH0638494 B2 JP H0638494B2 JP 63300717 A JP63300717 A JP 63300717A JP 30071788 A JP30071788 A JP 30071788A JP H0638494 B2 JPH0638494 B2 JP H0638494B2
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Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 共鳴トンネリング・ホット・エレクトロン・トランジス
タやホット・エレクトロン・トランジスタなどヘテロ接
合をもつ化合物半導体装置の改良に関し、 コレクタ・ベース間電圧を印加しても、コレクタ・バリ
ヤ内で電子が谷間散乱を受け難いようにすることを目的
とし、 順に積層されたＩｎＡｓからなるコレクタ層及びＩｎ
（ＡｌＧｓ）Ａｓからなるコレクタ・バリヤ層及びＩｎ
ＧａＡｓからなるベース層及びＩｎＡｌＡｓからなるエ
ミッタ・バリヤ層及びＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層
を備え、前記コレクタ・バリヤ層の組成はベース層側か
らＡｌを漸減させ前記コレクタ層に至るまでに０にして
なるよう構成する。The present invention relates to improvement of a compound semiconductor device having a heterojunction such as a resonant tunneling hot electron transistor or a hot electron transistor, and a collector barrier even when a collector-base voltage is applied. In order to make it difficult for electrons to be subjected to valley scattering inside, a collector layer made of InAs and In
(AlGs) As collector barrier layer and In
A base layer made of GaAs, an emitter barrier layer made of InAlAs, and an emitter layer made of InGaAs are provided, and the composition of the collector barrier layer is gradually reduced from the base layer side to zero until reaching the collector layer. Constitute.
本発明は、共鳴トンネリング・ホット・エレクトロン・
トランジスタ（ｒｅｓｏｎａｎｔ−ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ
ｈｏｔ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：
ＲＨＥＴ）やホット・エレクトロン・トランジスタ（ｈ
ｏｔ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＨＥ
Ｔ）などヘテロ接合をもつ化合物半導体装置の改良に関
する。The present invention is a resonant tunneling hot electron
Transistor (resonant-tunneling)
hot electron transistor:
RHET) and hot electron transistor (h
ot electron transistor: HE
T) such as compound semiconductor device having a heterojunction.
現在、コンピュータなどを高速化する要求が強いことか
ら、それを構成する半導体装置を高速化する為の開発・
研究が盛んである。前記ＲＨＥＴやＨＥＴは、ベース中
を電子がバリスティックに通り抜ける為、通常の半導体
素子に比較して電子のベース走行時間は大変短く、ま
た、特にＲＨＥＴは、その微分負性抵抗特性などの新機
能性と相俟って将来の集積回路に於ける基本的素子とし
て期待されている。Currently, there is a strong demand for speeding up computers, etc., so development for speeding up the semiconductor devices that compose it
Research is active. In RHET and HET, since electrons pass ballistically through the base, the base transit time of electrons is very short as compared with an ordinary semiconductor element. In particular, RHET has a new function such as its differential negative resistance characteristic. Combined with the characteristics, it is expected as a basic element in future integrated circuits.
然しながら、ＲＨＥＴ或いはＨＥＴでは、ベース・コレ
クタ間の耐圧を得る為にポテンシャル・バリヤ（コレク
タ・バリヤ）が形成されていて、そこで電子の走行速度
が低下する旨の問題があるので、これを解決しなければ
ならない。However, in RHET or HET, a potential barrier (collector barrier) is formed in order to obtain a withstand voltage between the base and collector, and there is a problem that the electron traveling speed decreases, so this problem has been solved. There must be.
第３図は従来のＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ（ＡｌＧａ）Ａｓ系
ＲＨＥＴを説明する為のエネルギ・バンド・ダイヤグラ
ムを表している。FIG. 3 shows an energy band diagram for explaining a conventional InGaAs / In (AlGa) As system RHET.
図に於いて、 Ｅはｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓエミッタ層、 ＥＢはｉ型Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓエミッタ・バリヤ層、 Ｂはｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓベース層、 ＣＢはｉ型Ｉｎ0.52（Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 ）0.48Ａｓコレ
クタ・バリヤ層、 Ｃはｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓコレクタ層 を示し、また、ＥＣ（Γ）はΓ谷の伝導帯の底、Ｅ
Ｃ（Ｌ）はＬ谷の伝導帯の底、ＥＦはフェルミ・レベ
ル、ＥS1及びＥS2はΓ谷とＬ谷のセパレーション・エネ
ルギ、ＥCBはコレクタ・バリヤ層ＣＢのベース側バリヤ
・ハイト、ＶCBはコレクタ・ベース間電圧、ｅは電子を
それぞれ示している。In the figure, E is an n-type In 0.53 Ga 0.47 As emitter layer, EB is an i-type In 0.52 Al 0.48 As emitter barrier layer, B is an n-type In 0.53 Ga 0.47 As base layer, and CB is an i-type In 0.52 ( Al 0.5 Ga 0.5 ) 0.48 As collector / barrier layer, C indicates n-type In 0.53 Ga 0.47 As collector layer, and E C (Γ) is the bottom of the conduction band of Γ valley, E
C (L) is the bottom of the conduction band of the L valley, E F is the Fermi level, E S1 and E S2 are the separation energies of the Γ valley and the L valley, and E CB is the barrier height of the collector barrier layer CB on the base side. , V CB is a collector-base voltage, and e is an electron.
このＲＨＥＴに関する主要データを例示すると次の通り
である。The main data regarding this RHET is as follows.
(a) エミッタ層Ｅについて 厚さ：２０００〔Å〕 不純物：Ｓｉ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 (b) エミッタ・バリヤ層ＥＢについて 厚さ：１００〔Å〕 (c) ベース層Ｂについて 厚さ：５００〔Å〕 不純物：Ｓｉ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 (d) コレクタ・バリヤ層ＣＢについて 厚さ：２０００〔Å〕 (e) コレクタ層Ｃについて 厚さ：２０００〔Å〕 不純物：Ｓｉ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 (f) セパレーション・エネルギＥS1について ０．５５〔ｅＶ〕 (g) セパレーション・エネルギＥS2について０．４５
〔ｅＶ〕 (h) コレクタ・バリヤ層ＣＢのベース側バリヤ・ハイ
トＥCBについて ０．２７〔ｅＶ〕 このＲＨＥＴでは、エミッタ層Ｅから電子ｅがトンネリ
ングでベース層Ｂに現れ、そのベース層Ｂを略バリステ
ィックに走行し、コレクタ・バリヤ層ＣＢを越えてコレ
クタ層Ｃに到達するものである。(a) About emitter layer E Thickness: 2000 [Å] Impurity: Si Impurity concentration: 1 × 10 18 [cm -3 ] (b) About emitter / barrier layer EB Thickness: 100 [Å] (c) Base layer About B Thickness: 500 [Å] Impurity: Si Impurity concentration: 1 × 10 18 [cm -3 ] (d) About collector / barrier layer CB Thickness: 2000 [Å] (e) About collector layer C Thickness: 2000 [Å] Impurity: Si Impurity concentration: 1 × 10 18 [cm −3 ] (f) Separation energy E S1 0.55 [eV] (g) Separation energy E S2 0.45
[EV] (h) Base-side barrier height E CB of collector-barrier layer CB 0.27 [eV] In this RHET, electrons e from the emitter layer E appear in the base layer B by tunneling, and the base layer B It travels almost ballistically and reaches the collector layer C over the collector / barrier layer CB.
前記ＲＨＥＴやＨＥＴは高速であるとされているが、コ
レクタ・バリヤ層ＣＢに於けるΓ谷−Ｌ谷間のセパレー
ション・エネルギＥS1は、前記したように、ＩｎＧａＡ
ｓの約０．５５〔ｅＶ〕よりも狭く、約０．４５〔ｅ
Ｖ〕である。従って、コレクタ・ベース間電圧ＶCBを約
０．４〔Ｖ〕以上にした場合、電子ｅはコレクタ・バリ
ヤ層ＣＢ内で谷間散乱（ｉｎｔｅｒ ｖａｌｌｅｙ ｓ
ｃａｔｔｅｒｉｎｇ）を受け、急速にエネルギを失い、
速度が低下する。その為、折角、電子ｅがベース層Ｂ中
を略バリスティックに走行しても、コレクタ・バリヤ層
ＣＢ内に於ける走行時間が支配的となって、高速化の効
果は期待する程には現れない。Although the RHET and HET are said to be high speed, the separation energy E S1 between the Γ valley and the L valley in the collector-barrier layer CB is, as described above, InGaA.
narrower than about 0.55 [eV] of s, about 0.45 [eV]
V]. Therefore, when the collector-base voltage V CB is set to about 0.4 [V] or more, the electrons e are inter-valley scattered in the collector-barrier layer CB.
and lose energy rapidly.
Slow down. Therefore, even if the electrons e travel in the base layer B substantially ballistically, the travel time in the collector / barrier layer CB becomes dominant, and the effect of speeding up is expected. It does not appear.
本発明は、コレクタ・ベース間電圧を印加しても、コレ
クタ・バリヤ内で電子が谷間散乱を受け難いようにした
ＲＨＥＴ或いはＨＥＴなどの化合物半導体装置を提供し
ようとする。The present invention aims to provide a compound semiconductor device such as RHET or HET in which electrons are less likely to undergo valley scattering in the collector-barrier even when a collector-base voltage is applied.
電子ｅがコレクタ・バリヤ層ＣＢ内に於いて谷間散乱を
受け難くする為には、そこでのΓ谷・Ｌ谷間のセパレー
ション・エネルギが大であるようにすれば良く、その為
には、コレクタ・バリヤ層ＣＢを構成する半導体材料を
適切に選択する必要があり、また、それに伴って別な不
都合が発生しないように、コレクタ層の半導体材料にも
配慮しなければならない。In order to make the electron e less susceptible to valley scattering in the collector / barrier layer CB, the separation energy between the Γ valley and the L valley in the electron barrier e should be large. It is necessary to appropriately select the semiconductor material forming the barrier layer CB, and also to consider the semiconductor material of the collector layer so as not to cause another inconvenience.
このようなことから、本発明の化合物半導体装置に於い
ては、順に積層されたＩｎＡｓからなるコレクタ層（例
えばコレクタ層Ｃ）とＩｎ（ＡｌＧａ）Ａｓからなるコ
レクタ・バリヤ層（例えばコレクタ・バリヤ層ＣＢ）と
ＩｎＧａＡｓからなるベース層（例えばベース層Ｂ）と
ＩｎＡｌＡｓからなるエミッタ・バリヤ層（例えばエミ
ッタ・バリヤ層ＥＢ）及びＩｎＧａＡｓからなるエミッ
タ層（例えばエミッタ層Ｅ）を備え、前記コレクタ・バ
リヤ層の組成はベース層側からＡｌを漸減させ前記コレ
クタ層に至るまでに０にしてなるように構成している。Therefore, in the compound semiconductor device of the present invention, a collector layer (for example, collector layer C) made of InAs and a collector / barrier layer (for example, collector / barrier layer) made of In (AlGa) As, which are sequentially stacked, are used. CB) and a base layer (eg, base layer B) made of InGaAs, an emitter barrier layer (eg, emitter barrier layer EB) made of InAlAs, and an emitter layer (eg, emitter layer E) made of InGaAs, and the collector barrier layer The composition is such that Al is gradually reduced from the base layer side to zero until reaching the collector layer.
前記手段を採ることに依り、コレクタ・バリヤ層に於け
るΓ谷・Ｌ谷間のセパレーション・エネルギはベース層
側からコレクタ層側にかけて広くなり、従って、従来よ
り大きなコレクタ・ベース間電圧を印加しても電子が谷
間散乱を受け難くなり、高速性を維持することができ
る。また、コレクタ層を構成する半導体材料としてＩｎ
Ａｓを用いていることから、コレクタ・バリヤ層に於け
るコレクタ層側のバリヤ・ハイトは充分に高く、従っ
て、コレクタ層に於ける電子がベース層に流れ込むよう
なことは起きない。更にまた、コレクタ・バリヤ層に於
けるベース層側のｘ値は０．５であって有効質量が大き
いことから、ベース層のコールド・エレクトロンがコレ
クタ・バリヤをトンネリングしてコレクタ層に到達する
ようなことはない。By adopting the above means, the separation energy between the Γ valley and the L valley in the collector-barrier layer becomes wider from the base layer side to the collector layer side. Therefore, by applying a larger collector-base voltage than before. Also, electrons are less likely to be subjected to valley scattering, and high speed can be maintained. In addition, as a semiconductor material forming the collector layer, In
Since As is used, the barrier height of the collector-barrier layer on the collector layer side is sufficiently high, and therefore electrons in the collector layer do not flow into the base layer. Furthermore, since the x value on the side of the base layer in the collector / barrier layer is 0.5 and the effective mass is large, cold electrons in the base layer are tunneled through the collector / barrier to reach the collector layer. There is no such thing.
第１図は本発明一実施例であるＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ（Ａ
ｌＧａ）Ａｓ系ＲＨＥＴを説明する為のエネルギ・バン
ド・ダイヤグラムを表し、第３図に於いて用いた信号と
同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとす
る。FIG. 1 shows InGaAs / In (A) which is an embodiment of the present invention.
1Ga) represents an energy band diagram for explaining the As type RHET, and the same symbols as the signals used in FIG. 3 represent the same parts or have the same meanings.
本実施例が第３図に見られる従来例と相違するところ
は、 (1) コレクタ・バリヤ層ＣＢが 「ｉ型Ｉｎ0.52（ＡｌｘＧｉ1-x）0.48Ａｓ」で構成さ
れ、しかも、ベース層Ｂ側からコレクタ層Ｃ側に向かっ
てｘ値が０．５→０まで変化していること、 (2) コレクタ層Ｃが「ｎ型ＩｎＡｓ」で構成されてい
ること、 である。尚、この場合、コレクタ・バリヤ層ＣＢの厚さ
は２０００〔Å〕、また、コレクタ層Ｃの厚さは１００
０〔Å〕、そして、不純物濃度は１×１０18〔cm-3〕で
ある。The present embodiment is different from the conventional example shown in FIG. 3 in that (1) the collector / barrier layer CB is composed of “i-type In 0.52 (Al x Gi 1-x ) 0.48 As” and the base is The x value changes from 0.5 to 0 from the layer B side to the collector layer C side. (2) The collector layer C is composed of “n-type InAs”. In this case, the thickness of the collector / barrier layer CB is 2000 [Å], and the thickness of the collector layer C is 100.
0 [Å], and the impurity concentration is 1 × 10 18 [cm −3 ].
前記したように、コレクタ・バリヤ層ＣＢに於けるｘ値
はベース層Ｂ型で０．５、そして、コレクタ層Ｃ側で０
であり、その結果、Γ谷とＬ谷とのセパレーション・エ
ネルギは、 ベース層Ｂ側（ＥSB）：０．４５〔ｅＶ〕 コレクタ層Ｃ側（ＥSC）：０．５５〔ｅＶ〕 となる。従って、コレクタ・ベース間電圧ＶCBを約０．
６〔Ｖ〕程度にした場合でも、コレクタ・バリヤ層ＣＢ
内に於いて電子ｅが谷間散乱を受けることはなくなる。
また、コレクタ・バリヤ層ＣＢに於けるコレクタ層Ｃ側
のバリヤ・ハイトＥCCは０．４７〔ｅＶ〕であり、コレ
クタ層Ｃに在る電子がベース層Ｂに向かうようなことは
充分に阻止される。このように高いバリヤ・ハイトが得
られているのは、コレクタ層Ｃを構成する半導体材料と
してＩｎＡｓを用いたことに起因する。尚、ＩｎＡｓは
基板であるＩｎＰとは格子整合しないが厚さ１０００
〔Å〕程度に成長してから直ちにＩｎＧａＡｓに戻して
やればデバイス特性上は殆ど影響を受けない。As described above, the x value in the collector / barrier layer CB is 0.5 in the base layer B type and 0 in the collector layer C side.
As a result, the separation energy between the Γ valley and the L valley becomes the base layer B side ( ESB ): 0.45 [eV] and the collector layer C side ( ESC ): 0.55 [eV]. . Therefore, the collector-base voltage V CB is about 0.
Even when the voltage is about 6 [V], the collector / barrier layer CB
The electrons e will not be subjected to valley scattering inside.
Further, the barrier height E CC on the collector layer C side of the collector / barrier layer CB is 0.47 [eV], and it is sufficiently prevented that the electrons in the collector layer C are directed to the base layer B. To be done. The reason why such a high barrier height is obtained is due to the use of InAs as a semiconductor material forming the collector layer C. Although InAs does not lattice match with InP, which is a substrate, InAs has a thickness of 1000.
If it is returned to InGaAs immediately after it has grown to about [Å], the device characteristics are hardly affected.
第２図は本発明に於ける他の実施例であるＩｎＧａＡｓ
／Ｉｎ（ＡｌＧａ）Ａｓ系ＲＨＥＴを説明する為のエネ
ルギ・バンド・ダイヤグラムを表し、第１図及び第３図
に於いて用いた信号と同記号は同部分を表すか或いは同
じ意味を持つものとする。FIG. 2 shows InGaAs which is another embodiment of the present invention.
/ In (AlGa) As system is an energy band diagram for explaining the RHET, and the same symbols as the signals used in FIGS. 1 and 3 represent the same parts or have the same meanings. To do.
本実施例が第１図に見られる実施例と相違する点は、コ
レクタ・バリヤ層ＣＢがベース層Ｂ側からｉ型Ｉｎ0.52
（Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 ）0.48Ａｓで始まり、中央近傍でｉ
型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓとなり、コレクタ層Ｃ側ではｉ
型Ｉｎ0.75Ｇａ0.25Ａｓとなっていることである。尚、
コレクタ層Ｃは矢張りＩｎＡｓである。This embodiment is different from the embodiment shown in FIG. 1 in that the collector / barrier layer CB is formed of i-type In 0.52 from the base layer B side.
(Al 0.5 Ga 0.5 ) 0.48 As, starting near the center i
Type In 0.53 Ga 0.47 As, i on the collector layer C side
The type is In 0.75 Ga 0.25 As. still,
The collector layer C is Inari InAs.
即ち、本実施例では、第１図に見られる実施例と同様、
コレクタ・バリヤ層ＣＢを構成する半導体材料のうちＡ
ｌをベース層Ｂ側から見て０．５より次第に減少させて
中央付近で０とし、それからＧａを０．５より次第に減
少させてコレクタ層Ｃ側で例えば０．２５としたもので
ある。That is, in this embodiment, as in the embodiment shown in FIG.
A of the semiconductor materials constituting the collector / barrier layer CB
1 is gradually reduced from 0.5 as viewed from the base layer B side to 0 near the center, and then Ga is gradually reduced from 0.5 to 0.25 on the collector layer C side.
このようにすると、コレクタ・バリヤ層ＣＢに於けるΓ
谷とＬ谷とのセパレーション・エネルギは、 ベース層Ｂ側（ＥSB）：０．４５〔ｅＶ〕 コレクタ層Ｃ側（ＥSC）：０．７５〔ｅＶ〕 となり、ベース層Ｂ側では第１図に見られる実施例と変
わりないが、コレクタ層Ｃ側では更に広くなっている。By doing so, Γ in the collector / barrier layer CB
The separation energy between the valley and the L valley is as follows: the base layer B side ( ESB ): 0.45 [eV], the collector layer C side ( ESC ): 0.75 [eV], and the first on the base layer B side. Although it is the same as the embodiment shown in the figure, it is wider on the collector layer C side.
これは、要するに、Γ谷に関するエネルギ・バンド・ギ
ャップを狭くしていることに外らないが、このようにし
ても、コレクタ・バリヤ層ＣＢのコレクタ層Ｃ側に於け
るバリヤ・ハイトＥCCは０．３５〔ｅＶ〕であってデバ
イス特性には実用上の悪影響はない。This is, in essence, the narrowing of the energy band gap with respect to the Γ valley, but even in this case, the barrier height E CC on the collector layer C side of the collector barrier layer CB is Since it is 0.35 [eV], there is no practical adverse effect on the device characteristics.
本実施例では、コレクタ・ベース間電圧ＶCBを約０．７
〔Ｖ〕程度にした場合でも、谷間散乱は発生しない。In this embodiment, the collector-base voltage V CB is about 0.7.
Even in the case of [V], valley scattering does not occur.
本発明の化合物半導体装置では、コレクタ層にＩｎＡ
ｓ、コレクタ・バリヤ層にＩｎ（ＡｌＧａ）Ａｓ、ベー
ス層及びエミッタ層にＩｎＧａＡｓをそれぞれ用い、前
記コレクタ・バリヤ層の組成はベース層側からＡｌを漸
減させ前記コレクタ層に至るまでに０にしている。In the compound semiconductor device of the present invention, InA is formed in the collector layer.
s, In (AlGa) As is used for the collector / barrier layer, and InGaAs is used for the base layer and the emitter layer. The composition of the collector / barrier layer is such that Al is gradually reduced from the base layer side to zero until reaching the collector layer. There is.
前記構成を採ることに依り、コレクタ・バリヤ層中での
谷間散乱は発生し難くなって高速性が維持され、また、
コレクタ・ベース間耐圧も向上させることができる。従
って、回路を設計する際の動作マージンを大きく採るこ
とができる。By adopting the above configuration, valley scattering in the collector / barrier layer is less likely to occur, and high speed is maintained.
The collector-base breakdown voltage can also be improved. Therefore, a large operating margin can be taken when designing a circuit.
第１図は本発明一実施例を説明する為のエネルギ・バン
ド・ダイヤグラム、第２図は本発明に於ける他の実施例
を説明する為のエネルギ・バンド・ダイヤグラム、第３
図は従来例を説明する為のエネルギ・バンド・ダイヤグ
ラムをそれぞれ表している。 図に於いて、Ｅはエミッタ層、ＥＢはエミッタ・バリヤ
層、Ｂはベース層、ＣＢはコレクタ・バリヤ層、Ｃはコ
レクタ層、ＥＣ（Γ）はΓ谷の伝導帯の底、ＥＣ（Ｌ）
はＬ谷の伝導帯の底、ＥＦはフェルミ・レベル、ＥS1及
びＥS2はΓ谷とＬ谷のセパレーション・エネルギ、ＥCB
はコレクタ・バリヤ層ＣＢのベース側バリヤ・ハイト、
ＥCCはコレクタ・バリヤ層ＣＢのコレクタ側バリヤ・ハ
イト、ＶCBはコレクタ・ベース間電圧、ｅは電子をそれ
ぞれ示している。FIG. 1 is an energy band diagram for explaining one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an energy band diagram for explaining another embodiment of the present invention.
The figures respectively represent energy band diagrams for explaining a conventional example. In the figure, E is the emitter layer, EB is the emitter barrier layer, B is the base layer, CB is the collector barrier layer, C is the collector layer, E C (Γ) is the bottom of the conduction band of the Γ valley, and E C (L)
Is the bottom of the conduction band of the L valley, E F is the Fermi level, E S1 and E S2 are the separation energies of the Γ valley and the L valley, and E CB
Is the barrier height on the base side of the collector barrier layer CB,
E CC is a collector-side barrier height of the collector-barrier layer CB, V CB is a collector-base voltage, and e is an electron.
Claims (1)
層及びＩｎ（ＡｌＧａ）Ａｓからなるコレクタ・バリヤ
層及びＩｎＧａＡｓからなるベース層及びＩｎＡｌＡｓ
からなるエミッタ・バリヤ層及びＩｎＧａＡｓからなる
エミッタ層を備え、 前記コレクタ・バリヤ層の組成はベース層側からＡｌを
漸減させ前記コレクタ層に至るまでに０にしてなること を特徴とする化合物半導体装置。1. A sequentially laminated collector layer made of InAs, a collector / barrier layer made of In (AlGa) As, a base layer made of InGaAs, and InAlAs.
A compound semiconductor device comprising an emitter / barrier layer made of InGaAs and an emitter layer made of InGaAs, wherein the composition of the collector / barrier layer is such that Al is gradually reduced from the base layer side to 0 until reaching the collector layer. .
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-
1988
- 1988-11-30 JP JP63300717A patent/JPH0638494B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02148867A (en) | 1990-06-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |