JPH0640437B2 - Magnetic bubble memory chip - Google Patents
Magnetic bubble memory chipInfo
- Publication number
- JPH0640437B2 JPH0640437B2 JP58030731A JP3073183A JPH0640437B2 JP H0640437 B2 JPH0640437 B2 JP H0640437B2 JP 58030731 A JP58030731 A JP 58030731A JP 3073183 A JP3073183 A JP 3073183A JP H0640437 B2 JPH0640437 B2 JP H0640437B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- write line
- magnetic bubble
- memory chip
- guardrail
- write
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリチツプに関するものであり、
さらに詳しくは、入力ラインの改良に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a magnetic bubble memory chip,
More specifically, it relates to improvement of input lines.
第１図は、メイジヤマイナ方式の磁気バブルメモリチツ
プの構成図を示す。同図において、ｍは情報を貯えるマ
イナループ、ＲＬは読み出し情報を転送するリードライ
ン、ＷＬは書き込み情報を転送するライトラインであ
る。また、Ｄは磁気バブルを電気信号に変換するバブル
検出器、Ｇは磁気バブルを書き込むバブル発生器、Ｒは
マイナループｍの情報をリードラインＲＬに複写するレ
プリケートゲート、ＳはライトラインＷＬ上の情報とマ
イナループｍ中の情報を入れ替えるスワツプゲートであ
る。ＧＲはガードレールであり、外部からの磁気バブル
の侵入を防止する。ＢＰはボンデイングパツドである。
磁気バブルメモリチツプはこのような基本要素で構成さ
れている。FIG. 1 shows a block diagram of a magnetic bubble memory chip of a magi-jaminer system. In the figure, m is a minor loop for storing information, RL is a read line for transferring read information, and WL is a write line for transferring write information. Further, D is a bubble detector that converts a magnetic bubble into an electric signal, G is a bubble generator that writes a magnetic bubble, R is a replicate gate that copies information of the minor loop m to the read line RL, and S is information on the write line WL. Is a swap gate for exchanging information in the minor loop m. GR is a guardrail, which prevents magnetic bubbles from entering from the outside. BP is a bonding pad.
The magnetic bubble memory chip is composed of such basic elements.
第２図は、本発明に係わる部分である第１図の(a)部を
拡大し、詳細に例示した図である。同図において、第１
図と同じ記号は同じものを示す。さて、前記した如く、
書き込み動作時、スワツプゲートＳにより、ライトライ
ンＷＬ上の新しい情報とマイナループｍ中の古い情報が
入れ替えられる。マイナループｍ中からライトラインＷ
Ｌ上へ移された古い情報は、その後、矢印Ｐ方向に転送
され、ガードレールＧＲへと導かれ、ガードレールＧＲ
により外へ掃き出される。FIG. 2 is an enlarged and detailed view of part (a) of FIG. 1, which is a part relating to the present invention. In the figure, the first
The same symbols as those in the figure indicate the same things. Now, as mentioned above,
During the write operation, the swap gate S replaces the new information on the write line WL with the old information in the minor loop m. Light line W from inside minor loop m
The old information transferred to L is then transferred in the direction of arrow P, is guided to the guardrail GR, and is moved to the guardrail GR.
Swept out by.
ここで、ライトラインＷＬ上、すなわち、ライトライン
の最後部に欠陥部分ｄがあり、そこで磁気バブルを安定
に転送できない場合、ライトラインＷＬ上流から転送さ
れてくる磁気バブルが、この欠陥部分ｄで外へはじき出
され、ガードレールＧＲの外へ掃き出されなくなる。欠
陥部分ｄで外へはじき出された磁気バブルは、その後ラ
ンダムに移動し、長時間のうちに、あるマイナループへ
間違つて飛び込みエラーを発生する可能性がある。ま
た、このようなエラーは通常のメモリ動作テストでは簡
単に検出できない。Here, when there is a defective portion d on the write line WL, that is, at the end of the write line and the magnetic bubble cannot be stably transferred there, the magnetic bubble transferred from the upstream of the write line WL is the defective portion d. It will be pushed out and will not be swept out of the guardrail GR. The magnetic bubbles that are ejected to the outside at the defective portion d may randomly move thereafter, and may mistakenly jump into a certain minor loop and cause an error in a long time. Moreover, such an error cannot be easily detected by a normal memory operation test.
したがつて、本発明の目的は、このようなエラーの発生
を防止した磁気バブルメモリチツプを提供しようとする
ものである。Therefore, an object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory chip that prevents the occurrence of such an error.
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples.
第３図に、本発明による磁気バブルメモリチツプの一実
施例の要部拡大図を示す。図において、第２図と同じ記
号は同じものを示す。ライトラインＷＬからガードレー
ルＧＲへと続くライトライン最後部には、ライトライン
ＷＬの側に、第２の転送路として作用する補助ライトラ
インＷＬＧを複数個設けているのが特徴である。この補
助ライトラインＷＬＧは、ガードレールＧＲへと続いて
いる。FIG. 3 shows an enlarged view of a main part of an embodiment of the magnetic bubble memory chip according to the present invention. In the figure, the same symbols as in FIG. 2 indicate the same things. At the end of the write line continuing from the write line WL to the guard rail GR, a plurality of auxiliary write lines WLG acting as a second transfer path are provided on the write line WL side. The auxiliary write line WLG continues to the guardrail GR.
この補助ライトラインＷＬＧは、ライトラインＷＬ上を
転送されてきた磁気バブルが欠陥部分ｄで、ＷＬの外へ
掃き出された場合、この掃き出されたバブルをガードレ
ールＧＲへ転送する。このため、前記したようなエラー
発生を防止することができる。The auxiliary write line WLG transfers the swept bubble to the guard rail GR when the magnetic bubble transferred on the write line WL is swept out of WL at the defective portion d. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of the error as described above.
第１図は一般の磁気バブルメモリチツプの構成図、第２
図は第１図の(a)部拡大図、第３図は本発明による磁気
バブルメモリチツプの一実施例の要部拡大図を示す。 ｍ……マイナループ、ＷＬ……ライトライン、ＧＲ……
ガードレール、ＷＬＧ……補助ライトライン。FIG. 1 is a block diagram of a general magnetic bubble memory chip, and FIG.
1 is an enlarged view of part (a) of FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged view of essential parts of an embodiment of a magnetic bubble memory chip according to the present invention. m …… minor loop, WL …… light line, GR ……
Guardrail, WLG ... Auxiliary light line.
フロントページの続き (72)発明者 箭内 雅弘 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (56)参考文献 特開 昭58−6580（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−3488（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−77036（ＪＰ，Ａ)Front page continued (72) Inventor Masahiro Yanai 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Inside the Mobara factory, Hitachi, Ltd. (56) References JP-A-58-6580 (JP, A) JP-A-56-3488 (JP, JP, 3488) A) JP-A-54-77036 (JP, A)
Claims (1)
書き込み情報を転送するライトラインＷＬと、上記ライ
トラインの一方の端部に結合されたバブル発生器Ｇと、
上記マイナーループに蓄えられた情報と上記ライトライ
ンに転送される書き込み情報とを入れ替えるスワップゲ
ートＳと、上記マイナーループ、上記ライトライン、上
記バブル発生器及び上記スワップゲートを囲み、外側か
らの磁気バブルの侵入を防止し内側の不要バブルを外側
に掃き出すガードレールＧＲと、上記ライトラインの他
方の端部を上記ガードレールに結合させるライトライン
の最後部ＷＬと、上記最後部に沿って上記ガードレール
に結合された上記最後部と同様なパターンの補助転送路
ＷＬＧとを具備して成ることを特徴とする磁気バブルメ
モリチップ。1. A plurality of minor loops m for storing information,
A write line WL for transferring write information, a bubble generator G coupled to one end of the write line,
A swap gate S for exchanging the information stored in the minor loop with the write information transferred to the write line, and a magnetic bubble from the outside surrounding the minor loop, the write line, the bubble generator and the swap gate. Guardrail GR for preventing the invasion of the inside and sweeping out unnecessary bubbles to the outside, the last part WL of the lightline for connecting the other end of the lightline to the guardrail, and the guardrail along the last part. A magnetic bubble memory chip comprising an auxiliary transfer path WLG having a pattern similar to that of the last part.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58030731A JPH0640437B2 (en) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | Magnetic bubble memory chip |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58030731A JPH0640437B2 (en) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | Magnetic bubble memory chip |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59157889A JPS59157889A (en) | 1984-09-07 |
| JPH0640437B2 true JPH0640437B2 (en) | 1994-05-25 |
Family
ID=12311808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58030731A Expired - Lifetime JPH0640437B2 (en) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | Magnetic bubble memory chip |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0640437B2 (en) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5477036A (en) * | 1977-12-02 | 1979-06-20 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble generator |
| JPS5911984B2 (en) * | 1979-06-19 | 1984-03-19 | 富士通株式会社 | magnetic bubble memory device |
| JPS586580A (en) * | 1981-07-03 | 1983-01-14 | Nec Corp | Magnetic bubble memory element |
-
1983
- 1983-02-28 JP JP58030731A patent/JPH0640437B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59157889A (en) | 1984-09-07 |
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