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JPH0646646B2 - Wire bonding equipment for semiconductor device assembly - Google Patents
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JPH0646646B2 - Wire bonding equipment for semiconductor device assembly - Google Patents

Wire bonding equipment for semiconductor device assembly

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Publication number
JPH0646646B2
JPH0646646B2 JP61010603A JP1060386A JPH0646646B2 JP H0646646 B2 JPH0646646 B2 JP H0646646B2 JP 61010603 A JP61010603 A JP 61010603A JP 1060386 A JP1060386 A JP 1060386A JP H0646646 B2 JPH0646646 B2 JP H0646646B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
wire bonding
heater plate
lead
semiconductor device
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP61010603A
Other languages
Japanese (ja)
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JPS62169340A (en
Inventor
武博 齋藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor

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  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置組立用ワイヤボンデイング装置に関
する。
The present invention relates to a wire bonding apparatus for assembling semiconductor devices.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、この種の半導体装置組立用ワイヤボンデイグ装置
の送り装置はリードフレームを一駒づつインデエツクス
送りされ、リードフレームの周辺にはインデエツクス送
り用の孔と装置との相対的な位置決めをするための位置
決め孔を設けている。リードフレームの位置決めは、位
置決め孔の中にテーパ状の位置決めピンを挿入すること
によつてリードフレームの位置を決める構造を取つてい
るのが一般的である。
Conventionally, a feeder of a wire bonding apparatus for assembling a semiconductor device of this type is index-feeded one by one with a lead frame, and a hole for the index feed is provided around the lead frame for relative positioning with the device. Positioning holes are provided. The lead frame is generally positioned by inserting a tapered positioning pin into the positioning hole to determine the position of the lead frame.

第3図,第4図に従来のワイヤボンデイング装置の一例
を示す。第3図,第4図に示すように送りづめ1は上下
運動し角穴2に挿入することでリードフレーム6を矢印
3の方向にガイドレール9に沿つて送る。このときテー
パ状の位置決めピン4は下方にあるが、リードフレーム
6の送りが完了すると同時に位置決めピン4は上昇し位
置決め用の丸穴7に挿入されリードフレーム6の位置決
めが行われヒータープレート5によりリードフレームは
加熱されて半導体素子8のワイヤボンデイングが開始さ
れ、以後、この一連の動作がくりかえされる。
FIG. 3 and FIG. 4 show an example of a conventional wire bonding apparatus. As shown in FIGS. 3 and 4, the feed claw 1 moves up and down and is inserted into the square hole 2 to feed the lead frame 6 in the direction of the arrow 3 along the guide rail 9. At this time, the tapered positioning pin 4 is at the bottom, but at the same time when the feeding of the lead frame 6 is completed, the positioning pin 4 rises and is inserted into the positioning circular hole 7 to position the lead frame 6 and the heater plate 5 The lead frame is heated to start the wire bonding of the semiconductor element 8, and thereafter this series of operations is repeated.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

しかし、このような従来の装置では熱膨張の大きな材質
のリードフレームを流す場合、位置決め丸穴間10距離や
送り角穴間11距離がリードフレーム6の材質熱伝導率や
熱膨張係数の違いにより変化してしまうのは明白であ
り、送り精度が劣化し歩留りを低下させる。
However, in such a conventional apparatus, when a lead frame made of a material having a large thermal expansion is flowed, the distance between the positioning round holes and the distance between the feed angle holes are 11 depending on the difference in the material thermal conductivity and the thermal expansion coefficient of the lead frame 6. Obviously, the feed accuracy deteriorates and the yield decreases.

また、銅系の材料でなるリードフレームの場合はヒータ
ープレート5に接している部分だけが加熱されるため、
部分的に熱膨張する。一方、ヒータープレート5に接し
ない部分はあまり熱膨張しないため、リードフレーム6
内部に熱応力が生じ、変形を起こし全くボンデイングが
不可能になつたり、ボンデイング後の変形によりワイヤ
の破断を起こすことがあつた。
Also, in the case of a lead frame made of a copper-based material, only the portion in contact with the heater plate 5 is heated,
Partially thermally expands. On the other hand, since the portion not in contact with the heater plate 5 does not expand so much, the lead frame 6
Thermal stress is generated inside, causing deformation, which makes bonding impossible at all, or deformation after bonding causes wire breakage.

特に半導体素子8が加熱され、この熱がリードフレーム
6のタブリード15に熱伝導されると、タブリード15
が熱膨張し、その長さがリードフレーム6の幅方向の長
さ12より長くなる。タブリード15は、その両端がリ
ードフレーム6に一体に結合されているため、熱膨張に
より変形して反りが生じる。半導体素子8は、タブリー
ド15により支持されているため、タブリード15に反
りが生じると、半導体素子8が浮いてしまったり、また
はタブリード15の太さが極端に細い場合等は、矢印1
3のように半導体素子8が回転して位置ずれを引き起こ
すことによりタブリード15の熱膨張分を吸収するた
め、ワイヤボンデイングの位置ずれが生じ、歩留りを劣
化させるという欠点があった。
Particularly, when the semiconductor element 8 is heated and this heat is conducted to the tab lead 15 of the lead frame 6, the tab lead 15
Thermally expands, and its length becomes longer than the length 12 of the lead frame 6 in the width direction. Since both ends of the tab lead 15 are integrally connected to the lead frame 6, the tab lead 15 is deformed by thermal expansion and warped. Since the semiconductor element 8 is supported by the tab lead 15, when the tab lead 15 is warped, the semiconductor element 8 floats up, or when the tab lead 15 is extremely thin, the arrow 1
As described in 3, the semiconductor element 8 rotates to cause the positional deviation, and the thermal expansion of the tab lead 15 is absorbed. Therefore, the positional deviation of the wire bonding occurs and the yield is deteriorated.

本発明の目的はリードフレームの変形を抑えて良好なワ
イヤボンデイングを行う半導体装置組立用ワイヤボンデ
イング装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a wire bonding apparatus for assembling a semiconductor device which suppresses deformation of a lead frame and performs good wire bonding.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は1駒ずつインデツクス送りされるリードフレー
ムのアイランドをボンデイング処理位置に位置決めし、
リードフレームの該アイランドをヒータープレートで加
熱しつつ該アイランド上の半導体素子にワイヤボンデイ
ング処理を行う半導体装置組立用ワイヤボンデイング装
置において、リードフレームの送り方向に沿つてリード
フレームの外周を冷却する冷却部を設置し、かつリード
フレームのタブリードに対応するヒータープレートの加
熱面を切り取り、該ヒータープレートをボンデイング処
理位置に設置するとともに、その手前のアイランドに対
応する位置に該ヒータープレートを予備加熱用として設
置したことを特徴とする半導体装置組立用ワイヤボンデ
イング装置である。
The present invention positions the lead frame islands, which are index-fed one frame at a time, at the bonding processing position,
In a wire bonding apparatus for assembling a semiconductor device, wherein the island of the lead frame is heated by a heater plate and a semiconductor element on the island is wire-bonded, a cooling unit that cools the outer periphery of the lead frame along the feed direction of the lead frame. And cut the heating surface of the heater plate corresponding to the tab lead of the lead frame, install the heater plate at the bonding processing position, and install the heater plate for preheating at a position corresponding to the island in front of it. The wire bonding apparatus for assembling a semiconductor device is characterized by the above.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の一実施例を図により説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図,第2図において、本発明装置はリードフレーム
6の送り方向に沿つてパイプ14を設け、パイプ14から乾
燥空気またはN2等の気体をふき出すことでリードフレ
ーム6を冷却する。気体でリードフレーム6の外周が冷
却されるため、一定の温度に保持される。したがつて位
置決め丸穴間10距離や送り角穴間11距離が変化しないた
め、送り精度が極めて向上するので、歩留りが向上す
る。
1 and 2, the device of the present invention is provided with a pipe 14 along the feed direction of the lead frame 6, and the lead frame 6 is cooled by blowing dry air or a gas such as N 2 from the pipe 14. Since the outer periphery of the lead frame 6 is cooled by the gas, it is maintained at a constant temperature. Therefore, since the distance between the positioning round holes and the distance between the feeding square holes are not changed, the feeding accuracy is significantly improved, and the yield is improved.

さらにボンデイング用ヒータープレート5は長方形でな
く、リードフレーム6のタブリード15直下のプレート5
の加熱面5aを切削して切り取つてある。尚タブリード真
下のプレート加熱面5aを切り取るのにプレートを切削し
たが、これに限らず、凹状にしてもよい。
Further, the bonding heater plate 5 is not rectangular, but the plate 5 directly below the tab lead 15 of the lead frame 6.
The heating surface 5a is cut and cut. Although the plate was cut to cut off the plate heating surface 5a immediately below the tab lead, the plate is not limited to this and may be concave.

本発明はタブリード真下にプレート5の加熱面が存在し
ないため、タブリード15が加熱されず、タブリード15
は、熱膨張による変形を生ずることがなく、タブリード
15の長さはリードフレーム6の幅方向の長さ12の範
囲に抑えられるため、半導体素子8が浮いたりまたは回
転することがないため、良好なボデイングが可能であ
る。さらに前記ヒータープレート5と同一構造のヒータ
ープレート5をボンデイング部より手前に少なくとも1
つ前の半導体素子8の加熱用として設置し、これに温度
勾配をもたせボンデイング部より1つ手前の半導体素子
部の温度を低くすることによりリードフレーム6全体を
徐々に加熱しリードフレーム6全体が均一の温度に加熱
する。したがつて、リードフレーム6全体の熱応力がや
わらぐので、曲面状に変形することなく良好なリードフ
レームの送りとボンデイングが可能となる。
In the present invention, since the heating surface of the plate 5 does not exist directly under the tab lead, the tab lead 15 is not heated and the tab lead 15 is not heated.
Is not deformed due to thermal expansion, and the length of the tab lead 15 is suppressed within the range of the length 12 in the width direction of the lead frame 6, so that the semiconductor element 8 does not float or rotate, which is favorable. It is possible to do various bodywork. Further, at least one heater plate 5 having the same structure as the heater plate 5 is provided in front of the bonding portion.
It is installed for heating the semiconductor element 8 immediately before, and a temperature gradient is applied to this to lower the temperature of the semiconductor element part one before the bonding part, so that the entire lead frame 6 is gradually heated and the entire lead frame 6 is Heat to a uniform temperature. Therefore, since the thermal stress of the entire lead frame 6 is softened, it is possible to feed and bond the lead frame satisfactorily without being deformed into a curved shape.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明は、リードフレームの送り方
向の外周を気体で冷却し、またボンデイングピータープ
レートはボンデイング位置の手前に少なくとも1つ前の
半導体素子を予備加熱し、またタブリードが加熱されな
いようにタブリードに対応するボンデイングヒータープ
レートの加熱面を切り取りボンデイングヒーターに温度
勾配をもたせたことにより、リードフレームの送り精度
が向上し、かつリードフレームの変形を防止し良好なボ
ンデイングができる効果がある。
As described above, according to the present invention, the outer periphery of the lead frame in the feed direction is cooled by gas, the bonding Peter plate preheats at least one semiconductor element before the bonding position, and the tab lead is prevented from being heated. By cutting the heating surface of the bonding heater plate corresponding to the tab lead and providing a temperature gradient to the bonding heater, the feed accuracy of the lead frame is improved, and deformation of the lead frame is prevented, and good bonding can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明のワイヤボンデイング装置を示す平面
図、第2図は本発明のワイヤボンデイング装置を示す断
面図、第3図は従来のワイヤボンデイング装置を示す平
面図、第4図は従来のワイヤボンデイング装置を示す断
面図である。 1……送りづめ、2……角穴、4……位置決めピン、5
……ヒータープレート、6……リードフレーム、7……
丸穴、8……半導体素子、9……ガイドレール、10……
位置決め穴間、11……送り角穴間、12……リードフレー
ムの幅方向の長さ、14……パイプ、15……タブリード
1 is a plan view showing a wire bonding apparatus of the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing a wire bonding apparatus of the present invention, FIG. 3 is a plan view showing a conventional wire bonding apparatus, and FIG. It is sectional drawing which shows a wire bonding apparatus. 1 ... Feed, 2 ... Square hole, 4 ... Positioning pin, 5
...... Heater plate, 6 ...... Lead frame, 7 ......
Round hole, 8 …… Semiconductor element, 9 …… Guide rail, 10 ……
Between positioning holes, 11 ... feed angle hole, 12 ... lead frame width direction, 14 ... pipe, 15 ... tab lead

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】1駒ずつインデツクス送りされるリードフ
レームのアイランドをボンデイング処理位置に位置決め
し、リードフレームの該アイランドをヒータープレート
で加熱しつつ該アイランド上の半導体素子にワイヤボン
デイング処理を行う半導体装置組立用ワイヤボンデイン
グ装置において、リードフレームの送り方向に沿つてリ
ードフレームの外周を冷却する冷却部を設置し、かつリ
ードフレームのタブリードに対応するヒータープレート
の加熱面を切り取り、該ヒータープレートをボンデイン
グ処理位置に設置するとともに、その手前のアイランド
に対応する位置に該ヒータープレートを予備加熱用とし
て設置したことを特徴とする半導体装置組立用ワイヤボ
ンデイング装置。
1. A semiconductor device in which an island of a lead frame, which is index-fed one frame at a time, is positioned at a bonding processing position, and the island of the lead frame is heated by a heater plate while wire bonding processing is performed on a semiconductor element on the island. In the wire bonding apparatus for assembly, a cooling unit is installed to cool the outer circumference of the lead frame along the feed direction of the lead frame, and the heating surface of the heater plate corresponding to the tab lead of the lead frame is cut and the heater plate is bonded. A wire bonding apparatus for assembling a semiconductor device, wherein the heater plate is installed at a position corresponding to an island in front of the heater plate for preheating.
JP61010603A 1986-01-21 1986-01-21 Wire bonding equipment for semiconductor device assembly Expired - Lifetime JPH0646646B2 (en)

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JPS62169340A JPS62169340A (en) 1987-07-25
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH10151102A (en) * 1996-11-25 1998-06-09 Setsuo Tanaka Cutting board washing container

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