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JPH0652357B2 - Light control element - Google Patents
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JPH0652357B2 - Light control element - Google Patents

Light control element

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JPH0652357B2
JPH0652357B2 JP11620485A JP11620485A JPH0652357B2 JP H0652357 B2 JPH0652357 B2 JP H0652357B2 JP 11620485 A JP11620485 A JP 11620485A JP 11620485 A JP11620485 A JP 11620485A JP H0652357 B2 JPH0652357 B2 JP H0652357B2
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light
glass
ion
conductive glass
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  • Glass Compositions (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、電界により光の透過を制御する光制御素子に
関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a light control element that controls light transmission by an electric field.

〔従来技術〕 従来、誘電体の電気光学効果を利用して光の透過を制御
する素子は、前記誘電体に液晶を用いたものとして例え
ば第3図に示す如く、対向する一対のガラス基板1の内
面それぞれに互いに対向する電極2及び、これらの電極
面上に配向処理膜3を設け、前記電極2間に液晶4を封
入した液晶セルを形成し、この液晶セルを偏光軸が互い
に直交する2枚の偏光板5の間に配置した液晶光シヤツ
タが知られている。また前記誘電体に(Pb1-xLax)(Zr
1-yTiy)Oで表わされるPLZT板等を用いたもので
は、第4図に示す如く、偏光軸が互いに直交する2枚の
偏光板6との間に、板面と平行に電圧を印加するような
電極7を設けたPLZT板8を配置した光シヤツタが知
られている。
[Prior Art] Conventionally, an element that controls the transmission of light by utilizing the electro-optical effect of a dielectric body is a pair of opposing glass substrates 1 as shown in FIG. Electrodes 2 facing each other on the inner surfaces of each of the electrodes and an alignment treatment film 3 are provided on these electrode surfaces to form a liquid crystal cell in which a liquid crystal 4 is sealed between the electrodes 2, and the polarization axes of the liquid crystal cells are orthogonal to each other. A liquid crystal light shutter arranged between two polarizing plates 5 is known. In addition, (Pb 1-x La x ) (Zr
In the case of using a PLZT plate or the like represented by 1-y Ti y ) O 3 , as shown in FIG. 4, a voltage is applied in parallel to the plate surface between two polarizing plates 6 whose polarization axes are orthogonal to each other. There is known an optical shutter in which a PLZT plate 8 provided with an electrode 7 for applying a voltage is arranged.

これらの素子は、電極間に電圧を印加することにより、
透過光の偏光状態を変え、前記2枚の偏光板によつて透
過光の光量が変化するものである。
These elements can be applied by applying a voltage between the electrodes
The polarization state of the transmitted light is changed, and the light amount of the transmitted light is changed by the two polarizing plates.

〔従来技術の問題点〕[Problems of conventional technology]

前述した素子のうち、前者は誘電体に常温で流体の液晶
4を用いているため、比較的大きな面積の光シヤツタを
形成することができる反面、表面を平面状に研磨した2
枚のガラス基板1を極くわずかな間隙をもたせて対向配
置させ、そのわずかな間隙に液晶4を注入する必要があ
り、素子の構造が複雑で、且つ製造が困難であつた。そ
して、この液晶装置は、質量が大きな液晶分子を電界に
より挙動させ、その配向状態を変化させることにより透
過光の偏光状態を変えるため、25Vの電圧で2周波駆
動を用いた場合でも、立上がり時間が常温で高々0.5ms
ec程度の応答速度しか実現されておらず、さらに応答速
度を速くするには、例えば液晶に印加する電界強度を大
きくするために高い駆動電圧を用いるか、あるいは前記
2枚のガラス基板1の間隙をさらに小さくすることが必
要であつた。
Among the above-mentioned elements, the former uses the liquid crystal 4 which is a fluid at room temperature as a dielectric, so that it is possible to form a light shutter having a relatively large area, but the surface is polished to a flat shape.
It is necessary to dispose the glass substrates 1 facing each other with a very small gap and to inject the liquid crystal 4 into the small gap, which complicates the structure of the device and makes manufacturing difficult. In addition, this liquid crystal device changes the polarization state of transmitted light by causing liquid crystal molecules having a large mass to behave by an electric field and changing the alignment state thereof. Therefore, even when two-frequency drive is used at a voltage of 25 V, the rise time is increased. At most 0.5ms at room temperature
Only a response speed of about ec has been realized. To further increase the response speed, for example, a high drive voltage is used to increase the electric field strength applied to the liquid crystal, or the gap between the two glass substrates 1 is increased. Was required to be smaller.

また、後者は、構造が比較的簡単で高速応答が得られる
反面、PLZT板がセラミツク体であり、大きな面積を
均質に製造することが困難なため、大きな面積の光シヤ
ツタを形成することが難かしく、また、駆動電圧が高い
という欠点があつた。
On the other hand, the latter has a relatively simple structure and a high-speed response can be obtained, but the PLZT plate is a ceramic body and it is difficult to uniformly manufacture a large area. Therefore, it is difficult to form an optical shutter with a large area. However, there is a drawback that the driving voltage is high.

さらに、両者は、共に透過光の偏光状態を変える偏光制
御形であるため、2枚の偏光板を必要とし、構造が複雑
であるという欠点もあつた。
Further, both of them are polarization control type which change the polarization state of the transmitted light, so that two polarizing plates are required and the structure is complicated.

〔発明の目的〕[Object of the Invention]

本発明は上述した実情に鑑みてなされたもので、その目
的は、低い駆動電圧により高速応答が得られ、しかも構
造が単純な光制御素子を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a light control element that can obtain a high-speed response with a low drive voltage and has a simple structure.

〔発明の要点〕[Main points of the invention]

本発明は、上述した目的を達成するため、光学的に活性
なイオンを含み、絶縁性のガラスに比べて常温で高いイ
オン伝導性を示すイオン伝導ガラスを用い、このイオン
伝導ガラスに電界を印加することにより、前記イオンを
偏在させ、あるいは拡散させ、前記イオンの偏在による
光の吸収、又は散乱あるいは反射により透過光の光量を
制御するようにしたことを特徴とするものである。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention uses an ion conductive glass that contains optically active ions and exhibits higher ion conductivity at room temperature than an insulating glass, and an electric field is applied to the ion conductive glass. By so doing, the ions are unevenly distributed or diffused, and the amount of transmitted light is controlled by absorption, scattering, or reflection of light due to uneven distribution of the ions.

〔第1実施例〕 以下、本発明を用いた第1の実施例について、第1図を
参照して詳細に説明する。第1図は光シヤツタの基本的
構造を示し、図中10は、光学的に活性なイオンを含
み、通常の絶縁性のガラスに比べて常温で高いイオン伝
導性を示すイオン伝導ガラス(以下、超イオン伝導ガラ
スという)であり、例えば、ヨウ化銀(AgI)を75モ
ル%、無水のモリブデン酸銀(Ag2M0O4)を25モル%
の組成からなるガラスの薄膜で、膜厚が1000Åに形成さ
れている。この超イオン伝導ガラス10の一方の表面に
は、インジウム及び錫等の配化膜からなる透明な第1の
電極11が形成され、他方の表面には、前記第1の電極
11に対向し、この第1の電極11より面積の小さい第
2の電極12が、インジウム、及び錫等の透明な配化膜
により形成されている。前記第1の電極11の図面下方
には、銀イオンの偏在による光吸収波長帯域に一致した
発光波長帯域を有する光源13が配置されている。14
は前記第1の電極及び第2の電極12に駆動信号を供給
する駆動回路である。
First Embodiment Hereinafter, a first embodiment using the present invention will be described in detail with reference to FIG. FIG. 1 shows the basic structure of the optical shutter, and 10 in the figure is an ion-conducting glass (hereinafter referred to as “ion-conducting glass”, which contains optically active ions and exhibits higher ion conductivity at room temperature than ordinary insulating glass. Super-ion conductive glass), for example, 75 mol% of silver iodide (AgI) and 25 mol% of anhydrous silver molybdate (Ag 2 M 0 O 4 ).
It is a thin film of glass with the composition of and has a film thickness of 1000Å. A transparent first electrode 11 made of a distribution film of indium, tin or the like is formed on one surface of the super-ion conductive glass 10, and the other surface is opposed to the first electrode 11, The second electrode 12 having a smaller area than the first electrode 11 is formed of a transparent layered film of indium, tin, or the like. Below the drawing of the first electrode 11, a light source 13 having an emission wavelength band matching the light absorption wavelength band due to uneven distribution of silver ions is arranged. 14
Is a drive circuit that supplies a drive signal to the first electrode and the second electrode 12.

次に、上述した光制御素子の動作・作用について説明す
る。
Next, the operation and action of the above-mentioned light control element will be described.

超イオン伝導ガラス(75AgI・25Ag2M0O4)のイオン伝導
に寄与する銀イオン(Ag+)は、ハロゲン化物(Ag
I)と同様にヨウ素イオン(I)と静電相互作用をす
る特定な伝導経路を移動するものと考えられている。そ
して、ガラスは結晶に比べて数%程度密度が小さく、構
造が乱れているため、銀イオン(Ag+)の動き回る伝導
経路の形成が容易である。そのため、前記超イオン伝導
ガラスは高いイオン伝導度を示している。
The silver ion (Ag + ) that contributes to the ionic conduction of the superion conductive glass (75AgI · 25Ag 2 M 0 O 4 ) is a halide (Ag +
Like I), it is considered to move through a specific conduction path that electrostatically interacts with iodine ion (I ). Since glass has a density of about several percent lower than that of crystal and its structure is disordered, it is easy to form a conduction path in which silver ions (Ag + ) move around. Therefore, the super ionic conductive glass exhibits high ionic conductivity.

そこで、駆動回路14から第1図中に示す様な信号を印
加すると、銀イオンは、電極間の電界により、第2の電
極12へ向つて移動し、第2の電極12に対応する超イ
オン伝導ガラス10の部分には銀イオンが集中して偏在
する。この銀イオンの偏在による光の吸収波長帯域が4
40nm付近にあるため、この吸収波長帯域に一致させ
た発光波長帯域を有する光源13からの光線は、前記銀
イオンの偏在により吸収されあるいは散乱され、前記第
2の電極12を透過する光量が著しく低下し光シヤツタ
はOFFの状態となる。
Then, when a signal as shown in FIG. 1 is applied from the drive circuit 14, the silver ions move toward the second electrode 12 due to the electric field between the electrodes, and the superion corresponding to the second electrode 12 is generated. Silver ions are concentrated and unevenly distributed on the conductive glass 10. Due to the uneven distribution of silver ions, the absorption wavelength band of light is 4
Since it is in the vicinity of 40 nm, the light beam from the light source 13 having the emission wavelength band matched with this absorption wavelength band is absorbed or scattered by the uneven distribution of the silver ions, and the light amount passing through the second electrode 12 is remarkably large. The optical shutter is lowered and the optical shutter is turned off.

前記駆動回路14からの信号が断たれ、電界が印加され
ない場合には、前記銀イオンは、その拡散速度が極めて
遅いため、前述した信号により第2の電極12の方向へ
移動した銀イオンの偏在した状態が長時間持続され、前
記第1の電極12を透過する光量の低下した状態が記憶
される。
When the signal from the driving circuit 14 is cut off and the electric field is not applied, the diffusion speed of the silver ions is extremely slow, so that the silver ions moved toward the second electrode 12 due to the above-described signal are unevenly distributed. This state is maintained for a long time, and the state in which the amount of light passing through the first electrode 12 is reduced is stored.

この記憶された状態から光吸収のない状態に戻すには、
第1図で示す信号とは逆極性の信号を第1の電極11及
び第2の電極12にそれぞれ印加する。この逆極性の信
号により、第1の電極11が負、第2の電極12が正と
なり、銀イオンは面積の大きい第1の電極11の方向へ
移動し、超イオン伝導ガラス10全体に拡散する。した
がって、第2の電極12に対応する前記超イオン伝導ガ
ラス10の部分における光吸収は減少し、光シヤツタは
透過光の光量が増大したONの状態になる。
To return from this memorized state to the state without light absorption,
A signal having a polarity opposite to that of the signal shown in FIG. 1 is applied to each of the first electrode 11 and the second electrode 12. Due to this signal of the opposite polarity, the first electrode 11 becomes negative and the second electrode 12 becomes positive, and the silver ions move toward the first electrode 11 having a large area and diffuse over the entire superionic conductive glass 10. . Therefore, the light absorption in the portion of the superionic conductive glass 10 corresponding to the second electrode 12 is reduced, and the light shutter is in the ON state in which the amount of transmitted light is increased.

光シヤツタの応答速度は、銀イオンが超イオン伝導ガラ
ス10の中を一方の面から他方の面まで移動する時間t
に依存し、超イオン伝導ガラス10の膜厚:1000Å、銀イ
オンのイオン伝導率:1.1×10-2Ω-1・cm-1(室
温)、印加電圧:1Vの条件の下では、銀イオンの移動
度μ:4.0×10-6cm2・Ω-1・c-1、銀イオンのドリフ
ト速度u:4.0×10-1cm・sec-1であり、前記銀イオン
の移動時間tは25μsecである。したがつて、前記両
電極間に電圧が1Vでパルス幅が25μsec以上のパル
ス電圧を印加することにより、25μsec程度の高速応
答特性をもつた光シヤツタが得られる。
The response speed of the optical shutter is the time t during which silver ions move from one surface to the other surface in the superionic conductive glass 10.
The film thickness of the super ionic conductive glass 10 is 1000Å, the ionic conductivity of silver ion is 1.1 × 10 -2 Ω -1 cm -1 (room temperature), and the applied voltage is 1 V. Has a mobility μ of 4.0 × 10 −6 cm 2 · Ω −1 · c −1 and a drift velocity u of silver ions u: 4.0 × 10 −1 cm · sec −1 , and the migration time t of the silver ions is 25 μsec. Is. Therefore, by applying a pulse voltage with a voltage of 1 V and a pulse width of 25 μsec or more between both electrodes, an optical shutter having a high-speed response characteristic of about 25 μsec can be obtained.

上述した如く、超イオン伝導ガラスを用いた光シヤツタ
は、パルス幅の狭いパルス電圧により高速度でOFF
し、パルス電圧が断たれた後もその状態を保持する光学
的な記憶機能を有し、また、逆極性のパルス電圧の印加
により元のON状態に戻すように制御されるものであ
り、しかも、銀イオンが一方の電極の方に偏在された状
態が持続されるため、両電極間の電位差を保持する電気
的な記憶機能をも有している。
As mentioned above, the optical shutter using super-ion conductive glass is turned off at high speed by the pulse voltage with a narrow pulse width.
However, it has an optical memory function of retaining the state even after the pulse voltage is cut off, and is controlled to return to the original ON state by the application of the pulse voltage of the opposite polarity. Since the state in which silver ions are eccentrically distributed to one electrode is maintained, it also has an electric memory function of holding a potential difference between both electrodes.

尚、この実施例の電極11、12及び超イオン伝導ガラ
ス10は、薄膜形成技術によつて形成することができ
る。この場合、図示しない透明基板上に第1の電極11
を形成し、この上にスパツタリング法等により超イオン
伝導ガラス10の薄膜を形成し、さらにその上に第1の
電極12を形成し、この第1の電極12を所望の形状に
エツチングすることにより光シヤツタが製造される。
The electrodes 11 and 12 and the superionic conductive glass 10 of this embodiment can be formed by a thin film forming technique. In this case, the first electrode 11 is formed on the transparent substrate (not shown).
By forming a thin film of the super-ionic conductive glass 10 thereon by a sputtering method or the like, further forming a first electrode 12 on the thin film, and etching the first electrode 12 into a desired shape. The optical shutter is manufactured.

この様に、第1の実施例の光シヤツタは、超イオン伝導
ガラス10の両面に第1、第2の電極11、12を配設
しただけの極めて単純な構造であり、また応答速度は銀
イオンの移動する速さと超イオン伝導ガラス10の膜厚
とに依存するために極めて高速になり、さらに、超イオ
ン伝導ガラスはスパツタリング法等により形成できるた
め、大面積の薄膜が容易に形成でき、駆動電圧も1V程
度と極めて低くすることができる。
As described above, the optical shutter of the first embodiment has a very simple structure in which the first and second electrodes 11 and 12 are provided on both surfaces of the superionic conductive glass 10, and the response speed is silver. It becomes extremely fast because it depends on the moving speed of ions and the film thickness of the superionic conductive glass 10. Further, since the superionic conductive glass can be formed by the sputtering method or the like, a large-area thin film can be easily formed. The driving voltage can also be made extremely low at about 1V.

〔第2実施例〕 第2図は、本発明を用いた第2の実施例を示し、超イオ
ン伝導ガラス15の薄膜の一方の表面には透明な共通電
極16が全面にわたつて形成され、他方の表面には、微
少な面積を有する透明な信号電極17が複数個一例に形
成され、これらの信号電極17はそれぞれ電気的に独立
している。そして、信号電極17以外の部分は光の透過
を防止するマスク18で被われており、このマスク18
の開口部18aそれぞれが1つの微少シヤツタの領域を
形成し、これらの微少シヤツタを多数個配列して光シヤ
ツタアレイ19が形成されている。
[Second Embodiment] FIG. 2 shows a second embodiment using the present invention, in which a transparent common electrode 16 is formed over the entire surface of one surface of a thin film of superionic conductive glass 15. On the other surface, a plurality of transparent signal electrodes 17 having a small area are formed as an example, and these signal electrodes 17 are electrically independent. The portion other than the signal electrode 17 is covered with a mask 18 for preventing the transmission of light.
Each of the openings 18a of the above forms an area of one minute shutter, and a plurality of these minute shutters are arranged to form an optical shutter array 19.

この光シヤツタアレイ19の微少シヤツタは、個々の信
号電極17を任意に選択して共通電極16との間にパルス
電圧を印加することにより、それぞれ個々に独立して駆
動される。即ち、共通電極16を正の電位とし、選択さ
れた信号電極17を負の電位となるように書込信号を印
加すると、銀イオンは、信号電極17の側に偏在し、こ
の銀イオンの偏在による吸収波長帯域に一致された発光
波長帯域を有する図示しない光源からの光は、吸収され
て透過せず、微少シヤツタはOFFとなり、駆動信号が
断たれた後もその状態を保持する。
The minute shutters of the optical shutter array 19 are individually driven by individually selecting individual signal electrodes 17 and applying a pulse voltage between the signal electrodes 17 and the common electrode 16. That is, when a write signal is applied so that the common electrode 16 has a positive potential and the selected signal electrode 17 has a negative potential, silver ions are unevenly distributed on the signal electrode 17 side, and this silver ion is unevenly distributed. Light from a light source (not shown) having an emission wavelength band matched with the absorption wavelength band due to is absorbed and does not pass through, the minute shutter is turned off, and the state is maintained even after the drive signal is cut off.

前記書込信号とは逆に、共通電極16を負の電位とし、
信号電極17を正の電位となるような消去信号を両電極
に印加すると、銀イオンは共通電極16の方向へ向つて
拡散し、銀イオンが散在するため微少シヤツタでの光吸
収が減少して透過光量が増大し、微少シヤツタはONと
なる。
Contrary to the write signal, the common electrode 16 has a negative potential,
When an erasing signal that causes the signal electrode 17 to have a positive potential is applied to both electrodes, silver ions diffuse toward the common electrode 16, and silver ions are scattered, so that light absorption in the minute shutter decreases. The amount of transmitted light increases, and the minute shutter is turned on.

この様に、光シヤツタアレイ19は、記憶機能を有して
いるため多数の微少シヤツタを高速度で且つ高時分割で
駆動することができ、またこの超イオン伝導ガラス15
はスパツタリング法等により形成できるため、大面積の
薄膜が容易に得られ、駆動電圧も1V程度と低くなり、
消費電力が少くなる。よつて、この光シヤツタアレイ1
9は、光書式のプリンタ等の光書込みヘツドに用いるこ
とができる。
As described above, the optical shutter array 19 has a storage function, so that a large number of minute shutters can be driven at high speed and with high time division.
Can be formed by a sputtering method or the like, so that a large-area thin film can be easily obtained, and the driving voltage is as low as about 1V.
It consumes less power. This optical shutter array 1
9 can be used in an optical writing head such as an optical format printer.

尚、本発明を用いた第1の実施例においては、光の透
過、不透過を可逆的に制御する例について説明したが、
これに限ることなく、例えば、両電極間に高電圧を長時
間印加することにより、一方の電極側に銀を析出させ、
入射光を反射させるようにして永久的に光学的な書込み
を行なうことができる。また、本発明を用いた素子の記
憶機能を利用して、電気一光学的な記憶装置として用い
ることもできる。さらに、本発明は光の透過を制御する
光シヤツタに限ることなく、電極を任意の形状とし、そ
の電極形状に対応したパターンを表示する表示装置とし
て用いることができる。
In the first embodiment using the present invention, an example of reversibly controlling transmission / non-transmission of light has been described.
Not limited to this, for example, by applying a high voltage between both electrodes for a long time, silver is deposited on one electrode side,
Permanent optical writing can be performed by reflecting incident light. Further, by utilizing the storage function of the element using the present invention, it can be used as an electro-optical storage device. Further, the present invention is not limited to the optical shutter that controls the transmission of light, and can be used as a display device that displays an electrode having an arbitrary shape and a pattern corresponding to the electrode shape.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明は、電界により超イオン伝導ガラス中のイオンを
移動させ、このイオンが偏在することによる光の吸収、
散乱又は反射によつて光の透過量を制御するものである
から、偏光板を用いることもなく、且つ素子の構造が単
純になる。また、この超イオン伝導ガラスは、大きな面
積の薄膜を形成することが容易であるので、低電圧駆動
にして高速応答が得られるという利点がある。
The present invention moves ions in a superionic conductive glass by an electric field and absorbs light due to uneven distribution of the ions,
Since the amount of transmitted light is controlled by scattering or reflection, no polarizing plate is used and the structure of the element is simplified. In addition, since this super ionic conductive glass can easily form a thin film having a large area, it has an advantage that a high speed response can be obtained by driving at a low voltage.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の第1実施例を示す断面図、第2図は本
発明を用いた第2実施例を示す斜視図である。第3図は
液晶を用いた従来の光制御素子を示す断面図、第4図は
PLZTを用いた従来の光制御素子を示す斜視図であ
る。 10……超イオン伝導ガラス、11、12……電極。
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view showing a second embodiment using the present invention. FIG. 3 is a sectional view showing a conventional light control element using liquid crystal, and FIG. 4 is a perspective view showing a conventional light control element using PLZT. 10 ... Superion conducting glass, 11, 12 ... Electrodes.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】光学的に活性なイオンを含み、絶縁性のガ
ラスに比べて常温で高いイオンの伝導性を示すイオン伝
導ガラスと、このイオン伝導ガラスの表裏両面にそれぞ
れ形成され、前記イオン伝導ガラスに電界を印加するた
めの互いに対向配置された電極とを有することを特徴と
する光制御素子。
1. An ion-conducting glass containing optically active ions and exhibiting high ion conductivity at room temperature as compared with an insulating glass, and the ion-conducting glass formed on both front and back surfaces of the ion-conducting glass. An optical control element, comprising: electrodes arranged to face each other for applying an electric field to glass.
【請求項2】光学的に活性なイオンが銀イオンであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光制御素
子。
2. The light control element according to claim 1, wherein the optically active ions are silver ions.
JP11620485A 1985-05-29 1985-05-29 Light control element Expired - Lifetime JPH0652357B2 (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005060117A (en) * 2003-08-08 2005-03-10 Kitakyushu Foundation For The Advancement Of Industry Science & Technology Conductive glass for anti-static glass lining

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JPS61273526A (en) 1986-12-03

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