JPH0652866B2 - High-speed semiconductor device mounting method - Google Patents
High-speed semiconductor device mounting methodInfo
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- JPH0652866B2 JPH0652866B2 JP60246652A JP24665285A JPH0652866B2 JP H0652866 B2 JPH0652866 B2 JP H0652866B2 JP 60246652 A JP60246652 A JP 60246652A JP 24665285 A JP24665285 A JP 24665285A JP H0652866 B2 JPH0652866 B2 JP H0652866B2
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- Logic Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 超高速大容量システムに使用され、Gbits/sec領域で動
作する第1のICと第2のIC間のストリップラインで
接続する実装方法であって、この第1のICと第2のI
Cを動作させる入力クロック信号が、第1のICの出力
側で低下しないようにした実装方法。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Outline] A mounting method for use in an ultra-high-speed and large-capacity system, in which a stripline connection is made between a first IC and a second IC operating in the Gbits / sec region. 1st IC and 2nd I
A mounting method in which an input clock signal for operating C is prevented from being lowered on the output side of the first IC.
本発明は超高速大容量システムの論理回路を構成し、Gb
its/sec 領域で動作する高速IC間のストリップライン
による実装方法に係り、このICを動作させる入力クロ
ック信号が、出力側で低下しにようにした実装方法に関
する。The present invention configures a logic circuit of an ultra-high-speed large-capacity system,
The present invention relates to a mounting method using a stripline between high-speed ICs operating in its / sec region, and relates to a mounting method in which an input clock signal for operating this IC is reduced on the output side.
超高速大容量システムを構成する論理回路には、Gbits/
sec の超高周波帯域で動作する高速ICが使用されてお
り、これらのICを動作させるのに用いられるクロック
信号に於いては、この信号が論理回路に導入されてから
出力側に移行するにつれて出力の低下をきたさないよう
にすることが要望されている。The Gbits /
High-speed ICs that operate in the ultra-high frequency band of sec are used, and the clock signals used to operate these ICs are output as they shift from the logic circuit to the output side. It is desired to prevent the decrease of
この高速ICを動作させるクロック信号とは、特にPC
M通信のような超高速大容量システムの通信において使
用される信号で、有る一定の繰り返し周期、または単一
の周波数成分を有する信号のことである。A clock signal for operating this high-speed IC is a PC
It is a signal used in communication of an ultra-high-speed and large-capacity system such as M communication, and is a signal having a certain repetitive cycle or a single frequency component.
従来よりこのような高速で動作する論理IC間を接続す
るには、一般にストリップラインが用いられているが、
この接続するICの端子間のストリップラインの接続線
長については、特別な注意が払われていなかったのが現
状である。Conventionally, a strip line has been generally used to connect between such logic ICs operating at high speed.
At present, no special attention has been paid to the connection line length of the strip line between the terminals of the IC to be connected.
ところがこれ等のICを、超高速大容量システムの論理
回路に用いる場合、Gbits/sec の超高周波帯域で使用す
る必要が生じ、その場合、高速IC間を接続するストリ
ップラインの線長が、該ICを駆動させるクロック信号
のクロック周波数の管内波長に近い値を用いるにつれ
て、使用するICの入力インピーダンスの不整合の影響
を受けやすくなる。However, when these ICs are used in a logic circuit of an ultra-high-speed and large-capacity system, it is necessary to use them in an ultra-high frequency band of Gbits / sec. As a value closer to the guide wavelength of the clock frequency of the clock signal for driving the IC is used, it becomes more susceptible to the mismatch of the input impedance of the IC used.
即ち、ICを超高周波帯域で使用する際、該IC間を接
続するストリップの線長が、このICに入力されたクロ
ック信号の出力側の振幅に大きい影響をもたらすこと
を、本発明者等は実験的に確かめた。That is, when the ICs are used in the ultra-high frequency band, the present inventors have found that the line length of the strip connecting the ICs has a great influence on the amplitude on the output side of the clock signal input to the ICs. I confirmed it experimentally.
例えば2Gbits/sec の高周波帯域で使用するICは、1
GHz の周波数以上になると、その入力インピーダンスが
劣化し、このようなICを2個ストリップラインで接続
すると、この2個のIC間で多重反射が起こる。For example, the IC used in the high frequency band of 2 Gbits / sec is 1
When the frequency is higher than GHz, the input impedance deteriorates, and when two such ICs are connected by a strip line, multiple reflection occurs between these two ICs.
ここでIC間を接続するストリップラインの接続線長
が、使用するクロック信号のクロック周波数の管内波長
に比べて非常に短い場合には問題がないが、例えば使用
するクロック信号のクロック周波数が2GHz であると、
その管内波長は約5.7cmとなり、前記した2個のIC間
で多重反射が起こり無視できなくなる。There is no problem if the length of the strip line connecting the ICs is much shorter than the guide wavelength of the clock frequency of the clock signal used. For example, if the clock frequency of the clock signal used is 2GHz. If there,
The in-tube wavelength becomes about 5.7 cm, and multiple reflection occurs between the above two ICs and cannot be ignored.
本発明は上記した事項に鑑みてなされたもので、IC間
を接続するストリップ線長を適当な値に選ぶことによっ
て、かつ入力側の第2のICの入力ピンの位置に終端抵
抗を設けて、第1のICの出力信号を終端させること
で、このICを動作させるクロック信号の出力振幅の低
下を防ぐようにした新規な半導体装置の実装方法の提供
を目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned matters, and a terminating resistor is provided at the position of the input pin of the second IC on the input side by selecting an appropriate value for the length of the strip line connecting the ICs. It is an object of the present invention to provide a novel method for mounting a semiconductor device in which the output signal of the first IC is terminated to prevent the output amplitude of the clock signal for operating this IC from decreasing.
本発明の半導体装置の実装方法は、高周波数帯域で使用
する第1および第2の半導体装置をストリップラインで
接続して回路を構成する場合に於いて、 前記第1および第2の半導体装置を接続するストリップ
ラインの長さを、前記第1および第2の半導体装置をド
ライブするクロック信号のクロック周波数の管内波長の
1/2の整数倍とし、かつ前記第2の半導体装置の入力側
の位置に終端抵抗を設けて第1の半導体装置からの出力
信号を終端させることで、 前記第1および第2の半導体装置の高周波数帯域におけ
る入力インピーダンスの不整合によって発生する定在波
のピーク位置を、前記第2の半導体装置の入力ピンの位
置に合致させたことを特徴とするものである。A method of mounting a semiconductor device according to the present invention is a method of forming a circuit by connecting first and second semiconductor devices used in a high frequency band by a strip line, wherein the first and second semiconductor devices are The length of the connected strip line is determined by the guide wavelength of the clock frequency of the clock signal that drives the first and second semiconductor devices.
The first and second semiconductor devices are set to an integral multiple of 1/2, and a termination resistor is provided at a position on the input side of the second semiconductor device to terminate an output signal from the first semiconductor device. The peak position of the standing wave generated due to the mismatch of the input impedance in the high frequency band is matched with the position of the input pin of the second semiconductor device.
本発明の半導体装置の実装方法は、第1図に示すよう
に、IC1および2間を接続するストリップライン3の
接続線長lを、このIC1および2を動作させるクロッ
ク信号のクロック周波数の管内波長λgの1/2の整数
(n)倍に選ぶことにより、またIC2の入力ピン5の
位置に終端抵抗4を設けてIC1からの出力信号を、入
力ピン5の位置で終端させることで、接続される第1半
導体装置のIC1と、第2の半導体装置のIC2の入力
インピーダンスの不整合により生じる定在波のピーク位
置を、IC2の入力ピン5の位置とすることで、IC1
およびIC2より出力されるクロック信号の出力振幅の
レベル低下を防ぐようにする。As shown in FIG. 1, the method for mounting a semiconductor device according to the present invention is such that the connection line length l of the strip line 3 for connecting the ICs 1 and 2 is set to the guide wavelength of the clock frequency of the clock signal for operating the ICs 1 and 2. Connection is made by selecting an integral number (n) times ½ of λg, and by terminating the output signal from IC1 at the position of input pin 5 by providing terminating resistor 4 at the position of input pin 5 of IC2. By setting the peak position of the standing wave generated by the mismatch of the input impedances of the first semiconductor device IC1 and the second semiconductor device IC2 to be the position of the input pin 5 of IC2,
Also, the level of the output amplitude of the clock signal output from IC2 is prevented from decreasing.
このようにIC1の信号源により励振されたストリップ
ライン3の他端部、即ちIC2の入力ピン5の位置に、
該ストリップライン3の特性インピーダンスに、略等し
い負荷の終端抵抗4で終端させることで、該ストリップ
ライン3上に反射波が生じる。In this way, at the other end of the strip line 3 excited by the signal source of IC1, that is, at the position of the input pin 5 of IC2,
A reflected wave is generated on the strip line 3 by terminating the characteristic impedance of the strip line 3 with the terminating resistor 4 having a load substantially equal to the characteristic impedance of the strip line 3.
この時、該ストリップライン3上には入力信号のクロッ
ク信号と反射波が相互に干渉して、最大振幅位置と最小
振幅位置が変動しない定在波が発生する。At this time, the clock signal of the input signal and the reflected wave interfere with each other on the strip line 3 to generate a standing wave in which the maximum amplitude position and the minimum amplitude position do not change.
そして前記IC1および2間を接続するストリップライ
ン3の接続線長lを、このIC1および2を動作させる
クロック信号のクロック周波数の管内波長λgの1/2
の整数(n)倍に選ぶことにより、前記のように発生し
た定在波とクロック信号の入射波が相互に干渉して、両
者の波形のピーク位置が合致するようになり、高周波帯
域で入力信号のクロック信号の低下を見なくなる。The connection line length l of the strip line 3 connecting the ICs 1 and 2 is set to 1/2 of the guide wavelength λg of the clock frequency of the clock signal for operating the ICs 1 and 2.
, The standing wave generated as described above and the incident wave of the clock signal interfere with each other so that the peak positions of both waveforms coincide with each other. Stop seeing a drop in the signal clock signal.
以下、本発明の実施例につき図面を用いて詳細に説明す
る。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図は本発明の半導体装置の実装方法を示す回路図
で、第2図および第3図は本発明の実装方法で実装した
場合の半導体装置の出力特性を示す図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a mounting method of a semiconductor device of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are diagrams showing output characteristics of a semiconductor device when mounted by the mounting method of the present invention.
第1図に示すように使用周波数帯域が1.6GHzの高速IC
1とIC2とをストリップライン3を用いてIC2側の
入力側に終端抵抗4を接続した状態で接続する。A high-speed IC with a frequency band of 1.6 GHz as shown in Fig. 1.
1 and IC2 are connected using a strip line 3 with a terminating resistor 4 connected to the input side of IC2.
このようにすると、用いたICの入力インピーダンスは
容量性であり、Gbits/sec の超高周波帯域では急速にそ
の入力インピーダンスが低下し、それ故、ストリップラ
イン3の終端部の入力ピン5の位置に於ける終端抵抗4
がGbits/sec の超高周波帯域では急速に劣化したように
見える。By doing so, the input impedance of the IC used is capacitive, and the input impedance rapidly decreases in the ultrahigh frequency band of Gbits / sec, and therefore, at the position of the input pin 5 at the end of the strip line 3. Termination resistor 4
Appears to have deteriorated rapidly in the ultrahigh frequency band of Gbits / sec.
またIC1の出力回路形式は、こような超高周波帯域で
用いる場合は、エミッタオープンの形で用いており、そ
の出力インピーダンスは低い。Further, the output circuit type of the IC1 is an open-emitter type when used in such an ultra-high frequency band, and its output impedance is low.
そのため、該ストリップライン3の入力端と出力端のイ
ンピーダンスが整合していないために、該ストリップラ
イン3上で多重反射が起こり、この多重反射波と入力信
号のクロック信号が干渉して、ストリップライン上に定
在波が生じる。Therefore, since the impedances of the input end and the output end of the strip line 3 are not matched, multiple reflection occurs on the strip line 3, and the multiple reflected wave interferes with the clock signal of the input signal to cause the strip line. Standing waves are generated above.
そして上記ストリップラインの線長をlとした時、この
lの長さを管内波長λgの1/2の整数(n=1,2,
3……)倍とすると、上記定在波とクロック信号が干渉
して互いの波形のピーク位置が合致するようになる。When the line length of the strip line is 1, the length of l is an integer of 1/2 of the guide wavelength λg (n = 1, 2,
3 ...) times, the standing wave and the clock signal interfere with each other so that the peak positions of the respective waveforms coincide with each other.
そして前記n=1の場合に於ける第1図に示す回路の小
信号利得周波数特性を第2図に示し、n=2の場合に於
ける第1図に示す回路の小信号利得特性を第3図に示
す。The small signal gain frequency characteristic of the circuit shown in FIG. 1 when n = 1 is shown in FIG. 2, and the small signal gain characteristic of the circuit shown in FIG. 1 when n = 2 is shown in FIG. It is shown in FIG.
ここで第2図、および第3図の横軸は、これらのIC1
とIC2とをドライブさせるクロック信号のクロック周
波数(GHz) を示し、縦軸を第1図の回路接続に於ける回
路の小信号利得(dB)を示す。Here, the horizontal axis in FIGS. 2 and 3 indicates the IC1
And the clock frequency (GHz) of the clock signal for driving the IC2, and the vertical axis represents the small signal gain (dB) of the circuit in the circuit connection of FIG.
このようにすれば、これらのIC1、およびIC2を動
作させるクロック信号のクロック周波数f0を、第1図に
示す回路の出力ゲインのピーク位置に合致させることが
できる。By doing so, the clock frequency f 0 of the clock signal for operating these IC1 and IC2 can be matched with the peak position of the output gain of the circuit shown in FIG.
つまり、クロック周波数がf0の時、使用する両者のIC
間に発生する定在波のピーク位置を、IC2の入力ピン
の位置5に持ってくることが出来るので、使用するクロ
ック信号のクロック出力振幅の低下を防ぐことができ
る。That is, when the clock frequency is f 0 , both ICs used
Since the peak position of the standing wave generated between them can be brought to the position 5 of the input pin of the IC 2, it is possible to prevent the clock output amplitude of the clock signal used from decreasing.
以上述べたように、本発明の半導体装置の実装方法によ
れば、複数の半導体装置を接続するストリップラインの
線長を選ぶことにより、使用する半導体装置間に発生す
る定在波のピーク位置を、半導体装置の入力ピンの位置
に持ってくることができるので、半導体装置をドライブ
させるクロック信号出力の振幅低下を防ぐ効果がある。As described above, according to the semiconductor device mounting method of the present invention, the peak position of the standing wave generated between the semiconductor devices used can be determined by selecting the line length of the strip line connecting the plurality of semiconductor devices. Since it can be brought to the position of the input pin of the semiconductor device, it has an effect of preventing a decrease in the amplitude of the clock signal output for driving the semiconductor device.
第1図は本発明の半導体装置の実装方法を示す回路図、 第2図および第3図は本発明の実装方法で実装した場合
の半導体装置の出力特性を示す図である。 図に於いて、 1,2 はIC、3はストリップライン、4は終端抵抗、5
は入力ピンの位置を示す。FIG. 1 is a circuit diagram showing a method for mounting a semiconductor device of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are diagrams showing output characteristics of a semiconductor device when mounted by the mounting method of the present invention. In the figure, 1,2 are ICs, 3 are strip lines, 4 are terminating resistors, 5
Indicates the position of the input pin.
Claims (1)
半導体装置(1,2) をストリップライン(3) で接続して回
路を構成する場合に於いて、 前記第1および第2の半導体装置(1,2) を接続するスト
リップライン(3) の長さを、前記第1および第2の半導
体装置(1,2) をドライブするクロック信号のクロック周
波数の管内波長の1/2 の整数倍とし、かつ前記第2の半
導体装置(2) の入力側に終端抵抗(4) を設けて第1の半
導体装置(1) からの出力信号を終端させることで、 前記第1および第2の半導体装置(1,2) の高周波数帯域
における入力インピーダンスの不整合によって発生する
定在波のピーク位置を、前記第2の半導体装置(2) の入
力ピン(5) の位置に合致させたことを特徴とする高速半
導体装置の実装方法。1. In the case where a circuit is constructed by connecting first and second semiconductor devices (1, 2) used in a high frequency band with a strip line (3), the first and second semiconductor devices are provided. The length of the strip line (3) that connects the semiconductor devices (1, 2) is set to 1/2 of the guide wavelength of the clock frequency of the clock signal that drives the first and second semiconductor devices (1, 2). It is an integral multiple, and a termination resistor (4) is provided on the input side of the second semiconductor device (2) to terminate the output signal from the first semiconductor device (1). The position of the peak of the standing wave generated by the mismatch of the input impedance in the high frequency band of the semiconductor device (1, 2) is matched with the position of the input pin (5) of the second semiconductor device (2). A method for mounting a high-speed semiconductor device, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60246652A JPH0652866B2 (en) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | High-speed semiconductor device mounting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60246652A JPH0652866B2 (en) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | High-speed semiconductor device mounting method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62107518A JPS62107518A (en) | 1987-05-18 |
| JPH0652866B2 true JPH0652866B2 (en) | 1994-07-06 |
Family
ID=17151601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60246652A Expired - Fee Related JPH0652866B2 (en) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | High-speed semiconductor device mounting method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652866B2 (en) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0230897Y2 (en) * | 1980-06-30 | 1990-08-21 | ||
| JPS602161B2 (en) * | 1980-06-30 | 1985-01-19 | 松下電工株式会社 | Manufacturing method of artificial decorative veneer |
-
1985
- 1985-11-01 JP JP60246652A patent/JPH0652866B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62107518A (en) | 1987-05-18 |
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