JPH0654271B2 - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH0654271B2 JPH0654271B2 JP6649985A JP6649985A JPH0654271B2 JP H0654271 B2 JPH0654271 B2 JP H0654271B2 JP 6649985 A JP6649985 A JP 6649985A JP 6649985 A JP6649985 A JP 6649985A JP H0654271 B2 JPH0654271 B2 JP H0654271B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lock portion
- strain gauge
- pressure sensor
- plastic housing
- semiconductor pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、例えば、自動車用エンジンマニホールド圧検
知器として好適な半導体圧力センサの改良に関するもの
である。
知器として好適な半導体圧力センサの改良に関するもの
である。
この種半導体圧力センサに関連し特開昭５５−103438が
知られている。第３図は従来の半導体圧力センサの断面
図、第４図は第３図のコネクタ部及びロツク部の付近の
底面図である。図において、１は半導体歪ゲージ、２は
プラスチツクハウジング、３は厚膜回路基板、４はプラ
スチツクハウジング２に設けられた大気導入穴、５はコ
ネクタ部、６は歪ゲージ１収納部のキヤツプ、７は直差
しコネクタ部のロツク部でありコネクタ部５と共にプラ
スチツクハウジングと一体成形により突出形成されてい
る。８は歪ゲージ１の収納部をプラスチツクハウジング
２に固定した接着剤、９はチツプ増幅器（ＣＣＢチツ
プ）、１０はチツプコンデンサ、１１は接続用パツトで
それぞれはんだ１２により厚膜回路基板３に接続され、
厚膜回路基板３は接着剤８によりプラスチツクハウジン
グ２に固定されている。
知られている。第３図は従来の半導体圧力センサの断面
図、第４図は第３図のコネクタ部及びロツク部の付近の
底面図である。図において、１は半導体歪ゲージ、２は
プラスチツクハウジング、３は厚膜回路基板、４はプラ
スチツクハウジング２に設けられた大気導入穴、５はコ
ネクタ部、６は歪ゲージ１収納部のキヤツプ、７は直差
しコネクタ部のロツク部でありコネクタ部５と共にプラ
スチツクハウジングと一体成形により突出形成されてい
る。８は歪ゲージ１の収納部をプラスチツクハウジング
２に固定した接着剤、９はチツプ増幅器（ＣＣＢチツ
プ）、１０はチツプコンデンサ、１１は接続用パツトで
それぞれはんだ１２により厚膜回路基板３に接続され、
厚膜回路基板３は接着剤８によりプラスチツクハウジン
グ２に固定されている。
１３はキヤツプ６の大気導通穴、１４は歪ゲージ１と接
続用パツト１１とを接続するニツケル線、１５は厚膜回
路基板３上の接続パツド１１、チツプコンデンサ１０及
びＣＣＢチツプ９等の電子部品を覆い保護するために注
入された樹脂である。１６はターミナル端子で、ほぼ長
円形断面を有して突出されたコネクタ部５内に一端側を
突出され他端側は、プラスチツクハウジング２の成形時
にプラスチツクハウジング２内部に突出成形され、プラ
スチツクハウジング２内で厚膜回路基板３にはんだ付接
続されたリードフレーム１７と樹脂１５上面の空間２０
でスポツト溶接により電気的に接続されている。１８は
歪ゲージ１に対する圧力導入管、２１は蓋である。
続用パツト１１とを接続するニツケル線、１５は厚膜回
路基板３上の接続パツド１１、チツプコンデンサ１０及
びＣＣＢチツプ９等の電子部品を覆い保護するために注
入された樹脂である。１６はターミナル端子で、ほぼ長
円形断面を有して突出されたコネクタ部５内に一端側を
突出され他端側は、プラスチツクハウジング２の成形時
にプラスチツクハウジング２内部に突出成形され、プラ
スチツクハウジング２内で厚膜回路基板３にはんだ付接
続されたリードフレーム１７と樹脂１５上面の空間２０
でスポツト溶接により電気的に接続されている。１８は
歪ゲージ１に対する圧力導入管、２１は蓋である。
そして、圧力導入管１８から圧力Ｐ１が印加されると、
圧力Ｐ１は歪ゲージ１に歪を生じ電流に変化され、即
ち、圧力Ｐ１は電気信号に変換され、この電気信号はニ
ツケル線１４にて厚膜回路基板３に伝えられＣＣＢチツ
プ９にて増幅され、その信号はリードフレーム１７、タ
ーミナル端子１６を経て外部へ取り出されコントロール
ユニツト等へ伝達される。そして、ロツク部７の凸出部
は相手の凹部（図示せず）に嵌合固着されるようになつ
ており、コネクタ部５にはおすカプラーが挿入されるよ
うになつている。
圧力Ｐ１は歪ゲージ１に歪を生じ電流に変化され、即
ち、圧力Ｐ１は電気信号に変換され、この電気信号はニ
ツケル線１４にて厚膜回路基板３に伝えられＣＣＢチツ
プ９にて増幅され、その信号はリードフレーム１７、タ
ーミナル端子１６を経て外部へ取り出されコントロール
ユニツト等へ伝達される。そして、ロツク部７の凸出部
は相手の凹部（図示せず）に嵌合固着されるようになつ
ており、コネクタ部５にはおすカプラーが挿入されるよ
うになつている。
上記の構造において、ロツク部７に大気導入穴４を設け
ており、大気導入穴４は、大気圧を基準とする相対圧形
歪ゲージ１を採用しているため、絶対不可欠の構造であ
る。そして、コネクタ部５は電気的導通部分が長円形の
コネクタ部５の凸出部分で覆われ防水性を有している
が、ロツク部７に設けた大気導入穴４は防水性を有して
いないため、走行中等の場合に直接水圧が加えられ水の
浸入があり、ターミナル端子１６及びリードフレーム１
７の接続部が空間２０内に露出しており、圧力センサ内
部、即ち、厚膜回路基板３に電蝕が発生する欠点があ
る。尚、大気導入穴に水滴が入りセンサ内部に浸入する
欠点は、耐水試験、ＪＩＳＤＯ２０３、ＳＩ×３０分を
行なうことで明らかである。
ており、大気導入穴４は、大気圧を基準とする相対圧形
歪ゲージ１を採用しているため、絶対不可欠の構造であ
る。そして、コネクタ部５は電気的導通部分が長円形の
コネクタ部５の凸出部分で覆われ防水性を有している
が、ロツク部７に設けた大気導入穴４は防水性を有して
いないため、走行中等の場合に直接水圧が加えられ水の
浸入があり、ターミナル端子１６及びリードフレーム１
７の接続部が空間２０内に露出しており、圧力センサ内
部、即ち、厚膜回路基板３に電蝕が発生する欠点があ
る。尚、大気導入穴に水滴が入りセンサ内部に浸入する
欠点は、耐水試験、ＪＩＳＤＯ２０３、ＳＩ×３０分を
行なうことで明らかである。
本発明は上記の状況に鑑みなされたものであり、センサ
内部に水の浸入することなく耐水性を向上できると共に
取付場所の自由度が高められる半導体圧力センサを提供
することを目的としたものである。
内部に水の浸入することなく耐水性を向上できると共に
取付場所の自由度が高められる半導体圧力センサを提供
することを目的としたものである。
本発明の半導体圧力センサは、外部からの圧力を電気信
号に変換する半導体歪ゲージと、該歪ゲージの出力を増
幅するチツプ増幅器並びにチツプコンデンサを取り付け
上面を樹脂で被覆された混成厚膜回路基板及び上記歪ゲ
ージを内蔵し該樹脂及び上記歪ゲージ上面に空間が形成
され蓋で覆われたプラスチツクハウジングと、該プラス
チツクハウジングに固着し突設され外部に対し電気的に
接続されるターミナル端子を内蔵する直差しコネクタ部
及びロツク部と、該ロツク部の内側に設けられ上記空間
と連通し上記歪ゲージの基準圧を形成する大気導入穴と
を設けてなり、上記ロツク部の突出高さ方向に上記大気
導入穴の周囲を該ロツク部と共に囲むように防水用壁を
設けたものである。
号に変換する半導体歪ゲージと、該歪ゲージの出力を増
幅するチツプ増幅器並びにチツプコンデンサを取り付け
上面を樹脂で被覆された混成厚膜回路基板及び上記歪ゲ
ージを内蔵し該樹脂及び上記歪ゲージ上面に空間が形成
され蓋で覆われたプラスチツクハウジングと、該プラス
チツクハウジングに固着し突設され外部に対し電気的に
接続されるターミナル端子を内蔵する直差しコネクタ部
及びロツク部と、該ロツク部の内側に設けられ上記空間
と連通し上記歪ゲージの基準圧を形成する大気導入穴と
を設けてなり、上記ロツク部の突出高さ方向に上記大気
導入穴の周囲を該ロツク部と共に囲むように防水用壁を
設けたものである。
以下本発明の半導体圧力センサを実施例を用い従来と同
部品は同符号で示し同部分の構造の説明は省略し第１
図，第２図により説明する。第１図は第３図のコネクタ
部及びロツク部と同部分付近の底面図、第２図は第１図
の正面図である。図において、１は防水用壁であり、プ
ラスチツクハウジング２に突出形成されたコネクタ部５
の全周にロツク部７と共に大気導入穴４の周囲を囲むよ
うに、ロツク部７と同じ高さにプラスチツクハウジング
２と一体成形により形成されている。従つて、大気導入
穴４が防水用壁１９で１個の端面側は開口されているが
その他の全周は覆われているので、直接水圧がかかるこ
とがなく大気導入穴４から空間２０内への水の浸入を防
止できる。尚、コネクタ部５のほぼ全周に設けられた防
水用壁１９はおすカプラーの着脱には全く支障がない。
部品は同符号で示し同部分の構造の説明は省略し第１
図，第２図により説明する。第１図は第３図のコネクタ
部及びロツク部と同部分付近の底面図、第２図は第１図
の正面図である。図において、１は防水用壁であり、プ
ラスチツクハウジング２に突出形成されたコネクタ部５
の全周にロツク部７と共に大気導入穴４の周囲を囲むよ
うに、ロツク部７と同じ高さにプラスチツクハウジング
２と一体成形により形成されている。従つて、大気導入
穴４が防水用壁１９で１個の端面側は開口されているが
その他の全周は覆われているので、直接水圧がかかるこ
とがなく大気導入穴４から空間２０内への水の浸入を防
止できる。尚、コネクタ部５のほぼ全周に設けられた防
水用壁１９はおすカプラーの着脱には全く支障がない。
このように本実施例の半導体圧力センサは、コネクタ部
の全周にロツク部と共に大気導入穴の周囲を囲むように
ロツク部と同じ高さの防水用壁をプラスチツクハウジン
グから一体成形により突設形成したので、大気導入穴に
直接水圧が加えられることを防止でき、従つて、センサ
内に水の浸入を防ぐことができるので、厚膜混成回路に
電蝕の発生することを防止でき耐環境性、特に耐水性に
すぐれ信頼性を向上できる。また、耐水性にすぐれてい
るため、エンジンルームに装着する場合も取付場所を狭
い範囲内に限定することなく、取付位置の自由度が向上
できる。
の全周にロツク部と共に大気導入穴の周囲を囲むように
ロツク部と同じ高さの防水用壁をプラスチツクハウジン
グから一体成形により突設形成したので、大気導入穴に
直接水圧が加えられることを防止でき、従つて、センサ
内に水の浸入を防ぐことができるので、厚膜混成回路に
電蝕の発生することを防止でき耐環境性、特に耐水性に
すぐれ信頼性を向上できる。また、耐水性にすぐれてい
るため、エンジンルームに装着する場合も取付場所を狭
い範囲内に限定することなく、取付位置の自由度が向上
できる。
尚、上記実施例は、防水用壁１９をコネクタ部の長円形
部の外側を囲むように設けた場合について述べたが、上
記長円形部の外側を囲まないでロツク部に対向する部分
のコネクタ部を利用し大気導入穴の周りを囲むように防
水用壁を設けても作用効果は同じである。
部の外側を囲むように設けた場合について述べたが、上
記長円形部の外側を囲まないでロツク部に対向する部分
のコネクタ部を利用し大気導入穴の周りを囲むように防
水用壁を設けても作用効果は同じである。
以上記述した如く本発明の半導体圧力センサは、センサ
内部に水の浸入することなく耐水性を向上できると共に
取付場所の自由度を高めることができる効果を有するも
のである。
内部に水の浸入することなく耐水性を向上できると共に
取付場所の自由度を高めることができる効果を有するも
のである。
第１図は本発明の半導体圧力センサの実施例であつて第
３図のコネクタ部及びロツク部と同部分付近の底面図、
第２図は第１図の正面図、第３図は従来の半導体圧力セ
ンサの断面図、第４図は第３図のコネクタ部及びロツク
部付近の底面図である。 １……歪ゲージ、２……プラスチツクハウジング、３…
…厚膜回路基板、５……コネクタ部、７……ロツク部、
９……チツプ増幅器、１０……チツプコンデンサ、１５
……樹脂、１６……ターミナル端子、１９……防水用
壁、２０……空間、２１……蓋。
３図のコネクタ部及びロツク部と同部分付近の底面図、
第２図は第１図の正面図、第３図は従来の半導体圧力セ
ンサの断面図、第４図は第３図のコネクタ部及びロツク
部付近の底面図である。 １……歪ゲージ、２……プラスチツクハウジング、３…
…厚膜回路基板、５……コネクタ部、７……ロツク部、
９……チツプ増幅器、１０……チツプコンデンサ、１５
……樹脂、１６……ターミナル端子、１９……防水用
壁、２０……空間、２１……蓋。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 真一 茨城県勝田市東石川西古内3085番地５ 日 立オートモテイブエンジニアリング株式会 社内 (56)参考文献 特開 昭55−103438（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−47838（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−122543（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】外部からの圧力を電気信号に変換する半導
体歪ゲージと、該歪ゲージの出力を増幅する増幅器を有
する混成厚膜回路基板及び上記歪ゲージを内蔵し上記歪
ゲージ上面に空間が形成され蓋で覆われたプラスチック
ハウジングと、該プラスチックハウジングに突設され外
部に対し電気的に接続されるターミナル端子を内蔵する
直差しコネクタ部及びロック部と、該ロック部の内側に
設けられ上記空間と連通し上記歪ゲージの基準圧を形成
する大気導入穴とを設けたものにおいて、上記ロック部
の突出高さ方向に上記大気導入穴の周囲を該ロック部と
共に囲むように防水用壁を設けたことを特徴とする半導
体圧力センサ。 - 【請求項２】上記防水用壁が、上記ロック部の高さに該
ロック部と共に上記コネクタ部の外周を包囲するように
形成されている特許請求の範囲第１項記載の半導体圧力
センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6649985A JPH0654271B2 (ja) | 1985-04-01 | 1985-04-01 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6649985A JPH0654271B2 (ja) | 1985-04-01 | 1985-04-01 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61226625A JPS61226625A (ja) | 1986-10-08 |
| JPH0654271B2 true JPH0654271B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=13317569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6649985A Expired - Lifetime JPH0654271B2 (ja) | 1985-04-01 | 1985-04-01 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654271B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0238831A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Nec Corp | 半導体用ステム |
| FR2795520B1 (fr) * | 1999-06-24 | 2001-09-07 | Remy Kirchdoerffer | Procede de fabrication d'un dispositif du type instrument ou appareil de mesure ou de detection et dispositifs resultants |
-
1985
- 1985-04-01 JP JP6649985A patent/JPH0654271B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61226625A (ja) | 1986-10-08 |
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