JPH0656866B2 - 半導体素子分離領域の形成方法 - Google Patents
半導体素子分離領域の形成方法Info
- Publication number
- JPH0656866B2 JPH0656866B2 JP60253940A JP25394085A JPH0656866B2 JP H0656866 B2 JPH0656866 B2 JP H0656866B2 JP 60253940 A JP60253940 A JP 60253940A JP 25394085 A JP25394085 A JP 25394085A JP H0656866 B2 JPH0656866 B2 JP H0656866B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- element isolation
- film
- semiconductor element
- silicon oxide
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 30
- 238000002955 isolation Methods 0.000 title claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Element Separation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体装
置の素子間分離領域を形成する方法に関する。
置の素子間分離領域を形成する方法に関する。
集積回路装置の素子間分離の方法として、シリコン基板
表面に選択的に形成した溝に絶縁物を埋め込む方法、い
わゆるトレンチアイソレーション法がある。
表面に選択的に形成した溝に絶縁物を埋め込む方法、い
わゆるトレンチアイソレーション法がある。
従来のトレンチアイソレーション形成方法としては、第
２図（ａ）に示すように、シリコン基板２０１の表面に
素子分離のための溝２０２，２０２′を形成し次に同図
（ｂ）に示すように、化学気相成長によるシリコン窒化
膜２０３を形成し、続いて同図（ｃ）に示すように化学
気相成長によるシリコン酸化膜２０４を形成後、同図
（ｄ）に示すようにリソグラフィー工程により溝上部の
みにフォトレジスト２０５，２０５′を残し、次にエッ
チング工程により同図（ｅ）に示すように基板凸部上の
シリコン酸化膜を除去することによって、凹部内に素子
分離シリコン酸化膜２０６，２０６′を埋込み最後に、
同図（ｆ）に示すように凸部上のシリコン窒化膜２０３
を除去することによって素子分離領域を形成する方法が
ある。
２図（ａ）に示すように、シリコン基板２０１の表面に
素子分離のための溝２０２，２０２′を形成し次に同図
（ｂ）に示すように、化学気相成長によるシリコン窒化
膜２０３を形成し、続いて同図（ｃ）に示すように化学
気相成長によるシリコン酸化膜２０４を形成後、同図
（ｄ）に示すようにリソグラフィー工程により溝上部の
みにフォトレジスト２０５，２０５′を残し、次にエッ
チング工程により同図（ｅ）に示すように基板凸部上の
シリコン酸化膜を除去することによって、凹部内に素子
分離シリコン酸化膜２０６，２０６′を埋込み最後に、
同図（ｆ）に示すように凸部上のシリコン窒化膜２０３
を除去することによって素子分離領域を形成する方法が
ある。
また、同図（ａ），（ｂ）の工程の後に同図（ｇ）に示
すように化学気相成長により膜厚が溝の深さの約半分で
あるポリシリコン膜２０７を形成後、同図（ｈ）に示す
ように、溝上部のみにフォトレジスト２０８，２０８′
を残し、次にエッチング工程により同図（ｉ）に示すよ
うに基板凸部上のポリシリコン膜を除去し、続いて同図
（ｊ）に示すように溝内に埋込まれたポリシリコン膜２
０９，２０９′を酸化することによって、凹部内に素子
分離シリコン酸化膜２１０，２１０′を形成し、最後に
同図（ｋ）に示すように、シリコン窒化膜２０３を除去
することによって素子分離領域を形成する方法がある。
すように化学気相成長により膜厚が溝の深さの約半分で
あるポリシリコン膜２０７を形成後、同図（ｈ）に示す
ように、溝上部のみにフォトレジスト２０８，２０８′
を残し、次にエッチング工程により同図（ｉ）に示すよ
うに基板凸部上のポリシリコン膜を除去し、続いて同図
（ｊ）に示すように溝内に埋込まれたポリシリコン膜２
０９，２０９′を酸化することによって、凹部内に素子
分離シリコン酸化膜２１０，２１０′を形成し、最後に
同図（ｋ）に示すように、シリコン窒化膜２０３を除去
することによって素子分離領域を形成する方法がある。
しかしながら、従来法では化学気相成長によるシリコン
酸化膜又はポリシリコン膜の段差被覆性は悪く、さらに
リソグラフィー工程における目合せずれによって、第３
図に示すように溝の端部で突起状のシリコン酸化膜３０
２，３０２′が残ったり、シリコン酸化膜のへこみ３０
３，３０３′が形成される等の問題がある。
酸化膜又はポリシリコン膜の段差被覆性は悪く、さらに
リソグラフィー工程における目合せずれによって、第３
図に示すように溝の端部で突起状のシリコン酸化膜３０
２，３０２′が残ったり、シリコン酸化膜のへこみ３０
３，３０３′が形成される等の問題がある。
本発明の目的は、上記問題点を解消した、すなわち、リ
ソグラフィー工程を用いずに平坦性の良い半導体素子分
離領域を形成する方法を提供することにある。
ソグラフィー工程を用いずに平坦性の良い半導体素子分
離領域を形成する方法を提供することにある。
本発明の半導体素子分離領域の形成方法は、一般式がＲ
ｎ−Ｓｉ（ＯＲ′）４−ｎ（Ｒ：１価の炭化水素基、
Ｒ′：炭素数０〜４の炭化水素基、ｎ：０，１，２，
３）である有機シリコン化合物を主成分とする溶液を素
子間分離溝を有する半導体基板表面に塗布する工程と、
最初に１５０℃以下の温度で、続いて４５０℃以下の温
度でそれぞれ所定時間だけ少なくとも酸素を含む雰囲気
中で熱処理せしめることによって該溶液を樹脂ガラス膜
に変える工程と、続いて５００℃以上の温度で酸素雰囲
気中で熱処理し該樹脂ガラス膜を酸化分解しシリコン酸
化膜に変える工程と、エッチバックにより、半導体基板
表面の半導体素子間分離溝以外に存在するシリコン酸化
膜を除去する工程とを含むことを特徴とする。
ｎ−Ｓｉ（ＯＲ′）４−ｎ（Ｒ：１価の炭化水素基、
Ｒ′：炭素数０〜４の炭化水素基、ｎ：０，１，２，
３）である有機シリコン化合物を主成分とする溶液を素
子間分離溝を有する半導体基板表面に塗布する工程と、
最初に１５０℃以下の温度で、続いて４５０℃以下の温
度でそれぞれ所定時間だけ少なくとも酸素を含む雰囲気
中で熱処理せしめることによって該溶液を樹脂ガラス膜
に変える工程と、続いて５００℃以上の温度で酸素雰囲
気中で熱処理し該樹脂ガラス膜を酸化分解しシリコン酸
化膜に変える工程と、エッチバックにより、半導体基板
表面の半導体素子間分離溝以外に存在するシリコン酸化
膜を除去する工程とを含むことを特徴とする。
上記の一般式がＲｎ−Ｓｉ（ＯＲ′）４−ｎ（Ｒ：１価
の炭化水素基、Ｒ′：炭素数０〜４の炭化水素基、ｎ：
０，１，２，３）である有機シリコン化合物を主成分と
する溶液は、例えばＣＨ３・Ｓｉ（ＯＨ）３，Ｃ２Ｈ５
−Ｓｉ（ＯＨ）３，Ｃ３Ｈ７−Ｓｉ（ＯＨ）３，Ｃ４Ｈ
９−Ｓｉ（ＯＨ）３， Ｃ６Ｈ５−Ｓｉ（ＯＨ）３，ＣＨ３−Ｓｉ（ＯＣＨ３）
３，ＣＨ３−Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３，ＣＨ３−Ｓｉ（Ｏ
Ｃ３Ｈ７）３，ＣＨ３−Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）３，Ｃ２Ｈ
５−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３，Ｃ２Ｈ５−Ｓｉ（ＯＣ
２Ｈ５）３，Ｃ２Ｈ５−Ｓｉ（ＯＣ３Ｈ７）３，Ｃ２Ｈ
５−Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）３，Ｃ３Ｈ７−Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ３）３，Ｃ３Ｈ７−Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３，Ｃ３Ｈ７
−Ｓｉ（ＯＣ３Ｈ７）３，Ｃ３Ｈ７−Ｓｉ（ＯＣ
４Ｈ９）３，Ｃ４Ｈ９−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３，Ｃ４Ｈ９
−Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３，Ｃ４Ｈ９−Ｓｉ（ＯＣ
３Ｈ７）３，Ｃ４Ｈ９−Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）３，Ｃ６Ｈ
５−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３，Ｃ６Ｈ５−Ｓｉ（ＯＣ
２Ｈ５）３，Ｃ６Ｈ５−Ｓｉ（ＯＣ３Ｈ７）３，Ｃ６Ｈ
５−Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）３等のうち少なくとも１種類以
上をエチルセロソルブアセテート，ブチルセロソルブア
セテートアルコール等の溶媒と混合することによって得
られる。これらの溶液を塗布し酸素雰囲気中で酸化分解
することによってシリコン酸化膜を形成する方法は、例
えば、応用物理学会講演予稿集、Ｐ３７５，３１Ｐ−Ｇ
−６（昭和６０年３月）にあるように（Ｃ６Ｈ５−Ｓｉ
Ｏ）ｎ膜を酸素雰囲気中で５５０℃で１２０分間酸化分
解することによって均一なＳｉＯ２膜が形成できること
により知られている。
の炭化水素基、Ｒ′：炭素数０〜４の炭化水素基、ｎ：
０，１，２，３）である有機シリコン化合物を主成分と
する溶液は、例えばＣＨ３・Ｓｉ（ＯＨ）３，Ｃ２Ｈ５
−Ｓｉ（ＯＨ）３，Ｃ３Ｈ７−Ｓｉ（ＯＨ）３，Ｃ４Ｈ
９−Ｓｉ（ＯＨ）３， Ｃ６Ｈ５−Ｓｉ（ＯＨ）３，ＣＨ３−Ｓｉ（ＯＣＨ３）
３，ＣＨ３−Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３，ＣＨ３−Ｓｉ（Ｏ
Ｃ３Ｈ７）３，ＣＨ３−Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）３，Ｃ２Ｈ
５−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３，Ｃ２Ｈ５−Ｓｉ（ＯＣ
２Ｈ５）３，Ｃ２Ｈ５−Ｓｉ（ＯＣ３Ｈ７）３，Ｃ２Ｈ
５−Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）３，Ｃ３Ｈ７−Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ３）３，Ｃ３Ｈ７−Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３，Ｃ３Ｈ７
−Ｓｉ（ＯＣ３Ｈ７）３，Ｃ３Ｈ７−Ｓｉ（ＯＣ
４Ｈ９）３，Ｃ４Ｈ９−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３，Ｃ４Ｈ９
−Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３，Ｃ４Ｈ９−Ｓｉ（ＯＣ
３Ｈ７）３，Ｃ４Ｈ９−Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）３，Ｃ６Ｈ
５−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３，Ｃ６Ｈ５−Ｓｉ（ＯＣ
２Ｈ５）３，Ｃ６Ｈ５−Ｓｉ（ＯＣ３Ｈ７）３，Ｃ６Ｈ
５−Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）３等のうち少なくとも１種類以
上をエチルセロソルブアセテート，ブチルセロソルブア
セテートアルコール等の溶媒と混合することによって得
られる。これらの溶液を塗布し酸素雰囲気中で酸化分解
することによってシリコン酸化膜を形成する方法は、例
えば、応用物理学会講演予稿集、Ｐ３７５，３１Ｐ−Ｇ
−６（昭和６０年３月）にあるように（Ｃ６Ｈ５−Ｓｉ
Ｏ）ｎ膜を酸素雰囲気中で５５０℃で１２０分間酸化分
解することによって均一なＳｉＯ２膜が形成できること
により知られている。
さらに、上記の溶液中にリン、ホウ素原子を含む化合物
を混合せしめることによって、５００℃以上の熱処理に
おけるシリコン酸化膜のリフローの効果を高めることが
可能となる。
を混合せしめることによって、５００℃以上の熱処理に
おけるシリコン酸化膜のリフローの効果を高めることが
可能となる。
次に、本発明を実施例に基づき図面を用いて説明する。
本実施例では、一般式がＲｎ−Ｓｉ（ＯＲ′）４−ｎで
ある有機シリコン化合物を主成分とする溶液として、Ｃ
Ｈ３−Ｓｉ（ＯＨ）３とＣ６Ｈ５−Ｓｉ（ＯＨ）３エチ
ルセロソルブアセテートに混合したものを用いた。さら
に該溶液中にリン原子，ホウ素原子を含む化合物をそれ
ぞれ４ｍｏｌ％の濃度で混合し塗布溶液とした。
ある有機シリコン化合物を主成分とする溶液として、Ｃ
Ｈ３−Ｓｉ（ＯＨ）３とＣ６Ｈ５−Ｓｉ（ＯＨ）３エチ
ルセロソルブアセテートに混合したものを用いた。さら
に該溶液中にリン原子，ホウ素原子を含む化合物をそれ
ぞれ４ｍｏｌ％の濃度で混合し塗布溶液とした。
第１図は、本発明の一実施例の半導体装置の素子分離領
域の形成工程を示す断面図である。
域の形成工程を示す断面図である。
第１図（ａ）において、Ｐ型シリコン基板１０１表面の
素子分離領域を形成すべき部分にリソグラフィー工程お
よびエッチングにより、深さ約１μｍの溝１０２，１０
２′を形成する。
素子分離領域を形成すべき部分にリソグラフィー工程お
よびエッチングにより、深さ約１μｍの溝１０２，１０
２′を形成する。
次に、同図（ｂ）に示すように化学気相成長によるシリ
コン窒化膜１０３を形成する。続いて同図（ｃ）に示す
ように上記塗布溶液を塗布し、１５０℃で３０分間さら
に４５０℃で３０分間、酸素を含む雰囲気中で熱処理す
ることによって厚さ約３μｍの樹脂ガラス膜１０４を形
成し、さらに、９００℃で１時間、酸素ガス雰囲気中で
熱処理せしめることによって、樹脂膜ガラス膜を酸化分
解し、同図（ｄ）に示すように厚さ約１．５μｍのシリ
コン酸化膜１０５に変える。
コン窒化膜１０３を形成する。続いて同図（ｃ）に示す
ように上記塗布溶液を塗布し、１５０℃で３０分間さら
に４５０℃で３０分間、酸素を含む雰囲気中で熱処理す
ることによって厚さ約３μｍの樹脂ガラス膜１０４を形
成し、さらに、９００℃で１時間、酸素ガス雰囲気中で
熱処理せしめることによって、樹脂膜ガラス膜を酸化分
解し、同図（ｄ）に示すように厚さ約１．５μｍのシリ
コン酸化膜１０５に変える。
次にドライエッチングによるエッチバッグで半導体基板
表面の溝部以外のシリコン酸化膜を除去し、同図（ｅ）
に示すように溝内に素子分離シリコン酸化膜１０６，１
０６′を埋込む。
表面の溝部以外のシリコン酸化膜を除去し、同図（ｅ）
に示すように溝内に素子分離シリコン酸化膜１０６，１
０６′を埋込む。
以上の工程の後、半導体基板凸部表面のシリコン窒化膜
１０３をエッチングし、同図（ｆ）に示すように素子分
離領域の形成が完了する。
１０３をエッチングし、同図（ｆ）に示すように素子分
離領域の形成が完了する。
以上説明したように本発明は、一般式が である有機シリコン化合物を主成分とする溶液を素子間
を分離するために形成された溝を有する半導体基板表面
に塗布、熱処理せしめることによって、半導体基板表面
の凹凸を平坦化することが可能となり、ゆえに半導体基
板凸部上表面に存在するシリコン酸化膜の除去が、エッ
チバックにより簡単化され、リソグラフィー工程無しに
凹部内にシリコン酸化膜を埋込むことが可能となる。し
たがって、素子分離領域形成後の半導体基板表面を平坦
にすることが出来るという効果がある。
を分離するために形成された溝を有する半導体基板表面
に塗布、熱処理せしめることによって、半導体基板表面
の凹凸を平坦化することが可能となり、ゆえに半導体基
板凸部上表面に存在するシリコン酸化膜の除去が、エッ
チバックにより簡単化され、リソグラフィー工程無しに
凹部内にシリコン酸化膜を埋込むことが可能となる。し
たがって、素子分離領域形成後の半導体基板表面を平坦
にすることが出来るという効果がある。
さらに塗布法によってシリコン酸化膜を形成することか
ら生産性が高いという利点を有する。
ら生産性が高いという利点を有する。
また、本発明では有機シリコン化合物を主成分とする溶
液を、最初に１５０℃以下の温度で、続いて４５０℃以
下の温度でそれぞれ所定時間だけ少なくとも酸素を含む
雰囲気中で熱処理せしめることによって該溶液を樹脂ガ
ラス膜に変えるので、膜厚方向に均一な膜組成の樹脂ガ
ラス膜を得ることができ、更にこれに基づいて均一組成
のシリコン酸化膜を得ることができるので、均一なリー
ク電流の低減が可能となる。
液を、最初に１５０℃以下の温度で、続いて４５０℃以
下の温度でそれぞれ所定時間だけ少なくとも酸素を含む
雰囲気中で熱処理せしめることによって該溶液を樹脂ガ
ラス膜に変えるので、膜厚方向に均一な膜組成の樹脂ガ
ラス膜を得ることができ、更にこれに基づいて均一組成
のシリコン酸化膜を得ることができるので、均一なリー
ク電流の低減が可能となる。
更に、シリコン窒化膜を予め形成した上で、これをスト
ッパとしてシリコン酸化膜をエッチバックし、その後に
シリコン窒化膜を除去することにより、半導体素子間分
離溝の内部にのみシリコン酸化膜を残し、半導体基板の
表面の平坦化を図ることが可能となる。
ッパとしてシリコン酸化膜をエッチバックし、その後に
シリコン窒化膜を除去することにより、半導体素子間分
離溝の内部にのみシリコン酸化膜を残し、半導体基板の
表面の平坦化を図ることが可能となる。
以上のように、本発明による半導体装置の素子間分離領
域の形成方法は、半導体装置の高密度・高集積化に多大
の効果をもたらす。
域の形成方法は、半導体装置の高密度・高集積化に多大
の効果をもたらす。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の素子分離領域
の形成方法を示す工程断面図である。 第２図は従来の半導体装置の素子分離領域の形成方法を
示す工程断面図である。 第３図は従来の半導体装置の素子分離領域の形成方法に
おける問題点を示す断面図である。 第１図において、 １０１……Ｐ型シリコン基板、１０２，１０２′……
溝、１０３……シリコン窒化膜、１０４……樹脂ガラス
膜、１０５……シリコン酸化膜、１０６，１０６′……
素子分離シリコン酸化膜、である。 第２図において、 ２０１……シリコン基板、２０２，２０２′……溝、２
０３……シリコン窒化膜、２０４……シリコン酸化膜、
２０５，２０５′……フォトレジスト、２０６，２０
６′……素子分離シリコン酸化膜、２０７……ポリシリ
コン膜、２０８，２０８′……フォトレジスト、２０
９，２０９′……ポリシリコン膜、２１０，２１０′…
…素子分離シリコン酸化膜、である。 第３図において、 ３０１……シリコン基板、３０２，３０２′……突起状
のシリコン酸化膜、３０３，３０３′……シリコン酸化
膜のへこみ、である。
の形成方法を示す工程断面図である。 第２図は従来の半導体装置の素子分離領域の形成方法を
示す工程断面図である。 第３図は従来の半導体装置の素子分離領域の形成方法に
おける問題点を示す断面図である。 第１図において、 １０１……Ｐ型シリコン基板、１０２，１０２′……
溝、１０３……シリコン窒化膜、１０４……樹脂ガラス
膜、１０５……シリコン酸化膜、１０６，１０６′……
素子分離シリコン酸化膜、である。 第２図において、 ２０１……シリコン基板、２０２，２０２′……溝、２
０３……シリコン窒化膜、２０４……シリコン酸化膜、
２０５，２０５′……フォトレジスト、２０６，２０
６′……素子分離シリコン酸化膜、２０７……ポリシリ
コン膜、２０８，２０８′……フォトレジスト、２０
９，２０９′……ポリシリコン膜、２１０，２１０′…
…素子分離シリコン酸化膜、である。 第３図において、 ３０１……シリコン基板、３０２，３０２′……突起状
のシリコン酸化膜、３０３，３０３′……シリコン酸化
膜のへこみ、である。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子間分離溝を有する半導体基板表
面にシリコン窒化膜を形成する工程と、この上に一般式
がＲｎ−Ｓｉ（ＯＲ′）４−ｎ （Ｒ：１価の炭化水素
基、Ｒ′：炭素数０〜４の炭化水素基、ｎ：０，１，
２，３）である有機シリコン化合物を主成分とする溶液
を前記半導体素子間分離溝の深さよりも厚く塗布する工
程と、１５０℃以下の温度で、続いて４５０℃以下の温
度でそれぞれ所定時間だけ少なくとも酸素を含む雰囲気
中で熱処理せしめることによって該溶液を樹脂ガラス膜
に変える工程と、続いて５００℃以上の温度で酸素雰囲
気中で熱処理し該樹脂ガラス膜を酸化分解しシリコン酸
化膜に変える工程と、前記シリコン窒化膜をストッパと
したエッチバックにより半導体基板表面の半導体素子間
分離溝以外に存在する該シリコン酸化膜を除去する工程
と、前記半導体素子間分離溝以外に存在する該シリコン
窒化膜を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体
素子分離領域の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60253940A JPH0656866B2 (ja) | 1985-11-12 | 1985-11-12 | 半導体素子分離領域の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60253940A JPH0656866B2 (ja) | 1985-11-12 | 1985-11-12 | 半導体素子分離領域の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62113443A JPS62113443A (ja) | 1987-05-25 |
| JPH0656866B2 true JPH0656866B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=17258113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60253940A Expired - Fee Related JPH0656866B2 (ja) | 1985-11-12 | 1985-11-12 | 半導体素子分離領域の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0656866B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3178412B2 (ja) | 1998-04-27 | 2001-06-18 | 日本電気株式会社 | トレンチ・アイソレーション構造の形成方法 |
| US6458713B1 (en) | 1999-06-28 | 2002-10-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing semiconductor device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57160132A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-02 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1985
- 1985-11-12 JP JP60253940A patent/JPH0656866B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62113443A (ja) | 1987-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0084635B1 (en) | Method of forming a wide deep dielectric filled isolation trench in the surface of a silicon semiconductor substrate | |
| JPS5851422B2 (ja) | 酸化物分離プロセス | |
| EP0036573A2 (en) | Method for making a polysilicon conductor structure | |
| EP0113517B1 (en) | Method for forming an isolation region | |
| JPS6340337A (ja) | 集積回路分離法 | |
| JP3880207B2 (ja) | トレンチ隔離の形成方法 | |
| JPS5857902B2 (ja) | 狭いマスク開孔の形成方法 | |
| JPH0548617B2 (ja) | ||
| JPS59119848A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0216574B2 (ja) | ||
| JPS62500969A (ja) | 半導体デバイスの製作方法 | |
| JPH0427702B2 (ja) | ||
| JPH0656866B2 (ja) | 半導体素子分離領域の形成方法 | |
| JP2000100926A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| JPH04209534A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100297171B1 (ko) | 반도체소자의소자분리방법 | |
| JPH049371B2 (ja) | ||
| JPH079930B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0313745B2 (ja) | ||
| JPS5950540A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5931215B2 (ja) | 絶縁層の形成方法 | |
| JPH09330920A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR940007540B1 (ko) | 반도체 장치의 소자격리방법 | |
| JPH0831469B2 (ja) | バイポーラ半導体装置の製造方法 | |
| KR930008845B1 (ko) | 반도체소자의 소자 격리방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |