JPH0658938B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0658938B2 JPH0658938B2 JP58191189A JP19118983A JPH0658938B2 JP H0658938 B2 JPH0658938 B2 JP H0658938B2 JP 58191189 A JP58191189 A JP 58191189A JP 19118983 A JP19118983 A JP 19118983A JP H0658938 B2 JPH0658938 B2 JP H0658938B2
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- JP
- Japan
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- cap
- plate
- light
- present
- translucent
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (a)発明の技術分野 本発明はメモリ用半導体装置に係り、特にキャップに具
備する透光板の形状の改良に関するものである。
備する透光板の形状の改良に関するものである。
(b)従来の技術 ＥＰＲＯＭ（erasable programmable read only memor
y）は一旦メモリを記入した半導体チップに紫外線を照
射してメモリを消去することが可能な半導体メモリ装置
で、半導体容器のキャップ（蓋）に紫外線を透過させる
ことが可能な透光板が設けられており、容器内の半導体
チップが透光板を通して完全に透視することができ、紫
外線を充分照射することが可能な構造を有している。ま
た、ＥＰＲＯＭが内蔵されているワンチップマイコンに
おいても、同様な透光板が設けられている。
y）は一旦メモリを記入した半導体チップに紫外線を照
射してメモリを消去することが可能な半導体メモリ装置
で、半導体容器のキャップ（蓋）に紫外線を透過させる
ことが可能な透光板が設けられており、容器内の半導体
チップが透光板を通して完全に透視することができ、紫
外線を充分照射することが可能な構造を有している。ま
た、ＥＰＲＯＭが内蔵されているワンチップマイコンに
おいても、同様な透光板が設けられている。
第６図はガラス封止型のＥＰＲＯＭの外形図であり、１
はセラミックキャップ、２は透光板、３は半導体チップ
を収納するリードベースである。キャップ１はリードベ
ース３に低融点ガラス４で封着されている。第７図はキ
ャップ１の断面図であり、透光板２はガラス板や透明石
英板等の透光性の良い材料からなり、キャップ１に設け
た窓の内側壁と透光板２の側面とを溶着して構成してお
り、従来のこのような透光板の形状は図示するように真
円である。
はセラミックキャップ、２は透光板、３は半導体チップ
を収納するリードベースである。キャップ１はリードベ
ース３に低融点ガラス４で封着されている。第７図はキ
ャップ１の断面図であり、透光板２はガラス板や透明石
英板等の透光性の良い材料からなり、キャップ１に設け
た窓の内側壁と透光板２の側面とを溶着して構成してお
り、従来のこのような透光板の形状は図示するように真
円である。
しかしながら、集積度が高くなって半導体チップが大型
化し、かつ、回路設計上の問題を解決するために短冊形
の細長い半導体チップが用いられるようになったので、
半導体チップをリードベース３に搭載する場合には、こ
の透光板２の大きさも大きくしなければならなくなっ
た。
化し、かつ、回路設計上の問題を解決するために短冊形
の細長い半導体チップが用いられるようになったので、
半導体チップをリードベース３に搭載する場合には、こ
の透光板２の大きさも大きくしなければならなくなっ
た。
従ってこのような短冊形の半導体チップを収納する半導
体容器のキャップに真円形の透光板を設けようとする
と、寸法的に限界があり、第８図に示すような細長い矩
形の透過窓を設けなければならない。
体容器のキャップに真円形の透光板を設けようとする
と、寸法的に限界があり、第８図に示すような細長い矩
形の透過窓を設けなければならない。
しかしながら、このような大型の透光板２２をキャップ
２１に溶着すると、機械的強度が脆弱な透光板２２は熱
歪みのために割れやすくなり、溶着部に隙間が生じて気
密を保持することが困難になる。
２１に溶着すると、機械的強度が脆弱な透光板２２は熱
歪みのために割れやすくなり、溶着部に隙間が生じて気
密を保持することが困難になる。
このため、キャップ２１と透光板２２とは熱膨張率が出
来るだけ近い材料を用いて製造しているが、材料を選ぶ
だけでは透光板の割れを防止することが困難で、透光板
にクラックが生じたり、溶着部に隙間が生じて半導体容
器の気密が破壊されるようになる。
来るだけ近い材料を用いて製造しているが、材料を選ぶ
だけでは透光板の割れを防止することが困難で、透光板
にクラックが生じたり、溶着部に隙間が生じて半導体容
器の気密が破壊されるようになる。
(c)発明の目的 本発明はこの様な大型透光板のクラックの発生や、溶着
部の気密破壊を減少させることが可能となる半導体装置
の構造の改良を提案するものである。
部の気密破壊を減少させることが可能となる半導体装置
の構造の改良を提案するものである。
(d)発明の構成 上記目的は本発明により、セラミックよりなるキャップ
に設けられた少くとも四隅が丸みを有する長方形状の窓
の内側壁と、キャップと同一厚さを有し、窓と同一形状
のガラス等の透光性材よりなる透光板の外側面とを溶着
したキャップが、ＥＰＲＯＭを有する半導体チップを収
納するリードベースの上面に封着されていることを特徴
とする半導体装置によって達成される。
に設けられた少くとも四隅が丸みを有する長方形状の窓
の内側壁と、キャップと同一厚さを有し、窓と同一形状
のガラス等の透光性材よりなる透光板の外側面とを溶着
したキャップが、ＥＰＲＯＭを有する半導体チップを収
納するリードベースの上面に封着されていることを特徴
とする半導体装置によって達成される。
(e)発明の実施例 以下、本発明の実施例を第１図〜第５図によりセラミッ
クキャップの場合について詳細に説明する。
クキャップの場合について詳細に説明する。
第１図は本発明による第１の実施例のＥＰＲＯＭの外形
図である。図示するようにガラス板や透明石英板等の透
光性の良い材料からなる透光板３２は楕円形であり、セ
ラミックよりなるキャップ３１とリードベース３３とは
封着材で封着されている。
図である。図示するようにガラス板や透明石英板等の透
光性の良い材料からなる透光板３２は楕円形であり、セ
ラミックよりなるキャップ３１とリードベース３３とは
封着材で封着されている。
この接着材としては、融点が４００〜５００℃の低融点
ガラス３４或いは封止温度が２５０〜４００℃の有機性
接着剤を用いており、キャップ３１の材料としてはセラ
ミックが用いられており、ＣＥＲＤＩＰ型パッケージの
封止に用いられている。
ガラス３４或いは封止温度が２５０〜４００℃の有機性
接着剤を用いており、キャップ３１の材料としてはセラ
ミックが用いられており、ＣＥＲＤＩＰ型パッケージの
封止に用いられている。
これらの封着材はキャップ３１の封止面に塗布されてお
り、キャップ３１とリードベース３３とは低温加熱によ
り封止されている。
り、キャップ３１とリードベース３３とは低温加熱によ
り封止されている。
第２図は第１図に示すキャップ３１及び透光板３２の平
面図であり、第３図はその断面構造図であり、キャップ
３１に設けられた楕円形の窓には、窓と同一形状でキャ
ップと等しい厚さの透光板３２が取付けられている。
面図であり、第３図はその断面構造図であり、キャップ
３１に設けられた楕円形の窓には、窓と同一形状でキャ
ップと等しい厚さの透光板３２が取付けられている。
本実施例の透光板３２は楕円形であり、特にストレスの
生じ易い四隅が丸み形状となっているのでストレスが発
生しにくく、真円形に次いで優れた形状であり、また透
光板３２とキャップ３１とは同一の厚みを有するので窓
の内周面より透光板の外周面への応力は一様となり、従
って透光板が割れることは極めて少ない。
生じ易い四隅が丸み形状となっているのでストレスが発
生しにくく、真円形に次いで優れた形状であり、また透
光板３２とキャップ３１とは同一の厚みを有するので窓
の内周面より透光板の外周面への応力は一様となり、従
って透光板が割れることは極めて少ない。
このようなキャップ３１の窓の内側壁と、透光板３２の
側壁とは高温度で溶着されているから、低温度で封止を
行なう場合においても熱により破壊されることはない。
側壁とは高温度で溶着されているから、低温度で封止を
行なう場合においても熱により破壊されることはない。
しかも、上記のようなストレスが生じ難い形状であるか
ら、このような楕円形の透光板３２を有するＥＰＲＯＭ
の信頼性は著しく高くなる。
ら、このような楕円形の透光板３２を有するＥＰＲＯＭ
の信頼性は著しく高くなる。
第４図は本発明による第２の実施例のキャップ４１及び
透光板４２の平面図であり、このキャップ４１に設けて
いる透光板４２は両端を半円形にした長方形である。
透光板４２の平面図であり、このキャップ４１に設けて
いる透光板４２は両端を半円形にした長方形である。
楕円形透光板を長方形のキャップに設けた窓内に埋め込
むためには、キャップの幅を広くすることが必要にな
り、キャップの幅が狭い場合には、キャップの強度が低
下する恐れがあるが、両端を半円形にした長方形の透光
板を用いればその心配がなくなる。
むためには、キャップの幅を広くすることが必要にな
り、キャップの幅が狭い場合には、キャップの強度が低
下する恐れがあるが、両端を半円形にした長方形の透光
板を用いればその心配がなくなる。
第５図は本発明による第３の実施例のキャップ５１及び
透光板５２の平面図であり、このキャップ５１に設けて
いる透光板５２は四隅に半径Ｒの丸味を設けた長方形で
ある。この長方形の幅をＬとした場合に、このＲの寸法
をＬの１／１０以上にすることによりストレスの集中を
防止することが可能となる。このような形状の透光板を
キャップの窓内に埋め込む場合には、約１，１００℃で
透光板とキャップの接触面を溶着した後、透光板の材料
である不透明になった透光ガラスを透明にするために約
９００℃の加熱処理を行ない、透光板とキャップの溶着
が完了する。
透光板５２の平面図であり、このキャップ５１に設けて
いる透光板５２は四隅に半径Ｒの丸味を設けた長方形で
ある。この長方形の幅をＬとした場合に、このＲの寸法
をＬの１／１０以上にすることによりストレスの集中を
防止することが可能となる。このような形状の透光板を
キャップの窓内に埋め込む場合には、約１，１００℃で
透光板とキャップの接触面を溶着した後、透光板の材料
である不透明になった透光ガラスを透明にするために約
９００℃の加熱処理を行ない、透光板とキャップの溶着
が完了する。
(f)発明の効果 以上の説明から明らかなように本発明によれば、透光板
が大型化したＥＰＲＯＭやワンチップマイコンにおい
て、透光板のクラックの発生や溶着部の気密破壊を減少
させるように、キャップと透光板とを溶着させることが
可能となり、半導体装置の品質向上に極めて貢献するも
のである。
が大型化したＥＰＲＯＭやワンチップマイコンにおい
て、透光板のクラックの発生や溶着部の気密破壊を減少
させるように、キャップと透光板とを溶着させることが
可能となり、半導体装置の品質向上に極めて貢献するも
のである。
第１図は本発明による第１の実施例のＥＰＲＯＭの外形
図、 第２図は本発明による第１の実施例のキャップの平面
図、 第３図は本発明による第１の実施例のキャップの断面構
造図、 第４図は本発明による第２の実施例のキャップの平面
図、 第５図は本発明による第３の実施例のキャップの平面
図、 第６図は従来のＥＰＲＯＭの外形図、 第７図は従来のキャップの断面図、 第８図は従来のキャップの平面図、 である。 図において、 １，２１は従来のキャップ、 ２，２２は従来の透光板、 ３，３３はリードベース、 ４，３４は低融点ガラス、 ３１，４１，５１は本発明による実施例のキャップ、 ３２，４２，５２は本発明による実施例の透光板、 を示す。
図、 第２図は本発明による第１の実施例のキャップの平面
図、 第３図は本発明による第１の実施例のキャップの断面構
造図、 第４図は本発明による第２の実施例のキャップの平面
図、 第５図は本発明による第３の実施例のキャップの平面
図、 第６図は従来のＥＰＲＯＭの外形図、 第７図は従来のキャップの断面図、 第８図は従来のキャップの平面図、 である。 図において、 １，２１は従来のキャップ、 ２，２２は従来の透光板、 ３，３３はリードベース、 ４，３４は低融点ガラス、 ３１，４１，５１は本発明による実施例のキャップ、 ３２，４２，５２は本発明による実施例の透光板、 を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】セラミックよりなるキャップに設けられた
少くとも四隅が丸みを有する長方形状の窓の内側壁と、
キャップと同一厚さを有し、窓と同一形状のガラス等の
透光性材よりなる透光板の外側面とを溶着したキャップ
が、ＥＰＲＯＭを有する半導体チップを収納するリード
ベースの上面に封着されていることを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58191189A JPH0658938B2 (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58191189A JPH0658938B2 (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6081844A JPS6081844A (ja) | 1985-05-09 |
| JPH0658938B2 true JPH0658938B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=16270378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58191189A Expired - Fee Related JPH0658938B2 (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658938B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61172352A (ja) * | 1985-01-26 | 1986-08-04 | Kyocera Corp | 半導体パツケ−ジ |
| JPS62204549A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-09 | Hirabayashi:Kk | 半導体装置の製造方法 |
| US6037655A (en) * | 1998-01-12 | 2000-03-14 | Eastman Kodak Company | Linear image sensor package assembly |
| JP3129275B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5532005A (en) * | 1978-08-25 | 1980-03-06 | Ricoh Co Ltd | Hologram information memory device |
-
1983
- 1983-10-12 JP JP58191189A patent/JPH0658938B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6081844A (ja) | 1985-05-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |