JPH0664117B2 - トランジスタ試験装置 - Google Patents
トランジスタ試験装置Info
- Publication number
- JPH0664117B2 JPH0664117B2 JP60100615A JP10061585A JPH0664117B2 JP H0664117 B2 JPH0664117 B2 JP H0664117B2 JP 60100615 A JP60100615 A JP 60100615A JP 10061585 A JP10061585 A JP 10061585A JP H0664117 B2 JPH0664117 B2 JP H0664117B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- under test
- voltage
- transistor
- transistors
- comparison
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/16—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
- G06F11/20—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using active fault-masking, e.g. by switching out faulty elements or by switching in spare elements
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/16—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
- G06F11/1608—Error detection by comparing the output signals of redundant hardware
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、素子の温度変化を介してトランジスタなどの
異常を試験するトランジスタ試験装置に関する。
異常を試験するトランジスタ試験装置に関する。
［開示の概要］ 本明細書及び図面は被試験回路素子に対応する回路素子
を含む回路ユニットと被試験回路からの出力を比較する
比較手段を複数設け、被試験回路の通電前後における選
択された１つの比較手段からの出力を測定することによ
り、その比較手段に対応した被試験回路素子の状態を検
査し、簡単な構成で被試験回路を破壊することなく短時
間に異常を検知する技術を開示するものである。
を含む回路ユニットと被試験回路からの出力を比較する
比較手段を複数設け、被試験回路の通電前後における選
択された１つの比較手段からの出力を測定することによ
り、その比較手段に対応した被試験回路素子の状態を検
査し、簡単な構成で被試験回路を破壊することなく短時
間に異常を検知する技術を開示するものである。
［従来の技術］ 従来トランジスタ等の回路素子の異常、例えば熱暴走を
検知する場合、トランジスタを含む被試験回路に通電
し、熱暴走を検出するためトランジスタの温度測定や温
度に対して変化するパラメータ等を測定して異常の判断
をしていた。
検知する場合、トランジスタを含む被試験回路に通電
し、熱暴走を検出するためトランジスタの温度測定や温
度に対して変化するパラメータ等を測定して異常の判断
をしていた。
［発明が解決しようする問題点］ しかし、このような方法では、トランジスタの熱暴走を
検知する場合、測定トランジスタや被試験回路が破壊さ
れることがあり、また熱暴走等の異常を検知するまでに
多くの時間を必要とする間題があった。
検知する場合、測定トランジスタや被試験回路が破壊さ
れることがあり、また熱暴走等の異常を検知するまでに
多くの時間を必要とする間題があった。
［問題点を解決するための手段］ 本発明はこのような上記の問題を解決するために、複数
の被試験トランジスタ及びこれら複数の被試験トランジ
スタにそれぞれ対応する基準トランジスタにバイアス電
圧を印加するためのバイアス手段と、前記各被試験トラ
ンジスタのベース・エミッタ間の電圧を検出する第１の
電圧検出手段と、前記各基準トランジスタのベース・エ
ミッタ間の電圧を検出する第２の電圧検出手段と、前記
第１の電圧検出手段に検出された電圧と前記第２の電圧
検出手段に検出された電圧を比較すべく前記各被試験ト
ランジスタと各基準トランジスタの各組について設けら
れた比較手段と、前記比較手段からの比較結果を記憶す
る手段手段と、前記各被試験トランジスタと各基準トラ
ンジスタの各組について、前記バイアス手段により前記
被試験トランジスタ及び前記基準トランジスタにバイア
ス電圧を印加する前の前記比較手段からの比較結果を前
記記憶手段に記憶させ、さらに前記バイアス手段により
前記被試験トランジスタ及び前記基準トランジスタにバ
イアス電圧を所定時間印加した後の前記比較手段からの
比較結果を前記記憶手段に記憶させるべく前記各組の比
較手段と前記記憶手段の間に設けられた切り換え手段
と、前記記憶手段に記憶されたバイアス電圧を印加する
前後の各比較手段による比較結果を比較して前記各被試
験トランジスタの温度変化を検査する検査手段と、を有
する構成を採用した。
の被試験トランジスタ及びこれら複数の被試験トランジ
スタにそれぞれ対応する基準トランジスタにバイアス電
圧を印加するためのバイアス手段と、前記各被試験トラ
ンジスタのベース・エミッタ間の電圧を検出する第１の
電圧検出手段と、前記各基準トランジスタのベース・エ
ミッタ間の電圧を検出する第２の電圧検出手段と、前記
第１の電圧検出手段に検出された電圧と前記第２の電圧
検出手段に検出された電圧を比較すべく前記各被試験ト
ランジスタと各基準トランジスタの各組について設けら
れた比較手段と、前記比較手段からの比較結果を記憶す
る手段手段と、前記各被試験トランジスタと各基準トラ
ンジスタの各組について、前記バイアス手段により前記
被試験トランジスタ及び前記基準トランジスタにバイア
ス電圧を印加する前の前記比較手段からの比較結果を前
記記憶手段に記憶させ、さらに前記バイアス手段により
前記被試験トランジスタ及び前記基準トランジスタにバ
イアス電圧を所定時間印加した後の前記比較手段からの
比較結果を前記記憶手段に記憶させるべく前記各組の比
較手段と前記記憶手段の間に設けられた切り換え手段
と、前記記憶手段に記憶されたバイアス電圧を印加する
前後の各比較手段による比較結果を比較して前記各被試
験トランジスタの温度変化を検査する検査手段と、を有
する構成を採用した。
［作用］ 上記構成によれば、複数の被試験トランジスタと、それ
ぞれ対応する基準トランジスタにバイアス電圧を印加す
る前と後のトランジスタのベース・エミッタ間の電圧を
各組毎に比較し、その比較結果に基づいて各被試験トラ
ンジスタの温度変化を検査してトランジスタの異常など
を検出することができる。
ぞれ対応する基準トランジスタにバイアス電圧を印加す
る前と後のトランジスタのベース・エミッタ間の電圧を
各組毎に比較し、その比較結果に基づいて各被試験トラ
ンジスタの温度変化を検査してトランジスタの異常など
を検出することができる。
［実施例］ 以下、図面に示す実施例に従い本発明を詳細に説明す
る。
る。
第１図には本発明装置の概略構成がブロック図として図
示されており、符号１で示すものは被試験回路であっ
て、この被試験回路１には試験すべき回路素子、例えば
インバータとして構成されたトランジスタ1aが接続され
ている。この被試験回路１には異常検出部２に接続され
る。
示されており、符号１で示すものは被試験回路であっ
て、この被試験回路１には試験すべき回路素子、例えば
インバータとして構成されたトランジスタ1aが接続され
ている。この被試験回路１には異常検出部２に接続され
る。
異常検出部２は抵抗R1〜R9並びにコンデンサC1〜C3と、
演算増幅器Q2から構成される差動増幅回路から構成され
ている。
演算増幅器Q2から構成される差動増幅回路から構成され
ている。
演算増幅器Q2のマイナス入力端子は抵抗R3を介して被試
験回路のトランジスタ1aのベースに接続されており、一
方プラス入力端子は、抵抗R4,R6を介してアースに接続
されている。また抵抗R4とR6の接続点はトランジスタQ1
のベースに接続されており、このコレクタは抵抗R7を介
してアースに接続されている。
験回路のトランジスタ1aのベースに接続されており、一
方プラス入力端子は、抵抗R4,R6を介してアースに接続
されている。また抵抗R4とR6の接続点はトランジスタQ1
のベースに接続されており、このコレクタは抵抗R7を介
してアースに接続されている。
このトランジスタQ1は被試験用のトランジスタ1aと同一
の種類ないし特性となっており、トランジスタQ1のコレ
クタ及びベースに接続された抵抗R7,R6は被試験回路と
同一条件を満たすための抵抗となっている。また抵抗R
1,R2は被試験トランジスタ1aとそれと同一種類のトラン
ジスタQ1に同一のバイアス電圧を与えるために設けられ
た抵抗である。演算増幅器Q2の出力は抵抗R8,コンデン
サC2,抵抗R9,コンデンサC3から成る平滑回路を介して端
子2aから出力される。
の種類ないし特性となっており、トランジスタQ1のコレ
クタ及びベースに接続された抵抗R7,R6は被試験回路と
同一条件を満たすための抵抗となっている。また抵抗R
1,R2は被試験トランジスタ1aとそれと同一種類のトラン
ジスタQ1に同一のバイアス電圧を与えるために設けられ
た抵抗である。演算増幅器Q2の出力は抵抗R8,コンデン
サC2,抵抗R9,コンデンサC3から成る平滑回路を介して端
子2aから出力される。
本実施例では、このような異常検出部が複数設けられ、
その１つが２′として第１図に図示されている。この異
常検出部２′は異常検出部２と同様の構成で、抵抗R10
〜R17,コンデンサC4〜C6並びに差動増幅器Q4からなって
いる。この差動増幅器Q4は、被試験用トランジスタ１′
ａとそれと同一種類ないし特性のトランジスタQ3のそれ
ぞれエミッタベース電圧を比較し、その差を端子２′ａ
に出力する。
その１つが２′として第１図に図示されている。この異
常検出部２′は異常検出部２と同様の構成で、抵抗R10
〜R17,コンデンサC4〜C6並びに差動増幅器Q4からなって
いる。この差動増幅器Q4は、被試験用トランジスタ１′
ａとそれと同一種類ないし特性のトランジスタQ3のそれ
ぞれエミッタベース電圧を比較し、その差を端子２′ａ
に出力する。
異常検出部2,2′の出力はリレー8,9により駆動されるス
イッチ8a,9aを介してＡ／Ｄ変換器３に入力され、続い
てマイクロコンピュータ４に入力される。このマイクロ
コンピュータ４はＡ／Ｄ変換器３から得られる出力，即
ちトランジスタ1a,1′ａとQ1,Q3のベースエミッタ間電
圧の差を所定の値と比較し、その比較結果が所定の値よ
り大きくなった場合に異常信号を発生するものである。
イッチ8a,9aを介してＡ／Ｄ変換器３に入力され、続い
てマイクロコンピュータ４に入力される。このマイクロ
コンピュータ４はＡ／Ｄ変換器３から得られる出力，即
ちトランジスタ1a,1′ａとQ1,Q3のベースエミッタ間電
圧の差を所定の値と比較し、その比較結果が所定の値よ
り大きくなった場合に異常信号を発生するものである。
この異常信号は表示部５に入力され、そこで異常が表示
される。またマイクロコンピュータ４は抵抗R18〜R21,
トランジスタQ5並びにリレー6aからなるリレー駆動部６
に接続され、例えばリレー駆動部６がマイクロコンピュ
ータ４より信号を受けるとトランジスタQ5が導通してリ
レー6aが動作し、スイッチ1bがONになり、それにより被
試験回路１に通電が行なわれる。
される。またマイクロコンピュータ４は抵抗R18〜R21,
トランジスタQ5並びにリレー6aからなるリレー駆動部６
に接続され、例えばリレー駆動部６がマイクロコンピュ
ータ４より信号を受けるとトランジスタQ5が導通してリ
レー6aが動作し、スイッチ1bがONになり、それにより被
試験回路１に通電が行なわれる。
またリレー8,9はマイクロコンピュータにより所定のシ
ーケンスまたはプログラムに沿って作動される。
ーケンスまたはプログラムに沿って作動される。
このような構成において被試験トランジスタ1a,1a′
と、比較基準として設けられた同一種類のトランジスタ
Q1,Q3を設け、これらの回路条件及びバイアス条件を同
じに設定し高精度な測定を行なうようにしている。また
測定は演算増幅器Q2,Q4から構成される差動増幅器によ
り両トランジスタ1a,1′ａとQ1,Q3のベースエミッタ間
電圧を測定している。通常ベースエミッタ間電圧は温度
に顕著に依存するので、この電圧差は温度差に対応して
いる。
と、比較基準として設けられた同一種類のトランジスタ
Q1,Q3を設け、これらの回路条件及びバイアス条件を同
じに設定し高精度な測定を行なうようにしている。また
測定は演算増幅器Q2,Q4から構成される差動増幅器によ
り両トランジスタ1a,1′ａとQ1,Q3のベースエミッタ間
電圧を測定している。通常ベースエミッタ間電圧は温度
に顕著に依存するので、この電圧差は温度差に対応して
いる。
測定の基本的な動作は次の通りである。
即ち、まず被試験トランジスタ1a,1′ａを含む被試験回
路への通電前における異常検出部２の出力をスイッチ8
a,9aを経、Ａ／Ｄ変換器３を介してマイクロコンピュー
タ４に取り込み、その値をコンピュータ内のメモリに記
憶させる。次にマイクロコンピュータによってリレー駆
動部６を作動させ、所定時間スイッチ1bをONにし、被試
験回路１に通電させる。続いて通電完了後の異常検出部
２の出力をマイクロコンピュータ４に取り込み記憶し、
通電前後における異常検出部の出力を比較してこの両者
の差が所定の値を越えた時には異常を知らせたり、さら
にこのシーケンスを数回繰り返すことによって一定時間
おきの温度上昇を測定ないし記憶させるようにしてい
る。
路への通電前における異常検出部２の出力をスイッチ8
a,9aを経、Ａ／Ｄ変換器３を介してマイクロコンピュー
タ４に取り込み、その値をコンピュータ内のメモリに記
憶させる。次にマイクロコンピュータによってリレー駆
動部６を作動させ、所定時間スイッチ1bをONにし、被試
験回路１に通電させる。続いて通電完了後の異常検出部
２の出力をマイクロコンピュータ４に取り込み記憶し、
通電前後における異常検出部の出力を比較してこの両者
の差が所定の値を越えた時には異常を知らせたり、さら
にこのシーケンスを数回繰り返すことによって一定時間
おきの温度上昇を測定ないし記憶させるようにしてい
る。
次にさらに詳細な動作を第３図のフローチャートを使っ
て説明する。まずステップS1において、異常の判定，温
度測定，一定時間毎の温度上昇カーブ等の出力選択や、
測定日時，条件等の入力等初期設定を行なう。続いてス
テップS2において被試験回路１の通電前における異常検
出部２の出力，即ち被試験トランジスタ1aとトランジス
タQ1のエミッタベース電圧間の差をスイッチ9a,A／Ｄ変
換器３を介してマイクロコンピュータ４に取り込みその
値を記憶する。続いてステップS3においてリレー駆動部
６を所定時間作動させ、スイッチ1bをONさせることによ
り被試験回路１に所定の時間通電を行ない、被試験トラ
ンジスタ1aを動作させる。所定時間が経過したら、ステ
ップS4において通電を停止し、ステップS5において通電
前と同様に異常検出部２の出力をスイッチ9a,A／Ｄ変換
器３を介してマイクロコンピュータ４に取り込み、出力
の測定記憶を行なう。続いてステップS6において初期設
定による測定回路を行なったかどうかが判断される。即
ち一定時間毎の温度データを取る時に上記動作を複数回
行なって、その測定回数が満足されない場合にはステッ
プS3〜S5を繰り返し、所定回数の測定を行なう。
て説明する。まずステップS1において、異常の判定，温
度測定，一定時間毎の温度上昇カーブ等の出力選択や、
測定日時，条件等の入力等初期設定を行なう。続いてス
テップS2において被試験回路１の通電前における異常検
出部２の出力，即ち被試験トランジスタ1aとトランジス
タQ1のエミッタベース電圧間の差をスイッチ9a,A／Ｄ変
換器３を介してマイクロコンピュータ４に取り込みその
値を記憶する。続いてステップS3においてリレー駆動部
６を所定時間作動させ、スイッチ1bをONさせることによ
り被試験回路１に所定の時間通電を行ない、被試験トラ
ンジスタ1aを動作させる。所定時間が経過したら、ステ
ップS4において通電を停止し、ステップS5において通電
前と同様に異常検出部２の出力をスイッチ9a,A／Ｄ変換
器３を介してマイクロコンピュータ４に取り込み、出力
の測定記憶を行なう。続いてステップS6において初期設
定による測定回路を行なったかどうかが判断される。即
ち一定時間毎の温度データを取る時に上記動作を複数回
行なって、その測定回数が満足されない場合にはステッ
プS3〜S5を繰り返し、所定回数の測定を行なう。
続いてステップS7において、他のトランジスタ１′ａ
も、試験すべきか否かが判断される。他のトランジスタ
も試験する場合には、ステップS8においてリレー８を作
動させ、またリレー９を非作動にしてスイッチ8aをON,9
aをOFFにする。続いてステップS2〜S6において異常検出
部２′の出力を測定する。
も、試験すべきか否かが判断される。他のトランジスタ
も試験する場合には、ステップS8においてリレー８を作
動させ、またリレー９を非作動にしてスイッチ8aをON,9
aをOFFにする。続いてステップS2〜S6において異常検出
部２′の出力を測定する。
異常検出の場合には被試験回路の通電前後における値を
比較し、異常の判定を行なう。即ち第２図に図示された
ように通電時間Ｔが経過するに従い異常検出部出力Ｅは
上昇するが、例えばｔ０〜ｔ１の所定の時間の間に異常
検出部の出力変化値を求め、設定された値と比較する。
例えばＢの場合にはその時の出力電圧がＥ１であり、ま
たＡが出力値Ｅ２であるとする。この値をあらかじめ設
定された値と比較し、所定値を越えておれば、例えば熱
暴走が発生したと判断され、その結果が表示部５に表示
され異常が判定される（ステップS9）。
比較し、異常の判定を行なう。即ち第２図に図示された
ように通電時間Ｔが経過するに従い異常検出部出力Ｅは
上昇するが、例えばｔ０〜ｔ１の所定の時間の間に異常
検出部の出力変化値を求め、設定された値と比較する。
例えばＢの場合にはその時の出力電圧がＥ１であり、ま
たＡが出力値Ｅ２であるとする。この値をあらかじめ設
定された値と比較し、所定値を越えておれば、例えば熱
暴走が発生したと判断され、その結果が表示部５に表示
され異常が判定される（ステップS9）。
また測定結果の出力においてこのような異常判断のみな
らず、被試験トランジスタ1aの温度や複数回の測定で得
られるデータをプリンタや記憶媒体に出力させたい場合
があるので、その時はステップS10において、これらの
データをプリンタに出力したりあるいは記憶媒体に記憶
させるようにする。
らず、被試験トランジスタ1aの温度や複数回の測定で得
られるデータをプリンタや記憶媒体に出力させたい場合
があるので、その時はステップS10において、これらの
データをプリンタに出力したりあるいは記憶媒体に記憶
させるようにする。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、複数の被試験ト
ランジスタと、それぞれに対応する基準トランジスタの
各組にバイアス電圧を印加する前と後のトランジスタの
ベース・エミッタ間の電圧を各組毎に比較し、その比較
結果に基づいて各被試験トランジスタの温度変化を検査
するようにしているので、簡単な構成により、被試験ト
ランジスタを破壊することなく、短時間で複数の被試験
トランジスタの異常などを検出することができるという
優れた効果がある。
ランジスタと、それぞれに対応する基準トランジスタの
各組にバイアス電圧を印加する前と後のトランジスタの
ベース・エミッタ間の電圧を各組毎に比較し、その比較
結果に基づいて各被試験トランジスタの温度変化を検査
するようにしているので、簡単な構成により、被試験ト
ランジスタを破壊することなく、短時間で複数の被試験
トランジスタの異常などを検出することができるという
優れた効果がある。
第１図は本発明に係る回路試験装置の全体構成を示すブ
ロック図、第２図は通電時間と異常検出部の出力の関係
を示す特性図、第３図は制御の流れを示すフローチャー
ト図である。 １……試験回路 1a……被試験トランジスタ ２……異常検出部、３……Ａ／Ｄ変換器 ４……マイクロコンピュータ ５……表示部、６……リレー駆動部 8,9……リレー
ロック図、第２図は通電時間と異常検出部の出力の関係
を示す特性図、第３図は制御の流れを示すフローチャー
ト図である。 １……試験回路 1a……被試験トランジスタ ２……異常検出部、３……Ａ／Ｄ変換器 ４……マイクロコンピュータ ５……表示部、６……リレー駆動部 8,9……リレー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 敏 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 真野 宏 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 高橋 一義 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 石川 正 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 小松 俊一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 三浦 誠 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 安達 秀喜 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 西川 博子 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭54−21147（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−83281（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】複数の被試験トランジスタ及びこれら複数
の被試験トランジスタにそれぞれ対応する基準トランジ
スタにバイアス電圧を印加するためのバイアス手段と、 前記各被試験トランジスタのベース・エミッタ間の電圧
を検出する第１の電圧検出手段と、 前記各基準トランジスタのベース・エミッタ間の電圧を
検出する第２の電圧検出手段と、 前記第１の電圧検出手段に検出された電圧と前記第２の
電圧検出手段に検出された電圧を比較すべく前記各被試
験トランジスタと各基準トランジスタの各組について設
けられた比較手段と、 前記比較手段からの比較結果を記憶する記憶手段と、 前記各被試験トランジスタと各基準トランジスタの各組
について、前記バイアス手段により前記被試験トランジ
スタ及び前記基準トランジスタにバイアス電圧を印加す
る前の前記比較手段からの比較結果を前記記憶手段に記
憶させ、さらに前記バイアス手段により前記被試験トラ
ンジスタ及び前記基準トランジスタにバイアス電圧を所
定時間印加した後の前記比較手段からの比較結果を前記
記憶手段に記憶させるべく前記各組の比較手段と前記記
憶手段の間に設けられた切り換え手段と、 前記記憶手段に記憶されたバイアス電圧を印加する前後
の各比較手段による比較結果を比較して前記各被試験ト
ランジスタの温度変化を検査する検査手段と、 を有することを特徴とするトランジスタ試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60100615A JPH0664117B2 (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | トランジスタ試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60100615A JPH0664117B2 (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | トランジスタ試験装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61259182A JPS61259182A (ja) | 1986-11-17 |
| JPH0664117B2 true JPH0664117B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=14278746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60100615A Expired - Fee Related JPH0664117B2 (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | トランジスタ試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664117B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4845953B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2011-12-28 | トヨタ自動車株式会社 | 動特性検査装置 |
-
1985
- 1985-05-14 JP JP60100615A patent/JPH0664117B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61259182A (ja) | 1986-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1046923B1 (en) | Apparatus for inspecting electric component for inverter circuit | |
| US4864242A (en) | Automatic field winding ground detector and locator | |
| JPH05217092A (ja) | しきい値決定装置及び方法 | |
| JPH06300797A (ja) | センサからアースへのコンダクタンス又はループ抵抗の一方の定量測定による自動化センサ診断方法及び装置 | |
| JPH04501613A (ja) | 排ガスセンサの加熱器とそのリード線系統の機能正常性を検査する方法及び装置 | |
| JP3725914B2 (ja) | サーマルヘッドの断線検出装置 | |
| JPH0664117B2 (ja) | トランジスタ試験装置 | |
| JPH0573157A (ja) | 電力素子通電回路の故障判別装置 | |
| US5568055A (en) | Adiabatic conductor analyzer method and system | |
| US4538106A (en) | Output transistor driver diagnostic system | |
| JPS61259180A (ja) | トランジスタ試験装置 | |
| JPH0124273B2 (ja) | ||
| CN117093029A (zh) | 用电设备的温升异常检测系统和温升异常检测方法 | |
| US2971697A (en) | Electrical measuring apparatus | |
| JP3178702B2 (ja) | ガス検出装置 | |
| JP2567862B2 (ja) | 抵抗値の測定方法 | |
| JPS6156804B2 (ja) | ||
| JPH0371230B2 (ja) | ||
| JPH09257848A (ja) | 電路の保守点検装置 | |
| JPH05126649A (ja) | 温度センサ識別用モジユ−ル | |
| KR100187813B1 (ko) | 리어 액슬 롤 내구성 시험장치 | |
| JP2886766B2 (ja) | 酸素センサの駆動装置 | |
| JPH08201125A (ja) | 測定装置 | |
| JPS63191657A (ja) | サ−マルヘツドの断線チエツク方法 | |
| JP2569487B2 (ja) | 電圧マージン試験装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |