JPH0664763B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0664763B2 JPH0664763B2 JP59150595A JP15059584A JPH0664763B2 JP H0664763 B2 JPH0664763 B2 JP H0664763B2 JP 59150595 A JP59150595 A JP 59150595A JP 15059584 A JP15059584 A JP 15059584A JP H0664763 B2 JPH0664763 B2 JP H0664763B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、レーザー光を用いて情報の記録再生消去をお
こなう光磁気記録媒体に関する。
こなう光磁気記録媒体に関する。
（従来技術とその問題点） 光ディスクメモリは高密度・大容量・高速アクセスが可
能であるということから、現在の磁気ディスクメモリに
代わる新規なメモリとして考えられている。中でも光磁
気記録媒体を用いた光磁気ディスクは書き替え性を有し
ていることから最も注目され、近年活発に研究開発がお
こなわれている。
能であるということから、現在の磁気ディスクメモリに
代わる新規なメモリとして考えられている。中でも光磁
気記録媒体を用いた光磁気ディスクは書き替え性を有し
ていることから最も注目され、近年活発に研究開発がお
こなわれている。
従来より知られている光磁気記録媒体の構成は、第１図
に示したように支持基板１としてガラスあるいは有機物
樹脂を用い、支持基板１上に基板に対して垂直方向に磁
化を有する垂直磁化膜から成る光磁気記録層２を形成し
たものである。光磁気記録層としてはMnBi,MnCuBi,MnTi
Bi,MnAlGe,PtCoなどの結晶体磁性薄膜、あるいはGd,Tb,
Dy,Hoなどの希土類とFe,Co,Niなどの遷移金属との合金
として得られるアモルファス磁性薄膜が知られている。
また、第２図に示したように、支持基板１に深さ６００
〜1000Å周期1.6〜2.5μｍの溝を同心円状もしくはうず
巻き状に形成し、前記支持基板１上に光磁気記録層２を
形成した媒体構成も知られている。ここで形成されてい
る溝は、記録媒体への情報の記録、あるいは再生・消去
に用いるレーザー集光ビームのトラッキングアクセスに
用いられるものである。また、第３図に示したように、
第２図と同様の支持基板１上に光磁気記録層のカー回転
角増幅用に誘電体などの干渉層３を設け、前記干渉層３
の上に光磁気記録層２を形成した媒体構成も知られてい
る。
に示したように支持基板１としてガラスあるいは有機物
樹脂を用い、支持基板１上に基板に対して垂直方向に磁
化を有する垂直磁化膜から成る光磁気記録層２を形成し
たものである。光磁気記録層としてはMnBi,MnCuBi,MnTi
Bi,MnAlGe,PtCoなどの結晶体磁性薄膜、あるいはGd,Tb,
Dy,Hoなどの希土類とFe,Co,Niなどの遷移金属との合金
として得られるアモルファス磁性薄膜が知られている。
また、第２図に示したように、支持基板１に深さ６００
〜1000Å周期1.6〜2.5μｍの溝を同心円状もしくはうず
巻き状に形成し、前記支持基板１上に光磁気記録層２を
形成した媒体構成も知られている。ここで形成されてい
る溝は、記録媒体への情報の記録、あるいは再生・消去
に用いるレーザー集光ビームのトラッキングアクセスに
用いられるものである。また、第３図に示したように、
第２図と同様の支持基板１上に光磁気記録層のカー回転
角増幅用に誘電体などの干渉層３を設け、前記干渉層３
の上に光磁気記録層２を形成した媒体構成も知られてい
る。
従来より知られている支持基板上への溝形成方法は、有
機物樹脂（たとえば、ポリメチルメタクリレート，ポリ
カーボネート、エポキシ）においては、金属金型を用い
たスタンパ成形法，インジェクション成型法が用いられ
る。また、ガラス基板を用いる場合には、第４図のよう
に、ガラス基板４上に設けたフォトレジストなどの有機
物層５により溝を形成する方法が用いられる。
機物樹脂（たとえば、ポリメチルメタクリレート，ポリ
カーボネート、エポキシ）においては、金属金型を用い
たスタンパ成形法，インジェクション成型法が用いられ
る。また、ガラス基板を用いる場合には、第４図のよう
に、ガラス基板４上に設けたフォトレジストなどの有機
物層５により溝を形成する方法が用いられる。
しかしながら溝が形成された有機物樹脂を基板として用
いた場合、基板の熱変形温度がポリメチルメタクリレー
トでは約８０℃、ポリカーボネートでは約１４０℃と低
いために、光磁気記録層として、多元の希土類遷移金属
合金アモルファス薄膜を形成するときに用いるＲＦスパ
ッタ成膜法は使用できないという欠点がある。すなわ
ち、ＲＦスパッタでは基板温度が２００℃近くまで上昇
するために成膜中に基板が変形してしまうのである。ま
た、他の成膜法によって光磁気記録層を形成したとして
も有機物樹脂基板は吸水性，通気性に富むために、水分
や大気に弱い光磁気記録層に対しては保護層になり得
ず、他に保護層が必要であるという欠点を持っている。
いた場合、基板の熱変形温度がポリメチルメタクリレー
トでは約８０℃、ポリカーボネートでは約１４０℃と低
いために、光磁気記録層として、多元の希土類遷移金属
合金アモルファス薄膜を形成するときに用いるＲＦスパ
ッタ成膜法は使用できないという欠点がある。すなわ
ち、ＲＦスパッタでは基板温度が２００℃近くまで上昇
するために成膜中に基板が変形してしまうのである。ま
た、他の成膜法によって光磁気記録層を形成したとして
も有機物樹脂基板は吸水性，通気性に富むために、水分
や大気に弱い光磁気記録層に対しては保護層になり得
ず、他に保護層が必要であるという欠点を持っている。
また、ガラス基板上に形成した有機物層による溝におい
ては、有機物樹脂の溝同様、光磁気記録層形成時の温度
上昇により変形すること、有機物層からの溶剤残留ガス
が光磁気記録層の特性劣化を早めるという欠点を有して
いる。
ては、有機物樹脂の溝同様、光磁気記録層形成時の温度
上昇により変形すること、有機物層からの溶剤残留ガス
が光磁気記録層の特性劣化を早めるという欠点を有して
いる。
（発明の目的） 本発明の目的は、このような従来の欠点を除去せしめ
て、光磁気記録層作成時の基板温度上昇に対して強く、
また光磁気記録層の経時変化を抑え、レーザー光集光ビ
ームのトラックアクセス用の溝を有しさらには光磁気記
録層の力一回転角増幅機能を持つ新規な光磁気記録媒体
を提供することにある。
て、光磁気記録層作成時の基板温度上昇に対して強く、
また光磁気記録層の経時変化を抑え、レーザー光集光ビ
ームのトラックアクセス用の溝を有しさらには光磁気記
録層の力一回転角増幅機能を持つ新規な光磁気記録媒体
を提供することにある。
（発明の構成） 本発明によれば、レーザー光を用いて情報の記録再生消
去をおこなう光磁気記録媒体において透明基板上に溝屈
折率材料による干渉層を設け、前記干渉層に同心円もし
くはうず巻き状の溝を形成し、さらに前記干渉層上に光
磁気記録層を設け、さらに前記光磁気記録層上に保護層
を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体が得られる。
去をおこなう光磁気記録媒体において透明基板上に溝屈
折率材料による干渉層を設け、前記干渉層に同心円もし
くはうず巻き状の溝を形成し、さらに前記干渉層上に光
磁気記録層を設け、さらに前記光磁気記録層上に保護層
を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体が得られる。
（構成の詳細な説明） 本発明は上述の構成をとることにより、従来技術の問題
点を解決した。まず、透明基板としてはガラスが望し
く、また耐熱性のある高屈折率材料による干渉層に溝を
形成していることにより、光磁気記録層作成時の基板温
度上昇に対して強い。また、干渉層として用いる材料は
基板よりも屈折率が大きく、干渉層上に設けた光磁気記
録層の力−回転角を増幅する機能を有する。第５図は本
発明に係る光磁気記録媒体の形成手順を示したものであ
る。まず、第５図(a)のように光学研摩されたガラス基
板６上に干渉層７を真空蒸着法あるいはスパッタリング
法により形成する。干渉層７としては、ガラス基板より
も屈折率の大きいSiO,CeO2,ZrO2,TiO2,Bi2O3,WO2,SnO2,
Sb2O3,Al2O3,MgO,ThO2,La2O3,In2O3,Nd2O3などの酸化
物、AlN,Si3N4などの窒化物、ZnS,Sb2S3,CdSなどの硫化
物、ThF4,MgF2,LaF3,NdF3,CeF3,PbF2などのフッ化物、S
i,Geなどの半導体が使用される。次に、第５図(b)のよ
うに、干渉層７上にフォトレジスト８をスピン塗布す
る。つづいて、第５図(c)のように、レーザー光９によ
る直接露光あるいはフォトマスクを用いた一活露光をお
こない、現像処理後、第５図(d)のようなフォトレジス
トパターンを形成する。次に、Arイオンミリング法ある
いは反応性エッチング法によって干渉層７に第５図(e)
のような溝を形成し、つづいてＯ2ガス灰化処理により
フォトレジスト８を除去する（第５図(f)）。このあ
と、連続の真空蒸着あるいは、スパッタリングにより光
磁気記録層１０、保護層１１を形成する。（第５図
(g)）光磁気記録層１０としては既知のMnBi,MnCuBi,MnT
iBi,MnAlGe,PtCoなどの結晶性磁性薄膜、あるいはGd,T
b,Gy,Hoなどの希土類とFe,Co,Niなどの遷移金属との合
金として得られるアモルファス磁性薄膜が用いられ、１
０〜２００nmの膜厚に形成される。保護層１１は光磁気
記録層１０の保護のために積層されるものであり、たと
えばSiO2,SiO,Al2O3,ZrO2,TiO2,MgF2あるいはSiなどが
使用できる。
点を解決した。まず、透明基板としてはガラスが望し
く、また耐熱性のある高屈折率材料による干渉層に溝を
形成していることにより、光磁気記録層作成時の基板温
度上昇に対して強い。また、干渉層として用いる材料は
基板よりも屈折率が大きく、干渉層上に設けた光磁気記
録層の力−回転角を増幅する機能を有する。第５図は本
発明に係る光磁気記録媒体の形成手順を示したものであ
る。まず、第５図(a)のように光学研摩されたガラス基
板６上に干渉層７を真空蒸着法あるいはスパッタリング
法により形成する。干渉層７としては、ガラス基板より
も屈折率の大きいSiO,CeO2,ZrO2,TiO2,Bi2O3,WO2,SnO2,
Sb2O3,Al2O3,MgO,ThO2,La2O3,In2O3,Nd2O3などの酸化
物、AlN,Si3N4などの窒化物、ZnS,Sb2S3,CdSなどの硫化
物、ThF4,MgF2,LaF3,NdF3,CeF3,PbF2などのフッ化物、S
i,Geなどの半導体が使用される。次に、第５図(b)のよ
うに、干渉層７上にフォトレジスト８をスピン塗布す
る。つづいて、第５図(c)のように、レーザー光９によ
る直接露光あるいはフォトマスクを用いた一活露光をお
こない、現像処理後、第５図(d)のようなフォトレジス
トパターンを形成する。次に、Arイオンミリング法ある
いは反応性エッチング法によって干渉層７に第５図(e)
のような溝を形成し、つづいてＯ2ガス灰化処理により
フォトレジスト８を除去する（第５図(f)）。このあ
と、連続の真空蒸着あるいは、スパッタリングにより光
磁気記録層１０、保護層１１を形成する。（第５図
(g)）光磁気記録層１０としては既知のMnBi,MnCuBi,MnT
iBi,MnAlGe,PtCoなどの結晶性磁性薄膜、あるいはGd,T
b,Gy,Hoなどの希土類とFe,Co,Niなどの遷移金属との合
金として得られるアモルファス磁性薄膜が用いられ、１
０〜２００nmの膜厚に形成される。保護層１１は光磁気
記録層１０の保護のために積層されるものであり、たと
えばSiO2,SiO,Al2O3,ZrO2,TiO2,MgF2あるいはSiなどが
使用できる。
干渉層７に形成される溝の形状は、レジスト露光、現像
条件やArイオンミリング法あるいは反応性エッチング法
の条件設定により任意に決定できるが、溝深さは干渉層
の屈折率をｎとしたときλ／8nを満たすように選ばれ
る。ここでλはレーザー光の波長である。また、溝幅は
0.8〜1.5μｍ、溝ピッチは1.6〜2.5μｍに選ばれる。
条件やArイオンミリング法あるいは反応性エッチング法
の条件設定により任意に決定できるが、溝深さは干渉層
の屈折率をｎとしたときλ／8nを満たすように選ばれ
る。ここでλはレーザー光の波長である。また、溝幅は
0.8〜1.5μｍ、溝ピッチは1.6〜2.5μｍに選ばれる。
また、記録領域における干渉層の膜厚は光磁気記録層の
カー回転角を増幅できるように最適化される。
カー回転角を増幅できるように最適化される。
（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。第６図は本発明の適用された光磁気記録媒体の断面
図である。第６図において６はガラス基板、７はSiから
成る干渉層、１０はTbFeから成る光磁気記録層、１１は
Siから成る保護層である。第６図に示した光磁気記録媒
体は次の手順によって形成された。まず、厚さ1.2mm、
直径１２０mmの光学研磨されたガラス基板ディスク上に
高周波スパッタ法によりSiを750Å形成した。次にフォ
トレジストをSi形成後のディスク全面に1500Åの厚さで
スピン塗布しブリベーク後、Arレーザーカッティングシ
ステムを用いてうず巻状の溝パターンを直接露光した。
このときの溝幅は1.6μｍ、溝のピッチは2.5μｍとし
た。つづいてレジスト現像液を用いて現像後、ポストベ
ークをおこなった。
る。第６図は本発明の適用された光磁気記録媒体の断面
図である。第６図において６はガラス基板、７はSiから
成る干渉層、１０はTbFeから成る光磁気記録層、１１は
Siから成る保護層である。第６図に示した光磁気記録媒
体は次の手順によって形成された。まず、厚さ1.2mm、
直径１２０mmの光学研磨されたガラス基板ディスク上に
高周波スパッタ法によりSiを750Å形成した。次にフォ
トレジストをSi形成後のディスク全面に1500Åの厚さで
スピン塗布しブリベーク後、Arレーザーカッティングシ
ステムを用いてうず巻状の溝パターンを直接露光した。
このときの溝幅は1.6μｍ、溝のピッチは2.5μｍとし
た。つづいてレジスト現像液を用いて現像後、ポストベ
ークをおこなった。
次にArイオンエッチング法を用いてレジストをマスクと
してSiを３５０Åエッチングした。
してSiを３５０Åエッチングした。
つづいて、ディスクをＯ2ガスプラズマアッシャーに入
れ、レジストの剥離をおこなったのち、再びディスクを
高周波スパッタ装置に入れ、５×１０-7Torr以下に排気
したあと、複合ターゲットを用いた高周波スパッタ法に
よりTbFe膜をSi上に1500Å成し、真空を破らずにつづけ
て高周波スパッタ法によりSi膜を2000Å形成した。
れ、レジストの剥離をおこなったのち、再びディスクを
高周波スパッタ装置に入れ、５×１０-7Torr以下に排気
したあと、複合ターゲットを用いた高周波スパッタ法に
よりTbFe膜をSi上に1500Å成し、真空を破らずにつづけ
て高周波スパッタ法によりSi膜を2000Å形成した。
作成した光磁気記録媒体の記録再生特性は、光磁気記録
再生装置によって測定された。Si上に形成された溝から
は良好なトラッキング信号が得られ、また、Si層が干渉
層であることから、光磁気記録層の力−回転角は３〜４
倍に増幅され良好な記録再生特性が得られた。
再生装置によって測定された。Si上に形成された溝から
は良好なトラッキング信号が得られ、また、Si層が干渉
層であることから、光磁気記録層の力−回転角は３〜４
倍に増幅され良好な記録再生特性が得られた。
本発明の適用された他の実施例として第６図の干渉層７
と保護層１１としてAlNを用いた光磁気記録媒体を作成
した。まず、厚さ1.2mm、直径１２０mmの光学研磨され
たガラス基板ディスク上に高周波スパッタ法によってAl
Nを1270Å形成した。次に前記レジストパターン形成方
法と同一手法により、レジストパターンを作成した。つ
づいて反応性プラズマエッチング法を用いてレジストパ
ターンをマスクとしてAlNを470Åエッチングした。エッ
チングガスとしてCCl4＋Ｎ2混合ガスを使用した。
と保護層１１としてAlNを用いた光磁気記録媒体を作成
した。まず、厚さ1.2mm、直径１２０mmの光学研磨され
たガラス基板ディスク上に高周波スパッタ法によってAl
Nを1270Å形成した。次に前記レジストパターン形成方
法と同一手法により、レジストパターンを作成した。つ
づいて反応性プラズマエッチング法を用いてレジストパ
ターンをマスクとしてAlNを470Åエッチングした。エッ
チングガスとしてCCl4＋Ｎ2混合ガスを使用した。
つづいてＯ2ガスプラズマアッシャーを用いてレジスト
を剥離したのち、再びディスクを高周波スパッタ装置に
入れ、５×１０-7Torr以下に排気し、まず、AlN膜上に
複合ターゲットを用いてTbFe膜を1500Å形成し、つづけ
てAlN膜を2000Å形成した。
を剥離したのち、再びディスクを高周波スパッタ装置に
入れ、５×１０-7Torr以下に排気し、まず、AlN膜上に
複合ターゲットを用いてTbFe膜を1500Å形成し、つづけ
てAlN膜を2000Å形成した。
以上の手順によって作成した光磁気記録媒体は前記実施
例と同様良好なトラッキング特性、記録再生特性を示し
た。
例と同様良好なトラッキング特性、記録再生特性を示し
た。
（発明の効果） 以上、説明したように本発明によれば従来例と比較して
次のような効果がある。
次のような効果がある。
また耐熱性のある高屈折率材料からなる干渉層に溝を
形成しているので、光磁気記録層成膜時の温度上昇に対
して強く、光磁気記録層成膜方法の自由度が増す。
形成しているので、光磁気記録層成膜時の温度上昇に対
して強く、光磁気記録層成膜方法の自由度が増す。
基板上に形成した高屈折材料は屈折率が基板材料に比
べて高いことから、基板側からレーザー光を入射する方
式において有効な干渉層になる。レーザ光アクセス領域
のこの干渉層の膜厚を最適化することにより、干渉層の
ない場合に比べて３〜４倍の力−回転角増幅効果が得ら
れ、信号再生Ｓ／Ｎが向上する。また記録感度も向上す
る。
べて高いことから、基板側からレーザー光を入射する方
式において有効な干渉層になる。レーザ光アクセス領域
のこの干渉層の膜厚を最適化することにより、干渉層の
ない場合に比べて３〜４倍の力−回転角増幅効果が得ら
れ、信号再生Ｓ／Ｎが向上する。また記録感度も向上す
る。
基板、干渉層ともに気密性があり、水分も通さないこ
とから基板側から光磁気記録層が劣化することがない。
とから基板側から光磁気記録層が劣化することがない。
このように本発明に係る光磁気記録媒体は成膜時の自由
度、記録再生特性に優れ、さらには耐候性に優れてい
る。
度、記録再生特性に優れ、さらには耐候性に優れてい
る。
第１図，第２図，第３図は、従来の光磁気記録媒体の断
面図、第４図は従来の光磁気記録媒体の溝形成時の断面
図、第５図は、本発明の係る光磁気記録媒体の形成手順
を示した断面図、第６図は本発明の一実施例の断面図で
ある。 図中１，４，６…基板、２，１０…光磁気記録層、３…
干渉層、５…有機物層、７…干渉層、８…フォトレジス
ト、９…レーザー光、１１…保護層である。
面図、第４図は従来の光磁気記録媒体の溝形成時の断面
図、第５図は、本発明の係る光磁気記録媒体の形成手順
を示した断面図、第６図は本発明の一実施例の断面図で
ある。 図中１，４，６…基板、２，１０…光磁気記録層、３…
干渉層、５…有機物層、７…干渉層、８…フォトレジス
ト、９…レーザー光、１１…保護層である。
Claims (2)
- 【請求項１】レーザー光を用いて情報の記録再生消去を
おこなう光磁気記録媒体において平坦な透明基板上に高
屈折率材料からなる干渉層が設けられ、この干渉層に同
心円もしくはうず巻き状の溝が形成され、さらに、この
干渉層上に光磁気記録層、保護層がこの順に設けられて
いることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】透明基板はガラスであり、高屈折率材料は
前記ガラス基板材料より屈折率の大きい材料である特許
請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59150595A JPH0664763B2 (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59150595A JPH0664763B2 (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129439A JPS6129439A (ja) | 1986-02-10 |
| JPH0664763B2 true JPH0664763B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=15500313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59150595A Expired - Fee Related JPH0664763B2 (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664763B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07122940B2 (ja) * | 1985-01-14 | 1995-12-25 | 株式会社リコー | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2506935B2 (ja) * | 1988-05-16 | 1996-06-12 | 三菱化学株式会社 | 光磁気記録媒体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60175228A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-09 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気デイスク用基板 |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP59150595A patent/JPH0664763B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6129439A (ja) | 1986-02-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |