JPH0666471B2 - Thin film transistor - Google Patents
Thin film transistorInfo
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- JPH0666471B2 JPH0666471B2 JP60085233A JP8523385A JPH0666471B2 JP H0666471 B2 JPH0666471 B2 JP H0666471B2 JP 60085233 A JP60085233 A JP 60085233A JP 8523385 A JP8523385 A JP 8523385A JP H0666471 B2 JPH0666471 B2 JP H0666471B2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
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- Liquid Crystal (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は薄膜トランジスタ、特にその遮光層に関す
る。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a thin film transistor, and particularly to a light shielding layer thereof.
（従来の技術） 薄膜トランジスタは主として液晶表示パネルのアクティ
ブマトリックス用のスイッチング素子として用いられて
いる。この薄膜トランジスタ（以下TFTと称する場合が
る）は、一般にはその能動層をアモルファスシリコン
（以下ａ−Siと称する場合がある）で形成している。(Prior Art) A thin film transistor is mainly used as a switching element for an active matrix of a liquid crystal display panel. In this thin film transistor (hereinafter sometimes referred to as TFT), its active layer is generally formed of amorphous silicon (hereinafter sometimes referred to as a-Si).
液晶表示パネル透過型で用いられる場合が多く、そのた
め外光がａ−SiTFTを照射する。ａ−SiTFTは強い光を受
けると、そのオフ抵抗が小さくなるため、このスイッチ
ング素子で液晶駆動する場合、コントラスト比が低下し
てしまうという問題があった。It is often used in a liquid crystal display panel transmission type, and therefore external light illuminates the a-Si TFT. When the a-Si TFT receives strong light, its off resistance becomes small, so that when the liquid crystal is driven by this switching element, there is a problem that the contrast ratio is lowered.
従来は、この問題の解決を図るため、文献「ジャパン
ディスプレイ（JAPAN DISPLAY）」'83（社団法人 デレ
ビジョン学会（ITEJ）共催の講演予稿集）に開示されて
いるように、ａ−SiTFTのチャンネル上に光シールド用
の遮光層を設けた構造の薄膜トランジスタが提案されて
いる。In the past, in order to solve this problem, the literature "Japan
Thin film transistor having a structure in which a light-shielding layer for light shielding is provided on the channel of an a-Si TFT, as disclosed in Japan Display ('83) Is proposed.
第７図はこのようなアモルファスシリコン薄膜トランジ
スタを含む液晶表示パネルの一画素の要部を概略的に示
す断面図であり、70はａ−SiTFT、71はガラス基板、72
はこのガラス基板71上に設けたゲート電極、73はゲート
電極72を覆うようにガラス基板71上に設けた例えばSiO2
のようなゲート絶縁膜、74は能動層であるａ−Si層、75
はソース及びドレイン電極との電気的接触を良好にする
ための低抵抗層であるn+型ａ−Si層、76及び77はソース
電極及びドレイン電極である。FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a main part of one pixel of a liquid crystal display panel including such an amorphous silicon thin film transistor. 70 is an a-Si TFT, 71 is a glass substrate, and 72 is a glass substrate.
Is a gate electrode provided on the glass substrate 71, and 73 is, for example, SiO 2 provided on the glass substrate 71 so as to cover the gate electrode 72.
, A gate insulating film such as 74, an a-Si layer 74 which is an active layer, 75
Is an n + -type a-Si layer which is a low resistance layer for making good electrical contact with the source and drain electrodes, and 76 and 77 are source and drain electrodes.
さらに、78はチャンネル上に設けた遮光層であり、この
従来の薄膜トランジスタの遮光層78は金属層で形成して
いるので、ソース及びドレイン電極76及び77上に絶縁性
のパッシベーション層79を設けた後に、この遮光層を設
け、その上にこれを保護する目的で再度パッシベーショ
ン層79を積層している。尚、80はアース電極、81は表示
電極、82は例えばSiO2のような保護層であり、パッシベ
ーション層79及び保護層82の上側に液晶層、共通電極を
具えたガラス基板及びその他の液晶表示パネルに必要な
構成成分（それぞれ図示を省略してある）が設けられて
いる。Further, 78 is a light shielding layer provided on the channel, and since the light shielding layer 78 of this conventional thin film transistor is formed of a metal layer, an insulating passivation layer 79 is provided on the source and drain electrodes 76 and 77. After that, the light shielding layer is provided, and the passivation layer 79 is laminated again on the light shielding layer for the purpose of protecting the light shielding layer. Incidentally, 80 is a ground electrode, 81 is a display electrode, 82 is a protective layer such as SiO 2 , and a liquid crystal layer is provided above the passivation layer 79 and the protective layer 82, a glass substrate having a common electrode and other liquid crystal displays. The panel is provided with the necessary components (each not shown).
この薄膜トランジスタに液晶層側から外光83を照射して
も、上述した遮光層78が外光をさえぎり、このためチャ
ンネルには外光が当らないため、上述の文献によれば、
３×105ルクス（Lx）の光照射の下でも、暗中と同じコ
ントラスト比が達成されたと報告されている。Even when the thin film transistor is irradiated with the external light 83 from the liquid crystal layer side, the above-described light shielding layer 78 blocks the external light, and therefore the channel is not exposed to the external light.
It was reported that the same contrast ratio as in the dark was achieved even under irradiation with light of 3 × 10 5 lux (Lx).
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述した従来構造のａ−SiTFTでは遮光
層を金属材料で形成している。これがため、ソース及び
ドレイン電極間の短絡を防ぎかつ遮光層を保護するため
に二回の工程によりパッシベーション層を形成しなけれ
ばならず、さらには、遮光層の蒸着、パターニング等の
工程が必要となる。このように、従来の薄膜トランジス
タはその製造に当り、工程が複雑となるという欠点があ
った。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the above-described conventional a-Si TFT, the light-shielding layer is formed of a metal material. Therefore, it is necessary to form the passivation layer in two steps in order to prevent a short circuit between the source and drain electrodes and protect the light shielding layer, and further, a step such as vapor deposition and patterning of the light shielding layer is required. Become. As described above, the conventional thin film transistor has a drawback that the manufacturing process is complicated.
この発明の目的は、従来の遮光特性を劣化することな
く、製造工程を簡略化することが出来る構造の薄膜トラ
ンジスタを提供することにある。An object of the present invention is to provide a thin film transistor having a structure capable of simplifying the manufacturing process without deteriorating the conventional light shielding characteristics.
（問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明の薄膜トランジス
タによれば、遮光膜を非晶質炭素薄膜で形成する。(Means for Solving Problems) In order to achieve this object, according to the thin film transistor of the present invention, the light shielding film is formed of an amorphous carbon thin film.
この場合、この非晶質炭素薄膜の光学的バンドギャップ
を0eVの場合を含む1.0eV以下の値とするのが好適であ
る。In this case, it is preferable that the optical bandgap of this amorphous carbon thin film is set to a value of 1.0 eV or less including the case of 0 eV.
さらに、この非晶質炭素薄膜は、原料である炭化水素ガ
ス（CnHm）（但し、n,mは正の整数）に対してB2H6を流
量比で100〜10000ppm添加して成膜した薄膜とするのが
好適であり、特にこの流量比を1000〜3000ppmとするの
が良い。Further, this amorphous carbon thin film was formed by adding B 2 H 6 at a flow rate ratio of 100 to 10000 ppm to a raw material hydrocarbon gas (CnHm) (where n and m are positive integers). A thin film is preferable, and particularly, the flow rate ratio is preferably 1000 to 3000 ppm.
（作用） この発明の遮光層として用いるアモルファス炭素（ａ−
Ｃ）薄膜は成膜条件によってその物性が大きく変化する
ことが知られている。そこで、この出願に係る発明者等
はａ−Ｃ薄膜の光学的バンドギャップ、暗導電率等の物
性を調べた。この場合のａ−Ｃ薄膜はアセチレンガス
（C2H2）を原料とし、その成膜条件は水素ガスで10％に
希釈されたアセチレンガスを80cc／minの流量で通常
の、電極径が90mmのプラズマCVD装置に導入し、基板温
度を200℃とし、周波数13.56MHzで10〜160WのRF電力で
成膜して得たものである。(Function) Amorphous carbon (a-
It is known that the physical properties of the thin film C) greatly change depending on the film forming conditions. Therefore, the inventors of the present application investigated the physical properties of the aC thin film, such as the optical band gap and dark conductivity. In this case, the aC thin film is made of acetylene gas (C 2 H 2 ) as a raw material, and the film forming condition is that the acetylene gas diluted with hydrogen gas to 10% has a normal electrode diameter of 90 mm at a flow rate of 80 cc / min. It was introduced into the plasma CVD apparatus of the above, the substrate temperature was set to 200 ° C., and the film was obtained by RF power of 10 to 160 W at a frequency of 13.56 MHz.
第４図は上述した成膜条件で得られたａ−Ｃ薄膜の光学
的バンドギャップ（Eg）（曲線Ｉで示す）及び成膜速度
（Å／sec）（曲線IIで示す）のRF電力依存特性を示す
曲線図、第５図は暗導電率（Ｉ／Ωcm）のRF電極依存特
性を示す曲線図、第６図は上述した成膜条件で原料ガス
にB2H6を添加した時のａ−Ｃ成膜のドーピング特性を示
す曲線図である。FIG. 4 shows the RF power dependence of the optical bandgap (Eg) (shown by curve I) and the deposition rate (Å / sec) (shown by curve II) of the aC thin film obtained under the above-mentioned film forming conditions. FIG. 5 is a curve diagram showing the characteristics, FIG. 5 is a curve diagram showing the dependence of dark conductivity (I / Ωcm) on the RF electrode, and FIG. 6 is a graph when B 2 H 6 was added to the source gas under the above-mentioned film forming conditions. It is a curve figure which shows the doping characteristic of aC film-forming.
この実験結果から理解出来るように、RF電力を160Wとし
て作製したａ−Ｃ薄膜は、光学的エネルギーギャップ
（Eg）は約0.8eVであり（第４図）、760nmでの吸収係数
は4.0×104cm-1となり、それ以下の波長に対して吸収係
数は急激に増加するので、遮光効果が増大する。As can be understood from the results of this experiment, the aC thin film produced with RF power of 160 W has an optical energy gap (Eg) of about 0.8 eV (Fig. 4) and an absorption coefficient of 4.0 × 10 at 760 nm. It becomes 4 cm -1 , and the absorption coefficient sharply increases for wavelengths shorter than that, and the light-shielding effect increases.
また、RF電力を160Wとして作製したこのａ−Ｃ薄膜の暗
導電率は３×10-9／Ωcmであり、例えば光出力が300mW
／cm2の白色光をこの薄膜に照射した場合でも、光伝導
は観測されなかった。従って、この薄膜は高抵抗であ
り、リーク電流が流れる恐れがない。The dark conductivity of this aC thin film produced with RF power of 160 W is 3 × 10 -9 / Ωcm, and the optical output is 300 mW, for example.
No photoconduction was observed when this film was irradiated with white light of / cm 2 . Therefore, this thin film has a high resistance and there is no risk of leakage current flowing.
また、第６図に示すように、この条件で成膜するとき、
B2H6をC2H2に対し流量比すなわちガス組成比で1000ppm
程度添加すると、暗導電率はB2H6を添加しない場合に比
べてさらに１／５程度の６×10-10／Ωcm程度の値とな
る。Further, as shown in FIG. 6, when the film is formed under these conditions,
Flow rate ratio of B 2 H 6 to C 2 H 2 or gas composition ratio of 1000ppm
When added approximately, the dark conductivity becomes a value of about 6 × 10 −10 / Ωcm, which is about ⅕ that of the case where B 2 H 6 is not added.
また、上述した条件で成膜されたａ−Ｃ薄膜はヌープ硬
度で1700Kpa／mm2程度の非常に硬い膜であり、かつ、耐
酸性及び耐アルカリ性に優れていることが分った。Further, it has been found that the aC thin film formed under the above-mentioned conditions is a very hard film having a Knoop hardness of about 1700 Kpa / mm 2 , and is excellent in acid resistance and alkali resistance.
以上のａ−Ｃ薄膜の物性から、このａ−Ｃ薄膜は薄膜ト
ランジスタの遮光層として用いて好適であることが理解
出来る。From the above physical properties of the aC thin film, it can be understood that the aC thin film is suitable for use as a light shielding layer of a thin film transistor.
従って、このａ−Ｃ薄膜を遮光層として形成する場合に
は、フォトリソ、エッチング等の工程を必要とせずに、
同一プラズマCVD装置でａ−Ｃ薄膜及びパッシベーショ
ン層を一工程で連続形成出来、またａ−Ｃ薄膜が高抵抗
であるので場合によってはパッシベーション層を省略す
ることも出来る。Therefore, when this aC thin film is formed as a light-shielding layer, steps such as photolithography and etching are not required,
The a-C thin film and the passivation layer can be continuously formed in one step with the same plasma CVD apparatus, and the passivation layer can be omitted in some cases because the a-C thin film has a high resistance.
（実施例） 以下、図面を参照して、この発明の実施例について説明
する。尚、これら図は液晶表示パネルの一画素部分の要
部を構成する、主としてスイッチング素子としての薄膜
トランジスタを概略的に示す断面図であり、第７図に示
した構成成分と同一の構成成分には同一の符合を付して
示し、その詳細な説明を省略する。また、断面を示すハ
ッチング等は一部分を除き省略する。Embodiments Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Incidentally, these figures are cross-sectional views schematically showing a thin film transistor mainly as a switching element, which constitutes a main part of one pixel portion of the liquid crystal display panel, and the same components as those shown in FIG. The same reference numerals are given and the detailed description thereof is omitted. Also, hatching and the like showing the cross section are omitted except for a part.
第一実施例 第１図はこの発明の薄膜トランジスタの一実施例を示
す。First Embodiment FIG. 1 shows an embodiment of the thin film transistor of the present invention.
10はこの発明の薄膜トランジスタでこの場合には能動層
74をａ−Siで形成したａ−SiTFTとする。この実施例で
は、ソース及びドレイン電極76及び77の形成後、通常の
パッシベーション層79をａ−SiOxまたはａ−SiNx等で形
成し、然る後、ａ−Ｃ遮光層12を被着形成した構造とな
っている。10 is the thin film transistor of the present invention, in this case the active layer
74 is an a-Si TFT formed of a-Si. In this embodiment, after the source and drain electrodes 76 and 77 are formed, a normal passivation layer 79 is formed of a-SiOx or a-SiNx or the like, and then the a-C light-shielding layer 12 is deposited. Has become.
この構造では、パッシベーション膜79及び遮光層12をプ
ラズマCVD法により形成するとすれば、パッシベーショ
ン層79と遮光層12とを、同一のプラズマCVD装置におい
て原料ガスを変えるだけで一工程で成長させることが出
来る。例えばパッシベーション層79をａ−SiOxとした場
合には、原料ガスをSiHx＋N2OからC2H2＋H2に変えるだ
けで遮光層12をパッシベーション層79上に一工程で連続
して形成することが出来る。これらの層の形成後、表示
電極81上の不要部分をプラズマエッチングにより除去す
れば良い。In this structure, if the passivation film 79 and the light shielding layer 12 are formed by the plasma CVD method, the passivation layer 79 and the light shielding layer 12 can be grown in one step by changing the source gas in the same plasma CVD apparatus. I can. For example, when the passivation layer 79 is a-SiOx, the light shielding layer 12 can be continuously formed in one step on the passivation layer 79 by only changing the source gas from SiHx + N 2 O to C 2 H 2 + H 2. I can. After forming these layers, unnecessary portions on the display electrode 81 may be removed by plasma etching.
また、10W程度の低電力で作製したａ−Ｃ層でも、第５
図からも明らかなように、５×10-14／Ωcmと高抵抗で
あるので、この構造において、パッシベーション層79を
低電力で作製したａ−Ｃ層で形成する場合には、原料ガ
スの切換えを行わずにパッシベーション層79と遮光層12
とを一工程で連続形成することが出来、ソース電極及び
ドレイン電極間でリーク電流が流れる恐れもない。In addition, even in the aC layer manufactured with low power of about 10 W,
As is clear from the figure, since the resistance is as high as 5 × 10 −14 / Ωcm, in this structure, when the passivation layer 79 is formed by the aC layer manufactured with low power, the source gas is switched. Without the passivation layer 79 and the light shielding layer 12
Can be continuously formed in one step, and there is no fear that a leak current will flow between the source electrode and the drain electrode.
この構造によれば、従来のように遮光層のための金属層
の蒸着、フォトリソ工程及びパッシベーション層の再度
の形成等の工程が不要となり、従って製造工程が非常に
簡単となる。According to this structure, the steps of vapor deposition of the metal layer for the light-shielding layer, the photolithography step, the formation of the passivation layer again, and the like, which are required in the related art, are unnecessary, and thus the manufacturing steps are very simple.
第二実施例 第２図はこの発明の薄膜トランジスタの第二実施例を示
す断面図である。この実施例では、パッシベーション層
を設けずに遮光層12を設け、この遮光層12にパッシベー
ション層の役割をもたせた構造となっている他は第１図
に示した構造と変わらない。この場合、例えば、ａ−Ｃ
遮光層を160WのRF電力で１μｍの膜厚として作製したと
し、また、薄膜トランジスタ10のゲート長が10μｍ及び
ゲート幅が100μｍであるとすると、ａ−Ｃ遮光層12を
通して流れるリーク電流はVDS＝10Vで３×10-11Aとな
り、液晶駆動の場合必要とされるオフ電流レベル（0.1n
A）より１桁程度小さい値であるので問題とならない。Second Embodiment FIG. 2 is a sectional view showing a second embodiment of the thin film transistor of the invention. This embodiment is the same as the structure shown in FIG. 1 except that the light shielding layer 12 is provided without providing the passivation layer, and the light shielding layer 12 serves as a passivation layer. In this case, for example, aC
Assuming that the light-shielding layer is formed to have a film thickness of 1 μm with an RF power of 160 W, and the thin film transistor 10 has a gate length of 10 μm and a gate width of 100 μm, the leak current flowing through the aC light-shielding layer 12 is V DS = It becomes 3 × 10 -11 A at 10 V, which is the off-current level (0.1 n
There is no problem because it is about one digit smaller than A).
このリーク電流をさらに少なくするためには、第６図に
示すように、ａ−Ｃ成膜時にB2H6を添加すれば良いこと
が分る。すなわち、第６図は横軸に流量比としての組成
比をPH3／C2H2（ｎ型）とB2H6／C2H2（ｐ型）とにつき
取って示し、縦軸に暗導電率を取って示した図である。
この図から、B2H6の添加量をC2H2に対して流量比で100
〜10000ppmの範囲内とすれば高抵抗であり、パッシベー
ション層を兼ねた遮光層として利用出来、特にこの流量
比を1000〜3000ppmとすると、暗導電率が〜10-10Ωcmと
なり、その時のリーク電流は６×10-12A程度以下と小さ
くなり好適である。In order to further reduce this leak current, as shown in FIG. 6 , it is necessary to add B 2 H 6 at the time of aC film formation. That is, FIG. 6 shows the composition ratio as a flow rate ratio on the horizontal axis for PH 3 / C 2 H 2 (n type) and B 2 H 6 / C 2 H 2 (p type), and on the vertical axis. It is the figure which took and showed dark conductivity.
From this figure, the addition amount of B 2 H 6 to C 2 H 2 is 100
It has a high resistance in the range of ~ 10000ppm and can be used as a light-shielding layer that also serves as a passivation layer.In particular, when this flow rate ratio is 1000-3000ppm, the dark conductivity is ~ 10 -10 Ωcm, and the leak current at that time is Is as small as about 6 × 10 -12 A or less, which is preferable.
この第二実施例の構造においては、パッシベーション層
を成膜する工程を省略出来るので、工程が簡単となる。In the structure of the second embodiment, the step of forming the passivation layer can be omitted, so that the steps are simplified.
第三実施例 第３図はスタガー型ａ−SiTFTにａ−Ｃ遮光層12を設け
た実施例を示す。この場合には、遮光層12をガラス基板
上に設けた構造となっているが、上述した各実施例と同
様の効果を得ることが出来る。Third Embodiment FIG. 3 shows an embodiment in which an aC light-shielding layer 12 is provided on a stagger type a-Si TFT. In this case, the light-shielding layer 12 is provided on the glass substrate, but the same effects as those of the above-described embodiments can be obtained.
この発明は上述した実施例にのみ限定されるものではな
いこと明らかである。例えば上述の各実施例では能動層
をａ−Si層としたが、ａ−Siと、窒素、酸素、炭素、ゲ
ルマニウム等から選らばれた一種以上との化合物で形成
しても良いし、マイクロクリスタルSiを用いても良い。Obviously, the invention is not limited to the embodiments described above. For example, although the active layer is an a-Si layer in each of the above-mentioned embodiments, it may be formed of a compound of a-Si and one or more kinds selected from nitrogen, oxygen, carbon, germanium, etc., or a microcrystal. You may use Si.
また、遮光特性をもたせるため、ａ−Ｃ薄膜の光学的バ
ンドギャップは1.0eV以下であれば良く、0eVであっても
良い。Further, in order to have a light-shielding property, the optical band gap of the aC thin film may be 1.0 eV or less, and may be 0 eV.
ａ−Ｃ薄膜の形成に原料ガスとしてC2H2を例にとって説
明したが、ａ−Ｃ膜が形成出来る炭化水素（CnHm、但し
n,mともに正の整数）であれば良い。Although C 2 H 2 was used as an example of the raw material gas for forming the aC thin film, hydrocarbons (CnHm,
Both n and m are positive integers).
さらに、この薄膜トランジスタは液晶表示パネル以外の
ディバイスに用いられるものであっても良く、また、遮
光層を具える構造のものであれば、他の部分の構成は問
わずこの発明を適用することが出来る。Furthermore, this thin film transistor may be used in devices other than liquid crystal display panels, and as long as it has a structure including a light shielding layer, the present invention can be applied regardless of the structure of other parts. I can.
（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明の薄膜ト
ランジスタによれば、ａ−Ｃ薄膜を遮光層として使用す
るのであるから、フォトリソ、エッチング工程が必要と
ならず、従来の金属遮光層を具える薄膜トランジスタの
場合に比べて薄膜トランジスタの製造工程が簡単かつ容
易となる。(Effects of the Invention) As is clear from the above description, according to the thin film transistor of the present invention, since the aC thin film is used as the light shielding layer, the photolithography and etching steps are not required, and the conventional metal The manufacturing process of the thin film transistor is simpler and easier than the case of the thin film transistor including the light shielding layer.
さらに、ａ−Ｃ薄膜を高抵抗層として形成することが出
来、しかも、硬度、耐酸性及び耐アルカリ性等も優れて
いるので、遮光のみならず、パッシベーション層として
の役割を兼用させることが出来、従って、所要に応じて
従来のパッシベーション膜を省略することも出来、工程
が簡単となる。Furthermore, since the aC thin film can be formed as a high resistance layer and is excellent in hardness, acid resistance and alkali resistance, it can be used not only as a light shield but also as a passivation layer. Therefore, the conventional passivation film can be omitted if necessary, and the process is simplified.
第１図〜第３図はこの発明の薄膜トランジスタの実施例
を説明するための、液晶表示パネルの要部を示す断面
図、 第４図〜第６図はこの発明の説明に供するａ−Ｃ薄膜の
特性曲線図、 第７図は従来の薄膜トランジスタを説明するための、液
晶表示パネルの要部を示す断面図である。 10……薄膜トランジスタ、12……ａ−Ｃ遮光膜 71……ガラス基板、72……ゲート電極 73……ゲート絶縁膜、74……能動層 75……低抵抗層、76……ソース電極 77……ドレイン電極 79……パッシベーション層 80……アース電極、81……表示電極 82……保護膜。1 to 3 are cross-sectional views showing an essential part of a liquid crystal display panel for explaining an embodiment of a thin film transistor of the present invention, and FIGS. 4 to 6 are aC thin films used for explaining the present invention. FIG. 7 is a characteristic curve diagram, and FIG. 7 is a sectional view showing a main part of a liquid crystal display panel for explaining a conventional thin film transistor. 10 ... Thin film transistor, 12 ... AC light-shielding film 71 ... Glass substrate, 72 ... Gate electrode 73 ... Gate insulating film, 74 ... Active layer 75 ... Low resistance layer, 76 ... Source electrode 77 ... … Drain electrode 79 …… Passivation layer 80 …… Ground electrode, 81 …… Display electrode 82 …… Protective film.
Claims (3)
ドレイン電極と、遮光層とを具える薄膜トランジスタに
おいて、 該遮光膜を非晶質炭素薄膜で形成したことを特徴とする
薄膜トランジスタ。1. An active layer, a gate electrode, a source electrode,
A thin film transistor comprising a drain electrode and a light shielding layer, wherein the light shielding film is formed of an amorphous carbon thin film.
0eVまたは0eV以外の1.0eV以下の値であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の薄膜トランジスタ。2. The optical band gap of an amorphous carbon thin film
The thin film transistor according to claim 1, wherein the thin film transistor has a value of 0 eV or a value other than 0 eV and 1.0 eV or less.
ス（CnHm）（但し、n,mは正の整数）に対してB2H6を100
〜10000ppm添加して得られた薄膜とすることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜トランジスタ。3. Amorphous carbon thin film has a B 2 H 6 content of 100 with respect to a raw material hydrocarbon gas (CnHm) (where n and m are positive integers).
The thin film transistor according to claim 1, wherein the thin film is obtained by adding about 10,000 ppm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60085233A JPH0666471B2 (en) | 1985-04-20 | 1985-04-20 | Thin film transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60085233A JPH0666471B2 (en) | 1985-04-20 | 1985-04-20 | Thin film transistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61244068A JPS61244068A (en) | 1986-10-30 |
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1985
- 1985-04-20 JP JP60085233A patent/JPH0666471B2/en not_active Expired - Lifetime
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