JPH0671024B2 - Semiconductor element mounting method - Google Patents
Semiconductor element mounting methodInfo
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- JPH0671024B2 JPH0671024B2 JP62072246A JP7224687A JPH0671024B2 JP H0671024 B2 JPH0671024 B2 JP H0671024B2 JP 62072246 A JP62072246 A JP 62072246A JP 7224687 A JP7224687 A JP 7224687A JP H0671024 B2 JPH0671024 B2 JP H0671024B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体素子をフィルムキャリアに搭載接続
してなる半導体素子の実装方法に関するものである。The present invention relates to a semiconductor element mounting method in which a semiconductor element is mounted and connected to a film carrier.
第３図は例えば特開昭52-135265号公報に示された従来
の半導体素子の実装方法を示す側面図である。図におい
て、（101）は半導体素子、（102）は半導体素子（10
1）上に形成された、例えばAuメッキなどによる電極、
（103）は例えばポリイミドなどによるフィルムキャリ
アを形成するベースフィルム、（104）はベースフィル
ム（103）に貼り付けられたリードで写真食刻法などに
よりパターン形成され、更に中央部に向った先端部が例
えば0.5μｍ厚にSnメッキされたCuリード、（105）は半
導体素子（101）上の電極（102）とSnメッキされたCuリ
ード（104）を加圧、加熱し、電気的接続を行なうため
のサーモードツールである。FIG. 3 is a side view showing a conventional method for mounting a semiconductor element disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 52-135265. In the figure, (101) is a semiconductor element, (102) is a semiconductor element (10
1) Electrodes formed on top, eg by Au plating,
(103) is a base film for forming a film carrier made of, for example, polyimide, and (104) is a lead attached to the base film (103) and is patterned by a photo-etching method or the like. C u lead is S n plated but for example, 0.5μm thick, (105) a semiconductor element (101) on the electrode (102) and S n plated C u read (104) pressurizing and heating, electrical This is a thermode tool for making dynamic connections.
次に動作について説明する。半導体素子（101）上の電
極（102）が上面を向いている状態で、例えば専用治具
などの上に置く。次いでベースフィルム（103）及びSn
メッキされたCuリード（104）からなるフィルムキャリ
アを半導体素子（101）上へ非接触状態で配置する。Next, the operation will be described. The electrode (102) on the semiconductor element (101) is placed on a dedicated jig or the like with the electrode (102) facing upward. Then the base film (103) and S n
A film carrier consisting of plated Cu leads (104) is placed on the semiconductor element (101) in a non-contact manner.
次いで、接続すべきSnメッキされたCuリード（104）と
半導体素子（101）上の電極（102）を接触する寸前の状
態（例えばギャップが100μｍ程度）で位置合わせす
る。次にサーモードツール（105）を上部より降下さ
せ、SnメッキされたCuリード（104）と半導体素子（10
1）上の電極（102）を加圧・加熱することにより、Snメ
ッキされたCuリード（104）のSnが溶融し、例えばAuな
どで生成された半導体素子の（101）上の電極（102）へ
拡散し、Au‐Snの合金が生成され、電気的接続がなされ
ることとなる。次いでサーモードツール（105）を上昇
させることにより、半導体素子（１）の実装が完了す
る。Then, to align with S n plated C u leads to be connected (104) and just before contacting the electrodes (102) on the semiconductor element (101) state (e.g., a gap of about 100 [mu] m). Then Sir mode tool (105) is lowered from above, S n plated C u read (104) and semiconductor element (10
By 1) on the electrode (102) to pressure and heat, S n melts of S n plated C u read (104), for example (101 of semiconductor elements such as those generated by A u) above the diffuse to the electrode (102), is generated alloy a u -S n, so that the electrical connection is made. Then, the thermode tool (105) is raised to complete the mounting of the semiconductor element (1).
従来の半導体素子の実装方法は以上のようであるため、
Au‐Sn合金を生成するために、サーモードツールを500
℃〜600℃程度に加熱しなければならなず、その熱的シ
ョックのために半導体素子の割れや、特性不良及びSnリ
ードの溶融により、隣接パッドへの短絡や半導体素子上
への短絡等、多くの問題があり、それらを軽減するため
の接続条件、例えば、加熱温度、加圧力、接続時間の設
定が困難であり、信頼性評価に長期間を費やさなけれ
ば、信頼性が確保できないという問題点があった。さら
には、半導体素子とフィルムキャリアを接続した後に耐
湿性の向上や、接続部保護のために半導体素子の接続部
を含む上面、又は半導体素子全体をエポキシ、シリコー
ン、ポリイミドなどの樹脂によりコーティング、モール
ドを行なわなければならなかった。なお、半導体素子と
フィルムキャリアの接続の工程と、樹脂モールドの工程
は別々に行なっているため、半導体素子とフィルムキャ
リアを接続した後、一旦回収しなければならず、回収時
に接続部が曲げなどの応力により接続部が剥離し、製品
の歩留りが低下するといった種々の問題があった。Since the conventional semiconductor element mounting method is as described above,
In order to generate the A u -S n alloy, the server mode tool 500
℃ ~ 600 ℃ must be heated, due to the thermal shock due to semiconductor element cracks, defective characteristics and Sn lead melting, short circuit to adjacent pads or on the semiconductor element, etc. There are many problems, it is difficult to set connection conditions to reduce them, for example, heating temperature, pressure, connection time, and reliability cannot be ensured unless a long time is spent on reliability evaluation. There was a problem. Furthermore, after connecting the semiconductor element and the film carrier, the moisture resistance is improved, or the upper surface including the connection portion of the semiconductor element for protection of the connection portion, or the entire semiconductor element is coated with a resin such as epoxy, silicone, or polyimide, and molded. Had to do. Since the step of connecting the semiconductor element and the film carrier and the step of resin molding are performed separately, they must be collected once after connecting the semiconductor element and the film carrier, and the connection part is bent when collecting. There are various problems that the connection part is peeled off due to the stress of 1. and the product yield is reduced.
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体素子とフィルムキャリアを接続する
際、熱的ショックのために半導体素子の割れや、特性不
良が発生せず、Snリードの溶融による隣接パッドとの短
絡や、半導体素子上との短絡などの発生も抑えられると
共に、信頼性を確保するための接続条件の設定、及び信
頼性評価に長期間を費やさなくてもよく、半導体素子と
フィルムキャリアの接続工程と樹脂モールド工程が一度
にでき、そのために半導体素子搭載済のフィルムキャリ
アを回収する際に曲げなどの応力により接続部が剥離せ
ず、製品の歩留りに影響を与えない半導体素子の実装方
法を得ることを目的としている。The present invention has been made to solve the above problems, when connecting the semiconductor element and the film carrier, cracking or the semiconductor element for thermal shock characteristic failure does not occur, S n Short circuit with adjacent pads due to melting of leads, short circuit with semiconductor element, etc. can be suppressed, and it is not necessary to spend a long time to set connection conditions to ensure reliability and to evaluate reliability. Since the process of connecting the semiconductor element and the film carrier and the resin molding process can be performed at the same time, the connection part does not peel off due to stress such as bending when collecting the film carrier with the semiconductor element mounted, which affects the product yield. It is intended to obtain a mounting method of a semiconductor element which is not given.
この発明に係る半導体素子の実装方法は、電極が形成さ
れた半導体素子と、半導体素子を実装する実装部に形成
された開口部とリードとを有するフィルムキャリアを、
電極とリードとが接触するように配置する工程、開口部
の電極とリードとの接触部の周囲に絶縁性樹脂を供給す
る工程、接触して配置された電極とリードを押圧する工
程、及び供給した絶縁性樹脂を硬化する工程を施し、半
導体素子の電極とフィルムキャリアのリードとを電気的
に接続するものである。A semiconductor element mounting method according to the present invention is a semiconductor device having electrodes, a film carrier having a lead and an opening formed in a mounting portion for mounting the semiconductor element,
A step of arranging the electrodes and the leads so that they are in contact with each other, a step of supplying an insulating resin around the contact portion between the electrodes and the leads in the opening, a step of pressing the electrodes and the leads arranged in contact with each other, and a supply The insulating resin is cured to electrically connect the electrodes of the semiconductor element to the leads of the film carrier.
この発明においては、半導体素子の電極とフィルムキャ
リアのリードとの接続は接触のみによるものであり、供
給した樹脂を硬化させる時点で接触部、即ち接触部の固
定が行なえ、樹脂の硬化に伴なう収縮により接続部に冗
長的な圧力が加わり、接続を安定なものにできる。さら
に耐湿性など信頼性を有する樹脂を用いれば、樹脂モー
ルド工程を省略できる。またフィルムキャリアと半導体
素子を位置合わせし、電極を接触させた状態で絶縁性樹
脂を供給する。このため、電極間に絶縁性樹脂が進入せ
ず、確実な接続が達成できる。このとき、樹脂が進入し
ても僅かな加圧力で除去できるため、半導体素子のは破
損は発生しない。In this invention, the electrode of the semiconductor element and the lead of the film carrier are connected only by contact, and the contact portion, that is, the contact portion can be fixed at the time of curing the supplied resin. The contraction creates a redundant pressure on the connection and makes the connection stable. Further, if a resin having reliability such as moisture resistance is used, the resin molding step can be omitted. Further, the film carrier and the semiconductor element are aligned with each other, and the insulating resin is supplied while the electrodes are in contact with each other. Therefore, the insulating resin does not enter between the electrodes, and reliable connection can be achieved. At this time, even if the resin enters, it can be removed with a slight pressing force, so that the semiconductor element is not damaged.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図はこの発明の一実施例による半導体素子の実装方
法を示す断面図である。図において、（１）は半導体素
子、（２）は半導体素子（１）上に形成された例えばAu
メッキなどによる電極、（３）は例えばポリイミドなど
によるフィルムキャリアを形成するベースフィルム、
（４）はベースフィルム（３）に貼り付けられたリード
で写真食刻法などによりパターン形成され、更に例えば
１μｍ程度の厚さのAuメッキが施されたCuリード、
（５）は接触部に供給する絶縁性樹脂で、例えば、エポ
キシ、シリコーン，ポリイミド等による絶縁性モールド
樹脂、（６）は半導体素子（１）上の電極（２）とフィ
ルムキャリアのAuメッキCuリード（４）を接触押圧する
ための押圧プレートである。FIG. 1 is a sectional view showing a method of mounting a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. In the figure, (1) is a semiconductor element, (2) is a semiconductor element formed on the semiconductor element (1), for example, Au.
An electrode formed by plating or the like, (3) a base film forming a film carrier such as polyimide,
(4) the base film (3) with pasted lead or the like photo-etching to be patterned, further for example, 1μm thickness on the order of the A u plating decorated with C u leads,
(5) is an insulating resin supplied to the contact portion, for example, an insulating mold resin made of epoxy, silicone, polyimide, etc. (6) is Au plating of the electrode (2) on the semiconductor element (1) and the film carrier A pressing plate for contacting and pressing the Cu lead (4).
第１図に基づき、この発明の一実施例について説明す
る。An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
まず、半導体素子（１）上の電極（２）が上面を向いて
いる状態で、例えば専用治具などの上に置く。次いでベ
ースフィルム（３）及びAuメッキされたリード（４）か
らなるフィルムキャリアを半導体素子（１）上へ非接触
状態で配置する。フィルムキャリアは半導体素子を実装
する実装部に開口部を有し、この開口部にはベースフィ
ルム（３）が形成されていない。次いで接続すべきAuメ
ッキされたCuリード（４）と半導体素子（１）上の電極
（２）を接触する寸前の状態（例えばギャップ100μｍ
程度）で位置合わせし、良好となれば軽く接触させるよ
うにフィルムキャリアをわずかに降下させる。First, the electrode (2) on the semiconductor element (1) is placed on a dedicated jig or the like with the electrode (2) facing upward. Then, a film carrier consisting of the base film (3) and the Au- plated leads (4) is placed on the semiconductor element (1) in a non-contact state. The film carrier has an opening in a mounting portion for mounting a semiconductor element, and the base film (3) is not formed in this opening. Then A u plated C u leads to be connected (4) and immediately before contacting the electrodes on the semiconductor element (1) (2) Condition (e.g. gap 100μm
Approximately), and when it is good, slightly lower the film carrier so as to make a light contact.
次いでディスペンサー（図示せず）等により、絶縁性モ
ールド樹脂（５）を開口部の半導体素子（１）のリード
（４）との接触部の周囲、例えば電極部を含む範囲で上
部より滴下し、押圧プレート（６）を降下させ、Auメッ
キされたCuリード（４）と半導体素子（１）上の電極
（２）を加圧する。次いでプレート自身の加熱又は外部
よりの加熱により150℃〜200℃程度で樹脂（５）を硬化
させた後、プレート（６）を上昇させる。Next, an insulating mold resin (5) is dropped from the upper part around the contact portion of the opening with the lead (4) of the semiconductor element (1), for example, in the range including the electrode portion, using a dispenser (not shown), The pressing plate (6) is lowered to press the Au- plated Cu lead (4) and the electrode (2) on the semiconductor element (1). Next, the resin (5) is cured at about 150 ° C. to 200 ° C. by heating the plate itself or externally, and then the plate (6) is raised.
この実施例によれば、半導体素子（１）とフィルムキャ
リアの接続に急激な熱的ショックが加わらず、接触接合
であるため、CuリードにSnメッキを施す必要がなくな
る。従って半導体素子（１）の割れや特性不良を防止で
き、さらにリード（４）を構成するSnの溶融による隣接
パッドへの短絡や半導体素子（１）上への短絡がなくな
る。このため、従来の接続に費やす条件設定や、信頼性
評価が比較的短期間でできる利点がある。また、この実
施例では絶縁性樹脂としてモールド樹脂を用いているの
で接続と同時に樹脂モールドが行なえるため生産性が上
がり、工程が減るため歩留りが向上する効果がある。ま
た、フィルムキャリアに形成された開口部に絶縁性樹脂
を供給することにより、確実に樹脂を半導体素子の接触
部の周囲に供給でき、信頼性が向上する。さらに、開口
部があるので、半導体素子とフィルムキャリアの位置合
わせが容易となり、生産性，歩留りが向上する効果があ
る。According to this embodiment, it is not applied rapid thermal shock to the connection of the semiconductor element (1) and the film carrier, because the contact junction, C u leads to S n plating is not necessary to apply the. Thus it is possible to prevent cracks and faulty characteristics of the semiconductor element (1), further leads (4) S n short circuit or semiconductor device to the adjacent pads by melting of the constituting the (1) short-circuit to the top is eliminated. Therefore, there is an advantage that the condition setting required for the conventional connection and the reliability evaluation can be performed in a relatively short period. Further, in this embodiment, since the molding resin is used as the insulating resin, the resin molding can be performed at the same time as the connection, so that the productivity is improved, and the number of steps is reduced, so that the yield is improved. Further, by supplying the insulating resin to the opening formed in the film carrier, the resin can be reliably supplied around the contact portion of the semiconductor element, and the reliability is improved. Further, since the openings are provided, the semiconductor element and the film carrier can be easily aligned with each other, and the productivity and the yield can be improved.
なお、上記実施例では半導体素子（１）上にAuメッキな
どによる電極（２）を設けたものとしたが、特に通常の
半導体素子のようにアルミ電極のみでもよい。ただしそ
の場合には、AuメッキされたCuリード（４）との接続部
に突起電極を形成しておくことが必要となる。また押圧
プレート（６）により加圧するのではなく、第２図に示
すような絶縁性樹脂（５）を塗布したプレート（６）を
介在させて加圧具（７）で加圧し、そのまま樹脂（５）
を硬化させてもよい。この場合、接続部にプレート
（６）があるため、フィルムキャリアを巻いて回収する
際に接続部に応力が作用せず、信頼性が向上する。さら
に、プレート（６）として金属板を用いれば、放熱板と
して機能し信頼性がさらに向上する。Although the electrode (2) formed by Au plating or the like is provided on the semiconductor element (1) in the above-mentioned embodiment, only an aluminum electrode may be used as in a normal semiconductor element. However, in that case, it is necessary to form a protruding electrode at the connection portion with the Au- plated Cu lead (4). Further, instead of pressing with the pressing plate (6), the plate (6) coated with an insulating resin (5) as shown in FIG. 5)
May be cured. In this case, since the connection part has the plate (6), no stress acts on the connection part when the film carrier is wound and collected, and reliability is improved. Furthermore, if a metal plate is used as the plate (6), it functions as a heat dissipation plate and the reliability is further improved.
また、半導体素子（１）上の電極（２）とCuリード
（４）を位置合わせした後に樹脂（５）を供給するかわ
りに、透明な樹脂（５）であれば、あらかじめ半導体素
子（１）上に供給しておき、その上にCuリード（４）を
位置合わせし、加圧することとしてもよい。ただし、そ
の場合は電極（２）上の樹脂（５）がはみ出す程度の圧
力が必要となる。Further, instead of supplying the resin (5) after aligning the electrode (2) on the semiconductor element (1) and the Cu lead (4), if the resin (5) is transparent, the semiconductor element (1 ), The Cu lead (4) may be aligned and pressured on it. However, in that case, a pressure is required to the extent that the resin (5) on the electrode (2) protrudes.
さらには半導体素子の電極（２）とフィルムキャリアの
Cuリード（４）の位置合わせを行ない、接触させた後、
中央部に貫通部を有するような押圧具、例えば中空の押
圧プレート（６）で中央部を除く接触部を押圧しなが
ら、その中空部分よりモールド樹脂（５）を供給する方
法をとってもよい。この場合、押圧プレート（６）で押
圧しながら絶縁性樹脂（５）を供給できるので、生産性
を向上することができる。また半導体素子の電極（２）
とフィルムキャリアのリード（４）の材質は上記実施例
に限定されるものではない。Furthermore, the electrodes (2) of the semiconductor element and the film carrier
After aligning the Cu leads (4) and making them contact,
A method may be used in which the mold resin (5) is supplied from the hollow portion while pressing the contact portion excluding the central portion with a pressing tool having a penetrating portion in the central portion, for example, a hollow pressing plate (6). In this case, since the insulating resin (5) can be supplied while being pressed by the pressing plate (6), the productivity can be improved. Also, electrodes of semiconductor elements (2)
The material of the lead (4) of the film carrier is not limited to the above embodiment.
以上のように、この発明によれば、電極が形成された半
導体素子と、半導体素子を実装する実装部に形成された
開口部とリードとを有するフィルムキャリアを、電極と
リードとが接触するように配置する工程、開口部の電極
とリードとの接触部の周囲に絶縁性樹脂を供給する工
程、接触して配置された電極とリードを押圧する工程、
及び供給した絶縁性樹脂を硬化する工程を施し、半導体
素子の電極とフィルムキャリアのリードとを電気的に接
続することにより、急激な熱的ショックに起因する半導
体素子の割れや特性不良の発生を防止できる。また、リ
ードにSnメッキを施す必要がないので、Snの溶融による
短絡が起こることなく、信頼性を確保するための接続条
件の設定及び信頼性評価が比較的短時間で行なえる半導
体素子の実装方法が得られる効果がある。また、絶縁性
樹脂にモールド樹脂を用いれば、半導体素子の接続を樹
脂モールドを同時に行なうことができ、生産性が向上
し、工程が減るため歩留りが向上する効果もある。As described above, according to the present invention, a semiconductor device having electrodes formed thereon and a film carrier having an opening and a lead formed at a mounting portion for mounting the semiconductor device are arranged so that the electrodes come into contact with the leads. , A step of supplying an insulating resin around the contact portion between the electrode of the opening and the lead, a step of pressing the electrode and the lead arranged in contact with each other,
Also, by performing a step of curing the supplied insulating resin and electrically connecting the electrodes of the semiconductor element and the leads of the film carrier, the occurrence of cracks or defective characteristics of the semiconductor element due to a sudden thermal shock. It can be prevented. Since it is not necessary to perform the S n plated leads without shorting by melting of S n takes place, setting the connection condition for ensuring reliability and the reliability evaluation is comparatively short period of time allows the semiconductor element There is an effect that the mounting method of can be obtained. In addition, if a mold resin is used as the insulating resin, the semiconductor elements can be simultaneously resin-molded, the productivity is improved, and the number of steps is reduced, so that the yield is also improved.
第１図はこの発明の一実施例による半導体素子の実装方
法を示す断面図、第２図はこの発明の他の実施例による
半導体素子の実装方法を示す断面図、第３図は従来の半
導体素子の実装方法を示す側面図である。図において
（１）は半導体素子、（２）は電極、（３）はベースフ
ィルム、（４）はリード、（５）は絶縁性樹脂である。
（ベースフィルム（３）とリード（４）とでフィルムキ
ャリアを構成する。） なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。1 is a sectional view showing a method for mounting a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing a method for mounting a semiconductor device according to another embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a conventional semiconductor device. It is a side view which shows the mounting method of an element. In the figure, (1) is a semiconductor element, (2) is an electrode, (3) is a base film, (4) is a lead, and (5) is an insulating resin.
(The film carrier is composed of the base film (3) and the leads (4).) In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding portions.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高砂 隼人 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三 菱電機株式会社材料研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−262430（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hayato Takasago 8-1-1 Tsukaguchi Honcho, Amagasaki City, Hyogo Prefecture Sanryo Electric Co., Ltd. Material Research Laboratory (56) Reference JP-A-60-262430 (JP, A)
Claims (6)
体素子を実装する実装部に形成された開口部とリードと
を有するフィルムキャリアを、上記電極とリードとが接
触するように配置する工程、上記開口部の上記電極とリ
ードとの接触部の周囲に絶縁性樹脂を供給する工程、接
触して配置された上記電極とリードを押圧する工程、及
び上記供給した絶縁性樹脂を硬化する工程を施し、上記
半導体素子の電極と上記フィルムキャリアのリードとを
電気的に接続することを特徴とする半導体素子の実装方
法。1. A step of disposing a film carrier having a semiconductor element having an electrode formed therein, an opening formed in a mounting portion for mounting the semiconductor element, and a lead so that the electrode and the lead are in contact with each other. A step of supplying an insulating resin around the contact portion between the electrode and the lead in the opening, a step of pressing the electrode and the lead arranged in contact with each other, and a step of curing the supplied insulating resin And electrically connecting the electrodes of the semiconductor element and the leads of the film carrier.
子とフィルムキャリアを押圧し、電極とリードの接触部
を圧接状態で上記供給した絶縁性樹脂を硬化する工程を
施すことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体素子の実装方法。2. After the step of supplying the insulating resin, a step of pressing the semiconductor element and the film carrier to cure the supplied insulating resin in a state where the contact portions of the electrodes and the leads are in pressure contact is performed. The method for mounting a semiconductor device according to claim 1, wherein
際、供給された絶縁性樹脂が電極とリードの接触部から
はみ出す程度に押圧するようにしたことを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の半導体素子の実装方法。3. The semiconductor device according to claim 2, wherein when the semiconductor element and the film carrier are pressed, the supplied insulating resin is pressed so as to protrude from the contact portion between the electrode and the lead. Semiconductor device mounting method.
有する押圧具を用いて押圧する工程の後、電極とリード
の接触部を圧接状態で上記貫通部から絶縁性樹脂を供給
する工程を施すことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体素子の実装方法。4. After the step of pressing the semiconductor element and the film carrier with a pressing tool having a penetrating portion, a step of supplying an insulating resin from the penetrating portion in a state where the contact portion of the electrode and the lead is in pressure contact is performed. The method for mounting a semiconductor device according to claim 1, wherein the mounting method is a semiconductor device.
体素子を実装する実装部に形成された開口部とリードと
を有するフィルムキャリアを、上記電極とリードとが接
触するように配置する工程、上記開口部に対向する部分
に絶縁性樹脂を塗布したプレートを介在させて、接触し
て配置された上記電極とリードを押圧する工程、及び上
記供給した絶縁性樹脂を硬化する工程を施し、上記半導
体素子の電極と上記フィルムキャリアのリードとを電気
的に接続することを特徴とする半導体素子の実装方法。5. A step of disposing a film carrier having a semiconductor element having an electrode formed therein, an opening formed in a mounting portion for mounting the semiconductor element and a lead so that the electrode and the lead are in contact with each other. , Interposing a plate coated with an insulating resin in a portion facing the opening, pressing the electrodes and leads arranged in contact with each other, and performing a step of curing the supplied insulating resin, A method for mounting a semiconductor element, comprising electrically connecting an electrode of the semiconductor element and a lead of the film carrier.
特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれ
かに記載の半導体素子の実装方法。6. The method of mounting a semiconductor element according to claim 1, wherein the insulating resin is a molding resin.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62072246A JPH0671024B2 (en) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | Semiconductor element mounting method |
| US07/363,710 US4942140A (en) | 1987-03-25 | 1989-06-09 | Method of packaging semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62072246A JPH0671024B2 (en) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | Semiconductor element mounting method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63237427A JPS63237427A (en) | 1988-10-03 |
| JPH0671024B2 true JPH0671024B2 (en) | 1994-09-07 |
Family
ID=13483742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62072246A Expired - Lifetime JPH0671024B2 (en) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | Semiconductor element mounting method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0671024B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5849607A (en) * | 1993-11-27 | 1998-12-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Process for attaching a lead frame to a semiconductor chip |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262430A (en) * | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP62072246A patent/JPH0671024B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63237427A (en) | 1988-10-03 |
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