JPH067600B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
(イ) 産業上の利用分野 発明はレーザビームの如きエネルギビームを利用した半
導体装置の製造方法に関する。 (ロ) 従来技術 半導体膜を光活性層とする半導体装置として太陽電池や
一次元光センサ等が存在する。 第１図は米国特許第４，２８１，２０８号に開示されて
いると共に、既に実用化されている太陽電池の基本構造
を示し、(1)はガラス、耐熱プラスチック等の絶縁性且
つの透光性を有する基板、(２ａ)(２ｂ)(２ｃ)…は基板
(1)上に一定間隔で被着された透明電極膜、(３ａ)(３
ｂ)(３ｃ)…は各透明電極膜上に重畳披着された非晶質
シリコン等の非晶質半導体膜、(４ａ)(４ｂ)(４ｃ)…は
各非晶質半導体膜上に重畳披着され、かつ各右隣りの透
明電極膜(２ｂ)(２ｃ)…に部分的に重畳せる裏面電極膜
で、斯る透明電極膜(２ａ)(２ｂ)(２ｃ)…乃至裏面電極
膜(４ａ)(４ｂ)(４ｃ)…の各積層体により光電変換領域
(５ａ)(５ｂ)(５ｃ）…が構成されている。 各非晶質半導体膜(３ａ)(３ｂ)(３ｃ)…は、その内部に
例えば膜面に平行なＰＩＮ接合を含み、従って透光性基
板(1)及び透明電極膜(２ａ)（２ｂ)(２ｃ）…を順次介
して光入射があると、光起電力を発生する。各非晶質半
導体膜（３ａ)(３ｂ)(３ｃ）…内で発生した光起電力は
裏面電極膜（４ａ)(４ｂ)(４ｃ）…での接続により直列
的に相加される。 通常、斯る構成の太陽電池にあっては細密加工性に優れ
ている写真触刻技術が用いられている。この技術による
場合、基板(1)上全面への透明電極膜の披着工程と、フ
オトレジスト及びエッチングによる各個別の透明電極膜
(２ａ)（２ｂ)(２ｃ)…の分離、即ち、各透明電極膜(２
ａ)（２ｂ)(２ｃ)…の隣接間隔部分の除去工程と、これ
ら各透明電極膜上を含む基板(1)上全面への非晶質半導
体膜の披着工程と、フォトレジスト及びエッチングによ
る各個別の非晶質半導体膜(３ａ)(３ｂ)(３ｃ)…の分
離、即ち、各非晶質半導体膜(３ａ)(３ｂ)(３ｃ)…の隣
接間隔部分の除去工程とを順次経ることになる。 然し乍ら、写真触刻技術は細密加工の上で優れてはいる
が、触刻パターンを規定するフオトレジストのピンホー
ルや周縁での剥れにより非晶質半導体膜に欠陥を生じさ
せやすい。 特開昭５７−１２５６８号公報に開示された先行技術
は、レーザビームの照射による膜の焼き切りで上記隣接
間隔を設けるものであり、写真触刻技術で必要なフオト
レジスト、即ちウエットプロセスを一切使わず細密加工
性に富むその技法は上記の課題を解決する上で極めて有
効である。 レーザ使用の際に留意すべきことは、斯るレーザ加工は
本質的に熱加工であり、加工せんとする膜部分の下の他
の膜が存在しておれば、それに損傷を与えないことであ
る。さもなければ、目的の膜部分を焼き切った上、必要
としない下の膜まで焼き切ってしまったり、或いは焼き
切らないまでも熱的なダメージを与えてしまう。上記先
行技術は、この要求を満たすために、レーザ出力やパル
ス周波数を各膜に対して選択することを提案している。 然し乍ら、上記先行技術の第１の欠点は、上記先行技術
では、非晶質半導体膜形成後、膜表面を露出のまま、第
２のレーザスクライブを行うためほこりやちりの膜表面
への付着、膜の飛散物の再付着があり、シャント抵抗を
増大させ、膜特性の劣化を招くことになる。また、空気
中の湿気やほこりによりはく離事故など信頼性の点で問
題が生じる。 さらに第２の欠点は、上記先行技術では、非晶質半導体
膜形成後、一度空気中に露出するため、裏面電極膜形成
のため、もう一度真空に引く工程が必要であり、さらに
上記裏面電極のパターニングのため、第３のレーザスク
ライブを行なうことが必要となり工程が煩雑となる点で
ある。 (ハ) 発明が解決しようとする問題点 本発明は、半導体膜単独のスクライブ工程を省き、工程
を簡略化し、簡単に第１電極膜と第２電極膜を接続し、
同時に第２電極膜を半導体膜と選択パターニングする方
法を提供するものである。 さらに半導体膜のスクライブ時に半導体層上面へのほこ
りやちりあるいは飛散物等の付着によるシャント抵抗の
増大や、湿気等による膜質の劣化を防ぐことにある。 (ニ) 問題点を解決するための手段 本発明製造方法は上述の問題点を解決するために、基板
の絶縁表面上の複数の領域に分割配置された複数の第１
電極膜を連続的に覆うべく半導体膜及び第２電極膜を重
畳披着した後、上記複数の領域に於いて第２電極膜及び
半導体膜を第１のエネルギビームの照射により溶融し、
この溶融物を介して領域の異なる第１電極膜と第２電極
膜を電気的に接続すると共に、上記半導体膜上の第２電
極膜に対して上記第１のエネルギビームよりエネルギ密
度の弱い第２のエネルギビームを、上記第１のエネルギ
ビームの照射と同一公定に於いて照射して照射された第
２電極膜を上記半導体膜上から選択的に除去し、第２電
極膜を複数の領域毎に電気的に分解したことを特徴とす
る。 (ホ)作用 上述の如く半導体膜単独での分割工程を省略することに
よって、半導体膜と第２電極膜との界面状態を改善し、
同時に第２電極膜のパターン形成を行ない製造工程の大
幅な削減が図れる。 (ヘ)実施例 以下第２図乃至第８図を参照して、本発明製造方法を太
陽電池の製造方法に適用した実施例につき詳述する。 第２図乃至第６図は本発明を実施せる太陽電池の製造方
法が工程別に示されている。第２図の工程では、厚さ１
mm〜３mm面積１０cm×１０cm〜４０cm×４０cm程度の透
明なガラス等の基板(10)上全面に、厚さ２０００Å〜５
０００Åの酸化錫（Ｓｎｏ２）から成る透明電極膜(11)
が披着される。 第３図の工程では、隣接間隔部(11)がレーザビーム（Ｌ
Ｂ）の照射により除去されて、個別の各透明電極膜（11
a)(11b)(11c）…が分離形成される。使用されるレーザ
装置は基板(10)にほとんど吸収されることのない波長が
適当であり上記ガラスに対しては０．３５μｍ〜２．５
μｍの波長のパルス出力型が好ましい。斯る好適な実施
例は、波長約１．０６μｍ、エネルギ密度１３Ｊ／c
m2、パルス繰返し周波数３ＫＨｚのＱスイッチ付きＮ
ｄ：ＹＡＧレーザであり、隣接間隔部(11)′の間隔は約
１００μｍに設定される。 第４図の工程では、各透明電極膜（11a)(11b)(11c）…
の表面を含んで基板(10)上全面に光電変換に有効に寄与
する厚さ５０００Å〜７０００Åの非晶質シリコン（ａ
−Ｓｉ）等の非晶質半導体膜(12)が披着される。斯る半
導体膜(12)はその内部に膜面に平行なＰＩＮ接合を含
み、従ってより具体的には、シリコン化合物雰囲気中で
のゲロー放電によりＰ型の非晶質シリコンカーバイドが
披着され、次いでＩ型及びＮ型の非晶質シリコンが順次
積層披着される。 第５図工程では、半導体膜(12)…及び透明電極膜（11a)
(11b)(11c）…の各露出部分を含んで基板(10)上全面に
４０００Å〜２μｍ程度の厚さのアルミニウム単層構
造、或いは該アルミニウムにチタン（Ｔｉ）又はチタン
銀合金（ＴｉＡｇ）を積層した二層構造、更には斯る二
層構造を二重に積み重ねた裏面電極膜(13)が披着され
る。この工程により、半導体膜(12)が形成された直後、
その全面に裏面電極(13)が披着されるため、該半導体膜
(12)面上にほこりが付着すること、スクライブ時の飛散
物の再付着することによるシート抵抗の増大を防ぐこと
ができ、さらに半導体膜(12)の酸化空気中の湿気などに
よる膜特性の劣化を防ぐことができる。 第６図の最終工程では、同一工程で相隣り合う光電変換
領域（14a)(14b)(14c）の直列接部及び隣接間隔部(1
3)′が裏面電極腹(13)の分割エネルギ密度の異なる第１
・第２のエルギビーム（ＬＢ１)(ＬＢ２）の照射により
形成される。ここでの長所も加工閾値エネルギ密度が膜
厚依存性をもたないことである。例えば第７図は波長
１．０６μｍのレーザビームをアルミニウム単層構造か
らなる裏面電極膜(13)に照射したときの膜厚依存性を吸
収率(A)及び反射率(R)について解析したものである。こ
の解析結果から、アルミニウム単層構造の裏面電極膜(1
3)の波長１．０６μｍのレーザビームに対する吸収率
(A)は１０％未満と低率であるにも拘らず膜厚依存性が
ないことが判る。即ち、直列接続部に第１のレーザビー
ム（ＬＢ１）を強めたパワーで照射し裏面電極膜(13)と
半導体膜(12)を同時に溶かしてそれらの溶融物である導
電性のシリサイド合金膜(15)を得、その合金膜(15)を介
して第１のレーザビーム（ＬＢ１）の照射位置に存在し
分割配置されていた透明電極膜（11b)(11c）…と裏面電
極膜(13)とを電気的に接続する。 斯る第１のレーザビーム（ＬＢ１）の走査工程と同時に
エネルギ密度を低減させた第２のレーザビーム（ＬＢ
２）を用いて裏面電極膜(13)を個別の光電変換領域（14
a)(14b)(14c）…毎に分割する。第１・第２レーザビー
ム（ＬＢ１)(ＬＢ２）のエネルギ密度の変化は第１・第
２のレーザビーム（ＬＢ１)(ＬＢ２）のスポット径を調
整するフオーカス位置の変化やアッテネータにより簡単
に行なうことができる。この様に、裏面電極膜（13a)(1
3b）…と透明電極膜（11b)(11c）…との電気的接続工程
と、同一工程で裏面電極膜(13)の隣接間隔部(13)′がレ
ーザビーム（ＬＢ２）の照射により除去されて、個別の
各裏面電極膜（13a)(13b)(13c）…が形成される。その
結果、相隣り合う光電変換領域（14a)(14b)(14c）…の
裏面電極膜（13a)(13b）…と透明電極膜（11b)(11c）…
とが隣接間隔部に於いて結合し、上記光電変換領域（14
a)(14b)(14c）…は上記合金膜(15)を介して電気的に直
列接続される。 上記第１・第２のレーザビーム（ＬＢ１)(ＬＢ２）は同
一のレーザ源から発せられた１本のレーザビーム（Ｌ
Ｂ）をエネルギ密度の異なる２本に分割する方式と、夫
々個別のレーザ源を用いる方式が採用可能であるが、分
割方式について第８図を用いて若干の補足説明を加え
る。 同一のレーザ源から発せられたレーザビーム（ＬＢ）は
ビームスプリッタ（ＢＳ）に導かれ、そこで該ビームス
プリッタ（ＢＳ）を透過する第１のレーザビーム（ＬＢ
１）と反射する第２のレーザビーム（ＬＢ２）に２分割
される。このとき第１のレーザビーム（ＬＢ１）と第２
のレーザビーム（ＬＢ２）とは裏面電極膜（13a)(13b）
の膜厚、材質等によって決定される強度比に基づいて例
えば第１のエネルギビーム（ＬＢ１）の強度を１とした
とき、第２のエネルギビーム（ＬＢ２）の強度は０．５
〜０．８程度の範囲に設定され、ビームスプリッタ（Ｂ
Ｓ）を透過した第１のエネルギビーム（ＬＢ１）は直接
集光レンズ（ＦＬ）に至り、第２のエネルギビーム（Ｌ
Ｂ２）は２個のミラー（Ｍ１)(Ｍ２）を介して集光レン
ズ（ＦＬ）に到達する。そして集光レンズ（ＦＬ）によ
って直列接続のため合金化及び第２電極（13a)(13b）…
の電気的な分割のための選択的除去に必要なエネルギ密
度に調整され、同時に相隣り合う加工部分に照射され
る。この第１・第２のレーザビーム（ＬＢ１)(ＬＢ２）
の照射の際、斯るレーザビーム（ＬＢ１)(ＬＢ２）を走
査しても良いが、被加工体を載置するステージが移動す
る構成の方が大型サイズの加工に適しているために、通
常被加工体側が移動する構成となっている。 (ト) 発明の効果 本発明製造方法は以上の説明から灰汁らかな如く、分割
配置された第１電極膜上に半導体膜を全面に形成させた
直後に第２電極膜を形成し、隣接する半導体膜を電気的
に接続させる手段として、強い第１のエネルギビームを
用いて、第２電極膜上に照射して第２電極膜及び半導体
膜を溶融させて第１電極膜と第２電極膜を溶着させると
共に、同一工程に於いて弱い第２のエネルギビームを用
いて第２電極のパターニングを行なったので、工程が簡
略化し、安価な製造法を提供することができると共に、
半導体膜表面が直接露出するパターニング工程がないの
で半導体膜と第２電極膜との界面状態を改善することが
できる。
導体装置の製造方法に関する。 (ロ) 従来技術 半導体膜を光活性層とする半導体装置として太陽電池や
一次元光センサ等が存在する。 第１図は米国特許第４，２８１，２０８号に開示されて
いると共に、既に実用化されている太陽電池の基本構造
を示し、(1)はガラス、耐熱プラスチック等の絶縁性且
つの透光性を有する基板、(２ａ)(２ｂ)(２ｃ)…は基板
(1)上に一定間隔で被着された透明電極膜、(３ａ)(３
ｂ)(３ｃ)…は各透明電極膜上に重畳披着された非晶質
シリコン等の非晶質半導体膜、(４ａ)(４ｂ)(４ｃ)…は
各非晶質半導体膜上に重畳披着され、かつ各右隣りの透
明電極膜(２ｂ)(２ｃ)…に部分的に重畳せる裏面電極膜
で、斯る透明電極膜(２ａ)(２ｂ)(２ｃ)…乃至裏面電極
膜(４ａ)(４ｂ)(４ｃ)…の各積層体により光電変換領域
(５ａ)(５ｂ)(５ｃ）…が構成されている。 各非晶質半導体膜(３ａ)(３ｂ)(３ｃ)…は、その内部に
例えば膜面に平行なＰＩＮ接合を含み、従って透光性基
板(1)及び透明電極膜(２ａ)（２ｂ)(２ｃ）…を順次介
して光入射があると、光起電力を発生する。各非晶質半
導体膜（３ａ)(３ｂ)(３ｃ）…内で発生した光起電力は
裏面電極膜（４ａ)(４ｂ)(４ｃ）…での接続により直列
的に相加される。 通常、斯る構成の太陽電池にあっては細密加工性に優れ
ている写真触刻技術が用いられている。この技術による
場合、基板(1)上全面への透明電極膜の披着工程と、フ
オトレジスト及びエッチングによる各個別の透明電極膜
(２ａ)（２ｂ)(２ｃ)…の分離、即ち、各透明電極膜(２
ａ)（２ｂ)(２ｃ)…の隣接間隔部分の除去工程と、これ
ら各透明電極膜上を含む基板(1)上全面への非晶質半導
体膜の披着工程と、フォトレジスト及びエッチングによ
る各個別の非晶質半導体膜(３ａ)(３ｂ)(３ｃ)…の分
離、即ち、各非晶質半導体膜(３ａ)(３ｂ)(３ｃ)…の隣
接間隔部分の除去工程とを順次経ることになる。 然し乍ら、写真触刻技術は細密加工の上で優れてはいる
が、触刻パターンを規定するフオトレジストのピンホー
ルや周縁での剥れにより非晶質半導体膜に欠陥を生じさ
せやすい。 特開昭５７−１２５６８号公報に開示された先行技術
は、レーザビームの照射による膜の焼き切りで上記隣接
間隔を設けるものであり、写真触刻技術で必要なフオト
レジスト、即ちウエットプロセスを一切使わず細密加工
性に富むその技法は上記の課題を解決する上で極めて有
効である。 レーザ使用の際に留意すべきことは、斯るレーザ加工は
本質的に熱加工であり、加工せんとする膜部分の下の他
の膜が存在しておれば、それに損傷を与えないことであ
る。さもなければ、目的の膜部分を焼き切った上、必要
としない下の膜まで焼き切ってしまったり、或いは焼き
切らないまでも熱的なダメージを与えてしまう。上記先
行技術は、この要求を満たすために、レーザ出力やパル
ス周波数を各膜に対して選択することを提案している。 然し乍ら、上記先行技術の第１の欠点は、上記先行技術
では、非晶質半導体膜形成後、膜表面を露出のまま、第
２のレーザスクライブを行うためほこりやちりの膜表面
への付着、膜の飛散物の再付着があり、シャント抵抗を
増大させ、膜特性の劣化を招くことになる。また、空気
中の湿気やほこりによりはく離事故など信頼性の点で問
題が生じる。 さらに第２の欠点は、上記先行技術では、非晶質半導体
膜形成後、一度空気中に露出するため、裏面電極膜形成
のため、もう一度真空に引く工程が必要であり、さらに
上記裏面電極のパターニングのため、第３のレーザスク
ライブを行なうことが必要となり工程が煩雑となる点で
ある。 (ハ) 発明が解決しようとする問題点 本発明は、半導体膜単独のスクライブ工程を省き、工程
を簡略化し、簡単に第１電極膜と第２電極膜を接続し、
同時に第２電極膜を半導体膜と選択パターニングする方
法を提供するものである。 さらに半導体膜のスクライブ時に半導体層上面へのほこ
りやちりあるいは飛散物等の付着によるシャント抵抗の
増大や、湿気等による膜質の劣化を防ぐことにある。 (ニ) 問題点を解決するための手段 本発明製造方法は上述の問題点を解決するために、基板
の絶縁表面上の複数の領域に分割配置された複数の第１
電極膜を連続的に覆うべく半導体膜及び第２電極膜を重
畳披着した後、上記複数の領域に於いて第２電極膜及び
半導体膜を第１のエネルギビームの照射により溶融し、
この溶融物を介して領域の異なる第１電極膜と第２電極
膜を電気的に接続すると共に、上記半導体膜上の第２電
極膜に対して上記第１のエネルギビームよりエネルギ密
度の弱い第２のエネルギビームを、上記第１のエネルギ
ビームの照射と同一公定に於いて照射して照射された第
２電極膜を上記半導体膜上から選択的に除去し、第２電
極膜を複数の領域毎に電気的に分解したことを特徴とす
る。 (ホ)作用 上述の如く半導体膜単独での分割工程を省略することに
よって、半導体膜と第２電極膜との界面状態を改善し、
同時に第２電極膜のパターン形成を行ない製造工程の大
幅な削減が図れる。 (ヘ)実施例 以下第２図乃至第８図を参照して、本発明製造方法を太
陽電池の製造方法に適用した実施例につき詳述する。 第２図乃至第６図は本発明を実施せる太陽電池の製造方
法が工程別に示されている。第２図の工程では、厚さ１
mm〜３mm面積１０cm×１０cm〜４０cm×４０cm程度の透
明なガラス等の基板(10)上全面に、厚さ２０００Å〜５
０００Åの酸化錫（Ｓｎｏ２）から成る透明電極膜(11)
が披着される。 第３図の工程では、隣接間隔部(11)がレーザビーム（Ｌ
Ｂ）の照射により除去されて、個別の各透明電極膜（11
a)(11b)(11c）…が分離形成される。使用されるレーザ
装置は基板(10)にほとんど吸収されることのない波長が
適当であり上記ガラスに対しては０．３５μｍ〜２．５
μｍの波長のパルス出力型が好ましい。斯る好適な実施
例は、波長約１．０６μｍ、エネルギ密度１３Ｊ／c
m2、パルス繰返し周波数３ＫＨｚのＱスイッチ付きＮ
ｄ：ＹＡＧレーザであり、隣接間隔部(11)′の間隔は約
１００μｍに設定される。 第４図の工程では、各透明電極膜（11a)(11b)(11c）…
の表面を含んで基板(10)上全面に光電変換に有効に寄与
する厚さ５０００Å〜７０００Åの非晶質シリコン（ａ
−Ｓｉ）等の非晶質半導体膜(12)が披着される。斯る半
導体膜(12)はその内部に膜面に平行なＰＩＮ接合を含
み、従ってより具体的には、シリコン化合物雰囲気中で
のゲロー放電によりＰ型の非晶質シリコンカーバイドが
披着され、次いでＩ型及びＮ型の非晶質シリコンが順次
積層披着される。 第５図工程では、半導体膜(12)…及び透明電極膜（11a)
(11b)(11c）…の各露出部分を含んで基板(10)上全面に
４０００Å〜２μｍ程度の厚さのアルミニウム単層構
造、或いは該アルミニウムにチタン（Ｔｉ）又はチタン
銀合金（ＴｉＡｇ）を積層した二層構造、更には斯る二
層構造を二重に積み重ねた裏面電極膜(13)が披着され
る。この工程により、半導体膜(12)が形成された直後、
その全面に裏面電極(13)が披着されるため、該半導体膜
(12)面上にほこりが付着すること、スクライブ時の飛散
物の再付着することによるシート抵抗の増大を防ぐこと
ができ、さらに半導体膜(12)の酸化空気中の湿気などに
よる膜特性の劣化を防ぐことができる。 第６図の最終工程では、同一工程で相隣り合う光電変換
領域（14a)(14b)(14c）の直列接部及び隣接間隔部(1
3)′が裏面電極腹(13)の分割エネルギ密度の異なる第１
・第２のエルギビーム（ＬＢ１)(ＬＢ２）の照射により
形成される。ここでの長所も加工閾値エネルギ密度が膜
厚依存性をもたないことである。例えば第７図は波長
１．０６μｍのレーザビームをアルミニウム単層構造か
らなる裏面電極膜(13)に照射したときの膜厚依存性を吸
収率(A)及び反射率(R)について解析したものである。こ
の解析結果から、アルミニウム単層構造の裏面電極膜(1
3)の波長１．０６μｍのレーザビームに対する吸収率
(A)は１０％未満と低率であるにも拘らず膜厚依存性が
ないことが判る。即ち、直列接続部に第１のレーザビー
ム（ＬＢ１）を強めたパワーで照射し裏面電極膜(13)と
半導体膜(12)を同時に溶かしてそれらの溶融物である導
電性のシリサイド合金膜(15)を得、その合金膜(15)を介
して第１のレーザビーム（ＬＢ１）の照射位置に存在し
分割配置されていた透明電極膜（11b)(11c）…と裏面電
極膜(13)とを電気的に接続する。 斯る第１のレーザビーム（ＬＢ１）の走査工程と同時に
エネルギ密度を低減させた第２のレーザビーム（ＬＢ
２）を用いて裏面電極膜(13)を個別の光電変換領域（14
a)(14b)(14c）…毎に分割する。第１・第２レーザビー
ム（ＬＢ１)(ＬＢ２）のエネルギ密度の変化は第１・第
２のレーザビーム（ＬＢ１)(ＬＢ２）のスポット径を調
整するフオーカス位置の変化やアッテネータにより簡単
に行なうことができる。この様に、裏面電極膜（13a)(1
3b）…と透明電極膜（11b)(11c）…との電気的接続工程
と、同一工程で裏面電極膜(13)の隣接間隔部(13)′がレ
ーザビーム（ＬＢ２）の照射により除去されて、個別の
各裏面電極膜（13a)(13b)(13c）…が形成される。その
結果、相隣り合う光電変換領域（14a)(14b)(14c）…の
裏面電極膜（13a)(13b）…と透明電極膜（11b)(11c）…
とが隣接間隔部に於いて結合し、上記光電変換領域（14
a)(14b)(14c）…は上記合金膜(15)を介して電気的に直
列接続される。 上記第１・第２のレーザビーム（ＬＢ１)(ＬＢ２）は同
一のレーザ源から発せられた１本のレーザビーム（Ｌ
Ｂ）をエネルギ密度の異なる２本に分割する方式と、夫
々個別のレーザ源を用いる方式が採用可能であるが、分
割方式について第８図を用いて若干の補足説明を加え
る。 同一のレーザ源から発せられたレーザビーム（ＬＢ）は
ビームスプリッタ（ＢＳ）に導かれ、そこで該ビームス
プリッタ（ＢＳ）を透過する第１のレーザビーム（ＬＢ
１）と反射する第２のレーザビーム（ＬＢ２）に２分割
される。このとき第１のレーザビーム（ＬＢ１）と第２
のレーザビーム（ＬＢ２）とは裏面電極膜（13a)(13b）
の膜厚、材質等によって決定される強度比に基づいて例
えば第１のエネルギビーム（ＬＢ１）の強度を１とした
とき、第２のエネルギビーム（ＬＢ２）の強度は０．５
〜０．８程度の範囲に設定され、ビームスプリッタ（Ｂ
Ｓ）を透過した第１のエネルギビーム（ＬＢ１）は直接
集光レンズ（ＦＬ）に至り、第２のエネルギビーム（Ｌ
Ｂ２）は２個のミラー（Ｍ１)(Ｍ２）を介して集光レン
ズ（ＦＬ）に到達する。そして集光レンズ（ＦＬ）によ
って直列接続のため合金化及び第２電極（13a)(13b）…
の電気的な分割のための選択的除去に必要なエネルギ密
度に調整され、同時に相隣り合う加工部分に照射され
る。この第１・第２のレーザビーム（ＬＢ１)(ＬＢ２）
の照射の際、斯るレーザビーム（ＬＢ１)(ＬＢ２）を走
査しても良いが、被加工体を載置するステージが移動す
る構成の方が大型サイズの加工に適しているために、通
常被加工体側が移動する構成となっている。 (ト) 発明の効果 本発明製造方法は以上の説明から灰汁らかな如く、分割
配置された第１電極膜上に半導体膜を全面に形成させた
直後に第２電極膜を形成し、隣接する半導体膜を電気的
に接続させる手段として、強い第１のエネルギビームを
用いて、第２電極膜上に照射して第２電極膜及び半導体
膜を溶融させて第１電極膜と第２電極膜を溶着させると
共に、同一工程に於いて弱い第２のエネルギビームを用
いて第２電極のパターニングを行なったので、工程が簡
略化し、安価な製造法を提供することができると共に、
半導体膜表面が直接露出するパターニング工程がないの
で半導体膜と第２電極膜との界面状態を改善することが
できる。
第１図は太陽電池の典型例を示す断面図、第２図乃至第
６図は、本発明方法を適用した実施例である太陽電池の
製造工程を工程別に示した断面図、第７図は裏面電極膜
に於ける光学的特性の裏面電極膜の膜厚依存性を示す特
性図、第８図は、レーザビームの分割方法に関する実施
例の概要図、を夫々示している。 (10)…基板、（11a）（11b）（11c）…透明電極膜、(1
2)（12a）（12b）（12c）…ａ−Ｓｉ系半導体膜、(13)
（13a）（13b）（13c）…裏面電極膜、（14a）（14b）
（14c）…光電変換領域、(15)…シリサイド合金膜、
（ＢＳ）…ビームスプリッタ、（ＬＢ１）（ＬＢ２）…
第１・第２のレーザビーム。
６図は、本発明方法を適用した実施例である太陽電池の
製造工程を工程別に示した断面図、第７図は裏面電極膜
に於ける光学的特性の裏面電極膜の膜厚依存性を示す特
性図、第８図は、レーザビームの分割方法に関する実施
例の概要図、を夫々示している。 (10)…基板、（11a）（11b）（11c）…透明電極膜、(1
2)（12a）（12b）（12c）…ａ−Ｓｉ系半導体膜、(13)
（13a）（13b）（13c）…裏面電極膜、（14a）（14b）
（14c）…光電変換領域、(15)…シリサイド合金膜、
（ＢＳ）…ビームスプリッタ、（ＬＢ１）（ＬＢ２）…
第１・第２のレーザビーム。
Claims (3)
- 【請求項１】基板の絶縁表面上の複数の領域に分割配置
された複数の第１電極膜を連続的に覆うべく半導体膜及
び第２電極膜を重畳被着した後、上記複数の領域に於い
て第２電極膜及び半導体膜を第１のエネルギビームの照
射により溶融し、この溶融物を介して領域の異なる第１
電極膜と第２電極膜を電気的に接続すると共に、上記半
導体膜上の第２電極膜に対して上記第１のエネルギビー
ムよりエネルギ密度の弱い第２のエネルギビームを、上
記第１のエネルギビームの照射と同一工程に於いて照射
して照射された第２電極膜を上記半導体膜上から選択的
に除去し、第２電極膜を複数の領域毎に電気的に分解し
たことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】上記第１・第２のエネルギビームは同一の
エネルギ源から発せられるエネルギビームを分割して形
成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項３】上記第１・第２のエネルギビームは夫々個
別のエネルギ源から発せられることを特徴とした特許請
求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286502A JPH067600B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286502A JPH067600B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145781A JPS62145781A (ja) | 1987-06-29 |
| JPH067600B2 true JPH067600B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=17705233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60286502A Expired - Lifetime JPH067600B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067600B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101879387B1 (ko) * | 2017-03-27 | 2018-07-18 | 고상걸 | 시선 방향 추적결과의 교정 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6454769A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Fuji Electric Res | Manufacture of amorphous silicon solar cell |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP60286502A patent/JPH067600B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101879387B1 (ko) * | 2017-03-27 | 2018-07-18 | 고상걸 | 시선 방향 추적결과의 교정 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62145781A (ja) | 1987-06-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |