JPH0582993B2 - - Google Patents
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- JPH0582993B2 JPH0582993B2 JP60225885A JP22588585A JPH0582993B2 JP H0582993 B2 JPH0582993 B2 JP H0582993B2 JP 60225885 A JP60225885 A JP 60225885A JP 22588585 A JP22588585 A JP 22588585A JP H0582993 B2 JPH0582993 B2 JP H0582993B2
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- photovoltaic
- back electrode
- transparent
- amorphous semiconductor
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、複数の光起電力素子を集積した光起
電力装置の製造方法に関するものである。
電力装置の製造方法に関するものである。
一般に光起電力装置は、透光性絶縁基板に透明
電極、ｐ−ｉ−ｎ接合型、或いはｎ−ｉ−ｐ接合
型等の非晶質半導体層、裏面電極をこの順序に積
層形成してなる光起電力素子を相互に直列接続し
て構成されるが、従来におけるこの種光起電力装
置の製造方法は第３図イ〜ヘに示す如き工程にて
製造されている。
電極、ｐ−ｉ−ｎ接合型、或いはｎ−ｉ−ｐ接合
型等の非晶質半導体層、裏面電極をこの順序に積
層形成してなる光起電力素子を相互に直列接続し
て構成されるが、従来におけるこの種光起電力装
置の製造方法は第３図イ〜ヘに示す如き工程にて
製造されている。
先ず第３図イに示す如くガラス等の透光性絶縁
基板２１上に透明電極２２を平面的に積層形成
し、この透明電極２２を第３図ロに示す如くレー
ザビームにて各光起電力素子を構成すべき領域
（図面では３部分）毎に分断し、透光性絶縁基板
２１、透明電極２２上にわたつて第３図ハに示す
如くｐ−ｉ−ｎ接合型、或いはｎ−ｉ−ｐ接合型
の各半導体層２３、例えばアモルフアスシリコン
層を積層形成した後、第３図ニに示す如く相隣す
る透明電極の同側の一端上面が一部露出するよう
に各透明電極２２の一端縁上にて同じくレーザビ
ームにて分断し、更にこのアモルフアスシリコン
層及び露出した透明電極２２に亘つて第３図ホに
示す如くAl等の裏面電極２４を積層形成し、こ
の裏面電極２４を第３図ヘに示す如く非晶質半導
体層２３の同側の一端側上面が一部露出するよう
にレーザビームにて分断し、相隣する一方の光起
電力素子の裏面電極２４と他方の光起電力素子の
透明電極２２とを直列接続した光起電力装置を製
造することが行われている（特開昭57−12568
号）。
基板２１上に透明電極２２を平面的に積層形成
し、この透明電極２２を第３図ロに示す如くレー
ザビームにて各光起電力素子を構成すべき領域
（図面では３部分）毎に分断し、透光性絶縁基板
２１、透明電極２２上にわたつて第３図ハに示す
如くｐ−ｉ−ｎ接合型、或いはｎ−ｉ−ｐ接合型
の各半導体層２３、例えばアモルフアスシリコン
層を積層形成した後、第３図ニに示す如く相隣す
る透明電極の同側の一端上面が一部露出するよう
に各透明電極２２の一端縁上にて同じくレーザビ
ームにて分断し、更にこのアモルフアスシリコン
層及び露出した透明電極２２に亘つて第３図ホに
示す如くAl等の裏面電極２４を積層形成し、こ
の裏面電極２４を第３図ヘに示す如く非晶質半導
体層２３の同側の一端側上面が一部露出するよう
にレーザビームにて分断し、相隣する一方の光起
電力素子の裏面電極２４と他方の光起電力素子の
透明電極２２とを直列接続した光起電力装置を製
造することが行われている（特開昭57−12568
号）。
ところで光起電力装置を上述した如き方法で製
造する場合、各透明電極２２、非晶質半導体層２
３、裏面電極２４を夫々形成する都度個々に切断
する結果、例えば非晶質半導体層２３はその表面
をむき出した状態のままで切断加工されるために
切断に際して飛散するシリコンの溶融粒が非結晶
半導体層表面に付着する外、酸化、水分吸収等に
よつて劣化し易く膜品質低下の大きな要因となる
という問題があつた。
造する場合、各透明電極２２、非晶質半導体層２
３、裏面電極２４を夫々形成する都度個々に切断
する結果、例えば非晶質半導体層２３はその表面
をむき出した状態のままで切断加工されるために
切断に際して飛散するシリコンの溶融粒が非結晶
半導体層表面に付着する外、酸化、水分吸収等に
よつて劣化し易く膜品質低下の大きな要因となる
という問題があつた。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであ
つて、その特徴とするところは、透光性絶縁基板
上に、透明電極、非晶質半導体膜及び裏面電極を
この順序に積層形成して成る複数の光起電力素子
を、一の素子の透明電極と隣接する素子の裏面電
極とを接続電極を介して直列接続させた光起電力
装置の製造方法であつて、基板上に形成された、
上記透明電極、上記非晶質半導体膜及び上記裏面
電極から成る積層体を同時的にレーザビームによ
つて切断し、且つその切断部分に絶縁物を形成す
ることにより、各光起電力素子毎に分割すると共
に、上記切断部分近傍の、上記非晶質半導体膜と
上記裏面電極との積層体を、レーザビームによつ
て切断した後、該切断部を含むように上記裏面電
極上に上記接続電極を形成し、該接続電極を上記
裏面電極と共にレーザビームによつて同時的に切
断することにより、各光起電力素子を直列接続す
る構成としたことにある。
つて、その特徴とするところは、透光性絶縁基板
上に、透明電極、非晶質半導体膜及び裏面電極を
この順序に積層形成して成る複数の光起電力素子
を、一の素子の透明電極と隣接する素子の裏面電
極とを接続電極を介して直列接続させた光起電力
装置の製造方法であつて、基板上に形成された、
上記透明電極、上記非晶質半導体膜及び上記裏面
電極から成る積層体を同時的にレーザビームによ
つて切断し、且つその切断部分に絶縁物を形成す
ることにより、各光起電力素子毎に分割すると共
に、上記切断部分近傍の、上記非晶質半導体膜と
上記裏面電極との積層体を、レーザビームによつ
て切断した後、該切断部を含むように上記裏面電
極上に上記接続電極を形成し、該接続電極を上記
裏面電極と共にレーザビームによつて同時的に切
断することにより、各光起電力素子を直列接続す
る構成としたことにある。
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具
体的に説明する。第１図は本発明方法にて製造し
た光起電力装置の断面構造図であり、図中１はガ
ラス等にて形成された透光性絶縁基板、２は
SnO2，ITO／SnO2等にて構成された透明電極、
３はアモルフアスシリコン等にて構成されたｐ−
ｉ−ｎ接合型又はｎ−ｉ−ｎ接合型の非晶質半導
体層、４はAl、Ti又はAg等にて構成された裏面
電極、５はレジスト等にて構成された絶縁物、６
はAl，Ti又はAg等にて構成された接続電極を示
している。各光起電力素子は透光性絶縁基板１上
に絶縁物５にて区画された状態で前記した各透明
電極２、非晶質半導体層３、裏面電極４をこの順
序に積層して構成されており、これら各光起電力
素子Ａ，Ｂ，Ｃ…夫々の裏面電極４上に接続電極
６を積層形成すると共に、この接続電極６を各相
隣する片側の光起電力素子Ａ，Ｂ，Ｃ…における
透明電極２と接続せしめて、各光起電力素子Ａ，
Ｂ，Ｃ…を直列接続した集積型の光起電力装置と
して構成してある。このような光起電力装置にあ
つては光を透光性絶縁基板１を通して非晶質半導
体層３内に導入し、ここで生成せしめられた光起
電力を各光起電力素子Ａ，Ｂ，Ｃの透明電極２、
裏面電極及び接続電極６にて集電され、透明電極
２、接続電極６に接続した図示しない引出線を通
じて外部に取り出されるようになつている。
体的に説明する。第１図は本発明方法にて製造し
た光起電力装置の断面構造図であり、図中１はガ
ラス等にて形成された透光性絶縁基板、２は
SnO2，ITO／SnO2等にて構成された透明電極、
３はアモルフアスシリコン等にて構成されたｐ−
ｉ−ｎ接合型又はｎ−ｉ−ｎ接合型の非晶質半導
体層、４はAl、Ti又はAg等にて構成された裏面
電極、５はレジスト等にて構成された絶縁物、６
はAl，Ti又はAg等にて構成された接続電極を示
している。各光起電力素子は透光性絶縁基板１上
に絶縁物５にて区画された状態で前記した各透明
電極２、非晶質半導体層３、裏面電極４をこの順
序に積層して構成されており、これら各光起電力
素子Ａ，Ｂ，Ｃ…夫々の裏面電極４上に接続電極
６を積層形成すると共に、この接続電極６を各相
隣する片側の光起電力素子Ａ，Ｂ，Ｃ…における
透明電極２と接続せしめて、各光起電力素子Ａ，
Ｂ，Ｃ…を直列接続した集積型の光起電力装置と
して構成してある。このような光起電力装置にあ
つては光を透光性絶縁基板１を通して非晶質半導
体層３内に導入し、ここで生成せしめられた光起
電力を各光起電力素子Ａ，Ｂ，Ｃの透明電極２、
裏面電極及び接続電極６にて集電され、透明電極
２、接続電極６に接続した図示しない引出線を通
じて外部に取り出されるようになつている。
次に上記した如き本発明装置の製造過程につい
て第２図イ〜ニに基づき説明する。第２図イ〜ニ
は上述した如き、本発明装置の製造過程を示す説
明図であり、先ず第２図イに示す如く、透光性絶
縁基板１上に透明電極２、ｐ−ｉ−ｎ接合型又は
ｎ−ｉ−ｐ接合型の非晶質半導体層３、裏面電極
４からなる積層体をこの順序で夫々所要厚さに積
層形成した後、各光起電力素子Ａ，Ｂ，Ｃ…を構
成する領域毎に透明電極２、非晶質半導体層３、
裏面電極４に対し、同時的にレーザスクライブを
施す。使用レーザはＱスイツチ付のYAGレーザ
であつてレーザパワー密度５×108ｗ／cm2、その
出力波長は1.06μm、繰り返しパルス数3KHz程度
とするのが適切である。レーザービームの投射は
通常は裏面電極４側から行うが、透光性絶縁基板
５側から行つてもよい。
て第２図イ〜ニに基づき説明する。第２図イ〜ニ
は上述した如き、本発明装置の製造過程を示す説
明図であり、先ず第２図イに示す如く、透光性絶
縁基板１上に透明電極２、ｐ−ｉ−ｎ接合型又は
ｎ−ｉ−ｐ接合型の非晶質半導体層３、裏面電極
４からなる積層体をこの順序で夫々所要厚さに積
層形成した後、各光起電力素子Ａ，Ｂ，Ｃ…を構
成する領域毎に透明電極２、非晶質半導体層３、
裏面電極４に対し、同時的にレーザスクライブを
施す。使用レーザはＱスイツチ付のYAGレーザ
であつてレーザパワー密度５×108ｗ／cm2、その
出力波長は1.06μm、繰り返しパルス数3KHz程度
とするのが適切である。レーザービームの投射は
通常は裏面電極４側から行うが、透光性絶縁基板
５側から行つてもよい。
次に第２図ロに示す如く切断によつて形成され
た溝内に絶縁物５を形成する。先ずレジストを裏
面電極４の全面に薄く塗布し透光性絶縁基板１側
から露光させたあと、レジストを溶剤にて溶解除
去する。
た溝内に絶縁物５を形成する。先ずレジストを裏
面電極４の全面に薄く塗布し透光性絶縁基板１側
から露光させたあと、レジストを溶剤にて溶解除
去する。
使用レジストについては特に限定するものでは
なく、従来知られたものを適宜採択すればよい。
なく、従来知られたものを適宜採択すればよい。
次いで第２図ハに示す如く、各絶縁物５と僅か
に間隔を隔ててその片側にて裏面電極４側から裏
面電極４及び非晶質半導体層３に対して同時的に
レーザスクライブする。この際透明電極２を損傷
しないようレーザパワー密度は２×108ｗ／cm2〜
５×108ｗ／cm2程度とする。
に間隔を隔ててその片側にて裏面電極４側から裏
面電極４及び非晶質半導体層３に対して同時的に
レーザスクライブする。この際透明電極２を損傷
しないようレーザパワー密度は２×108ｗ／cm2〜
５×108ｗ／cm2程度とする。
次いで第２図ニに示す如く裏面電極４及びレー
ザスクライブされ、露出せしめられた透明電極２
にわたるよう接続電極６を形成すると共に、前記
レーザスクライブ位置と若干の間隔を隔てて、破
線で示す如くレーザビームを投射し、接続電極
６、裏面電極４にレーザスクライブを施す。この
場合のレーザパワー密度は透明電極２を損傷しな
いよう２×108ｗ／cm2以下が望ましい。而して第
１図に示す如く相互に複数の光起電力素子Ａ，
Ｂ，Ｃ…を直列接続した光起電力装置が得られる
こととなる。
ザスクライブされ、露出せしめられた透明電極２
にわたるよう接続電極６を形成すると共に、前記
レーザスクライブ位置と若干の間隔を隔てて、破
線で示す如くレーザビームを投射し、接続電極
６、裏面電極４にレーザスクライブを施す。この
場合のレーザパワー密度は透明電極２を損傷しな
いよう２×108ｗ／cm2以下が望ましい。而して第
１図に示す如く相互に複数の光起電力素子Ａ，
Ｂ，Ｃ…を直列接続した光起電力装置が得られる
こととなる。
以上の如く本発明方法にあつては、透光性絶縁
基板上に透明電極、非晶質半導体層、裏面電極を
この順序で積層形成した後、これらを同時的に切
断することとしているから、切断加工作業が容易
であることは勿論、非晶質半導体層表面に裏面電
極を積層した状態で切断を行うため、例えばレー
ザスクライブ等に際しての非晶質半導体層構成材
料の飛散粒子付着による膜質の低下、或いは酸
化、水分の吸収を防止出来て膜品質の大幅な向上
を図れるなど本発明は優れた効果を奏するもので
ある。
基板上に透明電極、非晶質半導体層、裏面電極を
この順序で積層形成した後、これらを同時的に切
断することとしているから、切断加工作業が容易
であることは勿論、非晶質半導体層表面に裏面電
極を積層した状態で切断を行うため、例えばレー
ザスクライブ等に際しての非晶質半導体層構成材
料の飛散粒子付着による膜質の低下、或いは酸
化、水分の吸収を防止出来て膜品質の大幅な向上
を図れるなど本発明は優れた効果を奏するもので
ある。
加えて、本発明は光起電力素子間を直列接続す
るための接続電極を各光起電力素子毎に分割する
に際して、その接続電極と、その下地となる裏面
電極とを同時的にレーザビームにて切断すること
から、斯る工程における作業も容易に行い得ると
共に、その切断を確実に行うことが可能となる。
るための接続電極を各光起電力素子毎に分割する
に際して、その接続電極と、その下地となる裏面
電極とを同時的にレーザビームにて切断すること
から、斯る工程における作業も容易に行い得ると
共に、その切断を確実に行うことが可能となる。
第１図は本発明方法によつて得た光起電力装置
の断面構造図、第２図はイ〜ニは本発明方法の工
程を示す模式図、第３図イ〜ヘは従来方法の工程
を示す模式図である。 １……透光性絶縁基板、２……透明電極、３…
…非晶質半導体層、４……裏面電極、５……絶縁
物、６……接続電極。
の断面構造図、第２図はイ〜ニは本発明方法の工
程を示す模式図、第３図イ〜ヘは従来方法の工程
を示す模式図である。 １……透光性絶縁基板、２……透明電極、３…
…非晶質半導体層、４……裏面電極、５……絶縁
物、６……接続電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透光性絶縁基板上に、透明電極、非晶質半導
体膜及び裏面電極をこの順序に積層形成して成る
複数の光起電力素子を、一の素子の透明電極と隣
接する素子の裏面電極とを接続電極を介して直列
接続させた光起電力装置の製造方法であつて、 基板上に形成された、上記透明電極、上記非晶
質半導体膜及び上記裏面電極から成る積層体を同
時的にレーザビームによつて切断し、且つその切
断部分に絶縁物を形成することにより、各光起電
力素子毎に分割すると共に、上記切断部分近傍
の、上記非晶質半導体膜と上記裏面電極との積層
体を、レーザビームによつて切断した後、該切断
部を含むように上記裏面電極上に上記接続電極を
形成し、該接続電極を上記裏面電極と共にレーザ
ビームによつて同時的に切断することにより、各
光起電力素子を直列接続することを特徴とする光
起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225885A JPS6284569A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225885A JPS6284569A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284569A JPS6284569A (ja) | 1987-04-18 |
| JPH0582993B2 true JPH0582993B2 (ja) | 1993-11-24 |
Family
ID=16836388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60225885A Granted JPS6284569A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6284569A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2024662A1 (en) * | 1989-09-08 | 1991-03-09 | Robert Oswald | Monolithic series and parallel connected photovoltaic module |
| JP3035565B2 (ja) * | 1991-12-27 | 2000-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜太陽電池の作製方法 |
| WO2000007249A1 (fr) * | 1998-07-27 | 2000-02-10 | Citizen Watch Co., Ltd. | Cellule solaire, procede de production et masque de photolithographie permettant de fabriquer ladite cellule solaire |
| US20070079866A1 (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-12 | Applied Materials, Inc. | System and method for making an improved thin film solar cell interconnect |
| JP2008034744A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| US8716591B2 (en) | 2007-06-20 | 2014-05-06 | Ascent Solar Technologies, Inc. | Array of monolithically integrated thin film photovoltaic cells and associated methods |
| CN102272938B (zh) * | 2009-01-29 | 2013-10-09 | 京瓷株式会社 | 光电转换元件、光电转换模块及光电转换元件的制造方法 |
| US20110303272A1 (en) * | 2010-06-09 | 2011-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric Conversion Device and Manufacturing Method Thereof |
| TWI453932B (zh) * | 2010-07-06 | 2014-09-21 | Solarbase Group Inc | 光伏模組和製造ㄧ具有電極擴散層之光伏模組的方法 |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP60225885A patent/JPS6284569A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6284569A (ja) | 1987-04-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |