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JPH0679369B2 - Magnetic recording material and manufacturing method thereof - Google Patents
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JPH0679369B2 - Magnetic recording material and manufacturing method thereof - Google Patents

Magnetic recording material and manufacturing method thereof

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Publication number
JPH0679369B2
JPH0679369B2 JP59091552A JP9155284A JPH0679369B2 JP H0679369 B2 JPH0679369 B2 JP H0679369B2 JP 59091552 A JP59091552 A JP 59091552A JP 9155284 A JP9155284 A JP 9155284A JP H0679369 B2 JPH0679369 B2 JP H0679369B2
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thin film
recording material
magnetic recording
nitrogen
iron nitride
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和夫 梅田
明 田崎
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、耐腐食性に優れしかも磁気特性に優れたFe系
磁気記録材料およびその製造方法に関する。
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to an Fe-based magnetic recording material having excellent corrosion resistance and magnetic properties, and a method for producing the same.

〔発明の技術的背景ならびにその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

近年、高密度磁気記録に対する要求が高まりつつあり、
これに対応して、非磁性基材上に強磁性金属からなる薄
膜をスパッタリング、イオンプレーティングなどの方法
により被着させてなる薄膜型の磁気記録材料が開発され
ている。このうち、Co系磁性材料を斜方蒸着法により基
材上に薄膜として被着させてなる磁気記録材料は、その
磁気特性が優れているため、たとえばマイクロカセット
テープなどに利用されている。
In recent years, the demand for high-density magnetic recording is increasing,
In response to this, a thin film type magnetic recording material has been developed in which a thin film made of a ferromagnetic metal is deposited on a non-magnetic substrate by a method such as sputtering or ion plating. Among them, a magnetic recording material obtained by depositing a Co-based magnetic material as a thin film on a base material by an oblique evaporation method has excellent magnetic characteristics and is therefore used for, for example, a microcassette tape.

しかしながらCo系磁気記録材料は、その材料コストが高
く、しかも斜方蒸着法により記録材料を作成しておりそ
の蒸着効率が低くなるため、磁気記録材料としては価格
が高くなりすぎるという欠点があり、他の安価な磁性材
料の利用が望まれていた。
However, the Co-based magnetic recording material has a high material cost, and since the recording material is produced by the oblique vapor deposition method and the vapor deposition efficiency is low, the magnetic recording material has a disadvantage of being too expensive. The use of other inexpensive magnetic materials has been desired.

一方、Fe系磁性材料を用いて形成されたFe系磁気記録材
料は、その材料コストが低いため価格的に大巾な低下が
図れる可能性はあるが、耐腐食性が不充分であるととも
に、高い保磁力が得られないという問題点があり、従来
種々の試みがなされているにもかかわらず、実用化には
到っていないのが実情である。
On the other hand, the Fe-based magnetic recording material formed by using the Fe-based magnetic material may have a large reduction in price because of its low material cost, but it has insufficient corrosion resistance and There is a problem that a high coercive force cannot be obtained, and the fact is that it has not been put to practical use despite various attempts made in the past.

本発明者らは、上記のようなFe系磁気材料に伴なう問題
点を解決すべく鋭意研究した結果、以下のような事実を
見出した。
The present inventors have found the following facts as a result of earnest research to solve the problems associated with the above Fe-based magnetic materials.

(a) N2、NH3などの含窒素ガス中で、Fe系磁性材料
をイオンプレーティングあるいはスパッタリングなどの
方法により基材上に成膜すると、Fe4N、Fe8Nなどの窒化
鉄を含むFe系薄膜が得られること。
(A) When a Fe-based magnetic material is formed on a substrate by a method such as ion plating or sputtering in a nitrogen-containing gas such as N 2 or NH 3 , iron nitride such as Fe 4 N or Fe 8 N is formed. A Fe-based thin film containing Fe should be obtained.

(b) このような窒化鉄を含むFe系薄膜は、Feをアル
ゴンなどの不活性ガス中での真空蒸着法などにより基材
上に成膜した窒化鉄を含まないFe系薄膜と比べて、耐腐
食性が大幅に向上していること。
(B) The Fe-based thin film containing iron nitride is compared with the Fe-based thin film containing no iron nitride formed on the substrate by vacuum deposition of Fe in an inert gas such as argon. Greatly improved corrosion resistance.

(c) 基材上にFe系磁性材料をイオンプレーティング
あるいはスパッタリングなどの方法により基材上に成膜
するに際して、基材面に立てた垂線とFe系蒸気気流との
なす角すなわち入射角を20度好ましくは45度以上とする
射方蒸着法を採用することにより、得られるFe系薄膜の
保磁力Hcが増加し、磁気記録材料として使用しうるこ
と。
(C) When depositing a Fe-based magnetic material on a substrate by a method such as ion plating or sputtering, determine the angle between the perpendicular line standing on the substrate surface and the Fe-based vapor stream, that is, the incident angle. The coercive force Hc of the obtained Fe-based thin film is increased by adopting the evaporative vapor deposition method at 20 degrees, preferably 45 degrees or more, and it can be used as a magnetic recording material.

(d) 上記のFe系磁気記録材料を基材上に成膜するに
際して、N2、NH3などの含窒素ガスの圧力に応じて、得
られるFe系薄膜の組成が著しく変化し、それに応じてそ
の磁気特性も著しく変化すること。
(D) When the above Fe-based magnetic recording material is formed on the substrate, the composition of the obtained Fe-based thin film changes significantly depending on the pressure of the nitrogen-containing gas such as N 2 and NH 3 , and accordingly Its magnetic properties also change significantly.

〔発明の目的ならびにその概要〕[Object of Invention and Outline thereof]

本発明は、上記のような知見に基いて完成されたもので
あって、Fe系薄膜でありながら、優れた耐腐食性を有す
るとともに優れた磁気特性をも有するFe系磁気記録材料
およびその製造方法を提供することを目的としている。
The present invention has been completed based on the above findings, and is an Fe-based thin film, but also has an Fe-based magnetic recording material having excellent corrosion resistance and excellent magnetic properties and its production. It is intended to provide a way.

本発明に係る磁気記録材料は、基材と、この基材上に斜
方反応性イオンプレーティングまたは反応性スパッタリ
ングにより被着されたFe系薄膜とからなり、このFe系薄
膜はFexN(式中xは2〜8である)で示される窒化鉄を
5%以上好ましくは50%以上含んでおり、しかも Fe2〜3Nで示される窒化鉄の量が、50%以下であるこ
とを特徴としている。
The magnetic recording material according to the present invention comprises a substrate and an Fe-based thin film deposited on the substrate by orthorhombic reactive ion plating or reactive sputtering. x is 2 to 8), and the amount of iron nitride represented by Fe 2 to 3 N is 50% or less. There is.

また、本発明に係る磁気記録材料の製造方法は、チャン
バー内でFeまたはFe系合金を蒸着源またはターゲットと
して、反応性イオンプレーティング法または反応性スパ
ッタリング法により、以下の条件(a)〜(c)下で、
FexN(式中xは2〜8である)で示される窒化鉄を5%
以上含み、しかもFe2〜3Nで示される窒化鉄の量が50
%以下であるFe系薄膜を基材上に被着させることを特徴
としている。
Further, the method for producing a magnetic recording material according to the present invention uses the Fe or Fe-based alloy as a vapor deposition source or a target in a chamber by a reactive ion plating method or a reactive sputtering method under the following conditions (a) to ( c) Under
5% of iron nitride represented by FexN (where x is 2 to 8)
The amount of iron nitride represented by Fe 2 to 3 N is 50 or more.
The Fe-based thin film whose content is less than or equal to 5% is deposited on the substrate.

(a) 反応性イオンプレーティング法でFe系薄膜を基
材上に被着させる場合には、基材面に立てた垂線とFe系
蒸気流とのなす角度すなわち入斜角を20度好ましくは45
度以上に保って、基材上にFe系薄膜を被着させること。
(A) When the Fe-based thin film is deposited on the substrate by the reactive ion plating method, the angle formed by the perpendicular line standing on the substrate surface and the Fe-based vapor flow, that is, the angle of incidence is preferably 20 degrees. 45
Keeping the temperature above a certain level and depositing a Fe-based thin film on the substrate.

(b) チャンバー内の含窒素ガス圧を、反応性イオン
プレーティング法の場合には1×1-4〜1.0×10-3Torrの
範囲に、また反応スパッタリング法の場合には1×10-3
〜1×10-1Torrの範囲に保つこと。
(B) The nitrogen-containing gas pressure in the chamber is in the range of 1 × 1 −4 to 1.0 × 10 −3 Torr in the case of the reactive ion plating method, and 1 × 10 − in the case of the reactive sputtering method. 3
Keep in the range of ~ 1 x 10 -1 Torr.

(c) Fe系薄膜の成膜速度を1〜200Å/secの範囲に
保つこと。
(C) Keep the deposition rate of the Fe-based thin film within the range of 1 to 200 Å / sec.

〔発明の具体的説明〕[Specific Description of the Invention]

以下本発明を図面により説明する。 The present invention will be described below with reference to the drawings.

本発明に係る磁気記録材料1は、基材2と、この基材2
上に被着されたFe系薄膜3とからなっている。
A magnetic recording material 1 according to the present invention includes a base material 2 and the base material 2.
Fe-based thin film 3 deposited on top.

Fe系薄膜3は、FexN(式中xは2〜8である)で示され
る窒化鉄を5%以上、好ましくは20%以上、さらに好ま
しくは50%以上で含み、しかもFe2〜3Nで示される窒
化鉄の量は50%以下であることが好ましい。
Fe-based thin film 3, FeXN (x in the formula is 2 to 8) with an iron nitride 5% or more represented, preferably 20% or more, more preferably comprises at least 50%, yet Fe 2 to 3 N The amount of iron nitride shown is preferably 50% or less.

このFe系薄膜3中には、上記のような窒化鉄に加えて、
純鉄(α−Fe)も含まれており、この量は一般に5〜50
%であることが好ましい。
In the Fe-based thin film 3, in addition to the above iron nitride,
Pure iron (α-Fe) is also included, and this amount is generally 5-50.
% Is preferable.

Fe系薄膜3におけるFexN(xは2〜8である)で示され
る窒化鉄の量が5%未満であると、得られる磁気記録材
料の耐腐食性が不充分であるため好ましくない。またFe
2〜3Nで示される窒化鉄の量が50%を超えると、磁気
記録材料の保磁力Hcおよび飽和磁化αsが急激に減少す
るため好ましくない。
When the amount of iron nitride represented by FexN (x is 2 to 8) in the Fe-based thin film 3 is less than 5%, the resulting magnetic recording material has insufficient corrosion resistance, which is not preferable. Also Fe
When the amount of iron nitride represented by 2 to 3 N exceeds 50%, the coercive force Hc and the saturation magnetization αs of the magnetic recording material sharply decrease, which is not preferable.

なおFe系薄膜3におけるFexNで示される窒化鉄の量が、
5〜20%である場合には、40℃、湿度90%の室内に1週
間放置しても腐食が認められない程度の耐腐食性を有し
ており、また前記窒化鉄の量が20〜50%である場合に
は、NaClを含む水分に1週間接触させても腐食が認めら
れない程度の耐腐食性を有しており、さらに前記窒化鉄
の量が50%以上である場合には、5%NaCl水溶液に1週
間浸漬しても腐食が認められない程度の耐腐食性を有し
ている。
The amount of iron nitride represented by FexN in the Fe-based thin film 3 is
When it is 5 to 20%, it has corrosion resistance to the extent that no corrosion is observed even if it is left in a room at 40 ° C and humidity of 90% for 1 week, and the amount of iron nitride is 20 to 20%. When it is 50%, it has corrosion resistance to the extent that no corrosion is observed even if it is contacted with water containing NaCl for 1 week, and when the amount of iron nitride is 50% or more, It has corrosion resistance to the extent that no corrosion is observed even when immersed in a 5% NaCl aqueous solution for 1 week.

理論に拘束されることは望まないが、Fe2〜3Nで示さ
れる窒化鉄は磁性を有しておらず、一方Fe4〜8Nで示
される窒化鉄ならびに純鉄は磁性を有していると考えら
れる。したがって本発明に係る磁気記録材料において
は、FexN(xは2〜8である)で示される窒化鉄は5%
以上含ませることによって耐腐食性を付与し、またFe
2〜3Nで示される窒化鉄の量を50%以下とすることに
よって保磁力Hcおよび飽和磁化σsの低下を抑えている
のであろうと推定される。保磁力Hcに関しては、Fe系薄
膜中にFe2〜3Nを少量含ませることによって、むしろ
保磁力Hcは増加するが、Fe2〜3Nの量が50%を超える
と保磁力は急激に減少することが見出されている。この
ようなFe系薄膜中における非磁性窒化鉄(Fe2〜3N)
の含有率と、飽和磁化σsおよび保磁力Hcとの関係を第
2図に示す。
Although not wishing to be bound by theory, iron nitrides represented by Fe 2 to 3 N do not have magnetism, whereas iron nitrides represented by Fe 4 to 8 N and pure iron have magnetism. It is believed that Therefore, in the magnetic recording material according to the present invention, iron nitride represented by FexN (x is 2 to 8) is 5%.
The inclusion of the above gives corrosion resistance, and Fe
It is presumed that the reduction of the coercive force Hc and the saturation magnetization σs may be suppressed by setting the amount of iron nitride represented by 2-3 N to 50% or less. Regarding the coercive force Hc, the coercive force Hc increases rather by including a small amount of Fe 2 to 3 N in the Fe-based thin film, but the coercive force abruptly increases when the amount of Fe 2 to 3 N exceeds 50%. It has been found to decrease. Non-magnetic iron nitride ( Fe2-3N ) in such Fe-based thin films
FIG. 2 shows the relationship between the content ratio of S, the saturation magnetization σs, and the coercive force Hc.

基材2としては、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミドな
どの合成樹脂のフィルムあるいはシート、アルミニウム
箔、非磁性ニッケル箔、ステンレス箔などの非磁性金属
の箔またはシート、ガラス、セラミック板などの従来公
知の材料が広く用いられうる。
The base material 2 is a film or sheet of synthetic resin such as polyethylene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polystyrene, polyethylene terephthalate, polyimide, polycarbonate, polyamide, non-magnetic metal such as aluminum foil, non-magnetic nickel foil, and stainless steel foil. Conventionally known materials such as the foil or sheet, glass, and ceramic plate can be widely used.

次に本発明に係るFe系磁気記録材料1の形成方法につい
て説明する。
Next, a method of forming the Fe-based magnetic recording material 1 according to the present invention will be described.

本発明に係るFe系磁気記録材料1は、基材2上にFe系薄
膜3を被着させて形成されているが、従来のイオンプレ
ーティング装置またはスパッタリング装置を用い、この
装置内にアルゴンなどの不活性ガスの代わりに窒素、ア
ンモニアなどの含窒素ガスを導入し、FeまたはFe系合金
を蒸着源またはターゲットとして、反応性イオンプレー
ティング法または反応性スパッタリング法によりFe系薄
膜を基材上に被着させればよい。
The Fe-based magnetic recording material 1 according to the present invention is formed by depositing a Fe-based thin film 3 on a base material 2. However, a conventional ion plating apparatus or sputtering apparatus is used, and argon or the like is used in the apparatus. Nitrogen-containing gas such as nitrogen or ammonia is introduced instead of the inert gas of Fe, and Fe or Fe-based alloy is used as a vapor deposition source or target to deposit Fe-based thin film on the substrate by reactive ion plating or reactive sputtering. It can be attached to.

あるいはまた、第3図に示されるようなイオンプレーテ
ィング装置を用いてもよい。このイオンプレーティング
装置4は、底部にバルブ6を有する真空ライン5を具備
しており、また側部にバルブ8を有する含窒素ガスの導
入ライン7を具備している。イオンプレーティング装置
4の内部すなわちチャンバー9の下部には、ターゲット
であるFeまたはFe系合金10を入れるためのルツボ11が設
けられておりこのルツボ11の下部には、電子銃または抵
抗加熱装置を含んで構成される電子ビーム加熱装置12が
設けられている。またチャンバー9内の前記ガス導入ラ
イン7とほぼ水平位置であり、しかもルツボ11の上方
に、イオン化電極13およびフィラメント14が設けられて
いる。さらに、チャンバー9内のイオン化電極13のほぼ
真上位置には、ホルダー15が設けられており、このホル
ダー15は耐腐食性薄膜が被着される基材2を傾けて保持
できるようになっている。すなわちホルダー15は、基材
2に立てた垂線とFe系蒸気流とのなす角度αすなわち入
射角αを20度好ましくは45度以上に保つことができるよ
うに、基材2を傾けて保持できるようになっている。
Alternatively, an ion plating device as shown in FIG. 3 may be used. The ion plating device 4 has a vacuum line 5 having a valve 6 at the bottom and a nitrogen-containing gas introduction line 7 having a valve 8 at the side. Inside the ion plating device 4, that is, in the lower part of the chamber 9, there is provided a crucible 11 for containing a target Fe or an Fe-based alloy 10. An electron gun or a resistance heating device is provided under the crucible 11. An electron beam heating device 12 including the above is provided. Further, an ionization electrode 13 and a filament 14 are provided in a position substantially horizontal to the gas introduction line 7 in the chamber 9 and above the crucible 11. Further, a holder 15 is provided almost directly above the ionization electrode 13 in the chamber 9 so that the holder 15 can hold the base material 2 to which the corrosion resistant thin film is attached by tilting. There is. That is, the holder 15 can hold the base material 2 in a tilted manner so that the angle α formed by the perpendicular line standing on the base material 2 and the Fe-based vapor flow, that is, the incident angle α can be maintained at 20 degrees, preferably 45 degrees or more. It is like this.

このようなイオンプレーティング装置においては、ルツ
ボ11内のFeまたはFe系合金10は、電子ビーム加熱装置12
から放出されるとともに加速集束された電子ビーム16に
加熱され、FeまたはFe系合金の蒸気流17が上方に向けて
発生する。一方前記イオン化電極13は、フィラメント14
に対して正電位にバイアスされており、このイオン化電
極13とフィラメント14との間には、フィラメント14から
イオン化電極13に向けて熱電子流18が発生する。また、
前記の含窒素ガスの導入ライン7からは、含窒素ガス19
がチャンバー9内に導入される。そしてFeまたはFe系合
金の蒸気流17および含窒素ガス19は、前記の熱電子流18
と衝突してイオン化され、FeまたはFe系合金の蒸気流17
と含窒素ガス19とは反応して、FeまたはFe系合金の一部
は窒化鉄となり、基材2上に被着させる。
In such an ion plating apparatus, the Fe or Fe-based alloy 10 in the crucible 11 is the electron beam heating apparatus 12
It is heated by the electron beam 16 which is emitted from and accelerated and focused, and a vapor flow 17 of Fe or Fe-based alloy is generated upward. On the other hand, the ionization electrode 13 has a filament 14
Biased at a positive potential with respect to the ionization electrode 13, a thermoelectron flow 18 is generated between the ionization electrode 13 and the filament 14 from the filament 14 toward the ionization electrode 13. Also,
From the nitrogen-containing gas introduction line 7, the nitrogen-containing gas 19
Are introduced into the chamber 9. The vapor flow 17 of Fe or Fe-based alloy and the nitrogen-containing gas 19 are the above-mentioned thermionic flow 18
The vapor flow of Fe or Fe-based alloy is generated by collision with
And the nitrogen-containing gas 19 react with each other, and part of Fe or the Fe-based alloy becomes iron nitride, which is deposited on the base material 2.

上記の操作の手順ならびに条件について説明すると、ま
ずチャンバー9内を10-6Torr程度の高真空にまで排気す
る。次に含窒素ガス19をガス導入ライン6から数10Torr
まで導入してチャンバー9内を含窒素ガスで満たし、こ
の含窒素ガスの流量をバルブ8によりコントロールしな
がら再び排気を行なって、チャンバー内の含窒素ガス圧
を1×10-4〜1.0×10-3Torrの範囲に保つ。チャンバー
9内の含窒素ガス圧は、得られるFe系薄膜中での窒化鉄
の組成ならびに量に対して大きな影響を与える。チャン
バー内の含窒素ガス圧が1×10-4Torr未満では、窒化鉄
の生成が不充分となり、耐腐食性に優れた薄膜が得られ
ないため好ましくない。また含窒素ガス圧が1.0×10-3T
orrを超えると、Fe2N、Fe3Nなどの非磁性窒化鉄の量が5
0%を超えて生成して得られるFe系薄膜の磁気特性が低
下するため好ましくない。
Explaining the procedure and conditions of the above operation, first, the inside of the chamber 9 is evacuated to a high vacuum of about 10 −6 Torr. Next, the nitrogen-containing gas 19 is fed through the gas introduction line 6 for several tens of Torr.
And the chamber 9 is filled with nitrogen-containing gas, and the flow rate of the nitrogen-containing gas is controlled by the valve 8 to evacuate again to adjust the pressure of the nitrogen-containing gas in the chamber to 1 × 10 −4 to 1.0 × 10 4. Keep in the -3 Torr range. The nitrogen-containing gas pressure in the chamber 9 has a great influence on the composition and amount of iron nitride in the obtained Fe-based thin film. When the pressure of nitrogen-containing gas in the chamber is less than 1 × 10 −4 Torr, the production of iron nitride is insufficient and a thin film excellent in corrosion resistance cannot be obtained, which is not preferable. Also, the nitrogen-containing gas pressure is 1.0 × 10 -3 T
If it exceeds orr, the amount of non-magnetic iron nitride such as Fe 2 N and Fe 3 N will be 5
It is not preferable because the magnetic properties of the Fe-based thin film obtained by forming over 0% deteriorate.

ルツボ11内のFeまたはFe系合金10に照射される電子ビー
ム16の量は、電子銃を含んで構成される電子ビーム加熱
装置12に加えられる電力によりコントロールされるが、
この電子ビーム加熱装置12に加えられる電力に応じてFe
系薄膜の成膜速度が決定される。Fe系薄膜の成膜速度は
1.0〜200Å/secの範囲に保つことが好ましい。成膜速度
もまた得られるFe系薄膜中での窒化鉄の組成ならびに量
に対して大きな影響を与え、この成膜速度が200Å/sec
を超えると、FeまたはFe系合金の窒化が充分に行なえな
いため好ましくない。また成膜速度が1.0Å/sec未満で
あると、成膜が安定化しないため好ましくない。
The amount of the electron beam 16 applied to the Fe or Fe-based alloy 10 in the crucible 11 is controlled by the electric power applied to the electron beam heating device 12 including an electron gun,
Depending on the electric power applied to this electron beam heating device 12, Fe
The deposition rate of the system thin film is determined. The deposition rate of Fe-based thin film is
It is preferable to keep it in the range of 1.0 to 200Å / sec. The deposition rate also has a large effect on the composition and amount of iron nitride in the obtained Fe-based thin film, and this deposition rate is 200 Å / sec.
If it exceeds, nitriding of Fe or an Fe-based alloy cannot be sufficiently performed, which is not preferable. If the film formation rate is less than 1.0Å / sec, the film formation is not stabilized, which is not preferable.

前述のようにフィラメント14に電圧が印加されて熱電子
流18が発生するが、この印加電圧はフィラメント14の大
きさによって変化するが、一般にフィラメント14が白色
光を放つ程度に加熱すれば充分である。この際フィラメ
ント14の一方端は接地しておくことが好ましい。またイ
オン電極13に印加する電圧は、FeまたはFe系合金の蒸気
流17および含窒素ガス19のイオン化状態を良好に保つた
め、フィラメント14に対して正に数10V程度印加するこ
とが好ましい。
As described above, a voltage is applied to the filament 14 to generate a thermionic flow 18, and this applied voltage varies depending on the size of the filament 14, but generally it is sufficient to heat the filament 14 to the extent that it emits white light. is there. At this time, one end of the filament 14 is preferably grounded. Further, the voltage applied to the ion electrode 13 is preferably about several tens V to the filament 14 in order to keep the ionization state of the vapor flow 17 of Fe or Fe-based alloy and the nitrogen-containing gas 19 in good condition.

なお、ルツボ11およびホルダー15は、一般には接地する
ことが好ましいが、ホルダー15に関しては大地に対して
負の電圧を印加してもよい。
In general, the crucible 11 and the holder 15 are preferably grounded, but the holder 15 may be applied with a negative voltage with respect to the ground.

蒸着源であるFe系合金としては、Feを主体とした合金た
とえばFe−Ni、Fe−Co、Fe−Ni−Co、Fe−Rh、Fe−Cr、
Fe−Sm、Fe−Cr、Fe−SiのFe系強磁材料などが用いられ
うる。
As the Fe-based alloy that is a vapor deposition source, alloys mainly composed of Fe, such as Fe-Ni, Fe-Co, Fe-Ni-Co, Fe-Rh, Fe-Cr,
Fe-based strong magnetic materials such as Fe-Sm, Fe-Cr, and Fe-Si can be used.

一方、スパッタリング法によりFe系薄膜1を基材2上に
被着するには、チャンバー内の圧力を1×10-3〜1×10
-1Torrの範囲に保ち、成膜速度を0.1〜200Å/secの保つ
ことが好ましい。
On the other hand, in order to deposit the Fe-based thin film 1 on the substrate 2 by the sputtering method, the pressure in the chamber should be 1 × 10 −3 to 1 × 10 5.
It is preferable to keep the film formation rate in the range of -1 Torr and the film formation rate of 0.1 to 200Å / sec.

含窒素ガスとしては、窒素ガス、アンモニアガス、また
はこれらの混合物あるいはこれらのガスとヘリウム、ネ
オン、アルゴンなどの不活性ガスとの混合物が用いられ
るが、特に窒素ガスが好ましい。
As the nitrogen-containing gas, nitrogen gas, ammonia gas, a mixture thereof, or a mixture of these gases and an inert gas such as helium, neon or argon is used, and nitrogen gas is particularly preferable.

なお、Fe系薄膜3の膜厚は、広い範囲で変化しうるが、
一般に500〜5000Å好ましくは500〜3000Åであることが
望ましい。
The film thickness of the Fe-based thin film 3 can vary over a wide range,
Generally, it is desirable to be 500 to 5000Å, preferably 500 to 3000Å.

なお、本明細書においてFe系薄膜中の窒化鉄の%は、メ
スバウァー法に基いて決定された値である。
In the present specification, the% of iron nitride in the Fe-based thin film is a value determined based on the Mossbauer method.

以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
の実施例に限定されるものではない。
The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

実施例1 基材として厚さ50μmのポリイミドフィルムを用い、そ
の表面にFeを蒸着源として第3図に示したイオンプレー
ティング装置により以下の条件でFe系薄膜を形成した。
Example 1 A polyimide film having a thickness of 50 μm was used as a base material, and an Fe-based thin film was formed on the surface of the polyimide film under the following conditions by using the ion plating apparatus shown in FIG.

比較例1 実施例1において、N2ガスを導入せず真空度を5×10-5
Torrに保った以外は、実施例1と同様にしてFe金属薄膜
を形成した。
Comparative Example 1 In Example 1, the vacuum degree was 5 × 10 −5 without introducing N 2 gas.
An Fe metal thin film was formed in the same manner as in Example 1 except that the temperature was maintained at Torr.

上記実施例1および比較例1で得られたFe系金属薄膜の
組成および耐腐食性を表に示す。なお膜の組成はメスバ
ウアーを分光法により分析した。
The composition and corrosion resistance of the Fe-based metal thin films obtained in Example 1 and Comparative Example 1 are shown in the table. The composition of the film was analyzed by Mossbauer spectroscopy.

実施例2 実施例1において、N2ガスを導入しながら真空度をそれ
ぞれ4×10-4Torr、6×10-4Torr、8×10-4Torrに保っ
た以外は実施例1と同様にしてFe系金属薄膜を形成し
た。得られたFe系金属薄膜におけるFe2〜3Nの含量は
それぞれ25%、25%、47%であった。また5%NaCl水溶
液中に4日間放置しても、腐食は全く認められなかっ
た。
Example 2 The same as Example 1 except that the vacuum degree was maintained at 4 × 10 −4 Torr, 6 × 10 −4 Torr, and 8 × 10 −4 Torr while introducing N 2 gas. To form a Fe-based metal thin film. The Fe 2 to 3 N contents in the obtained Fe-based metal thin film were 25%, 25%, and 47%, respectively. No corrosion was observed at all even when left in a 5% NaCl aqueous solution for 4 days.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明に係る磁気記録材料の断面図であり、第
2図は磁気記録材料を構成するFe系薄膜中での非磁性窒
化鉄(Fe2〜3N)の含有率と、飽和磁化σsおよび保
磁力Hcとの関係を示す図であり、第3図はFe系薄膜を形
成する際に用いられるイオンプレーティング装置の断面
図である。 1……磁気記録材料、2……基材、3……Fe系薄膜、4
……イオンプレーティング装置。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a magnetic recording material according to the present invention, and FIG. 2 is a content ratio of non-magnetic iron nitride (Fe 2 to 3 N) in a Fe-based thin film constituting the magnetic recording material and saturation. FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the magnetization σs and the coercive force Hc, and FIG. 3 is a cross-sectional view of an ion plating device used when forming an Fe-based thin film. 1 ... Magnetic recording material, 2 ... Substrate, 3 ... Fe-based thin film, 4
…… Ion plating device.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基材と、この基材上にあってこの基材の法
線に対して斜方より蒸着物質を入射して堆積してなるFe
系薄膜とからなる磁気記録材料であって、 前記Fe系薄膜がFexN(式中xは2〜8である)で示され
る窒化鉄を5%以上含んでおり、しかもFe2〜3Nで示
される窒化鉄の量が20〜50%であることを特徴とする、
磁気記録材料。
1. A base material and Fe formed by depositing a vapor deposition material on the base material obliquely with respect to the normal line of the base material.
A magnetic recording material comprising a Fe-based thin film, wherein the Fe-based thin film contains 5% or more of iron nitride represented by FexN (x is 2 to 8), and Fe 2 to 3 N Characterized in that the amount of iron nitride is 20 to 50%,
Magnetic recording material.
【請求項2】チャンバー内でFeまたはFe系合金を蒸着源
として、反応性イオンプレーティング法により、以下の
条件(a)〜(c)下で、FexN(式中xは2〜8であ
る)で示される窒化鉄を5%以上含み、しかもFe2〜3
Nで示される窒化鉄の量が20〜50%であるFe系薄膜を、
基材上に被着させることを特徴とする、磁気記録材料の
製造方法: (a) 基材面に立てた垂線とFe系蒸気流とのなす角度
すなわち入射角を20度以上に保って、基材上にFe系薄膜
を被着させること、 (b) チャンバー内の含窒素ガスの圧力を1×10-4
1.0×10-3Torrの範囲に保つこと、 (c) Fe系薄膜の成膜速度を1〜200Å/secの範囲に
保つこと。
2. FexN (where x is 2 to 8 in the formula) under the following conditions (a) to (c) by a reactive ion plating method using Fe or an Fe-based alloy as a vapor deposition source in a chamber. ) Containing 5% or more of iron nitride, and Fe 2 to 3
An Fe-based thin film in which the amount of iron nitride represented by N is 20 to 50%,
A method for producing a magnetic recording material, which is characterized in that the magnetic recording material is deposited on a base material: (a) An angle formed by a perpendicular line standing on the surface of the base material and an Fe-based vapor flow, that is, an incident angle is kept at 20 degrees or more, Depositing a Fe-based thin film on the substrate, (b) the pressure of the nitrogen-containing gas in the chamber is 1 × 10 -4 ~
Keeping in the range of 1.0 × 10 -3 Torr, (c) Keeping the deposition rate of Fe-based thin film in the range of 1 to 200 Å / sec.
【請求項3】含窒素ガスが、窒素ガスまたはアンモニア
ガスあるいはこれらの混合物もしくはこれらとヘリウ
ム、ネオンまたはアルゴンとの混合物である、特許請求
の範囲第2項に記載の磁気記録材料の製造方法。
3. The method for producing a magnetic recording material according to claim 2, wherein the nitrogen-containing gas is nitrogen gas, ammonia gas, a mixture thereof, or a mixture thereof with helium, neon or argon.
【請求項4】チャンバー内でFeまたはFe系合金をターゲ
ットとして、反応性スパッタリング法により、以下の条
件(a)〜(b)下で、FexN(式中xは2〜8である)
で示される窒化鉄を5%以上含み、しかもFe2〜3Nで
示される窒化鉄の量が20〜50%であるFe系薄膜を、基材
上に被着させることを特徴とする、磁気記録材料の製造
方法: (a) チャンバー内の含窒素ガスの圧力を1×10-3
1.0×10-1Torrの範囲に保つこと、 (b) Fe系薄膜の成膜速度を0.5〜200Å/secの範囲に
保つこと。
4. FexN (where x is 2 to 8) under the following conditions (a) and (b) by a reactive sputtering method using Fe or an Fe-based alloy as a target in a chamber.
A Fe-based thin film containing 5% or more of iron nitride represented by and having an iron nitride content of 20 to 50% represented by Fe 2 to 3 N deposited on a substrate. Manufacturing method of recording material: (a) The pressure of the nitrogen-containing gas in the chamber is set to 1 × 10 −3 or more.
Keeping in the range of 1.0 × 10 -1 Torr, (b) Keeping the deposition rate of Fe-based thin film in the range of 0.5 to 200Å / sec.
【請求項5】含窒素ガスが、窒素ガスまたはアンモニア
ガスあるいはこれらの混合物もしくはこれらとヘリウ
ム、ネオンまたはアルゴンとの混合物である、特許請求
の範囲第4項に記載の磁気記録材料の製造方法。
5. The method for producing a magnetic recording material according to claim 4, wherein the nitrogen-containing gas is nitrogen gas, ammonia gas, a mixture thereof, or a mixture thereof with helium, neon or argon.
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