JPH0726194B2 - Corrosion resistant thin film and manufacturing method thereof - Google Patents
Corrosion resistant thin film and manufacturing method thereofInfo
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- JPH0726194B2 JPH0726194B2 JP59091551A JP9155184A JPH0726194B2 JP H0726194 B2 JPH0726194 B2 JP H0726194B2 JP 59091551 A JP59091551 A JP 59091551A JP 9155184 A JP9155184 A JP 9155184A JP H0726194 B2 JPH0726194 B2 JP H0726194B2
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、耐腐食性薄膜およびその形成方法に関し、さ
らに詳しくは優れた耐腐食性を有するFe系耐腐食性薄膜
およびその形成方法に関する。The present invention relates to a corrosion resistant thin film and a method for forming the same, and more particularly to a Fe-based corrosion resistant thin film having excellent corrosion resistance and a method for forming the same.
発明の技術的背景ならびにその問題点 近年、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティン
グなどのドライコーティング技術の進歩により、金属、
セラミック、プラスチックなどからなるフイルムあるい
は成型物品の表面に、金属、半導体、金属酸化物、セラ
ミックなどの薄膜を形成することが可能となってきた。
このようなドライコーティング技術による薄膜の形成
は、従来のメッキ法に代表されるウェットコーティング
技術に比べ、一般に工程数が少なく、また不純物の混入
が制御でき、しかも環境汚染の心配がないなどの利点を
有するため、薄膜の特性に応じて、耐腐食用、耐熱用、
装飾用、表面硬化用、メタライズ用などの多種多様な目
的に利用されつつある。Technical background of the invention and its problems In recent years, due to advances in dry coating technologies such as vacuum deposition, sputtering, and ion plating, metals,
It has become possible to form a thin film of metal, semiconductor, metal oxide, ceramic or the like on the surface of a film or molded article made of ceramic, plastic or the like.
Compared with the wet coating technology represented by the conventional plating method, the formation of a thin film by such a dry coating technology generally has a smaller number of steps, can control the mixing of impurities, and is free from the concern of environmental pollution. Therefore, depending on the characteristics of the thin film, for corrosion resistance, heat resistance,
It is being used for various purposes such as decoration, surface hardening, and metallization.
ところでFe薄膜は、光沢、導電性、磁気的特性などの面
で優れた性質を有していることに加えて、材料コストが
安いという有点がある。ところがFe薄膜は耐腐食性をほ
とんど有していないため、その使用は著しく制限されて
いた。By the way, the Fe thin film has excellent properties in terms of luster, conductivity, magnetic properties, and the like, and also has the advantage of low material cost. However, since the Fe thin film has almost no corrosion resistance, its use is extremely limited.
本発明者らは、Fe薄膜の耐腐食性の向上を目的として鋭
意研究した結果、以下の事実を見出した。As a result of intensive studies aimed at improving the corrosion resistance of Fe thin films, the present inventors have found the following facts.
(a)N2、NH3などの含窒素ガス中で、Feをイオンプレ
ーティング、スパッタリングなどの方法により基材上に
成膜すると、Fe2N、Fe3N、Fe4Nなどの窒化鉄を含むFe系
薄膜が得られること。(A) In a nitrogen-containing gas such as N 2 or NH 3 , when Fe is deposited on a substrate by a method such as ion plating or sputtering, iron nitride such as Fe 2 N, Fe 3 N or Fe 4 N A Fe-based thin film containing Pd can be obtained.
(b)このような窒化鉄を含むFe系薄膜は、Feをアルゴ
ンなどの不活性ガス中での真空蒸着法などにより基材上
に成膜した窒化鉄を含まないFe系薄膜と比べて、耐腐食
性が大幅に向上していること。(B) The Fe-based thin film containing iron nitride is compared with the Fe-based thin film containing no iron nitride, which is formed by depositing Fe on a substrate by a vacuum deposition method in an inert gas such as argon. Greatly improved corrosion resistance.
発明の目的ならびにその概要 本発明は、上記のような知見に基づいて完成されたもの
であって、Fe系薄膜でありながら、優れた耐腐食性を有
するFe系薄膜およびその製造方法を提供することを目的
としている。The object of the invention and its outline The present invention has been completed based on the above findings, and provides a Fe-based thin film having excellent corrosion resistance even though it is a Fe-based thin film, and a method for producing the same. Is intended.
本発明に係る耐腐食性薄膜は、基材上に設けられたFe系
薄膜であって、このFe系薄膜はFexN(式中xは2〜8で
ある)で示される窒化鉄を5%以上好ましくは20%以上
さらに好ましくは50%含んでいることを特徴としてい
る。The corrosion-resistant thin film according to the present invention is an Fe-based thin film provided on a base material, and the Fe-based thin film contains 5% or more of iron nitride represented by FexN (where x is 2 to 8). It is preferably characterized by containing 20% or more, more preferably 50%.
また本発明に係る耐腐食性薄膜の製造方法は、チャンバ
ー内でFeまたはFe系合金を蒸着源またはターゲットとし
て、反応性イオンプレーティング法または反応性スパッ
タリング法により、以下の条件(a)〜(b)下でFexN
(xは2〜8である)で示される窒化鉄を5%以上含む
Fe系金属薄膜を基材上に成膜することを特徴としてい
る。Further, the method for producing a corrosion-resistant thin film according to the present invention uses the Fe or Fe-based alloy as a vapor deposition source or target in a chamber, and performs the following conditions (a) to () by a reactive ion plating method or a reactive sputtering method. b) Under FexN
Contains 5% or more of iron nitride represented by (x is 2 to 8)
The Fe-based metal thin film is formed on the base material.
(a)チャンバー内の含窒素ガス圧を反応性イオンプレ
ーティング法の場合には2×10-4〜1.0×10-2Torrの範
囲に、また反応性スパッタリング法の場合には1×10-3
〜1.0×10-1Torrの範囲に保つこと、 (b)薄膜の成膜速度を反応性イオンプレーティング法
の場合には0.5〜200Å/secの範囲に、また反応性スパッ
タリング法の場合には0.1〜200Å/secの範囲に保つこ
と。(A) The nitrogen-containing gas pressure in the chamber is in the range of 2 × 10 −4 to 1.0 × 10 −2 Torr in the case of the reactive ion plating method, and 1 × 10 − in the case of the reactive sputtering method. 3
~ 1.0 × 10 -1 Torr range, (b) thin film deposition rate in the range of 0.5 ~ 200Å / sec in case of reactive ion plating method, and in case of reactive sputtering method Keep within the range of 0.1 to 200Å / sec.
発明の具体的説明 以下本発明を図面により説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will be described below with reference to the drawings.
本発明に係るFe系耐腐食性薄膜1は、第1図に示される
ように、基材2上に設けられている。The Fe-based corrosion resistant thin film 1 according to the present invention is provided on a base material 2 as shown in FIG.
Fe系耐腐食性薄膜1は、FexN(式中xは2〜8である)
で示される窒化鉄を5%以上、好ましくは20%以上、さ
らに好ましく50%以上含んでいる。Fe-based corrosion resistant thin film 1 is FexN (where x is 2 to 8)
5% or more, preferably 20% or more, more preferably 50% or more of iron nitride.
Fe系薄膜における窒化鉄の量が5%未満であると、充分
な耐腐食性が得られないため好ましくない。If the amount of iron nitride in the Fe-based thin film is less than 5%, sufficient corrosion resistance cannot be obtained, which is not preferable.
なおFe系薄膜3におけるFexNで示される窒化鉄の量が5
〜20%である場合には、40℃湿度90%の室内に1週間放
置しても腐蝕が認められない程度の耐腐蝕性を有してお
り、また前記窒化鉄の量が20〜50%である場合には、Na
Clを含む蒸気に1週間接触させても腐蝕が認められない
程度の耐腐蝕性を有しており、さらに前記窒化鉄の量が
50%以上である場合には、5%NaCl水溶液に1週間浸漬
しても腐蝕が認められない程度の腐蝕性を有している。The amount of iron nitride represented by FexN in the Fe-based thin film 3 is 5
When the content is up to 20%, the corrosion resistance is such that no corrosion is observed even if left in a room at 40 ° C and 90% humidity for 1 week, and the amount of iron nitride is 20 to 50%. Is Na
It has corrosion resistance to the extent that no corrosion is observed even if it is contacted with vapor containing Cl for 1 week.
When it is 50% or more, it has such a corrosiveness that no corrosion is observed even if it is immersed in a 5% NaCl aqueous solution for 1 week.
基材2としては、あらゆるタイプの物体が基材2となり
うるが、具体的には、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニリデン、セルロースアセテート、ポリスチ
レン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポ
リエチレンテレフタレート、メチルペンテン樹脂、ポリ
アミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンオキシド、
ポリサルホン、ポリフッ化エチレン、ポリフッ化エチレ
ンプロピレン、ポリエーテルイミド、ポリイミド、アク
リル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂など
のプラスチック類、鉄、銅、アルミニウムなどの金属
類、ガラス、セラミック類などが用いられうる。これら
の基材は、フィルム状、シート状、箔状、成型体などの
あらゆる形状をとりうる。また場合によっては、本発明
に係るFe系耐腐食性薄膜を、半導体または磁性体上に直
接設けることもできる。As the base material 2, any type of object can be used as the base material 2, but specifically, polyethylene, polyvinyl chloride,
Polyvinylidene chloride, cellulose acetate, polystyrene, polymethylmethacrylate, polypropylene, polyethylene terephthalate, methylpentene resin, polyamide, polycarbonate, polyphenylene oxide,
Plastics such as polysulfone, polyfluorinated ethylene, polyfluorinated ethylene propylene, polyetherimide, polyimide, acrylic resin, epoxy resin, melamine resin, urea resin, metals such as iron, copper and aluminum, glass, ceramics, etc. are used. Can be done. These base materials can have any shape such as a film shape, a sheet shape, a foil shape, and a molded body. In some cases, the Fe-based corrosion resistant thin film according to the present invention can be directly provided on the semiconductor or the magnetic body.
次に本発明に係るFe系耐腐食性薄膜1の形成方法につい
て説明する。Next, a method for forming the Fe-based corrosion resistant thin film 1 according to the present invention will be described.
Fe系耐腐食性薄膜1を基材2上に設けるには、従来のイ
オンプレーティング装置またはスパッタリング装置を用
い、この装置内にアルゴンなどの不活性ガスの代わりに
窒素、アンモニウムなどの含窒素ガスを導入し、Feまた
はFe系合金をターゲットとして、反応性イオンプレーテ
ィング法または反応性スパッタリング法によりFe系耐腐
食性薄膜を基材上に被着させればよい。To provide the Fe-based corrosion-resistant thin film 1 on the substrate 2, a conventional ion plating device or sputtering device is used, and a nitrogen-containing gas such as nitrogen or ammonium is used in this device instead of an inert gas such as argon. Is introduced, and the Fe-based corrosion-resistant thin film may be deposited on the substrate by the reactive ion plating method or the reactive sputtering method using Fe or an Fe-based alloy as a target.
あるいはまた、第2図に示されるようなイオンプレーテ
ィング装置を用いてもよい。このイオンプレーティング
装置3は、底部にバルブ5を有する真空ライン4を具備
しており、また側部にバルブ7を有する含窒素ガスの導
入ライン6を具備している。イオンプレーティング装置
3の内部すなわちチャンバー8の下部には、蒸着源であ
るFeまたはFe系合金9を入れるためのルツボ10が設けら
れており、このルツボ10の下部には、電子銃または抵抗
加熱装置を含んで構成される電子ビーム加熱装置11が設
けられている。またチャンバー8内の前記ガス導入ライ
ン6とほぼ水平位置であり、しかもルツボ10の上方に、
イオン化電極12およびフィラメント13が設けられてい
る。さらに、チャンバー8内のイオン化電極12のほぼ真
上位置には、ホルダー14が設けられており、このホルダ
ー14は耐腐食性薄膜が被着される基材2を保持する役割
を果たしている。Alternatively, an ion plating device as shown in FIG. 2 may be used. This ion plating device 3 is equipped with a vacuum line 4 having a valve 5 at the bottom and a nitrogen-containing gas introduction line 6 having a valve 7 at the side. Inside the ion plating apparatus 3, that is, in the lower part of the chamber 8, there is provided a crucible 10 for containing Fe or an Fe-based alloy 9 which is a vapor deposition source. The crucible 10 has an electron gun or resistance heating under the crucible 10. An electron beam heating device 11 including the device is provided. Further, it is substantially horizontal with the gas introduction line 6 in the chamber 8, and above the crucible 10,
An ionization electrode 12 and a filament 13 are provided. Further, a holder 14 is provided in the chamber 8 just above the ionization electrode 12, and the holder 14 plays a role of holding the substrate 2 to which the corrosion resistant thin film is applied.
このようなイオンプレーティング装置においては、ルツ
ボ10内のFeまたはFe系合金9は、電子ビーム加熱装置11
から放出されるとともに加速集束された電子ビーム15に
より加熱され、FeまたはFe系合金の蒸着流16が上方に向
けて発生する。一方前記イオン化電極12は、フィラメン
ト13に対して正電位にバイアスされており、このイオン
化電極12とフィラメント13との間には、フィラメント13
からイオン化電極12に向けて熱電子流17が発生する。ま
た、前記の含窒素ガスの導入ライン6からは、含窒素ガ
ス18がチャンバー8内に導入される。そしてFeまたはFe
系合金の蒸気流16および含窒素ガス18は、前記の熱電子
流17と衝突してイオン化され、FeまたはFe系合金の蒸気
流16と含窒素ガス18とは反応して、FeまたはFe系合金の
一部は窒化鉄となり、基材2上に被着される。In such an ion plating apparatus, the Fe or Fe-based alloy 9 in the crucible 10 is heated by the electron beam heating apparatus 11
It is heated by the electron beam 15 which is emitted from the electron beam and is accelerated and focused, and a vapor deposition flow 16 of Fe or Fe-based alloy is generated upward. On the other hand, the ionization electrode 12 is biased to a positive potential with respect to the filament 13, and the filament 13 is placed between the ionization electrode 12 and the filament 13.
A thermoelectron stream 17 is generated from the ionization electrode 12 toward the ionization electrode 12. The nitrogen-containing gas 18 is introduced into the chamber 8 through the nitrogen-containing gas introduction line 6. And Fe or Fe
The alloy-based vapor stream 16 and the nitrogen-containing gas 18 collide with the thermionic flow 17 and are ionized, and the Fe or Fe-based alloy vapor stream 16 and the nitrogen-containing gas 18 react with each other to produce Fe or Fe-based alloy. A part of the alloy becomes iron nitride and is deposited on the base material 2.
上記の操作の手順ならびに条件について説明すると、ま
ずチャンバー8内を10-6Torr程度の高真空にまで排気す
る。次に含窒素ガス18をガス導入ライン6から数10Torr
まで導入してチャンバー8内を含窒素ガスで満たし、こ
の含窒素ガスの流量をバルブ7によりコントロールしな
がら再び排気を行なって、チャンバー内の含窒素ガス圧
を2×10-4〜1.0×10-2Torrの範囲に保つ。チャンバー
8内の含窒素ガス圧は、得られるFe系薄膜中での窒化鉄
の組成ならびに量に対して大きな影響を与える。チャン
バー内の含窒素ガス圧が2×10-4Torr未満では、窒化鉄
の生成が不充分となり、耐腐食性に優れた薄膜が得られ
ないため好ましくない。また含窒素ガス圧が1.0×10-2T
orrを超えると、成膜性が悪くなり、得られる薄膜表面
が粗面化するとともに基材と薄膜との密着性が低下する
ため好ましくない。Explaining the procedure and conditions of the above operation, first, the chamber 8 is evacuated to a high vacuum of about 10 −6 Torr. Next, the nitrogen-containing gas 18 is fed through the gas introduction line 6 for several tens Torr.
And the chamber 8 is filled with nitrogen-containing gas, and the flow rate of the nitrogen-containing gas is controlled by the valve 7 to evacuate again to adjust the pressure of the nitrogen-containing gas in the chamber to 2 × 10 −4 to 1.0 × 10 4. Keep in the -2 Torr range. The nitrogen-containing gas pressure in the chamber 8 has a great influence on the composition and amount of iron nitride in the obtained Fe-based thin film. When the pressure of nitrogen-containing gas in the chamber is less than 2 × 10 −4 Torr, iron nitride is insufficiently formed, and a thin film excellent in corrosion resistance cannot be obtained, which is not preferable. Also, the nitrogen-containing gas pressure is 1.0 × 10 -2 T
When it exceeds orr, the film forming property is deteriorated, the surface of the obtained thin film is roughened, and the adhesion between the substrate and the thin film is deteriorated, which is not preferable.
ルツボ10内のFeまたはFe系合金9に照射される電子ビー
ム15の量は、電子銃を含んで構成される電子ビーム加熱
装置11に加えられる電力によりコントロールされるが、
この電子ビーム加熱装置11に加えられる電力に応じてFe
系薄膜の成膜速度が決定される。Fe系薄膜の成膜速度は
0.5〜200Å/secの範囲に保つことが好ましい。成膜速度
もまた得られるFe系薄膜中での窒化鉄の組成ならびに量
に対して大きな影響を与え、この成膜速度が200Å/sec
を超えると、FeまたはFe系合金の窒化が充分に行なえな
いため好ましくない。また成膜速度が0.5Å/sec未満で
あると、成膜が安定化しないため好ましくない。The amount of the electron beam 15 with which the Fe or the Fe-based alloy 9 in the crucible 10 is irradiated is controlled by the electric power applied to the electron beam heating device 11 including an electron gun.
Depending on the electric power applied to this electron beam heating device 11, Fe
The deposition rate of the system thin film is determined. The deposition rate of Fe-based thin film is
It is preferable to keep it in the range of 0.5 to 200Å / sec. The deposition rate also has a large effect on the composition and amount of iron nitride in the obtained Fe-based thin film, and this deposition rate is 200 Å / sec.
If it exceeds, nitriding of Fe or an Fe-based alloy cannot be sufficiently performed, which is not preferable. If the film formation rate is less than 0.5Å / sec, the film formation is not stabilized, which is not preferable.
フィラメント13に電圧が印加されて熱電子流17が発生す
るが、この印加電圧はフィラメント13の大きさによって
変化するが、一般にフィラメント13が白色光を放つ程度
に加熱すれば充分である。この際フィラメント13の一方
端は接地しておくことが好ましい。またイオン電極12に
印加する電圧は、FeまたはFe系合金の蒸気流16および含
窒素ガス18のイオン化状態を良好に保つため、フィラメ
ント13に対して正に数10V程度印加することが好まし
い。A voltage is applied to the filament 13 to generate a thermoelectron flow 17. The applied voltage varies depending on the size of the filament 13, but it is generally sufficient that the filament 13 is heated to emit white light. At this time, one end of the filament 13 is preferably grounded. Further, the voltage applied to the ion electrode 12 is preferably about several tens V to the filament 13 in order to keep the ionization state of the vapor flow 16 of Fe or Fe-based alloy and the nitrogen-containing gas 18 in good condition.
なお、ルツボ10およびホルダー14は、一般には接地する
ことが好ましいが、ホルダー14には関しては大地に対し
て負の電圧を印加してもよい。In general, the crucible 10 and the holder 14 are preferably grounded, but the holder 14 may be applied with a negative voltage with respect to the ground.
一方、スパッタリング法によりFe系薄膜1を基材2上に
成膜するには、チャンバー内の圧力を1×10-3〜1×10
-1Torrの範囲に保ち、成膜速度を0.1〜200Å/secの範囲
に保つことが好ましい。On the other hand, in order to form the Fe-based thin film 1 on the base material 2 by the sputtering method, the pressure in the chamber is set to 1 × 10 −3 to 1 × 10 4.
It is preferable to keep the film forming rate in the range of -1 Torr and the film forming rate in the range of 0.1 to 200Å / sec.
蒸着源であるFe系合金としてはFeを主体とした合金たと
えばFe−Ni、Fe−Co、Fe−Ni−Co、Fe−Rh、Fe−Cr、Fe
−Sm、Fe−Cr、Fe−Siなどが用いられうる。As the Fe-based alloy that is the vapor deposition source, alloys mainly composed of Fe, for example, Fe-Ni, Fe-Co, Fe-Ni-Co, Fe-Rh, Fe-Cr, Fe
-Sm, Fe-Cr, Fe-Si, etc. can be used.
なおFe系薄膜の膜厚は、広い範囲で変化しうるが、一般
に500Å〜10μm好ましくは1000Å〜2μmであること
が好ましい。ただし、磁性体を基材として用いる場合に
は、Fe系薄膜の膜厚は500Å〜1500Åであることが好ま
しい。The thickness of the Fe-based thin film may vary in a wide range, but it is generally 500Å to 10 μm, preferably 1000Å to 2 μm. However, when a magnetic material is used as the substrate, the thickness of the Fe-based thin film is preferably 500Å to 1500Å.
含窒素ガスとしては、窒素ガス、アンモニアガス、また
はこれらの混合物あるいはこれらのガスとヘリウム、ネ
オン、アルゴンなどの不治性ガスとの混合物などが用い
られうるが、特に窒素ガスが好ましい。As the nitrogen-containing gas, nitrogen gas, ammonia gas, a mixture thereof, a mixture of these gases and an incurable gas such as helium, neon, or argon can be used, and nitrogen gas is particularly preferable.
なお本明細書においてFe系薄膜中の窒化鉄の%は、メス
バウァー法に基づいて決定された値である。In this specification, the percentage of iron nitride in the Fe-based thin film is a value determined based on the Mossbauer method.
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
の実施例に限定されるものではない。The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
実施例1 基材として厚さ50μmのポリイミドフイルムを用い、そ
の表面にFeを蒸着源として第2図に示したイオンプレー
ティング装置により以下の条件でFe系金属薄膜を形成し
た。Example 1 A polyimide film having a thickness of 50 μm was used as a base material, and an Fe-based metal thin film was formed on the surface of the polyimide film using the ion plating apparatus shown in FIG.
比較例1 実施例1において、N2ガスを導入せず真空度を5×10-5
Torrに保った以外は、実施例1と同様にしてFe金属薄膜
を形成した。 Comparative Example 1 In Example 1, the vacuum degree was 5 × 10 −5 without introducing N 2 gas.
An Fe metal thin film was formed in the same manner as in Example 1 except that the temperature was maintained at Torr.
上記実施例1および比較例1で得られたFe系金属薄膜の
組成および耐腐食性を表に示す。なお膜の組成はメスバ
ウアー分光法により分析した。The composition and corrosion resistance of the Fe-based metal thin films obtained in Example 1 and Comparative Example 1 are shown in the table. The composition of the film was analyzed by Mossbauer spectroscopy.
実施例2 実施例1において、N2ガスを導入しながら真空度をそれ
ぞれ4×10-4Torr、6×10-4Torr、8×10-4Torr、1.5
×10-3Torrに保った以外は実施例1と同様にしてFe系金
属薄膜を形成した。得られたFe系金属薄膜におけるFe
2〜3Nの含量はそれぞれ25%、25%、47%、57%であっ
た。また5%NaCl水溶液中に4日間放置しても、腐食は
全く認められなかった。 Example 2 In Example 1, the vacuum degree was changed to 4 × 10 −4 Torr, 6 × 10 −4 Torr, 8 × 10 −4 Torr, 1.5 while introducing N 2 gas.
A Fe-based metal thin film was formed in the same manner as in Example 1 except that the thickness was maintained at × 10 -3 Torr. Fe in the obtained Fe-based metal thin film
The contents of 2-3 N were 25%, 25%, 47% and 57%, respectively. No corrosion was observed at all even when left in a 5% NaCl aqueous solution for 4 days.
第1図は本発明に係るFe系金属薄膜の断面図であり、第
2図はFe系金属薄膜を形成する差異に用いられるイオン
プレーティング装置の断面図である。 1……Fe系金属薄膜、2……基材、3……イオンプレー
ティング装置。FIG. 1 is a cross-sectional view of an Fe-based metal thin film according to the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of an ion plating device used for forming an Fe-based metal thin film. 1 ... Fe metal thin film, 2 ... Base material, 3 ... Ion plating device.
Claims (4)
のFe系薄膜はFe2−3Nで示される窒化鉄を25%以上含ん
でいることを特徴とする、耐腐食性薄膜。1. An Fe-based thin film provided on a substrate, wherein the Fe-based thin film contains 25% or more of iron nitride represented by Fe2-3N.
として、反応性イオンプレーティング法により、以下の
条件下でFe2−3Nで示される窒化鉄を25%以上含むFe系
薄膜を基材上に成膜することを特徴とする、耐腐食性薄
膜の製造方法:(a)チャンバー内の含窒素ガス圧を2
×10-4〜1.0×10-2Torrの範囲に保つこと、(b)薄膜
の成膜速度を0.5〜200Å/secの範囲に保つこと。2. A Fe-based thin film containing 25% or more of iron nitride represented by Fe2-3N by the reactive ion plating method using Fe or Fe-based alloy as a vapor deposition source in a chamber under the following conditions: Method for producing a corrosion-resistant thin film, characterized by forming the above film: (a) The pressure of nitrogen-containing gas in the chamber is set to 2
Keeping in the range of × 10 -4 to 1.0 × 10 -2 Torr, (b) Keeping the thin film deposition rate in the range of 0.5 to 200Å / sec.
ットとして、反応性スパッタリング法により、以下の条
件下でFe2−3Nで示される窒化鉄を25%以上含むFe系薄
膜を基材上に成膜することを特徴とする、耐腐食性薄膜
の製造方法: (a)チャンバー内の含窒素ガス圧を1×10-3〜1×10
-1Torrの範囲に保つこと、 (b)薄膜の成膜速度を0.1〜200Å/secの範囲に保つこ
と。3. An Fe-based thin film containing 25% or more of iron nitride represented by Fe2-3N is formed on a substrate by reactive sputtering with Fe or Fe-based alloy as a target in a chamber under the following conditions. A method for producing a corrosion-resistant thin film characterized by forming a film: (a) The pressure of nitrogen-containing gas in the chamber is 1 × 10 −3 to 1 × 10
-1 Torr range, (b) Keep thin film deposition rate in the range of 0.1 to 200Å / sec.
あるいはこれらの混合物もしくはこれらのガスとヘリウ
ム、ネオンまたはアルゴンとの混合物である特許請求の
範囲第2項または第3項に記載の耐腐食性薄膜の製造方
法。4. The corrosion resistance according to claim 2 or 3, wherein the nitrogen-containing gas is nitrogen gas, ammonia, a mixture thereof, or a mixture of these gases and helium, neon or argon. Thin film manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59091551A JPH0726194B2 (en) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | Corrosion resistant thin film and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59091551A JPH0726194B2 (en) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | Corrosion resistant thin film and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60234962A JPS60234962A (en) | 1985-11-21 |
| JPH0726194B2 true JPH0726194B2 (en) | 1995-03-22 |
Family
ID=14029631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59091551A Expired - Lifetime JPH0726194B2 (en) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | Corrosion resistant thin film and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0726194B2 (en) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5836671B2 (en) * | 1976-06-07 | 1983-08-10 | シチズン時計株式会社 | Surface treatment method |
| JPS52149281A (en) * | 1976-06-07 | 1977-12-12 | Tsuneo Nishida | Deposition process for titanium nitride coating film |
| JPH0227806B2 (en) * | 1982-03-09 | 1990-06-20 | Nippon Mining Co | KOHOWAJIKAJISEIZAIRYOOYOBISONOSEIZOHOHO |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP59091551A patent/JPH0726194B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60234962A (en) | 1985-11-21 |
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