JPH0680909B2 - 半導体装置用放熱板 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術的分野］ 本発明は半導体装置用放熱板に関するものである。

［発明の技術的背景とその問題点］ 従来、半導体レーザ，高周波用ダイオード，インパット
ダイオード，ガンダイオード等の発熱性半導体素子は、
ダイヤモンド又は銅製の放熱板を介して基板上に設置さ
れていた。

しかしながら、ダイヤモンドは高価であって、かつ加工
が困難であるという問題を有し、又、銅を用いたものは
放熱効果が低いという問題を有していた。

［発明の目的］ 本発明は前記事情に鑑みて成されたものであり、低価で
あってかつ放熱効果の優れた放熱板を提供することを目
的とするものである。

発明の概要 前記目的を達成するために本発明は、発熱性半導体素子
と基板との間に介挿される放熱板であって、燐化硼素を
主成分として構成されていることを特徴とするものであ
る。

［発明の実施例］ 以下実施例により本発明を具体的に説明する。

第１図は放熱板を用いた半導体装置の斜視図である。同
図において１は金属製（例えば銅（Cu）製）の基板であ
り、３は半導体レーザ等の発熱性半導体素子であり、両
者間には燐化硼素（PB）を主体とする放熱板２が介挿さ
れて設置されている。ここで、基板１の縦横幅_１は例
えば2mmであり、その高さh₁は例えば1mmであり、放熱板
２の短辺幅l₂は例えば500μｍであり、長辺幅l₃は例え
ば1000μｍであり、その高さh₂は例えば100μｍであ
る。又、半導体素子３の短辺幅l₄は例えば250μｍであ
り、その高さは例えば150μｍである。

次に第２図を参照して前記放熱板２の構造の一例を説明
する。この放熱板２は、例えば990×490μｍの縦横幅を
有する燐化硼素（BP）部材2Aの表面に例えば500Å厚の
チタニウム（Ti）部材2Bを被覆し、その上に例えば1000
Å厚の白金（Pt）部材2Cを被覆し、これを１μｍ厚の銀
（Ag）で被覆して成る。

このような放熱板を用いれば、低価格化が達成できかつ
放熱効果の向上を図ることができる。

［発明の効果］ 以上詳述したような本発明によれば、低価格化，放熱効
果の向上に寄与する放熱板を提供することができ、特に
発熱性半導体素子を用いた半導体装置に極めて有効であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の放熱板を用いた半導体装置の一例を示
す斜視図、第２図は本発明の放熱板の一例を示す横断面
図である。 １…基板、２…放熱板、2A…燐化硼素、３…半導体素
子。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】発熱性半導体素子と基板との間に介挿され
   る放熱板であって、燐化硼素を主成分として構成されて
   いることを特徴とする半導体装置用放熱板。
2. 【請求項２】チタニウム，白金及び銀の被覆部材の積層
   によって被覆されていることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の半導体装置用放熱板。