JPH0684355B2 - ピリミジノフエニルエステル誘導体 - Google Patents
ピリミジノフエニルエステル誘導体Info
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- JPH0684355B2 JPH0684355B2 JP61206513A JP20651386A JPH0684355B2 JP H0684355 B2 JPH0684355 B2 JP H0684355B2 JP 61206513 A JP61206513 A JP 61206513A JP 20651386 A JP20651386 A JP 20651386A JP H0684355 B2 JPH0684355 B2 JP H0684355B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、新規な液晶化合物を提供するものである。
本発明によって提供される液晶化合物は、強誘電性カイ
ラルスメクチック液晶化合物とブレンドして、電気光学
的効果を利用した液晶表示装置，オプティカルシャッタ
ー等，電気光学装置の作成に使用されるものである。
本発明によって提供される液晶化合物は、強誘電性カイ
ラルスメクチック液晶化合物とブレンドして、電気光学
的効果を利用した液晶表示装置，オプティカルシャッタ
ー等，電気光学装置の作成に使用されるものである。
液晶化合物として数多く知られているものに、ネマチッ
ク液晶と呼ばれているものがある。このものは、現在、
液晶表示装置に使用されているものの主流をなしている
けれども、表示の大容量化に対しては限界に近づいてい
ると言われている。
ク液晶と呼ばれているものがある。このものは、現在、
液晶表示装置に使用されているものの主流をなしている
けれども、表示の大容量化に対しては限界に近づいてい
ると言われている。
強誘電性液晶は、高速応答性とメモリ性を持っているた
め、次世代の液晶として注目を集め、盛んに研究されて
いる。その中に、（Ｓ）−２−メチルブチルｐ−（ｐ−
ｎ−デシロキシベンジリデンアミノ）シンナメート（DO
BAMBC）がよく知られた化合物としてある。しかし、こ
の化合物は、液晶性を示す温度が60℃以上という高い温
度であるため、使用に際して温度的制限を受ける。
め、次世代の液晶として注目を集め、盛んに研究されて
いる。その中に、（Ｓ）−２−メチルブチルｐ−（ｐ−
ｎ−デシロキシベンジリデンアミノ）シンナメート（DO
BAMBC）がよく知られた化合物としてある。しかし、こ
の化合物は、液晶性を示す温度が60℃以上という高い温
度であるため、使用に際して温度的制限を受ける。
室温を含む広い温度範囲で液晶性を示す強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶を得るために、化合物それ自体の創
製あるいはブレンドによる性能の改善に多くの努力が払
われている。
ルスメクチック液晶を得るために、化合物それ自体の創
製あるいはブレンドによる性能の改善に多くの努力が払
われている。
本発明によって提供される液晶化合物と同じ骨格である
２−フェニルピリミジンを骨格に持つ液晶化合物はH.ZA
SCHKEが1975年にJournal f.prakt.Chemie317巻617ペー
ジに発表しているように公知であるが、骨格の両側に酸
素原子を介してアルキル基が結合している強誘電性カイ
ラルスメクチック液晶化合物は記されていない。性能の
すぐれた強誘電性カイラルスメクチック液晶化合物の出
現が望まれている。
２−フェニルピリミジンを骨格に持つ液晶化合物はH.ZA
SCHKEが1975年にJournal f.prakt.Chemie317巻617ペー
ジに発表しているように公知であるが、骨格の両側に酸
素原子を介してアルキル基が結合している強誘電性カイ
ラルスメクチック液晶化合物は記されていない。性能の
すぐれた強誘電性カイラルスメクチック液晶化合物の出
現が望まれている。
本発明は、新規な液晶化合物を提供するものであって、
強誘電性液晶化合物又は組成物にブレンドし、その特性
を改善する液晶化合物である。
強誘電性液晶化合物又は組成物にブレンドし、その特性
を改善する液晶化合物である。
本発明によって提供される新規な液晶化合物は次の一般
式で示されるものである。即ち、 （式中Ｒは炭素鎖が直鎖であるアルキル基又はアルコキ
シ基を、R*は （R1はC1〜C5のアルキル基、R2はC1〜C4のアルキル基、
ｎは整数を示す）で示される鎖中に不斉炭素原子を有す
る光学的に活性な基を示す。） で示される。
式で示されるものである。即ち、 （式中Ｒは炭素鎖が直鎖であるアルキル基又はアルコキ
シ基を、R*は （R1はC1〜C5のアルキル基、R2はC1〜C4のアルキル基、
ｎは整数を示す）で示される鎖中に不斉炭素原子を有す
る光学的に活性な基を示す。） で示される。
式（Ｉ）で示される化合物は、式（II） （式中Ｒは前記と同じ） で示される化合物と式（III） （式中R*は前記と同じ） で示される化合物又はその反応性誘導体との反応により
造られる。
造られる。
ここにおいて用いられる式（II）で示される化合物にお
ける置換基Ｒは、直鎖のアルキル基又はアルコキシ基で
あって、例えばペンチル，ヘキシル，ヘプチル，オクチ
ル，ノニル，デカニル，ウンデシル，ドデシル，ペンチ
ルオキシ，ヘキシルオキシ，ヘプチルオキシ，ノニルオ
キシ，デカニルオキシ，ウンデシルオキシ，ドデシルオ
キシなどが挙げられ、式（III）で示される化合物にお
ける置換基R*は不斉炭素原子を有する光学的に活性なア
ルキル基で活性炭素原子に直接結合している元素の一つ
が酸素原子であるものであって、 （R1はC1〜C5のアルキル基、R2はC1〜C4のアルキル基、
ｎは整数）で示され、C*のまわりの立体配置はＳ体又は
Ｒ体を示し、これらの基を例示すれば、例えば（Ｓ）
（又は（Ｒ））−２−メトキシブチル、（Ｓ）（又は
（Ｒ））−２−エトキシブチル、（Ｓ）（又は（Ｒ））
−２−ブトキシブチル、（Ｓ）（又は（Ｒ））−２−メ
トキシプロピル、（Ｓ）（又は（Ｒ））−２−エトキシ
プロピル、（Ｓ）（又は（Ｒ））−３−メトキシブチ
ル、（Ｓ）（又は（Ｒ））−３−エトキシペンチルなど
が挙げられる。反応は、両者を適宜溶媒（例えば酢酸エ
チル，酢酸メチル，エチルエーテル，テトラヒドロフラ
ン，ジオキサン，ジメチルホルムアミド，ジメチルスル
ホキシド，エチレングリコールジメチルエーテルなど）
に溶かし、N,N′−ジシクロヘキシルカルボジイミド，
塩化チオニル，オキシ塩化燐などの縮合剤を用いて行わ
れる。４−ジメチルアミノピリジン，ジメチルアニリ
ン，トリエチルアミンなどの三級アミンを併用すると反
応がスムースに進行する。
ける置換基Ｒは、直鎖のアルキル基又はアルコキシ基で
あって、例えばペンチル，ヘキシル，ヘプチル，オクチ
ル，ノニル，デカニル，ウンデシル，ドデシル，ペンチ
ルオキシ，ヘキシルオキシ，ヘプチルオキシ，ノニルオ
キシ，デカニルオキシ，ウンデシルオキシ，ドデシルオ
キシなどが挙げられ、式（III）で示される化合物にお
ける置換基R*は不斉炭素原子を有する光学的に活性なア
ルキル基で活性炭素原子に直接結合している元素の一つ
が酸素原子であるものであって、 （R1はC1〜C5のアルキル基、R2はC1〜C4のアルキル基、
ｎは整数）で示され、C*のまわりの立体配置はＳ体又は
Ｒ体を示し、これらの基を例示すれば、例えば（Ｓ）
（又は（Ｒ））−２−メトキシブチル、（Ｓ）（又は
（Ｒ））−２−エトキシブチル、（Ｓ）（又は（Ｒ））
−２−ブトキシブチル、（Ｓ）（又は（Ｒ））−２−メ
トキシプロピル、（Ｓ）（又は（Ｒ））−２−エトキシ
プロピル、（Ｓ）（又は（Ｒ））−３−メトキシブチ
ル、（Ｓ）（又は（Ｒ））−３−エトキシペンチルなど
が挙げられる。反応は、両者を適宜溶媒（例えば酢酸エ
チル，酢酸メチル，エチルエーテル，テトラヒドロフラ
ン，ジオキサン，ジメチルホルムアミド，ジメチルスル
ホキシド，エチレングリコールジメチルエーテルなど）
に溶かし、N,N′−ジシクロヘキシルカルボジイミド，
塩化チオニル，オキシ塩化燐などの縮合剤を用いて行わ
れる。４−ジメチルアミノピリジン，ジメチルアニリ
ン，トリエチルアミンなどの三級アミンを併用すると反
応がスムースに進行する。
式（III）で示される化合物の反応性誘導体を使用する
場合における反応性誘導体としては、酸ハライド（例え
ば塩化チオニルで造られる酸クロリド），活性エステル
（例えばｐ−ニトロフェノールで造られる），混合酸無
水物（例えばエトキシカルボニルクロリドからつくられ
る）などが挙げられ、三級アミンの共存下に反応に供さ
れる。原料として用いられる化合物（II）はβ−ジメチ
ルアミノ−α−（ｎ−アルキル又はアルコキシ）アクロ
レインとヒドロキシベンズアミジンとから造られる。一
方、化合物（III）は光学活性な乳酸を原料として、こ
れに化学的装飾を繰り返しｎを変化させて造る。例えば このサイクルを繰り返すことによって炭素が一個づつ増
加した。つまりｎが一個づつ増えた光学的に活性なアル
コールが得られるので、これを用いて例えば、 のような反応性誘導体に導いたのち、ヒドロキシフェニ
ル安息香酸エステルと反応させ、脱ピリニルののち、水
酸基をアルキルハライド（R2X）でアルキル化して、加
水分解することによって、 を得ることができる。
場合における反応性誘導体としては、酸ハライド（例え
ば塩化チオニルで造られる酸クロリド），活性エステル
（例えばｐ−ニトロフェノールで造られる），混合酸無
水物（例えばエトキシカルボニルクロリドからつくられ
る）などが挙げられ、三級アミンの共存下に反応に供さ
れる。原料として用いられる化合物（II）はβ−ジメチ
ルアミノ−α−（ｎ−アルキル又はアルコキシ）アクロ
レインとヒドロキシベンズアミジンとから造られる。一
方、化合物（III）は光学活性な乳酸を原料として、こ
れに化学的装飾を繰り返しｎを変化させて造る。例えば このサイクルを繰り返すことによって炭素が一個づつ増
加した。つまりｎが一個づつ増えた光学的に活性なアル
コールが得られるので、これを用いて例えば、 のような反応性誘導体に導いたのち、ヒドロキシフェニ
ル安息香酸エステルと反応させ、脱ピリニルののち、水
酸基をアルキルハライド（R2X）でアルキル化して、加
水分解することによって、 を得ることができる。
また、R*におけるR1がC1〜C5を示す場合の原料は次のよ
うにして造られる。
うにして造られる。
R1がC2であるR*はノルバリンを、R1がC3であるR*はノル
ロイシンをそれぞれ原料とし、ジアゾ化し、得られたジ
アゾ化合物を加水分解して、α−ヒドロキシカルボン酸
を得、先の例に倣ってジヒドロピランと反応させ次いで
エステル化したのち、これを還元してアルコールとな
し、反応性誘導体（例えばｐ−トルエンスルホン酸）に
導いたのち、ヒドロキシフェニル安息香酸エステルと反
応させ、脱ピラニルののち、水酸基をアルキル化して、
加水分解することによって を得ることができる。
ロイシンをそれぞれ原料とし、ジアゾ化し、得られたジ
アゾ化合物を加水分解して、α−ヒドロキシカルボン酸
を得、先の例に倣ってジヒドロピランと反応させ次いで
エステル化したのち、これを還元してアルコールとな
し、反応性誘導体（例えばｐ−トルエンスルホン酸）に
導いたのち、ヒドロキシフェニル安息香酸エステルと反
応させ、脱ピラニルののち、水酸基をアルキル化して、
加水分解することによって を得ることができる。
本発明の液晶化合物は、巾広い温度巾でコレステリック
相を有し、強誘電性カイラルスメクチック相を有しない
ものが多いが、強誘電性液晶化合物又は組成物とブレン
ドして、Sc*相の温度領域を上下に広げたり、応答性を
改善したりすることが出来る。
相を有し、強誘電性カイラルスメクチック相を有しない
ものが多いが、強誘電性液晶化合物又は組成物とブレン
ドして、Sc*相の温度領域を上下に広げたり、応答性を
改善したりすることが出来る。
以下実施例を記述して本発明を具体的に説明する。
実施例１ （Ｓ）−２−｛４′−〔４″−（２−メトキシ）ブトキ
シ〕ベンゾイルオキシ｝−５−ｎ−オクチルオキシピリ
ミジンの合成： 1.0g（0.0045モル）の（Ｓ）−４−（２−メトキシブト
キシ）安息香酸及び1.34g（0.0045モル）の２−（４−
ヒドロキシ）フェニル−５−ｎ−オクチルオキシピリミ
ジンを30mlの酢酸エチルに溶かし、この中に1.1g（0.00
53モル）のN,N′−ジシクロヘキシルカルボジイミド及
び50mg（0.041ミリモル）の４−ジメチルアミノピリジ
ンを加え、室温で７時間反応させた。終了後水にあけ、
酢酸エチルで抽出し、10％水酸化ナトリウム水溶液，
水，飽和食塩水の順に洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
後、濃縮した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで精製し、さらにエタノールで再結晶することによ
り、0.48gの白色結晶を得た。
シ〕ベンゾイルオキシ｝−５−ｎ−オクチルオキシピリ
ミジンの合成： 1.0g（0.0045モル）の（Ｓ）−４−（２−メトキシブト
キシ）安息香酸及び1.34g（0.0045モル）の２−（４−
ヒドロキシ）フェニル−５−ｎ−オクチルオキシピリミ
ジンを30mlの酢酸エチルに溶かし、この中に1.1g（0.00
53モル）のN,N′−ジシクロヘキシルカルボジイミド及
び50mg（0.041ミリモル）の４−ジメチルアミノピリジ
ンを加え、室温で７時間反応させた。終了後水にあけ、
酢酸エチルで抽出し、10％水酸化ナトリウム水溶液，
水，飽和食塩水の順に洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
後、濃縮した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで精製し、さらにエタノールで再結晶することによ
り、0.48gの白色結晶を得た。
▲〔α〕25 D▼＝−12.0°（C 2.00,CHCl3） IRνmaxcm-1:1740,1555,1470,1250,1100,1080,885,840,
780,760 ′Ｈ−NMR（CDCl3,60MHz）δ（ppm）： 0.66〜2.07（m,20H） 3.27〜3.70（s,1H） 3.43 （s,3H） 3.90〜4.23（m,4H） 6.93 （d,2H） 7.27 （d,2H） 8.10 （d,2H） 8.37 （d,2H） 8.40 （s,2H） この化合物の転移温度を以下に記す。
780,760 ′Ｈ−NMR（CDCl3,60MHz）δ（ppm）： 0.66〜2.07（m,20H） 3.27〜3.70（s,1H） 3.43 （s,3H） 3.90〜4.23（m,4H） 6.93 （d,2H） 7.27 （d,2H） 8.10 （d,2H） 8.37 （d,2H） 8.40 （s,2H） この化合物の転移温度を以下に記す。
実施例２ （Ｓ）−２−｛４′−〔４″−（２−メトキシ）ブトキ
シ〕ベンゾイルオキシ｝−５−ｎ−オクチルピリミジン
の合成： 0.4g（0.0018モル）の（Ｓ）−４−（２−メトキシ）ブ
トキシ安息香酸、0.54g（0.0018モル）の２−（４−ヒ
ドロキシ）フェニル−５−ｎ−オクチルピリミジン、10
mlの酢酸エチル、0.41g（0.002モル）のN,N′−ジシク
ロヘキシルカルボジイミド及び20mg（0.016ミリモル）
の４−ジメチルアミノピリジンを室温で９時間反応後、
実施例１と同様の方法に従って、0.2gの白色結晶を得
た。
シ〕ベンゾイルオキシ｝−５−ｎ−オクチルピリミジン
の合成： 0.4g（0.0018モル）の（Ｓ）−４−（２−メトキシ）ブ
トキシ安息香酸、0.54g（0.0018モル）の２−（４−ヒ
ドロキシ）フェニル−５−ｎ−オクチルピリミジン、10
mlの酢酸エチル、0.41g（0.002モル）のN,N′−ジシク
ロヘキシルカルボジイミド及び20mg（0.016ミリモル）
の４−ジメチルアミノピリジンを室温で９時間反応後、
実施例１と同様の方法に従って、0.2gの白色結晶を得
た。
▲〔α〕25 D▼＝−12.9°（C 1.52,CHCl3） IRνmaxcm-1:1745,1610,1430,1260,1200,1165,1080 ′Ｈ−NMR（CDCl3,60MHz）δ（ppm）： 0.70〜2.00（m,20H） 2.80〜2.43（m,2H） 3.33〜3.67（m,1H） 3.43 （s,3H,-OCH3） 4.03 （d,2H） 6.94 （d,2H） 7.20 （s,2H） 7.27 （d,2H） 8.10 （d,2H） 8.43 （d,2H） 8.55 （d,2H） この化合物の転移温度を以下に記す。
実施例３ （Ｓ）−２−｛４′−〔４″−（２−エトキシ）プロポ
キシ〕ベンゾイルオキシ｝−５−ｎ−オクチルオキシピ
リミジンの合成： 0.5g（0.0022モル）の（Ｓ）−４−（２−エトキシ）プ
ロポキシ安息香酸、0.67g（0.0022モル）の２−（４−
ヒドロキシ）フェニル−５−ｎ−オクチルオキシピリミ
ジン、18mlの酢酸エチル、0.51g（0.0025モル）のN,N′
−ジシクロヘキシルカルボジイミド及び30mg（0.025ミ
リモル）の４−ジメチルアミノピリジンを室温で23時間
反応後、実施例１と同様の操作を行うことにより、0.33
gの白色結晶を得た。
キシ〕ベンゾイルオキシ｝−５−ｎ−オクチルオキシピ
リミジンの合成： 0.5g（0.0022モル）の（Ｓ）−４−（２−エトキシ）プ
ロポキシ安息香酸、0.67g（0.0022モル）の２−（４−
ヒドロキシ）フェニル−５−ｎ−オクチルオキシピリミ
ジン、18mlの酢酸エチル、0.51g（0.0025モル）のN,N′
−ジシクロヘキシルカルボジイミド及び30mg（0.025ミ
リモル）の４−ジメチルアミノピリジンを室温で23時間
反応後、実施例１と同様の操作を行うことにより、0.33
gの白色結晶を得た。
▲〔α〕25 D▼＝−11.0°（C 2.00,CHCl3） IRνmaxcm-1:1740,1470,1450,1250,1080,885,780,760 ′Ｈ−NMR（CDCl3,60MHz）δ（ppm）： 0.50〜2.13（m,21H） 3.42〜3.90（m,3H） 3.90〜4.30（m,4H） 6.90 （d,2H） 7.28 （d,2H） 8.13 （d,2H） 8.41 （d,2H） 8.42 （s,2H） この化合物の転移温度を以下に記す。
実施例４ 実施例１〜３と同様にして合成した液晶化合物（Ｓ）−
２−｛４′−〔４″−（２−メトキシ）プロポキシ〕ベ
ンゾイルオキシ｝−５−ｎ−オクテルピリミジンは、以
下の転移温度を示した。
２−｛４′−〔４″−（２−メトキシ）プロポキシ〕ベ
ンゾイルオキシ｝−５−ｎ−オクテルピリミジンは、以
下の転移温度を示した。
実施例５ 実施例1,2,4の化合物を以下の強誘電性液晶組成物Ａに
ブレンドし、特性を比較した。
ブレンドし、特性を比較した。
組成物Ａ ここで応答速度は1.7μｍのセルに封入し、±20Vのパル
ス波形を印加し、表示が切りかわる最小のパルス巾とし
て求めた。
ス波形を印加し、表示が切りかわる最小のパルス巾とし
て求めた。
表に示したように、組成物Ａに本発明の化合物を適量ブ
レンドすることにより、Sc*相の温度巾を上下に広げる
事ができる。また、SA相の上にCh相をもった組成物を得
ることができる。
レンドすることにより、Sc*相の温度巾を上下に広げる
事ができる。また、SA相の上にCh相をもった組成物を得
ることができる。
更に、組成物Ａと実施例４の化合物のブレンドの例のよ
うに、応答速度を改善することも可能である。
うに、応答速度を改善することも可能である。
参考例１ （Ｓ）−エチル４−（２−テトラヒドロピラニルオキ
シ）ブトキシ安息香酸エステルの合成： 1.6g（0.033モル）の50％水素化ナトリウムと50mlのジ
メチルホルムアミドを室温で攪拌させながら5g（0.030
モル）のエチル４−ヒドロキシ安息香酸エステルを加
え、30分間攪拌後、9.9g（0.030モル）の（Ｓ）−２−
テトラヒドロピラニルオキシブトキシｐ−トルエンスル
ホン酸エステルを加えて80℃で10時間攪拌した。終了
後、氷水にあけ、酢酸エチルで抽出し、10％水酸化ナト
リウム水溶液，次いで飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥後、濃縮して8.8gの粗生成物を得た。
シ）ブトキシ安息香酸エステルの合成： 1.6g（0.033モル）の50％水素化ナトリウムと50mlのジ
メチルホルムアミドを室温で攪拌させながら5g（0.030
モル）のエチル４−ヒドロキシ安息香酸エステルを加
え、30分間攪拌後、9.9g（0.030モル）の（Ｓ）−２−
テトラヒドロピラニルオキシブトキシｐ−トルエンスル
ホン酸エステルを加えて80℃で10時間攪拌した。終了
後、氷水にあけ、酢酸エチルで抽出し、10％水酸化ナト
リウム水溶液，次いで飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥後、濃縮して8.8gの粗生成物を得た。
IRνmaxcm-1:1720,1605,1515,1280〜1250（br）,1170,1
030,770 参考例２ （Ｓ）−エチル４−（２−ヒドロキシ）ブトキシ安息香
酸エステルの合成： 8.5g（0.026モル）の（Ｓ）−エチル４−（２−テトラ
ヒドロピラニルオキシ）ブトキシ安息香酸エステルを43
mlのエタノールに溶かし、0.2g（0.0011モル）のｐ−ト
ルエンスルホン酸１水塩を加えて３時間還流を行った。
終了後、濃縮し、水を加えて酢酸エチルで抽出し、水洗
し、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。これをシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより
3.4gの白色結晶を得た。
030,770 参考例２ （Ｓ）−エチル４−（２−ヒドロキシ）ブトキシ安息香
酸エステルの合成： 8.5g（0.026モル）の（Ｓ）−エチル４−（２−テトラ
ヒドロピラニルオキシ）ブトキシ安息香酸エステルを43
mlのエタノールに溶かし、0.2g（0.0011モル）のｐ−ト
ルエンスルホン酸１水塩を加えて３時間還流を行った。
終了後、濃縮し、水を加えて酢酸エチルで抽出し、水洗
し、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。これをシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより
3.4gの白色結晶を得た。
IRνmaxcm-1:3600〜3200（br）,1710,1610,1515,1290〜
1230（br）,1170,1100,850,770 参考例３ （Ｓ）−エチル４−（２−メトキシ）ブトキシ安息香酸
エステルの合成： 0.44g（0.0092モル）の50％水素化ナトリウム、15mlの
テトラヒドロフランを室温で攪拌しながら2.0g（0.0084
モル）の（Ｓ）−エチル４−（２−ヒドロキシ）ブトキ
シ安息香酸エステルを加え、さらに0.2g（0.0011モル）
のヘキサメチルホスホリックトリアミドを加え、１時間
攪拌後1.43g（0.01モル）のヨウ化メチルを加えて40℃
で1.5時間攪拌した。反応終了後、氷水にあけ、酢酸エ
チルで抽出し、10％水酸化ナトリウム水溶液，水，飽和
食塩水で順に洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮
して1.9gの粗生成物を得た。
1230（br）,1170,1100,850,770 参考例３ （Ｓ）−エチル４−（２−メトキシ）ブトキシ安息香酸
エステルの合成： 0.44g（0.0092モル）の50％水素化ナトリウム、15mlの
テトラヒドロフランを室温で攪拌しながら2.0g（0.0084
モル）の（Ｓ）−エチル４−（２−ヒドロキシ）ブトキ
シ安息香酸エステルを加え、さらに0.2g（0.0011モル）
のヘキサメチルホスホリックトリアミドを加え、１時間
攪拌後1.43g（0.01モル）のヨウ化メチルを加えて40℃
で1.5時間攪拌した。反応終了後、氷水にあけ、酢酸エ
チルで抽出し、10％水酸化ナトリウム水溶液，水，飽和
食塩水で順に洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮
して1.9gの粗生成物を得た。
IRνmaxcm-1:1710,1605,1515,1280,1250,1170,1100,85
0,770 参考例４ （Ｓ）−４−（２−メトキシ）ブトキシ安息香酸の合
成： 1.9g（0.0075モル）の（Ｓ）−エチル４−（２−メトキ
シ）ブトキシ安息香酸エステルを10mlのエタノールに溶
かし、5mlの10％水酸化ナトリウム水溶液を加えて30分
間攪拌後、塩酸酸性にし、酢酸エチルで抽出し、重曹水
溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮して1.9g
の油状物を得た。これにｎ−ヘキサンを加えて結晶化さ
せ、濾取し、ｎ−ヘキサンで洗浄後、乾燥して1.2gの目
的化合物を得た。
0,770 参考例４ （Ｓ）−４−（２−メトキシ）ブトキシ安息香酸の合
成： 1.9g（0.0075モル）の（Ｓ）−エチル４−（２−メトキ
シ）ブトキシ安息香酸エステルを10mlのエタノールに溶
かし、5mlの10％水酸化ナトリウム水溶液を加えて30分
間攪拌後、塩酸酸性にし、酢酸エチルで抽出し、重曹水
溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮して1.9g
の油状物を得た。これにｎ−ヘキサンを加えて結晶化さ
せ、濾取し、ｎ−ヘキサンで洗浄後、乾燥して1.2gの目
的化合物を得た。
IRνmaxcm-1:3100〜2500,1680,1605,1430,1300,1255,85
0,770 640 ′Ｈ−NMR（CDCl3,60MHz）δ（ppm）： 0.87〜1.37（m,3H） 1.37〜1.93（m,2H） 3.27〜3.63（m,1H） 3.43 （s,3H） 4.00 （d,2H） 6.87 （d,2H） 7.97 （d,2H） 9.87 （br,1H） 参考例５ （Ｓ）−エチル４−（２−テトラヒドロピラニルオキ
シ）プロポキシ安息香酸エステルの合成： 1.0g（0.021モル）の50％水素化ナトリウム、25mlのジ
メチルホルムアミド、3.2g（0.019モル）のエチル４−
ヒドロキシ安息香酸エステル及び6.1g（0.019モル）の
（Ｓ）−２−テトラヒドロピラニルオキシプロポキシｐ
−トルエンスルホン酸エステルを60℃で８時間反応さ
せ、参考例１と同様の操作を行い5.0gの粗生成物を得
た。
0,770 640 ′Ｈ−NMR（CDCl3,60MHz）δ（ppm）： 0.87〜1.37（m,3H） 1.37〜1.93（m,2H） 3.27〜3.63（m,1H） 3.43 （s,3H） 4.00 （d,2H） 6.87 （d,2H） 7.97 （d,2H） 9.87 （br,1H） 参考例５ （Ｓ）−エチル４−（２−テトラヒドロピラニルオキ
シ）プロポキシ安息香酸エステルの合成： 1.0g（0.021モル）の50％水素化ナトリウム、25mlのジ
メチルホルムアミド、3.2g（0.019モル）のエチル４−
ヒドロキシ安息香酸エステル及び6.1g（0.019モル）の
（Ｓ）−２−テトラヒドロピラニルオキシプロポキシｐ
−トルエンスルホン酸エステルを60℃で８時間反応さ
せ、参考例１と同様の操作を行い5.0gの粗生成物を得
た。
IRνmaxcm-1:1715,1610,1280,1255,1170,1120,1035,770 参考例６ （Ｓ）−エチル４−（２−ヒドロキシ）プロポキシ安息
香酸エステルの合成： 4.5g（0.014モル）の（Ｓ）−エチル４−（２−テトラ
ヒドロピラニルオキシ）プロポキシ安息香酸エステル、
0.2g（0.0011モル）のｐ−トルエンスルホン酸１水塩及
び45mlのメタノールの混合物を１時間還流し、参考例２
と同様の操作を行い2.2gの粗生成物を得た。
香酸エステルの合成： 4.5g（0.014モル）の（Ｓ）−エチル４−（２−テトラ
ヒドロピラニルオキシ）プロポキシ安息香酸エステル、
0.2g（0.0011モル）のｐ−トルエンスルホン酸１水塩及
び45mlのメタノールの混合物を１時間還流し、参考例２
と同様の操作を行い2.2gの粗生成物を得た。
IRνmaxcm-1:3600〜3200（br）,1710（br）,1610,1515,
1300〜1220（br）,1170,1100,1030,770 参考例７ （Ｓ）−４−（２−エトキシ）プロポキシ安息香酸の合
成： 0.52g（0.011モル）の50％水素化ナトリウムと15mlのテ
トラヒドロフランを攪拌しながら、2.2g（0.0098モル）
の（Ｓ）−エチル４−（２−ヒドロキシ）プロポキシ安
息香酸エステル、0.2g（0.0011モル）のヘキサメチルホ
スホリックトリアミドを加えて１時間後、1.8g（0.012
モル）のヨウ化メチルを加え２時間還流を行った。終了
後、氷水にあけ、酢酸エチルで抽出し、10％水酸化ナト
リウム水溶液，飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム
で乾燥後、濃縮した。これに20mlのエタノールを加えて
溶かし、10％水酸化ナトリウム水溶液を加え１時間還流
することにより加水分解を行った。終了後、氷水にあ
け、酢酸エチルで抽出し、前段と同様の操作を行って1.
4gの油状物を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製して0.76gの生成物を得た。
1300〜1220（br）,1170,1100,1030,770 参考例７ （Ｓ）−４−（２−エトキシ）プロポキシ安息香酸の合
成： 0.52g（0.011モル）の50％水素化ナトリウムと15mlのテ
トラヒドロフランを攪拌しながら、2.2g（0.0098モル）
の（Ｓ）−エチル４−（２−ヒドロキシ）プロポキシ安
息香酸エステル、0.2g（0.0011モル）のヘキサメチルホ
スホリックトリアミドを加えて１時間後、1.8g（0.012
モル）のヨウ化メチルを加え２時間還流を行った。終了
後、氷水にあけ、酢酸エチルで抽出し、10％水酸化ナト
リウム水溶液，飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム
で乾燥後、濃縮した。これに20mlのエタノールを加えて
溶かし、10％水酸化ナトリウム水溶液を加え１時間還流
することにより加水分解を行った。終了後、氷水にあ
け、酢酸エチルで抽出し、前段と同様の操作を行って1.
4gの油状物を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製して0.76gの生成物を得た。
▲〔α〕25 D▼＝−14.3°（C 1.05,CHCl3） IRνmaxcm-1:3300〜2400（br）,1690,1610,1460,1250,1
170,850,770 ′Ｈ−NMR（CDCl3,60MHz）δ（ppm）： 0.70〜1.90（m,6H） 3.40〜4.23（m,5H） 6.90 （d,2H） 8.03 （d,2H） 11.70 （br,1H）
170,850,770 ′Ｈ−NMR（CDCl3,60MHz）δ（ppm）： 0.70〜1.90（m,6H） 3.40〜4.23（m,5H） 6.90 （d,2H） 8.03 （d,2H） 11.70 （br,1H）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田口 雅明 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内 (72)発明者 原田 隆正 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】一般式 （式中Ｒは炭素鎖が直鎖であるアルキル基又はアルコキ
シ基を、R*は （R1はC1〜C5のアルキル基、R2はC1〜C4のアルキル基、
ｎは整数を示す）で示される鎖中に不斉炭素原子を有す
る光学的に活性な基を示す。） で示されるピリミジノフェニルエステル誘導体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61206513A JPH0684355B2 (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | ピリミジノフエニルエステル誘導体 |
| US07/091,660 US4980082A (en) | 1986-09-02 | 1987-09-01 | Ferroelectric SmC liquid crystal composition which comprises pyrimidinylphenyl ester compounds |
| DE3789797T DE3789797T2 (de) | 1986-09-02 | 1987-09-02 | Pyrimidinylphenyl-Ester-Verbindung. |
| EP87307743A EP0262809B1 (en) | 1986-09-02 | 1987-09-02 | Pyrimidinylphenyl ester compound |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61206513A JPH0684355B2 (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | ピリミジノフエニルエステル誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6363665A JPS6363665A (ja) | 1988-03-22 |
| JPH0684355B2 true JPH0684355B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=16524607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61206513A Expired - Fee Related JPH0684355B2 (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | ピリミジノフエニルエステル誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684355B2 (ja) |
-
1986
- 1986-09-02 JP JP61206513A patent/JPH0684355B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6363665A (ja) | 1988-03-22 |
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