JPH0691055B2 - 半導体ウエハの外周補強部の形成方法 - Google Patents
半導体ウエハの外周補強部の形成方法Info
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- JPH0691055B2 JPH0691055B2 JP1195757A JP19575789A JPH0691055B2 JP H0691055 B2 JPH0691055 B2 JP H0691055B2 JP 1195757 A JP1195757 A JP 1195757A JP 19575789 A JP19575789 A JP 19575789A JP H0691055 B2 JPH0691055 B2 JP H0691055B2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 80
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 title claims description 20
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 85
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 29
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 29
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体ウエハ外周に補強部を形成する方法に
関する。
関する。
さらに詳しくは、トランジスタ,ダイオード等のディス
クリート素子(個別素子)等として利用されるシリコン
半導体ウエハを厚み巾の中心より2分割に切断する際の
切断時の外周部破損を防止する半導体ウエハ周縁部の補
強方法に関する。
クリート素子(個別素子)等として利用されるシリコン
半導体ウエハを厚み巾の中心より2分割に切断する際の
切断時の外周部破損を防止する半導体ウエハ周縁部の補
強方法に関する。
[従来の技術] 従来、本出願人は、シリコン単結晶の消耗低減等を目的
として、両面に不純物が拡散された不純物拡散層等を有
した半導体ウエハで厚み巾の中心線に対して線対称的材
質特性を有するウエハを厚み巾の中心部から切断する考
えを先に提案している(特開平1−293613号)。さら
に、前記半導体ウエハの切断工作について、工作効率の
の確保,切断端の損傷防止等を目的として、半導体ウエ
ハの周縁にカーボン,シリコン等で形成された当板を固
着して行う技術についても先に提案している(特開平3
−1536号公報)。
として、両面に不純物が拡散された不純物拡散層等を有
した半導体ウエハで厚み巾の中心線に対して線対称的材
質特性を有するウエハを厚み巾の中心部から切断する考
えを先に提案している(特開平1−293613号)。さら
に、前記半導体ウエハの切断工作について、工作効率の
の確保,切断端の損傷防止等を目的として、半導体ウエ
ハの周縁にカーボン,シリコン等で形成された当板を固
着して行う技術についても先に提案している(特開平3
−1536号公報)。
また、本出願人の先の提案において、半導体ウエハの周
縁に当板を固着する手としては、例えばウエハキャリア
に並列した半導体ウエハの周縁上部に当板を1枚づつ接
着剤で固着していくことが行なわれている。
縁に当板を固着する手としては、例えばウエハキャリア
に並列した半導体ウエハの周縁上部に当板を1枚づつ接
着剤で固着していくことが行なわれている。
[発明が解決しようとする課題] 前述した従来の当板を利用するディスクリート素子用基
板の製造方法では、当板を半導体ウエハの周縁に固着す
る際に、第5図に示すように接着剤Cが硬化するまでに
半導体ウエハWに対して当板Pが傾斜してしまい固着強
度不足や寸法精度の誤差が生じたり、第6図に示すよう
に接着剤Cが半導体ウエハW側に流下してしまい汚損が
生じたりして、当板を半導体ウエハの周縁に固着する固
着工作の仕上りが不良となるという問題点を有してい
る。
板の製造方法では、当板を半導体ウエハの周縁に固着す
る際に、第5図に示すように接着剤Cが硬化するまでに
半導体ウエハWに対して当板Pが傾斜してしまい固着強
度不足や寸法精度の誤差が生じたり、第6図に示すよう
に接着剤Cが半導体ウエハW側に流下してしまい汚損が
生じたりして、当板を半導体ウエハの周縁に固着する固
着工作の仕上りが不良となるという問題点を有してい
る。
さらに、半導体ウエハの切断終了端の損傷防止のみなら
ず切断中の外周部の破損をより広く補強することにより
防止する見地からは、当板が半導体ウエハの周縁の広い
範囲を補強すべく、当板で半導体ウエハの周縁の円弧の
広い範囲をカバーしようとするとカーボン,シリコン等
の加工成形品の板取りロスが大きくなるため、当板固着
する固着工作の材料コストが嵩むという問題点を有して
いる。
ず切断中の外周部の破損をより広く補強することにより
防止する見地からは、当板が半導体ウエハの周縁の広い
範囲を補強すべく、当板で半導体ウエハの周縁の円弧の
広い範囲をカバーしようとするとカーボン,シリコン等
の加工成形品の板取りロスが大きくなるため、当板固着
する固着工作の材料コストが嵩むという問題点を有して
いる。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
のであり、その目的は、補強材固着工作の仕上りが良好
で工作の材料コストが安価となるような半導体ウエハ外
周の補強部形成方法を提供することにある。
のであり、その目的は、補強材固着工作の仕上りが良好
で工作の材料コストが安価となるような半導体ウエハ外
周の補強部形成方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 前述の目的を達成するため、本発明に係る半導体ウエハ
補強部形成方法は切断前の半導体ウエハとこの半導体ウ
エハよりも径の大きな中間板とを交互に垂直に密着並設
して並列方向から加圧した後、中間板相互間に接着剤を
流し込み、接着剤が硬化して成形された補強材を半導体
ウエハの周縁に一体化形成し、その後中間板を半導体ウ
エハより分離して半導体ウエハ個々に補強部を形成する
手段を採用する。
補強部形成方法は切断前の半導体ウエハとこの半導体ウ
エハよりも径の大きな中間板とを交互に垂直に密着並設
して並列方向から加圧した後、中間板相互間に接着剤を
流し込み、接着剤が硬化して成形された補強材を半導体
ウエハの周縁に一体化形成し、その後中間板を半導体ウ
エハより分離して半導体ウエハ個々に補強部を形成する
手段を採用する。
[作用] 前述の手段によると、半導体ウエハよりも径の大きな中
間板と半導体ウエハの周縁とによって形成されるウエハ
頂部の間隙内に接着剤が流し込まれ、その接着剤の硬化
により補強部が形成されることになり、別部材からなる
当板を接着剤を介して固着する場合のような傾倒等によ
る固着強度不足や寸法精度の誤差を生ずることはなくな
る。また、この接着剤については、半導体ウエハの両面
に中間板が圧接していることから、接着剤が流出しても
半導体ウエハ側(両面)に流下するのを中間板によって
阻止されるため、半導体ウエハを汚損することが防止さ
れる。このため、工作の仕上りが良好となるような当板
にに代る補強部を形成するという目的が達成される。
間板と半導体ウエハの周縁とによって形成されるウエハ
頂部の間隙内に接着剤が流し込まれ、その接着剤の硬化
により補強部が形成されることになり、別部材からなる
当板を接着剤を介して固着する場合のような傾倒等によ
る固着強度不足や寸法精度の誤差を生ずることはなくな
る。また、この接着剤については、半導体ウエハの両面
に中間板が圧接していることから、接着剤が流出しても
半導体ウエハ側(両面)に流下するのを中間板によって
阻止されるため、半導体ウエハを汚損することが防止さ
れる。このため、工作の仕上りが良好となるような当板
にに代る補強部を形成するという目的が達成される。
さらに、接着剤はその流動性を利用して簡単に半導体ウ
エハの周縁の広い面積に充填被覆することができる。別
部材からなる当板を固着する場合のような板取りロスは
生じなく、このため、工作の材料コストが安価で補強部
を形成するという目的が達成される。
エハの周縁の広い面積に充填被覆することができる。別
部材からなる当板を固着する場合のような板取りロスは
生じなく、このため、工作の材料コストが安価で補強部
を形成するという目的が達成される。
又、中間板は接着剤の効力が及ばない材質で作成されて
いて最終的な半導体ウエハと中間板の分離も容易であ
る。
いて最終的な半導体ウエハと中間板の分離も容易であ
る。
[実施例] 以下、本発明に係るディスクリート素子用基板の製造方
法の実施例を第1図〜第4図に基づいて説明する。
法の実施例を第1図〜第4図に基づいて説明する。
この実施例では、第1図,第2図に示すように、まず半
導体ウエハWとこの半導体ウエハWよりも径の大きな中
間板1とを交互に当接し、これ等を逆台形の溝2′を上
面に有する基台2上に並列する。この並列の両側端に
は、中間板1が位置するようにしておく。なお、この半
導体ウエハWは、両面は不純物が拡散された不純物拡散
層を有し厚み巾の中心線に対し線対称的材質特性を有す
るものである。また、この中間板1は、接着剤Cの影響
を受けないような材質(例えば、四弗化エチレン樹脂)
で形成されており、半導体ウエハWの全面に当接する形
状に形成されている。また、この基台2は、適当な材質
で形成することができるが、好ましくは中間板1と同様
接着剤Cの影響を受けないような材質で形成する。
導体ウエハWとこの半導体ウエハWよりも径の大きな中
間板1とを交互に当接し、これ等を逆台形の溝2′を上
面に有する基台2上に並列する。この並列の両側端に
は、中間板1が位置するようにしておく。なお、この半
導体ウエハWは、両面は不純物が拡散された不純物拡散
層を有し厚み巾の中心線に対し線対称的材質特性を有す
るものである。また、この中間板1は、接着剤Cの影響
を受けないような材質(例えば、四弗化エチレン樹脂)
で形成されており、半導体ウエハWの全面に当接する形
状に形成されている。また、この基台2は、適当な材質
で形成することができるが、好ましくは中間板1と同様
接着剤Cの影響を受けないような材質で形成する。
次に、並列されている半導体ウエハW,中間板1の両側端
にさらに加圧板3を並設配置する。この加圧板3は、適
当な材質で形成することができるが、好ましくは中間板
1と同様接着剤Cの影響を受けないような材質で形成す
る。
にさらに加圧板3を並設配置する。この加圧板3は、適
当な材質で形成することができるが、好ましくは中間板
1と同様接着剤Cの影響を受けないような材質で形成す
る。
さらに、並設した加圧板3の両側からクランプ等で並列
方向へ加圧力を加える。この加圧は、半導体ウエハW,中
間板1の並列を規制保持し、半導体ウエハWの移動,傾
倒,ズレ等を防止すると共に、半導体ウエハW,中間板1
の当接間隙を減少させ両者を密接圧接するものである。
方向へ加圧力を加える。この加圧は、半導体ウエハW,中
間板1の並列を規制保持し、半導体ウエハWの移動,傾
倒,ズレ等を防止すると共に、半導体ウエハW,中間板1
の当接間隙を減少させ両者を密接圧接するものである。
而後、例えばエポキシ系の接着原剤にタルク(滑石)を
混合し適正な粘度に調整した接着剤Cを中間板1相互間
から半導体ウエハWの周縁に流込み、加熱槽に収容して
硬化に要する時間を短縮させ、接着剤Cを硬化成形し、
第2図に示すような三日月形の補強材4を半導体ウエハ
Wの周縁に固着硬化形成する。而後中間板は半導体ウエ
ハより分離され半導体ウエハWは適当な保持具に保持し
てダイアモンドカッター等を用いて半導体ウエハWの厚
み巾の中間から切断されるが、半導体ウエハW,補強材4
の双方を完全に切断するか、または半導体ウエハWを完
全に切断するが補強材4は途中まで切断して切り残し切
断された半導体ウエハWを分離せずに回収することもで
きる。
混合し適正な粘度に調整した接着剤Cを中間板1相互間
から半導体ウエハWの周縁に流込み、加熱槽に収容して
硬化に要する時間を短縮させ、接着剤Cを硬化成形し、
第2図に示すような三日月形の補強材4を半導体ウエハ
Wの周縁に固着硬化形成する。而後中間板は半導体ウエ
ハより分離され半導体ウエハWは適当な保持具に保持し
てダイアモンドカッター等を用いて半導体ウエハWの厚
み巾の中間から切断されるが、半導体ウエハW,補強材4
の双方を完全に切断するか、または半導体ウエハWを完
全に切断するが補強材4は途中まで切断して切り残し切
断された半導体ウエハWを分離せずに回収することもで
きる。
なお、第3図,第4図は、半導体ウエハWと補強材4と
の固着強度を高めるために、半導体ウエハW,中間板1に
変形加工を施したものである。即ち、第3図では、半導
体ウエハWの周縁に周方向へ配設された溝W′を設け
て、半導体ウエハW,補強板4の接触面積を拡大してあ
る。また、第4図では、中間板1の半導体ウエハWの周
縁付近に位置する部分に厚みの減少部分1′を設け、補
強材4を半導体ウエハWの両面側まで延長形成させて、
半導体ウエハW,補強板4の接触面積を拡大してある。な
お、第4図の半導体ウエハW,補強材4の固着構造では、
完全に切断された半導体ウエハWがなお広い面積で補強
材4と固着されていることになるため、前述の2枚同時
回収に有利である。又、切断方式の差により第4図にお
いて素材ウエハ2枚を同時に接着することも任意であ
る。
の固着強度を高めるために、半導体ウエハW,中間板1に
変形加工を施したものである。即ち、第3図では、半導
体ウエハWの周縁に周方向へ配設された溝W′を設け
て、半導体ウエハW,補強板4の接触面積を拡大してあ
る。また、第4図では、中間板1の半導体ウエハWの周
縁付近に位置する部分に厚みの減少部分1′を設け、補
強材4を半導体ウエハWの両面側まで延長形成させて、
半導体ウエハW,補強板4の接触面積を拡大してある。な
お、第4図の半導体ウエハW,補強材4の固着構造では、
完全に切断された半導体ウエハWがなお広い面積で補強
材4と固着されていることになるため、前述の2枚同時
回収に有利である。又、切断方式の差により第4図にお
いて素材ウエハ2枚を同時に接着することも任意であ
る。
このような実施例によると、補強材4の形成工作におい
ては、半導体ウエハWよりも径の大きな中間板1が加圧
によって半導体ウエハを並列規制すると共に、中間板1
と半導体ウエハWとの間に接着剤Cが流込まれる間隙が
画成されることから、半導体ウエハWが移動,傾倒,ズ
レ等することなく、接着剤Cも正確な姿勢の構造に充填
されることになる。このため、接着剤Cが硬化成形され
て半導体ウエハWの周縁に固着形成された補強材4は、
固着強度不足や寸法精度の誤差が生じることはなくな
る。
ては、半導体ウエハWよりも径の大きな中間板1が加圧
によって半導体ウエハを並列規制すると共に、中間板1
と半導体ウエハWとの間に接着剤Cが流込まれる間隙が
画成されることから、半導体ウエハWが移動,傾倒,ズ
レ等することなく、接着剤Cも正確な姿勢の構造に充填
されることになる。このため、接着剤Cが硬化成形され
て半導体ウエハWの周縁に固着形成された補強材4は、
固着強度不足や寸法精度の誤差が生じることはなくな
る。
また、中間板1が半導体ウエハWの全面を加圧している
ため、半導体ウエハWが大径薄板でも、加圧の際に半導
体ウエハWが折損するおそれはない。
ため、半導体ウエハWが大径薄板でも、加圧の際に半導
体ウエハWが折損するおそれはない。
さらに、半導体ウエハWの両面に中間板1を圧接して半
導体ウエハWと中間板1との間の間隙を減少させている
ことから、接着剤が流し込まれても半導体ウエハ側に流
下するのを阻止し、半導体ウエハWの汚損を防止するこ
とができる。
導体ウエハWと中間板1との間の間隙を減少させている
ことから、接着剤が流し込まれても半導体ウエハ側に流
下するのを阻止し、半導体ウエハWの汚損を防止するこ
とができる。
さらに、接着剤Cはその流動性を利用して簡単に半導体
ウエハWの周縁の広い面積に充填被覆することができる
ことから、別部材からなる当板を固着する場合のような
板取りロスは生じなくなる。
ウエハWの周縁の広い面積に充填被覆することができる
ことから、別部材からなる当板を固着する場合のような
板取りロスは生じなくなる。
[発明の効果] 以上のように本発明に係る半導体ウエハの外周の補強部
の形成方法は中間板、半導体ウエハの周縁によって画成
される正確な姿勢の構造(空間)に接着剤が充填されて
補強材が固着形成されることから、別部材からなる当板
を固着する場合のような傾倒等による固着強度不足や寸
法精度の誤差を生ずることはなくなる。また、半導体ウ
エハの両面に中間板が圧接されて接着剤が半導体ウエハ
の表面に沿って流下するのを阻止するため、半導体ウエ
ハの汚損が防止される。このため、当板に代る部材であ
る接着剤からなる補強材を用いて、その固着工作の仕上
りが良好となる効果がある。また、この効果により、補
強材固着後の半導体ウエハの切断工作を欠損なくかつ効
率的に行なうことができる効果を生ずる。
の形成方法は中間板、半導体ウエハの周縁によって画成
される正確な姿勢の構造(空間)に接着剤が充填されて
補強材が固着形成されることから、別部材からなる当板
を固着する場合のような傾倒等による固着強度不足や寸
法精度の誤差を生ずることはなくなる。また、半導体ウ
エハの両面に中間板が圧接されて接着剤が半導体ウエハ
の表面に沿って流下するのを阻止するため、半導体ウエ
ハの汚損が防止される。このため、当板に代る部材であ
る接着剤からなる補強材を用いて、その固着工作の仕上
りが良好となる効果がある。また、この効果により、補
強材固着後の半導体ウエハの切断工作を欠損なくかつ効
率的に行なうことができる効果を生ずる。
さらに、接着剤はその流動性により半導体ウエハの周縁
の広い面積に充填被覆することができることから、別部
材からなる当板を固着する場合のような板取りロスは生
じなくなる。このため、当板に代る部材である接着剤か
らなる補強材を用いて、その固着工作の材料コストが安
価となる効果がある。
の広い面積に充填被覆することができることから、別部
材からなる当板を固着する場合のような板取りロスは生
じなくなる。このため、当板に代る部材である接着剤か
らなる補強材を用いて、その固着工作の材料コストが安
価となる効果がある。
さらに、半導体ウエハの中間板を介しての並列,加圧を
利用して補強材を固着するため、既存工具,部材を利用
して、補強材の固着工作を安価,容易に実施することが
できる効果がある。
利用して補強材を固着するため、既存工具,部材を利用
して、補強材の固着工作を安価,容易に実施することが
できる効果がある。
第1図は本発明に係るディスクリート素子用基板の製造
方法の実施例の一工程を示す正面図、第2図は第1図の
X−X線断面図、第3図,第4図は補強材形成の変形例
を示す断面図、第5図,第6図は従来例の問題点を示す
正面図である。 図 中 1……中間板 4……補強材 C……接着材 W……半導体ウエハ
方法の実施例の一工程を示す正面図、第2図は第1図の
X−X線断面図、第3図,第4図は補強材形成の変形例
を示す断面図、第5図,第6図は従来例の問題点を示す
正面図である。 図 中 1……中間板 4……補強材 C……接着材 W……半導体ウエハ
Claims (1)
- 【請求項1】中央部に不純物が拡散されていない不純物
未拡散層を有し両面に不純物が拡散された不純物拡散層
を有する半導体ウエハを、その厚み巾の中央部より内周
刃で2分割に切断する際の外周部の補強方法であって、
複数枚の該半導体ウエハと、これより径の大きい中間板
を垂直に交互に密着並設して並列方向より加圧して、中
間板相互間に挾持されたウエハ頂部に形成される空隙に
接着剤を流し込み硬化させた後、中間板を半導体ウエハ
から分離して個々の半導体ウエハ外周部に補強部を形成
する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1195757A JPH0691055B2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体ウエハの外周補強部の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1195757A JPH0691055B2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体ウエハの外周補強部の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0358807A JPH0358807A (ja) | 1991-03-14 |
| JPH0691055B2 true JPH0691055B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=16346455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1195757A Expired - Fee Related JPH0691055B2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体ウエハの外周補強部の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691055B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102014116139A1 (de) | 2014-11-05 | 2016-05-12 | Epcos Ag | Induktives Bauelement |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06105702B2 (ja) * | 1987-10-28 | 1994-12-21 | 株式会社東芝 | 半導体基板の製造方法 |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP1195757A patent/JPH0691055B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0358807A (ja) | 1991-03-14 |
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