JPH069190B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH069190B2 JPH069190B2 JP61193392A JP19339286A JPH069190B2 JP H069190 B2 JPH069190 B2 JP H069190B2 JP 61193392 A JP61193392 A JP 61193392A JP 19339286 A JP19339286 A JP 19339286A JP H069190 B2 JPH069190 B2 JP H069190B2
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- JP
- Japan
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- plasma
- processing chamber
- power supply
- electrode
- door
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、プラズマＣＶＤ装置等プラズマを用いてウエ
ハの処理を行うプラズマ処理装置に関する。
ハの処理を行うプラズマ処理装置に関する。
（従来の技術） 一般に、プラズマＣＶＤ装置等のプラズマ処理装置で
は、電極板間に高周波電力を印加してプラズマを発生さ
せ、このプラズマを用いてウエハの処理を行なう。
は、電極板間に高周波電力を印加してプラズマを発生さ
せ、このプラズマを用いてウエハの処理を行なう。
第５図は、このような従来のプラズマ処理装置の例とし
て、プラズマを用いてウエハ表面にＣＶＤ膜を形成する
プラズマＣＶＤ装置を示すもので、石英等から中空円筒
状に構成され一端に開口１ａを備え、両側にガス導入口
１ｂおよびガス排出口１ｃ配置された処理室１内には、
開口１ａの近傍に弾性部材からなる電力供給端子２ａ、
２ｂが配置されており、この電力供給端子２ａ、２ｂ
は、高周波電力供給装置２に接続されている。そして、
それぞれ表面に平行にウエハ３を配置され、平行に多数
配列された円板状の電極板４ａと、これらの電極板４ａ
に電気的に接続された弾性部材からなるリード電極４
ｂ、４ｃとから構成されるプラズマ電極４が、下部に車
輪５ａを備えたボート５上に載置され、開口１ａからロ
ードされる。
て、プラズマを用いてウエハ表面にＣＶＤ膜を形成する
プラズマＣＶＤ装置を示すもので、石英等から中空円筒
状に構成され一端に開口１ａを備え、両側にガス導入口
１ｂおよびガス排出口１ｃ配置された処理室１内には、
開口１ａの近傍に弾性部材からなる電力供給端子２ａ、
２ｂが配置されており、この電力供給端子２ａ、２ｂ
は、高周波電力供給装置２に接続されている。そして、
それぞれ表面に平行にウエハ３を配置され、平行に多数
配列された円板状の電極板４ａと、これらの電極板４ａ
に電気的に接続された弾性部材からなるリード電極４
ｂ、４ｃとから構成されるプラズマ電極４が、下部に車
輪５ａを備えたボート５上に載置され、開口１ａからロ
ードされる。
そして、電力供給端子２ａ、２ｂとリード電極４ｂ、４
ｃとが弾性的に接触して電気的接続が行なわれ、開口１
ａはドラフランジ６によつて閉塞される。この後、ガス
導入口１ｂおよびガス排出口１ｃにより、処理室１内に
所定の反応ガスが流通され、高周波電力供給装置２から
電極板４ａ間に高周波電力が印加されて処理室１内にプ
ラズマを発生させ、ウエハ３表面にＣＶＤ膜を形成す
る。
ｃとが弾性的に接触して電気的接続が行なわれ、開口１
ａはドラフランジ６によつて閉塞される。この後、ガス
導入口１ｂおよびガス排出口１ｃにより、処理室１内に
所定の反応ガスが流通され、高周波電力供給装置２から
電極板４ａ間に高周波電力が印加されて処理室１内にプ
ラズマを発生させ、ウエハ３表面にＣＶＤ膜を形成す
る。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記説明の従来のプラズマ処理装置で
は、プラズマ電極のリード電極と処理室内に配置された
電力供給端子とが、リード電極および電力供給端子の弾
性により接触しているだけであるため、この接触部の接
触抵抗が増大し、発熱および高周波電力の減衰等が生じ
プラズマの発生量の低下が生じるという問題がある。
は、プラズマ電極のリード電極と処理室内に配置された
電力供給端子とが、リード電極および電力供給端子の弾
性により接触しているだけであるため、この接触部の接
触抵抗が増大し、発熱および高周波電力の減衰等が生じ
プラズマの発生量の低下が生じるという問題がある。
本発明は係る従来の事情に対処してなされたもので、プ
ラズマの発生量を増大させることができ、効率良く処理
を行なうことのできるプラズマ処理装置を提供しようと
するものである。
ラズマの発生量を増大させることができ、効率良く処理
を行なうことのできるプラズマ処理装置を提供しようと
するものである。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 処理室内の開口部を気密に閉塞するドアと、このドアに
保持され前記処理室内側に設けられて被処理体を保持す
る少なくとも１対の電極板を有するボートと、前記それ
ぞれの電極板と接続され、前記電極板間に高周波電力を
印加するリード電極と、前記ドアに絶縁部材を介し貫通
して設けられ、前記高周波電力を前記処理室外から前記
リード電極に供給する電力供給端子と、この電力供給端
子と前記リード電極とを固定して電気的に接続する固定
機構とを具備したことを特徴とする。
保持され前記処理室内側に設けられて被処理体を保持す
る少なくとも１対の電極板を有するボートと、前記それ
ぞれの電極板と接続され、前記電極板間に高周波電力を
印加するリード電極と、前記ドアに絶縁部材を介し貫通
して設けられ、前記高周波電力を前記処理室外から前記
リード電極に供給する電力供給端子と、この電力供給端
子と前記リード電極とを固定して電気的に接続する固定
機構とを具備したことを特徴とする。
（作用） 本発明のプラズマ処理装置では、プラズマ電極のリード
電極と電力供給端子との接続部に、このリード電極と電
力供給端子とを固定して電気的に接続する固定機構が配
置されているので、このリード電極と電力供給端子とを
確実に接続することができ、この接続部の接触抵抗を減
少させることができる。
電極と電力供給端子との接続部に、このリード電極と電
力供給端子とを固定して電気的に接続する固定機構が配
置されているので、このリード電極と電力供給端子とを
確実に接続することができ、この接続部の接触抵抗を減
少させることができる。
また、ボートがドアに保持されているので、このドアを
支持することにより、処理室内壁に被接触な状態でボー
トを処理室内にロード・アンロードすることができ、半
導体デバイスに悪影響を与えるダストの発生なく、処理
室の摩耗も防止することができる。さらに、このような
構造とすることにより、リード電極と電力供給端子との
着脱を頻繁に行う必要がなくなり、ダストの発生の抑制
および作業効率の向上を図ることができる。
支持することにより、処理室内壁に被接触な状態でボー
トを処理室内にロード・アンロードすることができ、半
導体デバイスに悪影響を与えるダストの発生なく、処理
室の摩耗も防止することができる。さらに、このような
構造とすることにより、リード電極と電力供給端子との
着脱を頻繁に行う必要がなくなり、ダストの発生の抑制
および作業効率の向上を図ることができる。
（実施例） 以下本発明のプラズマ処理装置を図面を参照して実施例
について説明する。
について説明する。
第１図は本発明の一実施例のプラズマ処理装置としてプ
ラズマＣＶＤ装置を示すもので、この実施例のプラズマ
ＣＶＤ装置には、石英等から中空円筒状に構成され、一
端に開口１１ａを備え、両側にガス導入口１１ｂとガス
排出口１１ｃとを備えた処理室１１が配置されており、
開口１１ａは、ドアフランジ１２によって閉塞されるよ
う構成されている。
ラズマＣＶＤ装置を示すもので、この実施例のプラズマ
ＣＶＤ装置には、石英等から中空円筒状に構成され、一
端に開口１１ａを備え、両側にガス導入口１１ｂとガス
排出口１１ｃとを備えた処理室１１が配置されており、
開口１１ａは、ドアフランジ１２によって閉塞されるよ
う構成されている。
処理室１１内の開口１１ａ側の端部には、第２図にも示
すように、弾性部材から構成され、例えばネジ１３等か
ら構成される固定機構を備えた２つの電力供給端子１４
が設けられている。
すように、弾性部材から構成され、例えばネジ１３等か
ら構成される固定機構を備えた２つの電力供給端子１４
が設けられている。
そして、ウエハ保持具１５ａを備え、間隔を設けて平行
に多数配列された円板状の電極板１５ｂを、この電極板
１５ｂの両側に配置され一端にネジ１３と螺合されるネ
ジ穴１３ａを有する棒状のリード電極１５ｃによって保
持し、電極板１５ｂを１枚おきに異なった側のリード電
極１５ｃに電気的に接続して構成されるプラズマ電極１
５のウエハ保持具１５ａ上にウエハ１６が配置され、こ
のプラズマ電極１５が、石英等からなり下部に車輪１７
ａを備えたボート１７上に載置されて、開口１１ａから
処理室１１内へロードされる。
に多数配列された円板状の電極板１５ｂを、この電極板
１５ｂの両側に配置され一端にネジ１３と螺合されるネ
ジ穴１３ａを有する棒状のリード電極１５ｃによって保
持し、電極板１５ｂを１枚おきに異なった側のリード電
極１５ｃに電気的に接続して構成されるプラズマ電極１
５のウエハ保持具１５ａ上にウエハ１６が配置され、こ
のプラズマ電極１５が、石英等からなり下部に車輪１７
ａを備えたボート１７上に載置されて、開口１１ａから
処理室１１内へロードされる。
この後、リード電極１５ｃがネジ穴１３ａおよびネジ１
３によって電力供給端子１４に固定され、電気的に接続
されて、開口１１ａがドアフランジ１２によって閉塞さ
れ固定されると、ガス導入口１１ｂ、ガス排出口１１ｃ
により処理室１１内に所定の反応ガスが流通され、高周
波電力供給装置１８によって電力供給端子１４から、リ
ード電極１５ｃを介して電極板１５ｂ間に例えば13.56M
Hz等の高周波電力が供給され、プラズマを生起させてウ
エハ１６上にＣＶＤ膜が形成される。なお加熱が必要な
場合は、ヒータ等の加熱装置が処理室１１の周囲に配置
され、処理室１１内部が加熱される。
３によって電力供給端子１４に固定され、電気的に接続
されて、開口１１ａがドアフランジ１２によって閉塞さ
れ固定されると、ガス導入口１１ｂ、ガス排出口１１ｃ
により処理室１１内に所定の反応ガスが流通され、高周
波電力供給装置１８によって電力供給端子１４から、リ
ード電極１５ｃを介して電極板１５ｂ間に例えば13.56M
Hz等の高周波電力が供給され、プラズマを生起させてウ
エハ１６上にＣＶＤ膜が形成される。なお加熱が必要な
場合は、ヒータ等の加熱装置が処理室１１の周囲に配置
され、処理室１１内部が加熱される。
上記説明のこの実施例のプラズマ処理装置では、プラズ
マ電極１５のリード電極１５ｃと電力供給端子１４との
接続部に、このリード電極１５ｃと電力供給端子１４と
を固定して電気的に接続するネジ１３とネジ穴１３ａと
からなる固定機構が配置されているので、このリード電
極１５ｃと電力供給端子１４とを確実に接続することが
でき、この接続部の接触抵抗を減少させ、発熱や高周波
電力の減衰を防止して、プラズマの発生量を増大させる
ことができる。
マ電極１５のリード電極１５ｃと電力供給端子１４との
接続部に、このリード電極１５ｃと電力供給端子１４と
を固定して電気的に接続するネジ１３とネジ穴１３ａと
からなる固定機構が配置されているので、このリード電
極１５ｃと電力供給端子１４とを確実に接続することが
でき、この接続部の接触抵抗を減少させ、発熱や高周波
電力の減衰を防止して、プラズマの発生量を増大させる
ことができる。
なお、この実施例のプラズマ処理装置では、リード電極
１５ｃと電力供給端子１４との接続部にネジ１３とネジ
穴１３ａとからなる固定機構を配置したが、固定機構
は、リード電極１５ｃと電力供給端子１４とを固定する
ことができるものであればどのようなものから構成して
もよい。
１５ｃと電力供給端子１４との接続部にネジ１３とネジ
穴１３ａとからなる固定機構を配置したが、固定機構
は、リード電極１５ｃと電力供給端子１４とを固定する
ことができるものであればどのようなものから構成して
もよい。
第３図は他の実施例のプラズマＣＶＤ装置を示すもの
で、前述の実施例と同様に構成された処理室１１の開口
１１ａは、円弧状の断面を有し処理室１１内の全長とほ
ぼ同じ長さを有する石英板からなるボート２２を固定さ
れたドアフランジ２３によって閉塞されるよう構成され
ている。
で、前述の実施例と同様に構成された処理室１１の開口
１１ａは、円弧状の断面を有し処理室１１内の全長とほ
ぼ同じ長さを有する石英板からなるボート２２を固定さ
れたドアフランジ２３によって閉塞されるよう構成され
ている。
なお、ボート２２は、発塵の少ない物質で、温度、化学
的安定性等が各処理条件に適合するものであれば、どの
ような物質から構成してもよく、その形状は、例えば複
数の円柱状の棒等、どのような形状としてもよい。
的安定性等が各処理条件に適合するものであれば、どの
ような物質から構成してもよく、その形状は、例えば複
数の円柱状の棒等、どのような形状としてもよい。
そして、ドアフランジ２３には、第４図にも示すよう
に、ドアフランジ２３に設けられた透孔２３ａを貫通
し、絶縁体部２３ｂを介して固定され、処理室１１側に
例えばネジ等から構成される固定機構２４ａを備えた電
力供給端子２４が設けられている。
に、ドアフランジ２３に設けられた透孔２３ａを貫通
し、絶縁体部２３ｂを介して固定され、処理室１１側に
例えばネジ等から構成される固定機構２４ａを備えた電
力供給端子２４が設けられている。
また、処理室１１側方の開口２１ａ側には、ドアフラン
ジ２３を垂直に保持し、このドアフランジ２３を処理室
１１の長手方向に移動させるローディング装置２５が配
置されている。
ジ２３を垂直に保持し、このドアフランジ２３を処理室
１１の長手方向に移動させるローディング装置２５が配
置されている。
そして、前述の実施例と同様に構成されたプラズマ電極
１５のウエハ保持具１５ａ上にウエハ１６が配置され、
このプラズマ電極１５がボート２２上に載置され、リー
ド電極１５ｃが高周波電力供給端子２４の固定機構２４
ａに固定されてローディング装置２５によって開口１１
ａから処理室１１内へロードされて、前述の実施例と同
様に処理が行なわれる。
１５のウエハ保持具１５ａ上にウエハ１６が配置され、
このプラズマ電極１５がボート２２上に載置され、リー
ド電極１５ｃが高周波電力供給端子２４の固定機構２４
ａに固定されてローディング装置２５によって開口１１
ａから処理室１１内へロードされて、前述の実施例と同
様に処理が行なわれる。
上記説明のこの実施例のプラズマ処理装置では、固定機
構２４ａにより、前述の実施例と同様な効果を得ること
ができる。また、ドアフランジ２３に固定されたボート
２２上にプラズマ電極１５を配置し、ローディング装置
２５によってドアフランジ２３を垂直に保持し、ボート
２２およびプラズマ電極１５を処理室１１内壁に接触さ
せることなく、ロード、アンロードすることができる。
したがって、半導体ディバイスに悪影響を与えるダスト
の発生がなく、処理室１１の摩耗もないので、処理室寿
命を長期化することができる。
構２４ａにより、前述の実施例と同様な効果を得ること
ができる。また、ドアフランジ２３に固定されたボート
２２上にプラズマ電極１５を配置し、ローディング装置
２５によってドアフランジ２３を垂直に保持し、ボート
２２およびプラズマ電極１５を処理室１１内壁に接触さ
せることなく、ロード、アンロードすることができる。
したがって、半導体ディバイスに悪影響を与えるダスト
の発生がなく、処理室１１の摩耗もないので、処理室寿
命を長期化することができる。
［発明の効果］ 上述のように本発明のプラズマ処理装置では、プラズマ
の発生量を増大させ、効率良く処理を行なうことができ
る。
の発生量を増大させ、効率良く処理を行なうことができ
る。
また、ボートがドアに保持されているので、このドアを
支持することにより、処理室内壁に被接触な状態でボー
トを処理室内にロード・アンロードすることができ、半
導体デバイスに悪影響を与えるダストの発生がなく、処
理室の摩耗も防止することができる。さらに、このよう
な構造とすることにより、リード電極と電力供給端子と
の着脱を頻繁に行う必要がなくなり、ダストの発生の抑
制および作業効率の向上を図ることができる。
支持することにより、処理室内壁に被接触な状態でボー
トを処理室内にロード・アンロードすることができ、半
導体デバイスに悪影響を与えるダストの発生がなく、処
理室の摩耗も防止することができる。さらに、このよう
な構造とすることにより、リード電極と電力供給端子と
の着脱を頻繁に行う必要がなくなり、ダストの発生の抑
制および作業効率の向上を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例のプラズマ処理装置を示す構
成図、第２図は第１図の要部を拡大して示す縦断面図、
第３図は本発明の他の実施例のプラズマ処理装置を示す
構成図、第４図は第３図の要部を拡大して示す縦断面
図、第５図は従来のプラズマ処理装置を示す構成図であ
る。 １１……処理室、１３……ネジ、１４……電力供給端
子、１５ｂ……電極板、１５ｃ……リード電極、１５…
…プラズマ電極、１８……高周波電力供給装置。
成図、第２図は第１図の要部を拡大して示す縦断面図、
第３図は本発明の他の実施例のプラズマ処理装置を示す
構成図、第４図は第３図の要部を拡大して示す縦断面
図、第５図は従来のプラズマ処理装置を示す構成図であ
る。 １１……処理室、１３……ネジ、１４……電力供給端
子、１５ｂ……電極板、１５ｃ……リード電極、１５…
…プラズマ電極、１８……高周波電力供給装置。
Claims (2)
- 【請求項１】処理室内の開口部を気密に閉塞するドア
と、このドアに保持され前記処理室内側に設けられて被
処理体を保持する少なくとも１対の電極板を有するボー
トと、 前記それぞれの電極板と接続され、前記電極板間に高周
波電力を印加するリード電極と、 前記ドアに絶縁部材を介し貫通して設けられ、前記高周
波電力を前記処理室外から前記リード電極に供給する電
力供給端子と、 この電力供給端子と前記リード電極とを固定して電気的
に接続する固定機構と を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】固定機構は、処理室の開口を閉塞するドア
フランジに配置された特許請求の範囲第１項記載のプラ
ズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193392A JPH069190B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193392A JPH069190B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6348816A JPS6348816A (ja) | 1988-03-01 |
| JPH069190B2 true JPH069190B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=16307176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61193392A Expired - Lifetime JPH069190B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069190B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6125246Y2 (ja) * | 1978-08-30 | 1986-07-29 |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP61193392A patent/JPH069190B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6348816A (ja) | 1988-03-01 |
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