JPH069291B2 - リフトオフ用インク - Google Patents
リフトオフ用インクInfo
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- JPH069291B2 JPH069291B2 JP63093894A JP9389488A JPH069291B2 JP H069291 B2 JPH069291 B2 JP H069291B2 JP 63093894 A JP63093894 A JP 63093894A JP 9389488 A JP9389488 A JP 9389488A JP H069291 B2 JPH069291 B2 JP H069291B2
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Landscapes
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、スクリーン印刷工程においてパターンを形成
するためのリフトオフ用インクに関する。
するためのリフトオフ用インクに関する。
[従来の技術] 一般に、平板ディスプレイにはITO膜やSnO2膜を
形成した透明導電性ガラス基板が用いられる。このガラ
ス基板には電気回路を形成するために必要なパターン加
工が施される。
形成した透明導電性ガラス基板が用いられる。このガラ
ス基板には電気回路を形成するために必要なパターン加
工が施される。
このような透明導電膜のパターン加工方法としては、エ
ッチング法、レーザスクライブ法、電蝕法、リフトオフ
法が用いられるが、これらの方法の中では製造コスト、
大量生産性の面などからリフトオフ法が優れている。
ッチング法、レーザスクライブ法、電蝕法、リフトオフ
法が用いられるが、これらの方法の中では製造コスト、
大量生産性の面などからリフトオフ法が優れている。
リフトオフ法は、第2図に示すように、簡易なプロセス
により実施される。
により実施される。
第2図において、(A)は印刷工程を示し、ガラス基板
11上にインク12がスクリーン印刷される。次に、B
の加熱工程でガラス基板11を加熱し、インク12から
ガスを脱離させる。次に、(C)の成膜工程ではガラス
基板11とインク12の上に熱CVD法により所定の厚
さの透明導電膜13を生成させる。次に、(D)のイン
ク剥離工程ではインク12を除去して、透明導電膜13
によるパターンを形成する。
11上にインク12がスクリーン印刷される。次に、B
の加熱工程でガラス基板11を加熱し、インク12から
ガスを脱離させる。次に、(C)の成膜工程ではガラス
基板11とインク12の上に熱CVD法により所定の厚
さの透明導電膜13を生成させる。次に、(D)のイン
ク剥離工程ではインク12を除去して、透明導電膜13
によるパターンを形成する。
上記工程を熱CVDプロセスを例にとって説明したが、
これらの工程からわかるように、リフトオフ法によるパ
ターン加工では印刷するインクの組成が非常に大きな意
味を持つ。
これらの工程からわかるように、リフトオフ法によるパ
ターン加工では印刷するインクの組成が非常に大きな意
味を持つ。
そして、一般に、インクの必要性能は次に述べる通りで
ある。
ある。
(1)耐熱性が良いこと。
(2)インクとガラスが反応しないこと。
(3)加熱工程でインクがめくれ上がったり、割れたり
しないこと。
しないこと。
(4)CVDガスの遮蔽性能が高いこと。
(5)CVD成膜後剥離工程でインクを簡単に落とせる
こと。
こと。
(6)インク組成上毒性のないこと。
ところで、従来、リフトオフ用インクとして、その組成
中にポリ塩化ビニルの塩素基を有するものをパターン加
工に使用していた。
中にポリ塩化ビニルの塩素基を有するものをパターン加
工に使用していた。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、このような従来のリフトオフ用インクは
その組成中にポリ塩化ビニルの塩素基を有しているた
め、この塩素基とガラス表面のNaが反応して、ガラス
とインクとの密着性が低下し、ガラス基板上にインクを
印刷すると、加熱した後インクが剥れるという問題点が
あった。
その組成中にポリ塩化ビニルの塩素基を有しているた
め、この塩素基とガラス表面のNaが反応して、ガラス
とインクとの密着性が低下し、ガラス基板上にインクを
印刷すると、加熱した後インクが剥れるという問題点が
あった。
このような問題点に対処するため、ガラス表面に予めS
iO2膜をアンダーコートとすると、 SiO2膜がガラスのNaイオンの拡散防止の役目を果
すため、インクがNaと反応せず、インクの剥れを防止
することができる。しかしこの場合には、SiO2膜を
予め形成するため、ガラス基板の製造コストが上昇する
という問題点が生じる。
iO2膜をアンダーコートとすると、 SiO2膜がガラスのNaイオンの拡散防止の役目を果
すため、インクがNaと反応せず、インクの剥れを防止
することができる。しかしこの場合には、SiO2膜を
予め形成するため、ガラス基板の製造コストが上昇する
という問題点が生じる。
また、前述したようにインクが剥れる場合には、剥れた
インクが炉内に飛散し、他のガラス基板上にのり、その
上から熱CVD法で成膜すると、その飛散インク部がピ
ンホール(膜抜け)となるという欠点もあった。
インクが炉内に飛散し、他のガラス基板上にのり、その
上から熱CVD法で成膜すると、その飛散インク部がピ
ンホール(膜抜け)となるという欠点もあった。
更に塩素が発生すると、これが大気中のH2Oと水と反
応して、HClが発生するためガス処理設備が必要とな
るという問題点もあった。
応して、HClが発生するためガス処理設備が必要とな
るという問題点もあった。
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
のであって、ガラス基板中のNaの反応性の高い塩素を
インク組成から除くことにより、ガラス基板に直接印刷
することができ、剥離することなく、良好なパターンを
加工することができるリフトオフ法用インクを提供する
ことを目的としている。
のであって、ガラス基板中のNaの反応性の高い塩素を
インク組成から除くことにより、ガラス基板に直接印刷
することができ、剥離することなく、良好なパターンを
加工することができるリフトオフ法用インクを提供する
ことを目的としている。
[課題を解決するための手段] 前記目的を達成するために、本発明は、重量比を30〜
70%の範囲としたフェノールノボラックアクリレー
ト、オリゴエステルアクリレート、トリメチロールプロ
パイントリアクリレートと、同比を1〜2%の範囲とし
たアントラキノンと、同比を30%以上としたタルク
と、同比を8〜20%の範囲とした酸化チタンと、同比
を0.3〜1%の範囲としたシリコンオイルと、同比を
1〜3%の範囲としたシリカと、同比を0.01〜1%
の範囲としたハイドロキノンと、からなるものである。
70%の範囲としたフェノールノボラックアクリレー
ト、オリゴエステルアクリレート、トリメチロールプロ
パイントリアクリレートと、同比を1〜2%の範囲とし
たアントラキノンと、同比を30%以上としたタルク
と、同比を8〜20%の範囲とした酸化チタンと、同比
を0.3〜1%の範囲としたシリコンオイルと、同比を
1〜3%の範囲としたシリカと、同比を0.01〜1%
の範囲としたハイドロキノンと、からなるものである。
[作用] 本発明においては、インク組成中からガラス基板のNa
と反応する塩素を除くようにしたため、インクが焼成さ
れた後もガラス面から剥れることがない。
と反応する塩素を除くようにしたため、インクが焼成さ
れた後もガラス面から剥れることがない。
したがって、ガラス基板上へ直接インクを印刷すること
ができる。
ができる。
また、予めSiO2膜をガラス基板上にアンダーコート
として形成する必要がないので、パターン付き透明導電
膜ガラス基板の製造コストを大幅に低減することができ
る。
として形成する必要がないので、パターン付き透明導電
膜ガラス基板の製造コストを大幅に低減することができ
る。
また、インクが剥れなくなるので、従来のように剥れた
インクが飛散して他のガラス基板上にのることがなく、
ピンホール(膜付け)を減少させることができる。
インクが飛散して他のガラス基板上にのることがなく、
ピンホール(膜付け)を減少させることができる。
さらに、塩素を含まないインクを用いるため、インク加
熱後発生するガスを処理するガス処理設備が不要となる
という利点もある。
熱後発生するガスを処理するガス処理設備が不要となる
という利点もある。
[実施例] 以下、本発明をさらに具体的に明らかにするために、本
発明の実施例を説明するが、本発明がかかる実施例の記
載により何等の制約を受けるものではない。
発明の実施例を説明するが、本発明がかかる実施例の記
載により何等の制約を受けるものではない。
この実施例ではリフトオフ用インクの組成を以下のよう
に構成した。
に構成した。
組成 重量比 フェノールノボラックアクリレート 2.9 % オリゴエステルアクリレート 23.5 % トリメチロールプロパインアクリレート 32.1 % アントラキノン 0.75% タルク 30 % 酸化チタン 0.2 % シリコンオイル 0.3 % シリカ 2.24% ハイドロキノン 0.01% オリゴエステルアクリレート(オリゴマー)は、光硬化
の作用を有し、一方、フェノールノボラックアクリレー
ト(モノマー)およびトリメチロールプロパインアクリ
レート(モノマー)は希釈用として使用される。これら
の3者のうち、フェノールノボラックアクリレートとト
リメチロールプロパインアクリレートの合計量が3者の
合計の50%を越えると、特性がでない。したがって、
これらの2者を50%以下にする必要がある。オリゴエ
ステルアクリレート、フェノールノボラックアクリレー
ト、およびトリメチルプロパインアクリレートはいずれ
も塩素を含有していない。また、他の組成にも塩素を含
有していない。
の作用を有し、一方、フェノールノボラックアクリレー
ト(モノマー)およびトリメチロールプロパインアクリ
レート(モノマー)は希釈用として使用される。これら
の3者のうち、フェノールノボラックアクリレートとト
リメチロールプロパインアクリレートの合計量が3者の
合計の50%を越えると、特性がでない。したがって、
これらの2者を50%以下にする必要がある。オリゴエ
ステルアクリレート、フェノールノボラックアクリレー
ト、およびトリメチルプロパインアクリレートはいずれ
も塩素を含有していない。また、他の組成にも塩素を含
有していない。
アントラキノンは、ラジカル反応をおこし、増感剤とし
て作用する。
て作用する。
フイラーであるタルクは、寸法安定剤、および増粘剤と
して作用し、剥離性を向上させる。
して作用し、剥離性を向上させる。
フイラーである酸化チタンは、ラジカル反応をおこし、
顔料、寸法安定剤、増粘剤、増感剤として作用し、径の
小さい、例えば1μm以下で、比重の小さいものを用に
ることにより、熱CVDガスの遮蔽効果を高めることが
できる。ただし、多すぎると、剥離性を低下させる。
顔料、寸法安定剤、増粘剤、増感剤として作用し、径の
小さい、例えば1μm以下で、比重の小さいものを用に
ることにより、熱CVDガスの遮蔽効果を高めることが
できる。ただし、多すぎると、剥離性を低下させる。
シリコンオイルは消泡剤として、またフイラーであるシ
リカは増粘剤として作用する。なお、シリカは熱CVD
ガスの遮蔽効果を有するか、多すぎると剥離性を低下さ
せる。
リカは増粘剤として作用する。なお、シリカは熱CVD
ガスの遮蔽効果を有するか、多すぎると剥離性を低下さ
せる。
ハイドロキノンは禁止剤として作用し、ラジカル反応を
抑制し、太陽の下または螢光灯下での硬化を防止する。
抑制し、太陽の下または螢光灯下での硬化を防止する。
したがって、ポットライフ(インク寿命)を保持させる
ことができる。
ことができる。
以上のように、このインクは、組成からガラス中のNa
との反応性の高い塩素を除いており、インクが焼成され
た後もガラス面から剥れることがない。
との反応性の高い塩素を除いており、インクが焼成され
た後もガラス面から剥れることがない。
[使用例] 次に、前記のインクを用いて熱CVD法によりガラス基
板上にSnO2膜によるパターンを形成した使用例を示
す。
板上にSnO2膜によるパターンを形成した使用例を示
す。
第1図(a)〜(d)はパターン形成のための工程を示
す断面図である。以下、各工程を順次説明する。
す断面図である。以下、各工程を順次説明する。
工程(a); まず、インク2を粘度が230〜260ポイズとなるよ
うに調整した後、スクリーン印刷機で洗浄剤のガラス基
板1上に塗布し、必要な印刷パターンを形成した。この
場合インク2の厚味は、長時間安定性およびインク剥離
の容易性の面から10〜20μmとした。
うに調整した後、スクリーン印刷機で洗浄剤のガラス基
板1上に塗布し、必要な印刷パターンを形成した。この
場合インク2の厚味は、長時間安定性およびインク剥離
の容易性の面から10〜20μmとした。
工程(b); 次に、ガラス表面に直接インク2が印刷されたガラス基
板1を熱風循還焼成炉内に投入し、300〜400℃の
温度で10分間予備加熱した。
板1を熱風循還焼成炉内に投入し、300〜400℃の
温度で10分間予備加熱した。
工程(c); 次に、予備加熱したガラス基板1を温度が500〜60
0℃に調整されたベルト式の常圧気相生成装置内に投入
し、熱CVD法により所定の厚さのSnO2膜3を形成
した。
0℃に調整されたベルト式の常圧気相生成装置内に投入
し、熱CVD法により所定の厚さのSnO2膜3を形成
した。
工程(d); 次に、SnO2膜3を形成したガラス基板1を徐々に冷
却し、その後不要なインク2を剥離して、パターン付S
nO2膜が生成されたガラス基板1を得た。
却し、その後不要なインク2を剥離して、パターン付S
nO2膜が生成されたガラス基板1を得た。
以上のように、本発明に係るインク2は、インク組成中
に塩素を含まないため、ガラス基板1の表面のNaとの
反応により発生するガスがなくなり、インク2が加熱後
ガラス基板1から剥離することがない。したがって、ガ
ラス基板1へ直接インク2を印刷することができる。
に塩素を含まないため、ガラス基板1の表面のNaとの
反応により発生するガスがなくなり、インク2が加熱後
ガラス基板1から剥離することがない。したがって、ガ
ラス基板1へ直接インク2を印刷することができる。
従来の塩素を含有するインクを用いる場合には、剥離の
防止のために、予めSiO2膜をガラス表面全体にアン
ダーコートする必要があったが、ガラス基板1の直接イ
ンク2を印刷することができ、透明導電膜付ガラス基板
2の製造コストを大巾に低減することができる。
防止のために、予めSiO2膜をガラス表面全体にアン
ダーコートする必要があったが、ガラス基板1の直接イ
ンク2を印刷することができ、透明導電膜付ガラス基板
2の製造コストを大巾に低減することができる。
また、従来では加熱工程後剥れたインクが炉内で飛散
し、他のガラス上にのってしまい、その上から成膜する
と、その飛散インク部はピンホールとなるが、本発明で
はインク2が剥れないので、ピンホールを減少させるこ
とができる。
し、他のガラス上にのってしまい、その上から成膜する
と、その飛散インク部はピンホールとなるが、本発明で
はインク2が剥れないので、ピンホールを減少させるこ
とができる。
さらに、塩素を含まないインク2を用いているため、イ
ンク加熱後発生するガスを処理するガス設備が不要とな
る。
ンク加熱後発生するガスを処理するガス設備が不要とな
る。
なお、この使用例では熱CVD法による成膜の場合につ
いて説明したが、これに限定されるものではなく、本発
明のインクは真空成膜にも適用することができる。
いて説明したが、これに限定されるものではなく、本発
明のインクは真空成膜にも適用することができる。
真空プロセスを用いる成膜法、例えば、抵抗加熱法、E
B法、スペツタ法による場合には、インクを印刷したガ
ラス基板を充分加熱し、インク中のガス成分を除いてお
くことが必要である。このため、予備加熱の条件として
300〜400℃の温度で大気焼成し、加熱時間として
は10分程度とすることが望ましい。
B法、スペツタ法による場合には、インクを印刷したガ
ラス基板を充分加熱し、インク中のガス成分を除いてお
くことが必要である。このため、予備加熱の条件として
300〜400℃の温度で大気焼成し、加熱時間として
は10分程度とすることが望ましい。
[発明の効果] 以上説明してきたように、本発明によれば、インク組成
中に塩素を含まないため、インクがガラス基板から剥離
することがなく、その結果、ガラス基板へ直接インクを
印刷することができる。
中に塩素を含まないため、インクがガラス基板から剥離
することがなく、その結果、ガラス基板へ直接インクを
印刷することができる。
また、予めSiO2膜をガラス基板に形成する必要がな
く、パターン付透明導電膜ガラス基板の製造コストを大
巾に低減することができる。
く、パターン付透明導電膜ガラス基板の製造コストを大
巾に低減することができる。
また、インクが剥れないので、インクが飛散することが
なく、ピンホールを減少させることができる。
なく、ピンホールを減少させることができる。
さらに、塩素を含まないインクを用いているため、イン
ク加熱後発生するガスを処理するガス処理設備が不要と
なる。
ク加熱後発生するガスを処理するガス処理設備が不要と
なる。
第1図(a)〜(d)は本発明に係るリフト板用インク
を用いてガラス基板上にSnO2膜によりパターンを形
成する各工程を示す断面図、 第2図(A)〜(D)は従来の各工程を示す断面図であ
る。 図中、 1…ガラス基板、 2…インク、 3…SnO2膜。
を用いてガラス基板上にSnO2膜によりパターンを形
成する各工程を示す断面図、 第2図(A)〜(D)は従来の各工程を示す断面図であ
る。 図中、 1…ガラス基板、 2…インク、 3…SnO2膜。
Claims (1)
- 【請求項1】重量比を30〜70%の範囲としたフェノ
ールノボラックアクリレート、オリゴエステルアクリレ
ート、トリメチロールプロパイントリアクリレートと、
同比を1〜2%の範囲としたアントラキノンと、同比を
30%以上としたタルクと、同比を8〜20%の範囲と
した酸化チタンと、同比を0.3〜1%の範囲としたシ
リコンオイルと、同比を1〜3%の範囲としたシリカ
と、同比を0.01〜1%の範囲としたハイドロキノン
と、からなるリフトオフ用インク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63093894A JPH069291B2 (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | リフトオフ用インク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63093894A JPH069291B2 (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | リフトオフ用インク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01265591A JPH01265591A (ja) | 1989-10-23 |
| JPH069291B2 true JPH069291B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=14095188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63093894A Expired - Lifetime JPH069291B2 (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | リフトオフ用インク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069291B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200849621A (en) * | 2006-12-21 | 2008-12-16 | Helianthos Bv | Method for making solar sub-cells from a solar cell |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP63093894A patent/JPH069291B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01265591A (ja) | 1989-10-23 |
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