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JPH0693584B2 - Bias circuit - Google Patents
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JPH0693584B2 - Bias circuit - Google Patents

Bias circuit

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JPH0693584B2
JPH0693584B2 JP11073784A JP11073784A JPH0693584B2 JP H0693584 B2 JPH0693584 B2 JP H0693584B2 JP 11073784 A JP11073784 A JP 11073784A JP 11073784 A JP11073784 A JP 11073784A JP H0693584 B2 JPH0693584 B2 JP H0693584B2
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harmonic
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distributed constant
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
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    • H03F3/60Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/601Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators using FET's, e.g. GaAs FET's

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  • Power Engineering (AREA)
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  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体素子を用いた高周波増幅器や発振器の
入出力端に、外部より制御可能な一定の電圧を供給する
ためのバイアス回路に係り、特に、集中定数素子と分布
定数素子とからなり高効率動作の電力増幅器の負圧回路
として好適なバイアス回路に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bias circuit for supplying a constant voltage externally controllable to the input / output terminals of a high frequency amplifier or oscillator using a semiconductor element, In particular, the present invention relates to a bias circuit including a lumped constant element and a distributed constant element, which is suitable as a negative voltage circuit of a high-efficiency power amplifier.

〔発明の背景〕[Background of the Invention]

分布定数回路で構成するバイアス回路の取り扱い方に
は、従来2つの考え方がある。ひとつは、バイアス回路
そのものを整合回路の一部に組み込んで考える考え方で
あり、他のひとつは、バイアス回路を整合回路より分離
して考える考え方である。
Conventionally, there are two ways of handling a bias circuit composed of a distributed constant circuit. One is the idea of incorporating the bias circuit itself into a part of the matching circuit, and the other is the idea of considering the bias circuit separately from the matching circuit.

後者の考え方に基づく代表例を第1図に示す。1はトラ
ンジスタなどの能動素子、2、及び3は直流阻止用コン
デンサ、4、及び5は基本波波長λの1/4の長さの分
布定数線路(以後、 と呼称する。)。6、及び7は、 4、及び5をそれぞれ高周波的に短絡し、直流を阻止す
るためのコンデンサ、8は入力整合回路、9は出力整合
回路である。10、及び11がバイアス回路であつて、端子
12、及び13より直流バイアスを印加する。上記バイアス
回路は、能動素子などの出入力整合回路を基本波インピ
ーダンスに対してのみ整合をとる従来の増幅器などに対
しては、その機能を果たすことができる。しかし、前記
増幅器と異なり、高調波インピーダンスに特定の負荷条
件を課すことで高効率動作を達成させようとする、いわ
ゆる「高効率増幅器」においては、次に示すような問題
が発生する。
A typical example based on the latter idea is shown in FIG. 1 is an active element such as a transistor, 2 and 3 are DC blocking capacitors, and 4 and 5 are distributed constant lines having a length of 1/4 of the fundamental wavelength λ 1 (hereinafter, I call it. ). 6 and 7 are Capacitors 4 and 5 are short-circuited at high frequencies to block direct current, 8 is an input matching circuit, and 9 is an output matching circuit. Bias circuits 10 and 11 have terminals
DC bias is applied from 12 and 13. The bias circuit can perform its function for a conventional amplifier or the like that matches an input / output matching circuit such as an active element only with respect to the fundamental impedance. However, unlike the above-mentioned amplifier, the so-called “high-efficiency amplifier” that attempts to achieve high-efficiency operation by imposing a specific load condition on the harmonic impedance has the following problems.

以下、第2図に示す「高効率増幅器」の公知例を参照し
て問題点を説明する。21はFETなどの能動素子、22、及
び23はそれぞれ、3次高調波波長λ、2次高調波波長
λに対し1/4の長さの一端開放の分布定数線路(以
後、それぞれ と呼称する。)であり、A点、及びB点からそれぞれの
線路をみた3次高調波インピーダンス、及び2次高調波
インピーダンスは零となる。24,25は3次高調波、2次
高調波に対する最適位相を決定する分布定数線路であ
る。26は基本波整合回路である。27は各線路22,23,24,2
5を含めた全体を示し、高調波制御回路と呼称する。
The problem will be described below with reference to a known example of the "high efficiency amplifier" shown in FIG. 21 is an active element such as FET, 22 and 23 are respectively distributed third- harmonic wavelength λ 3 and 1 / 4-length distributed constant line for the second harmonic wavelength λ 2 (hereinafter, respectively) I call it. ), The third-order harmonic impedance and the second-order harmonic impedance of the respective lines viewed from the points A and B are zero. 24 and 25 are distributed constant lines that determine the optimum phase for the third harmonic and the second harmonic. Reference numeral 26 is a fundamental wave matching circuit. 27 is each line 22,23,24,2
The whole including 5 is shown and is called a harmonic control circuit.

この従来のものは、バイアス回路については言及してな
いが、本例に、前記後者の考え方に基づいて、従来の一
端短絡 より構成されるバイアウ回路を付加することを考える。
This prior art does not mention a bias circuit, but in this example, based on the latter idea, the conventional one-end short circuit is performed. Consider adding a buyout circuit.

従来の一端短絡 より成るバイアス回路は、線路方向をみたインピーダン
ス(第1図バイアス回路11参照、同図結合点14より矢印
方向にみたインピーダンス)Zは、基本波λに対して
は、 (Z0は線路の特性インピーダンス)となる(付随的に奇
数次高調波に対しても無限大となつている)が、偶数次
高調波に対しては、 となる。すなわち、基本波インピーダンス、及び、3次
高調波に対しては無限大となるが、2次高調波インピー
ダンスは零となる。
Conventional short circuit More comprising bias circuit impedance viewed line direction (see FIG. 1 bias circuit 11, the impedance viewed in an arrow direction from FIG attachment point 14) Z is, for the fundamental wave lambda 1, (Z 0 is the characteristic impedance of the line) (incidentally, it is infinite even for odd harmonics), but for even harmonics, Becomes That is, the impedance of the fundamental wave and the third harmonic are infinite, but the impedance of the second harmonic is zero.

よつて、前述したバイアス回路の設計に対する後者の考
え方、すなわち、バイアス回路を整合回路より分離(イ
ンピーダンスを無限大にする)するという考え方に反す
る。
Therefore, this is contrary to the latter idea for the design of the bias circuit, that is, the idea of separating the bias circuit from the matching circuit (making the impedance infinite).

従つて、基本波制御回路26、及び高調波制御回路27を定
められた面積内に収納し、該電力増幅器をモジュール化
し、小形化する際、バイアス回路の取り付け位置が限定
されるため、回路パターンの設計性が悪い。
Therefore, when the fundamental wave control circuit 26 and the harmonic wave control circuit 27 are housed within a predetermined area and the power amplifier is modularized and miniaturized, the mounting position of the bias circuit is limited, so the circuit pattern Is poor in design.

また、「高効率電力増幅器」を大電力化する際には、高
調波制御回路27は直流バイアス電圧に高調波電力が重畳
された畳だけの耐圧を必要とするという問題も生じてく
る。
In addition, when increasing the power of the “high-efficiency power amplifier”, the harmonic control circuit 27 also needs to have a withstand voltage of only a tatami mat in which the harmonic power is superimposed on the DC bias voltage.

〔発明の目的〕[Object of the Invention]

本発明の目的は、増幅器の高効率動作に必要な負荷回路
を構成する際に不可欠な、基本波のみならず、2次高調
波、及び、3次高調波インピーダンスが高周波的に無限
大となるバイアス回路を提供し、もつて、バイアス回路
を、所望する「高効率増幅器」の負荷回路のどの位置に
も付加することを可能にすることにある。
It is an object of the present invention that not only the fundamental wave but also the second harmonic and the third harmonic impedance, which are indispensable when constructing a load circuit required for high-efficiency operation of an amplifier, become infinite at high frequencies. It is to provide a bias circuit, thus allowing the bias circuit to be added to any desired "high efficiency amplifier" load circuit location.

〔発明の概要〕[Outline of Invention]

本発明のバイアス回路は上記目的を達成するために、ト
ランジスタ等の半導体素子の出力線に所定の電圧を供給
するため、一端が上記半導体素子の出力線の一部(Q)
に接続され、他端が第1の直流阻止用コンデンサ(31-
4)に接続された基本波長λの1/4波長の長さの第1の分
布定数線路(31-3)と、一端が上記第1の分布定数線路
の中央部(P)に接続され、他端が第2の直流阻止用コ
ンデンサ(31-2)に接続された基本波長λの1/4波長の
長さの第2の分布定数線路(31-1)と、上記第1、第2
の分布定数線路と上記第1、第2の直流阻止用コンデン
サとのそれぞれの接点に設けられて、外部の電源から上
記所定の電圧を給電するための第1、第2の給電線(31
-5,31-6)とから構成され、上記所定の電圧が第1また
は第2のいずれか一方の給電線から給電されるようにし
た。
In order to achieve the above object, the bias circuit of the present invention supplies a predetermined voltage to an output line of a semiconductor element such as a transistor, so that one end thereof is a part (Q) of the output line of the semiconductor element.
The other end of the first DC blocking capacitor (31-
4) connected to the first distributed constant line (31-3) having a length of 1/4 wavelength of the fundamental wavelength λ and one end connected to the central part (P) of the first distributed constant line, A second distributed constant line (31-1) having a length of 1/4 wavelength of the fundamental wavelength λ, the other end of which is connected to the second DC blocking capacitor (31-2), and the first and second
Of the distributed constant line and the first and second DC blocking capacitors, and first and second power feed lines (31) for feeding the predetermined voltage from an external power source.
-5, 31-6) and the predetermined voltage is supplied from either the first or second power supply line.

このようにバイアス回路を構成することにより、第3図
において後述するように、給電点(Q)からみたインピ
ーダンスは半導体素子の出力の基本波、2次高調波、3
次高調波のそれぞれに対して無限大となり、バイアス回
路全体としては半導体素子の出力に対して高周波的に短
絡することになる。
By configuring the bias circuit in this way, as will be described later with reference to FIG. 3, the impedance seen from the feeding point (Q) is the fundamental wave of the output of the semiconductor element, the second harmonic wave, and the third harmonic wave.
It becomes infinite for each of the second harmonics, and the bias circuit as a whole short-circuits the output of the semiconductor element at high frequencies.

〔発明の実施例〕Example of Invention

以下、本発明を「高効率電力増幅器」の出力側バイアス
回路に実施した例を第3図により説明する。
An example in which the present invention is applied to the output side bias circuit of the "high efficiency power amplifier" will be described below with reference to FIG.

まず全体構成を説明する。31は本発明によるバイアス回
路、32はFETなどの能動素子、33は入力側整合回路、3
4、及び35は直流阻止用コンデンサ、36は高調波制御回
路、37は出力側基本波整合回路、38は、従来の一端短絡 を使用した入力側バイアス回路である。
First, the overall configuration will be described. 31 is a bias circuit according to the present invention, 32 is an active element such as FET, 33 is an input side matching circuit, 3
4, and 35 are DC blocking capacitors, 36 is a harmonic control circuit, 37 is an output side fundamental wave matching circuit, and 38 is a conventional one-sided short circuit It is an input side bias circuit using.

次に本発明の細部構成を説明する。バイアス回路31内の
31−1は であり、 31−3の中央に接続されている。31−2、及び31−4
は、 31−1、及び31−3を高周波的に短絡し、かつ直流を阻
止するためのコンデンサ、31−5、及び、31−6はバイ
アス端子である。
Next, the detailed configuration of the present invention will be described. In the bias circuit 31
31-1 is And It is connected to the center of 31-3. 31-2 and 31-4
Is Capacitors 31-5 and 31-6 for short-circuiting 31-1 and 31-3 at high frequency and blocking direct current are bias terminals.

次に、本発明のバイアス回路31の動作原理について説明
する。まず基本波インピーダンスについて考える。
Next, the operation principle of the bias circuit 31 of the present invention will be described. First consider the fundamental impedance.

31−1は、その一端をコンデンサ31−2によつて高周波
的に短絡してあるため、 31−1,31−3との交点Pより矢印A方向をみたインピー
ダンスZ1,APは、 となる(ここに、Z01は分布定数線路31−1の特性イン
ピーダンスである。)。従つて、本バイアス回路と能動
素子2との接続点Qより矢印B方向をみたインピーダン
スZ1,BQとなる(ここに、Z02は分布定数線路31−3の特性イン
ピーダンスである)。
31-1 has one end short-circuited at high frequency by the capacitor 31-2, Impedance Z 1, AP as viewed in the direction of arrow A from the intersection P with 31-1 and 31-3 is (Where Z 01 is the characteristic impedance of the distributed constant line 31-1). Therefore, the impedances Z 1 and BQ seen from the connection point Q between the bias circuit and the active element 2 in the arrow B direction are (Where Z 02 is the characteristic impedance of the distributed constant line 31-3).

次に2次高調波インピーダンスについて考える。P点よ
り矢印A方向をみたインピーダンスZ2,APは、λ=2
・λであるから、 となる。従つて、Q点より矢印B方向をみたインピーダ
ンスZ2,BQは、 となる。
Next, consider the second harmonic impedance. Impedance Z 2 as seen the direction of arrow A from the point P, AP is, λ 1 = 2
・ Because it is λ 2 , Becomes Therefore, the impedance Z2, BQ seen from the Q point in the direction of the arrow B is Becomes

次に、3次高調波インピーダンスについて説明する。λ
=3・λであるから、P点より矢印A方向をみたイ
ンピーダンスZ3,AP従つてQ点より矢印B方向をみたインピーダンスZ3,QB
は、 となる。
Next, the third harmonic impedance will be described. λ
Since 1 = 3 · λ 3 , the impedance Z 3, AP seen from the point P in the direction of arrow A is Therefore, impedance Z 3, QB seen from the point Q in the direction of arrow B
Is Becomes

以上から、Q点より矢印B方向をみたインピーダンス
は、基本波,2次高調波,及び3次高調波のそれぞれのイ
ンピーダンスに対しても無限大となることがわかり、直
流バイアス端子31−5、又は31−6のいずれからも給電
することができる。
From the above, it can be seen that the impedance seen from the point Q in the direction of the arrow B is infinite with respect to the impedance of each of the fundamental wave, the second harmonic, and the third harmonic, and the DC bias terminal 31-5, Alternatively, power can be supplied from any of 31-6.

従つて、「高効率電力増幅器」の負荷回路を構成する際
に、前記増幅器の「効率」に最も効果をもたらす、負荷
回路の基本波,2次高調波,及び3次高調波インピーダン
スに対し、バイアス回路は高周波的に分離して考えるこ
とが可能となり、従つて、バイアス回路を該負荷回路の
所望する位置に付加することができ、上記増幅器の高効
率動作のための負荷回路を容易に構成することができ
る。また、「高効率電力増幅器」の大電力化の際に問題
となる高調波制御回路の耐圧についても、高調波制御回
路36の直前において直流を阻止することができるため、
高周波電力のみの耐圧について考慮するだけでよく、高
調波制御回路の耐圧も小さくてすむ。
Therefore, when configuring the load circuit of the "high efficiency power amplifier", the fundamental wave, the second harmonic, and the third harmonic impedance of the load circuit, which bring the most effect on the "efficiency" of the amplifier, The bias circuit can be considered separately in terms of high frequency, and therefore, the bias circuit can be added to a desired position of the load circuit, and the load circuit for the highly efficient operation of the amplifier can be easily configured. can do. Further, as for the withstand voltage of the harmonic control circuit, which is a problem when increasing the power of the “high-efficiency power amplifier”, direct current can be blocked immediately before the harmonic control circuit 36.
It is only necessary to consider the withstand voltage of the high frequency power, and the withstand voltage of the harmonic control circuit can be small.

本発明を入力側バイアス回路に実施することもできる。
第3図において、入力波形が高調波成分を含んでいた場
合従来のバイアス回路8(第1図)にかえて、本発明を
適用し、基本波、及び、2次高調波,3次高調波に何ら影
響を与えることなく、バイアス回路を分離して考えて、
整合回路を構成することができる。
The present invention can also be implemented in the input side bias circuit.
In FIG. 3, when the input waveform includes a harmonic component, the present invention is applied instead of the conventional bias circuit 8 (FIG. 1), and the fundamental wave, the second harmonic, and the third harmonic are applied. Considering the bias circuit separately without affecting the
A matching circuit can be configured.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明は、基本波波長λの1/4波長の一端短絡分布定
数線路を2つ組み合わせることにより、高効率動作のた
めの負荷回路を構成する際、基本波、2次高調波,及び
3次高調波に対し、バイアス回路を高周波的に同時に分
離することができるため該高効率電力増幅器の負荷回路
の所望する位置にバイアス回路を付加することができ、
増幅器の高効率動作のための負荷回路構成を容易にする
ことができる。また、高効率電力増幅器の大電力化の際
に問題となる高調波制御回路の耐圧についても高調波制
御回路の直前において直流を阻止できる分だけ、耐圧を
低くできる。
According to the present invention, when a load circuit for high-efficiency operation is configured by combining two short-circuited distributed constant lines of 1/4 wavelength of the fundamental wave wavelength λ 1 , the fundamental wave, the second harmonic wave, and the For the second harmonic, the bias circuit can be simultaneously separated in high frequency, so that the bias circuit can be added at a desired position of the load circuit of the high efficiency power amplifier.
The load circuit configuration for high efficiency operation of the amplifier can be facilitated. Further, with respect to the breakdown voltage of the harmonic control circuit, which becomes a problem when the power of the high-efficiency power amplifier is increased, the breakdown voltage can be lowered as much as the direct current can be blocked immediately before the harmonic control circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、従来の一端短絡 を使用した整合回路の一例を示す回路図、第2図は、従
来例になる高効率電力増幅器の回路図、第3図は、本発
明の一実施例によるバイアス回路を使用した高効率増幅
器の回路図である。 31−1,31−3… 31−2,31−4… の一端短絡用コンデンサー、31−5,31−6…バイアス端
子。
Fig. 1 shows a conventional short-circuit at one end FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a matching circuit using the above, FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional high efficiency power amplifier, and FIG. 3 is a circuit diagram of a high efficiency amplifier using a bias circuit according to an embodiment of the present invention. It is a circuit diagram. 31-1, 31-3 ... 31-2, 31-4 ... One short-circuited capacitor, 31-5, 31-6 ... Bias terminal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】高周波信号の増幅や発振をおこなうための
半導体素子を動作させるために、所定の電圧を該半導体
素子の出力線に供給するためのバイアス回路であって、
上記所定の電圧を供給するための一端が上記半導体素子
の出力線に接続され、他端が第1の直流阻止用コンデン
サに接続された基本波長λの1/4波長の長さの第1の分
布定数線路と、一端が上記第1の分布定数線路の中央部
に接続され、他端が第2の直流阻止用コンデンサに接続
された基本波長λの1/4波長の長さの第2の分布定数線
路と、上記第1、第2の分布定数線路と上記第1、第2
の直流阻止用コンデンサとのそれぞれの接点に設けられ
て、外部の電源から上記所定の電圧を給電するための第
1、第2の給電線とから構成され、上記所定の電圧が第
1または第2のいずれか一方の給電線から給電されるよ
うにしたことを特徴とするバイアス回路。
1. A bias circuit for supplying a predetermined voltage to an output line of a semiconductor element for operating a semiconductor element for amplifying or oscillating a high frequency signal, comprising:
One end for supplying the predetermined voltage is connected to the output line of the semiconductor element, and the other end is connected to the first DC blocking capacitor. The distributed constant line and one end of which is connected to the central portion of the first distributed constant line and the other end of which is connected to the second DC blocking capacitor, has a second wavelength of 1/4 wavelength of the fundamental wavelength λ. Distributed constant line, the first and second distributed constant lines, and the first and second
Of the DC blocking capacitor, and first and second power supply lines for supplying the predetermined voltage from an external power source, and the predetermined voltage is the first or second power supply line. A bias circuit characterized in that power is supplied from one of the two power supply lines.
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