JPH07100732B2 - 封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH07100732B2 JPH07100732B2 JP23447194A JP23447194A JPH07100732B2 JP H07100732 B2 JPH07100732 B2 JP H07100732B2 JP 23447194 A JP23447194 A JP 23447194A JP 23447194 A JP23447194 A JP 23447194A JP H07100732 B2 JPH07100732 B2 JP H07100732B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- silicon nitride
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- resin
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は封止用エポキシ樹脂組成
物に関し、特に高熱伝導性の封止用エポキシ樹脂に関す
る。
物に関し、特に高熱伝導性の封止用エポキシ樹脂に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】エポキシ樹脂組成物は集積回路（IC），
大規模集積回路（LSI)，トランジスタなどの半導体デバ
イスや電子回路、あるいは他の部品を封止するために広
く用いられている。
大規模集積回路（LSI)，トランジスタなどの半導体デバ
イスや電子回路、あるいは他の部品を封止するために広
く用いられている。
【０００３】エポキシ樹脂組成物で発熱性の半導体デバ
イスや電子部品等を封止した場合に、内部に発生した熱
を効果的に外部に発散させる必要があり、そのために高
熱伝導性の封止用エポキシ樹脂組成物が求められてい
る。しかし従来のシリカを充てん剤として用いたエポキ
シ樹脂組成物では充分な熱伝導性を得ることが困難であ
った。
イスや電子部品等を封止した場合に、内部に発生した熱
を効果的に外部に発散させる必要があり、そのために高
熱伝導性の封止用エポキシ樹脂組成物が求められてい
る。しかし従来のシリカを充てん剤として用いたエポキ
シ樹脂組成物では充分な熱伝導性を得ることが困難であ
った。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高熱
伝導性の封止用エポキシ樹脂組成物を提供することにあ
る。
伝導性の封止用エポキシ樹脂組成物を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者は充てん剤としてシリカではなく窒化ケイ
素を用いて研究を重ねた結果、窒化ケイ素のうちβ型の
結晶構造をもつものに限って、それを充てん剤として用
いた場合に高熱伝導性の封止用エポキシ樹脂組成物が得
られることを見出し、本発明を完成させるに至った。
に、本発明者は充てん剤としてシリカではなく窒化ケイ
素を用いて研究を重ねた結果、窒化ケイ素のうちβ型の
結晶構造をもつものに限って、それを充てん剤として用
いた場合に高熱伝導性の封止用エポキシ樹脂組成物が得
られることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００６】すなわち、本発明は、 (a) エポキシ樹脂 (b) １分子中に２個以上のフェノール性水酸する硬化剤 (c) β型窒化ケイ素および (d) 有機ホスフィン化合物を含むことを特徴とする封止
用エポキシ樹脂組成物である。
用エポキシ樹脂組成物である。
【０００７】上記エポキシ樹脂は通常知られているもの
であり、特に限定されない。例えばビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂な
どグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエス
テル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹
脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複
素環型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂など一分
子中にエポキシ基を２個以上有するエポキシ樹脂が挙げ
られる。しかしてこれらエポキシ樹脂は１種もしくは２
種以上の混合系で用いてもよい。更に好ましいエポキシ
樹脂は、エポキシ当量 170〜 300のノボラック型エポキ
シ樹脂であって、たとえばフェノールノボラック型エポ
キシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ハロ
ゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などであ
る。これらエポキシ樹脂は、塩素イオンの含有量が10pp
m 以下、加水分解性塩素の含有量が 0.1重量％以下のも
のが望ましい。その理由は10ppm を越える塩素イオンあ
るいは 0.1重量％を越える加水分解性塩素が含まれる
と、封止された半導体素子のアルミニウム電極が腐蝕さ
れやすくなるためである。
であり、特に限定されない。例えばビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂な
どグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエス
テル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹
脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複
素環型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂など一分
子中にエポキシ基を２個以上有するエポキシ樹脂が挙げ
られる。しかしてこれらエポキシ樹脂は１種もしくは２
種以上の混合系で用いてもよい。更に好ましいエポキシ
樹脂は、エポキシ当量 170〜 300のノボラック型エポキ
シ樹脂であって、たとえばフェノールノボラック型エポ
キシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ハロ
ゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などであ
る。これらエポキシ樹脂は、塩素イオンの含有量が10pp
m 以下、加水分解性塩素の含有量が 0.1重量％以下のも
のが望ましい。その理由は10ppm を越える塩素イオンあ
るいは 0.1重量％を越える加水分解性塩素が含まれる
と、封止された半導体素子のアルミニウム電極が腐蝕さ
れやすくなるためである。
【０００８】本発明において用いられる１分子中に２個
以上のフェノール性水酸基を有する硬化剤とは、フェノ
ール樹脂、ポリオキシスチレン、フェノールアラルキル
樹脂および多価フェノール化合物であって、具体的に例
示すると、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボ
ラック樹脂、tert−ブチルフェノールノボラック樹脂、
ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フ
ェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオ
キシスチレンなどのポリオキシスチレン、ビスフェノー
ルＡ等およびこれらの化合物のハロゲン化合物等であ
る。これらの中でもノボラック型フェノール樹脂フェノ
ールアラルキル樹脂およびポリオキシスチレンが最も好
ましい。またこれらの硬化剤は１種もしくは２種以上の
混合系で使用することができる。
以上のフェノール性水酸基を有する硬化剤とは、フェノ
ール樹脂、ポリオキシスチレン、フェノールアラルキル
樹脂および多価フェノール化合物であって、具体的に例
示すると、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボ
ラック樹脂、tert−ブチルフェノールノボラック樹脂、
ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フ
ェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオ
キシスチレンなどのポリオキシスチレン、ビスフェノー
ルＡ等およびこれらの化合物のハロゲン化合物等であ
る。これらの中でもノボラック型フェノール樹脂フェノ
ールアラルキル樹脂およびポリオキシスチレンが最も好
ましい。またこれらの硬化剤は１種もしくは２種以上の
混合系で使用することができる。
【０００９】エポキシ樹脂と上記硬化剤の配合比につい
ては硬化剤のフェノール性水酸基数とエポキシ樹脂のエ
ポキシ基数の比（フェノール性水酸基数／エポキシ基
数）が0.5〜 1.5の範囲内にあるように配合することが
望ましい。その理由は上記範囲外では反応が充分におこ
りにくくなり、硬化物の特性が劣化しやすくなるためで
ある。
ては硬化剤のフェノール性水酸基数とエポキシ樹脂のエ
ポキシ基数の比（フェノール性水酸基数／エポキシ基
数）が0.5〜 1.5の範囲内にあるように配合することが
望ましい。その理由は上記範囲外では反応が充分におこ
りにくくなり、硬化物の特性が劣化しやすくなるためで
ある。
【００１０】本発明で用いられる窒化ケイ素は、窒化ケ
イ素の結晶系として知られているα型，β型のうちのひ
とつであるβ型を主１本とする窒化ケイ素に限られ、α
型の窒化ケイ素では本発明の効果が得られない。工業的
には純粋のα型，β型の結晶系を得ることは困難で一般
的にはα相とβ相が混在している。
イ素の結晶系として知られているα型，β型のうちのひ
とつであるβ型を主１本とする窒化ケイ素に限られ、α
型の窒化ケイ素では本発明の効果が得られない。工業的
には純粋のα型，β型の結晶系を得ることは困難で一般
的にはα相とβ相が混在している。
【００１１】結晶中に含まれるβ型の割合がα型に比べ
充分に大きければβ型の効果が得られ、実質的にβ型窒
化ケイ素とみなすことができる。結晶中にβ型結晶系の
含まれる割合をβ率として表わすと、β率が80％以上で
あれば本発明のβ型窒化ケイ素とみなすことができる。
更に好ましいのはβ率が90％以上の窒化ケイ素である。
充分に大きければβ型の効果が得られ、実質的にβ型窒
化ケイ素とみなすことができる。結晶中にβ型結晶系の
含まれる割合をβ率として表わすと、β率が80％以上で
あれば本発明のβ型窒化ケイ素とみなすことができる。
更に好ましいのはβ率が90％以上の窒化ケイ素である。
【００１２】本発明において、β型窒化ケイ素はエポキ
シ樹脂組成物中に60重量％以上含有されていることが望
ましい。これより少ないと充分な熱伝導性が得られない
ためである。
シ樹脂組成物中に60重量％以上含有されていることが望
ましい。これより少ないと充分な熱伝導性が得られない
ためである。
【００１３】β型窒化ケイ素の粒度分布としては平均粒
径が１〜 100μｍ、最大粒径が 500μｍ以下の粉末が好
ましい。
径が１〜 100μｍ、最大粒径が 500μｍ以下の粉末が好
ましい。
【００１４】β型窒化ケイ素はシランカップリング剤等
の表面処理剤で処理することにより、エポキシ樹脂組成
物の特性を更に改善できる。
の表面処理剤で処理することにより、エポキシ樹脂組成
物の特性を更に改善できる。
【００１５】他の充てん剤（シリカ，アルミナ，炭酸カ
ルシウム等々）を併用することはさしつかえないが、組
成物の熱伝導度があまり下がらないように配慮して用い
る必要がある。
ルシウム等々）を併用することはさしつかえないが、組
成物の熱伝導度があまり下がらないように配慮して用い
る必要がある。
【００１６】本発明の封止用エポキシ樹脂組成物には硬
化促進剤を配合することが必要である。硬化促進剤は、
硬化時間の短縮と、硬化物の特性向上のために有用であ
る。
化促進剤を配合することが必要である。硬化促進剤は、
硬化時間の短縮と、硬化物の特性向上のために有用であ
る。
【００１７】高信頼性の封用エポキシ樹脂ひいては、樹
脂封止型半導体装置を得るためには、有機ホスフィン化
合物を用いることが必要である。
脂封止型半導体装置を得るためには、有機ホスフィン化
合物を用いることが必要である。
【００１８】有機ホスフィン化合物としては、式：
【００１９】
【化１】 において、Ｒ1 〜Ｒ3 のすべて有機基である第３ホスフ
ィン化合物、Ｒ3 のみ水素である第２ホスフィン化合
物、Ｒ2 ，Ｒ3 がともに水素である第１ホスフィン化合
物がある。具体的にはトリフェニルホスフィン、トリブ
チルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、メチ
ルジフェニルホスフィン、ブチルフェニルホスフィン、
ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン、オクチル
ホスフィンなどである。またＲ1 が有機ホスフィンを含
む有機基であってもよい。たとえば1,2-ビス（ジフェニ
ルホスフィン）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）
メタンなどである。これらの中でもアリールホスフィン
化合物が好ましく、特にトリフェニルホスフィン、トリ
トリルホスフィン、1,2-ビス（ジフェニルホスフィノ）
エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタンなどが最
も好ましい。またこれらの有機ホスフィン化合物は１種
もしくは２種以上の混合系で用いてもよい。しかしてこ
の有機ホスフィン化合物の組成比は一般に樹脂分（エポ
キシ樹脂と硬化剤）の0.01〜20重量％の範囲内でよいが
好ましい特性は0.01〜５重量％の範囲内で得られる。
ィン化合物、Ｒ3 のみ水素である第２ホスフィン化合
物、Ｒ2 ，Ｒ3 がともに水素である第１ホスフィン化合
物がある。具体的にはトリフェニルホスフィン、トリブ
チルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、メチ
ルジフェニルホスフィン、ブチルフェニルホスフィン、
ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン、オクチル
ホスフィンなどである。またＲ1 が有機ホスフィンを含
む有機基であってもよい。たとえば1,2-ビス（ジフェニ
ルホスフィン）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）
メタンなどである。これらの中でもアリールホスフィン
化合物が好ましく、特にトリフェニルホスフィン、トリ
トリルホスフィン、1,2-ビス（ジフェニルホスフィノ）
エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタンなどが最
も好ましい。またこれらの有機ホスフィン化合物は１種
もしくは２種以上の混合系で用いてもよい。しかしてこ
の有機ホスフィン化合物の組成比は一般に樹脂分（エポ
キシ樹脂と硬化剤）の0.01〜20重量％の範囲内でよいが
好ましい特性は0.01〜５重量％の範囲内で得られる。
【００２０】本発明の封止用エポキシ樹脂組成物には、
更に必要に応じて、他の添加剤、例えば天然ワックス
類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド
類、エステル類もしくはパラフィン類などの離型剤、塩
素化パラフィン、ブロムトルエン、ヘキサブロムベンゼ
ン、三酸化アンチモンなどの難燃剤、カーボンブラック
などの着色剤、シランカップリング剤などを適宜添加配
合しても差支えない。上述した封止用エポキシ樹脂組成
物を成形材料として調製する場合の一般的な方法は、所
定の組成比に選んだ原料粗成分を例えばミキサーによっ
て充分混合後、さらに熱ロールによる溶融混合処理、ま
たはニーダーなどによる混合処理を加えることにより容
易にエポキシ樹脂成形材料を得ることができる。
更に必要に応じて、他の添加剤、例えば天然ワックス
類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド
類、エステル類もしくはパラフィン類などの離型剤、塩
素化パラフィン、ブロムトルエン、ヘキサブロムベンゼ
ン、三酸化アンチモンなどの難燃剤、カーボンブラック
などの着色剤、シランカップリング剤などを適宜添加配
合しても差支えない。上述した封止用エポキシ樹脂組成
物を成形材料として調製する場合の一般的な方法は、所
定の組成比に選んだ原料粗成分を例えばミキサーによっ
て充分混合後、さらに熱ロールによる溶融混合処理、ま
たはニーダーなどによる混合処理を加えることにより容
易にエポキシ樹脂成形材料を得ることができる。
【００２１】本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記封
止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体装置を封止する
ことにより容易に製造することができる。封止の最も一
般的な方法としては低圧トランスファ成形法があるが、
インジェクション成形，圧縮成形，注型などによる封止
も可能である。エポキシ樹脂組成物は封止の際に加熱し
て硬化させ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封
止された樹脂封止型半導体装置を得ることができる。硬
化に際しては 150℃以上に加熱することが特に望まし
い。
止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体装置を封止する
ことにより容易に製造することができる。封止の最も一
般的な方法としては低圧トランスファ成形法があるが、
インジェクション成形，圧縮成形，注型などによる封止
も可能である。エポキシ樹脂組成物は封止の際に加熱し
て硬化させ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封
止された樹脂封止型半導体装置を得ることができる。硬
化に際しては 150℃以上に加熱することが特に望まし
い。
【００２２】
【実施例】実施例１〜３ エポキシ当量 200のクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂（エポキシ樹脂A)、エポキシ当量 290の臭素化エポキ
シノボラック樹脂（エポキシ樹脂B)、分子量 700のフェ
ノールノボラック樹脂硬化剤、充てん剤としてβ率95％
の窒化ケイ素（β型窒化ケイ素[I])、β率90％の窒化ケ
イ素（β型窒化ケイ素[II]) 、α率90％の窒化ケイ素
（α型窒化ケイ素[I])、α率70％の窒化ケイ素（α型窒
化ケイ素[II]) 、結晶性シリカ粉末，溶融シリカ粉末、
トリフェニルホスフィン硬化促進剤、三酸化アンチモ
ン、カルナバワックス、カーボンブラック、シランカッ
プリング剤（γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン）、を表１に示す組成（重量部）に選んだ。充てん
剤については組成物中の体積％と重量％を表中に付記し
て相互に比較できるようにした。
脂（エポキシ樹脂A)、エポキシ当量 290の臭素化エポキ
シノボラック樹脂（エポキシ樹脂B)、分子量 700のフェ
ノールノボラック樹脂硬化剤、充てん剤としてβ率95％
の窒化ケイ素（β型窒化ケイ素[I])、β率90％の窒化ケ
イ素（β型窒化ケイ素[II]) 、α率90％の窒化ケイ素
（α型窒化ケイ素[I])、α率70％の窒化ケイ素（α型窒
化ケイ素[II]) 、結晶性シリカ粉末，溶融シリカ粉末、
トリフェニルホスフィン硬化促進剤、三酸化アンチモ
ン、カルナバワックス、カーボンブラック、シランカッ
プリング剤（γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン）、を表１に示す組成（重量部）に選んだ。充てん
剤については組成物中の体積％と重量％を表中に付記し
て相互に比較できるようにした。
【００２３】これらの組成物をミキサーによる混合、加
熱ロールによる混練を行うことにより比較例を含め９種
のトランスファ成形材料を調製した。
熱ロールによる混練を行うことにより比較例を含め９種
のトランスファ成形材料を調製した。
【００２４】
【表１】 上記成形材料を用いて、トランスファ成形機でパワーIC
（集積回路）を樹脂封止し、成形性を調べた。その結果
を表２に示した。トランスファ成形は予熱機で90℃に加
熱した成形材料を 180℃で３分間モールドすることによ
り行った。
（集積回路）を樹脂封止し、成形性を調べた。その結果
を表２に示した。トランスファ成形は予熱機で90℃に加
熱した成形材料を 180℃で３分間モールドすることによ
り行った。
【００２５】
【表２】 表２に示したように、α型結晶系の窒化ケイ素及び充て
ん剤73体積％のシリカの組成物は流動性が悪くトランス
ファ成形できないため、成形体が得られなかった。残り
の６種については、得られた成形体の熱伝導度を測定し
た。その結果を表３に示した。熱伝導度はレーザーフラ
ッシュ法を用い、室温（23℃）で測定した。
ん剤73体積％のシリカの組成物は流動性が悪くトランス
ファ成形できないため、成形体が得られなかった。残り
の６種については、得られた成形体の熱伝導度を測定し
た。その結果を表３に示した。熱伝導度はレーザーフラ
ッシュ法を用い、室温（23℃）で測定した。
【００２６】
【表３】 実施例４，５ 次に表４に示すように、実施例１〜３と同じ原材料を用
いて実施例４，５をつくり、前記原材料のほかに充てん
剤としてアルミナ粉末、硬化促進剤として1.8-ジアザ−
ビシクロ（5,4,0)ウンデセン-7(DBU) ，キュアゾールCN
（四国化成工業（株）製イミダゾールの商品名）を用い
て比較例７〜17をつくった。これらの組成物を実施例１
〜３と同様にミキサーによる混合、ロールによる混練を
行い、トランスファ成形材料として調製した。
いて実施例４，５をつくり、前記原材料のほかに充てん
剤としてアルミナ粉末、硬化促進剤として1.8-ジアザ−
ビシクロ（5,4,0)ウンデセン-7(DBU) ，キュアゾールCN
（四国化成工業（株）製イミダゾールの商品名）を用い
て比較例７〜17をつくった。これらの組成物を実施例１
〜３と同様にミキサーによる混合、ロールによる混練を
行い、トランスファ成形材料として調製した。
【００２７】上記成形材料の成形性を実施例１〜３と同
様の方法で調べたところ、すべて成形可能であった。
様の方法で調べたところ、すべて成形可能であった。
【００２８】次に実施例１〜３と同様の方法で成形体の
熱伝導度を測定した。その結果を表５に示した。
熱伝導度を測定した。その結果を表５に示した。
【００２９】
【表４】
【００３０】
【表５】 更に実施例１〜５および比較例１〜17の樹脂組成物で封
止した半導体装置の信頼性を調べるために熱伝導度が50
×10-4cal/cm s℃以上の樹脂組成物を用いて以下に記す
評価試験を行った。
止した半導体装置の信頼性を調べるために熱伝導度が50
×10-4cal/cm s℃以上の樹脂組成物を用いて以下に記す
評価試験を行った。
【００３１】(1) 熱サイクル試験 この試験は樹脂封止半導体装置が高温と低温に繰返し曝
された時の信頼性を評価するために行うものである。 2
00℃と−65℃の２つの恒温槽を用意し、樹脂封止した半
導体装置各20個を−65℃の恒温槽に入れて30分間放置し
た。その後取り出して常温中に５分間放置し、次に 200
℃の恒温槽に30分間入れた後再び常温中で５分間放置し
た。以上の操作を１サイクルとし連続的に熱サイクル試
験を実施した。熱サイクル試験の経過に従って随時サイ
クルを中断し、樹脂封止型半導体装置の特性をテスター
を用いて測定し、故障の発生を調べた。その結果を表６
に示す。
された時の信頼性を評価するために行うものである。 2
00℃と−65℃の２つの恒温槽を用意し、樹脂封止した半
導体装置各20個を−65℃の恒温槽に入れて30分間放置し
た。その後取り出して常温中に５分間放置し、次に 200
℃の恒温槽に30分間入れた後再び常温中で５分間放置し
た。以上の操作を１サイクルとし連続的に熱サイクル試
験を実施した。熱サイクル試験の経過に従って随時サイ
クルを中断し、樹脂封止型半導体装置の特性をテスター
を用いて測定し、故障の発生を調べた。その結果を表６
に示す。
【００３２】
【表６】 (2) プレッシャクッカ試験（PCT) この試験は樹脂封止型半導体装置の耐湿性を評価するた
めに行うものである。
めに行うものである。
【００３３】121℃、２気圧の飽和水蒸気内に上記樹脂
封止型半導体装置各20個を放置し、素子のアルミニウム
配線が水分により腐食し、断線する故障を調べる耐湿試
験を行った。その結果を表７に示す。
封止型半導体装置各20個を放置し、素子のアルミニウム
配線が水分により腐食し、断線する故障を調べる耐湿試
験を行った。その結果を表７に示す。
【００３４】
【表７】
【００３５】
【発明の効果】以上に詳述したように、本発明によって
熱伝導が高い封止用エポキシ樹脂組成物を得ることがで
きる。た本発明の樹脂組成物を用いた樹脂封止型半導体
装置は熱サイクル験や耐湿試験における信頼性が優れて
おり、その業的価値は大である。
熱伝導が高い封止用エポキシ樹脂組成物を得ることがで
きる。た本発明の樹脂組成物を用いた樹脂封止型半導体
装置は熱サイクル験や耐湿試験における信頼性が優れて
おり、その業的価値は大である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31
Claims (6)
- 【請求項１】 (a) エポキシ樹脂 (b) １分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有する
硬化剤および (c) β型窒化ケイ素 (d) 有機ホスフィン化合物を含むことを特徴とする封止
用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】 該エポキシ樹脂が、エポキシ当量 170〜
300のノボラック型エポキシ樹脂である請求項１記載の
封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項３】 該硬化剤がノボラック型フェノール樹脂
である請求項１記載の封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項４】 該β型窒化ケイ素のβ率が80％以上であ
る請求項１記載の封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項５】 該β型窒化ケイ素が組成物中に60重量％
以上含有されている請求項１記載の封止用エポキシ樹脂
組成物。 - 【請求項６】 該β型窒化ケイ素が平均粒径が１〜 100
μｍの粉末である請求項１記載の封止用エポキシ樹脂組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23447194A JPH07100732B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23447194A JPH07100732B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 封止用エポキシ樹脂組成物 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60181849A Division JPH0730166B2 (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0770291A JPH0770291A (ja) | 1995-03-14 |
| JPH07100732B2 true JPH07100732B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=16971537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23447194A Expired - Lifetime JPH07100732B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07100732B2 (ja) |
-
1994
- 1994-09-05 JP JP23447194A patent/JPH07100732B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770291A (ja) | 1995-03-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |