JPH0730166B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0730166B2 JPH0730166B2 JP60181849A JP18184985A JPH0730166B2 JP H0730166 B2 JPH0730166 B2 JP H0730166B2 JP 60181849 A JP60181849 A JP 60181849A JP 18184985 A JP18184985 A JP 18184985A JP H0730166 B2 JPH0730166 B2 JP H0730166B2
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- Japan
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- resin
- semiconductor device
- epoxy resin
- silicon nitride
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
- H10W74/473—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins containing a filler
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置に関する。
エポキシ樹脂組成物は集積回路（IC），大規模集積回路
（LSI），トランジスタなどの半導体デバイスや電子回
路、あるいは他の部品を封止するために広く用いられて
いる。
（LSI），トランジスタなどの半導体デバイスや電子回
路、あるいは他の部品を封止するために広く用いられて
いる。
エポキシ樹脂組成物で発熱性の半導体デバイスや電子部
品等を封止した場合に、内部に発生した熱を効果的に外
部に発散させる必要があり、そのために高熱伝導性の封
止用エポキシ樹脂組成物が求められている。しかし従来
のシリカを充てん剤として用いたエポキシ樹脂組成物で
は充分な熱伝導性を得ることが困難であった。
品等を封止した場合に、内部に発生した熱を効果的に外
部に発散させる必要があり、そのために高熱伝導性の封
止用エポキシ樹脂組成物が求められている。しかし従来
のシリカを充てん剤として用いたエポキシ樹脂組成物で
は充分な熱伝導性を得ることが困難であった。
本発明の目的は、高熱伝導性を有するエポキシ樹脂組成
物により封止された樹脂封止型半導体装置を提供するこ
とにある。
物により封止された樹脂封止型半導体装置を提供するこ
とにある。
上記目的を達成するために、本発明者は充てん剤として
シリカでなく窒化ケイ素を用いて研究を重ねた結果、窒
化ケイ素のうちβ型の結晶構造をもつものに限って、そ
れを充てん剤として用いた場合に高熱伝導性の封止用エ
ポキシ樹脂組成物が得られることを見出し、本発明を完
成させるに至った。
シリカでなく窒化ケイ素を用いて研究を重ねた結果、窒
化ケイ素のうちβ型の結晶構造をもつものに限って、そ
れを充てん剤として用いた場合に高熱伝導性の封止用エ
ポキシ樹脂組成物が得られることを見出し、本発明を完
成させるに至った。
すなわち本発明は （ａ）エポキシ樹脂 （ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有す
る硬化剤 （ｃ）β型窒化ケイ素および （ｄ）有機ホスフィン化合物 を含むことを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物を用
いて半導体デバイスを封止した樹脂封止型半導体装置で
ある。
る硬化剤 （ｃ）β型窒化ケイ素および （ｄ）有機ホスフィン化合物 を含むことを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物を用
いて半導体デバイスを封止した樹脂封止型半導体装置で
ある。
上記エポキシ樹脂は通常知られているものであり、特に
限定されない。例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂などグリシジ
ルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポ
キシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、線状脂肪
族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環型エポキ
シ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂など一分子中にエポキ
シ基を２個以上有するエポキシ樹脂が挙げられる。しか
してこれらエポキシ樹脂は１種もしくは２種以上の混合
系で用いてもよい。更に好ましいエポキシ樹脂は、エポ
キシ当量170〜300のノボラック型エポキシ樹脂であっ
て、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂などである。これらエポ
キシ樹脂は、塩素イオンの含有量が10ppm以下、加水分
解性塩素の含有量が0.1重量％以下のものが望ましい。
その理由は10ppmを越える塩素イオンあるいは0.1重量％
を越える加水分解性塩素が含まれると、封止された半導
体素子のアルミニウム電極が腐蝕されやすくなるためで
ある。
限定されない。例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂などグリシジ
ルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポ
キシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、線状脂肪
族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環型エポキ
シ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂など一分子中にエポキ
シ基を２個以上有するエポキシ樹脂が挙げられる。しか
してこれらエポキシ樹脂は１種もしくは２種以上の混合
系で用いてもよい。更に好ましいエポキシ樹脂は、エポ
キシ当量170〜300のノボラック型エポキシ樹脂であっ
て、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂などである。これらエポ
キシ樹脂は、塩素イオンの含有量が10ppm以下、加水分
解性塩素の含有量が0.1重量％以下のものが望ましい。
その理由は10ppmを越える塩素イオンあるいは0.1重量％
を越える加水分解性塩素が含まれると、封止された半導
体素子のアルミニウム電極が腐蝕されやすくなるためで
ある。
本発明において用いられる１分子中に２個以上のフェノ
ール性水酸基を有する硬化剤とは、フェノール樹脂、ポ
リオキシスチレン、フェノールアラルキル樹脂および多
価フェノール化合物であって、具体的に例示すると、フ
ェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、
tert−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノ
ールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹
脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレ
ンなどのポリオキシスチレン、ビスフェノールＡ等およ
びこれらの化合物のハロゲン化物等である。これらの中
でもノボラック型フェノール樹脂フェノールアラルキル
樹脂およびポリオキシスチレンが最も好ましい。またこ
れらの硬化剤は１種もしくは２種以上の混合系で使用す
ることができる。
ール性水酸基を有する硬化剤とは、フェノール樹脂、ポ
リオキシスチレン、フェノールアラルキル樹脂および多
価フェノール化合物であって、具体的に例示すると、フ
ェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、
tert−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノ
ールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹
脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレ
ンなどのポリオキシスチレン、ビスフェノールＡ等およ
びこれらの化合物のハロゲン化物等である。これらの中
でもノボラック型フェノール樹脂フェノールアラルキル
樹脂およびポリオキシスチレンが最も好ましい。またこ
れらの硬化剤は１種もしくは２種以上の混合系で使用す
ることができる。
エポキシ樹脂と上記硬化剤の配合比については、硬化剤
のフェノール性水酸基数とエポキシ樹脂のエポキシ基数
の比（フェノール性水酸基数／エポキシ基数）が0.5〜
1.5の範囲内にあるように配合することが望ましい。そ
の理由は上記範囲外では反応が充分におこりにくくな
り、硬化物の特性が劣化しやすくなるためである。
のフェノール性水酸基数とエポキシ樹脂のエポキシ基数
の比（フェノール性水酸基数／エポキシ基数）が0.5〜
1.5の範囲内にあるように配合することが望ましい。そ
の理由は上記範囲外では反応が充分におこりにくくな
り、硬化物の特性が劣化しやすくなるためである。
本発明で用いられる窒化ケイ素は、窒化ケイ素の結晶系
として知られているα型，β型のうちのひとつであるβ
型を主１本とする窒化ケイ素に限られ、α型の窒化ケイ
素では本発明の効果が得られない。工業的には純粋のα
型，β型の結晶系を得ることは困難で一般的にはα相と
β相が混在している。
として知られているα型，β型のうちのひとつであるβ
型を主１本とする窒化ケイ素に限られ、α型の窒化ケイ
素では本発明の効果が得られない。工業的には純粋のα
型，β型の結晶系を得ることは困難で一般的にはα相と
β相が混在している。
結晶中に含まれるβ型の割合がα型に比比べ充分に大き
ければβ型の効果が得られ、実質的にβ型窒化ケイ素と
みなすことができる。結晶中にβ型結晶系の含まれる割
合をβ率として表わすと、β率が80％以上であれば本発
明のβ型窒化ケイ素とみなすことができる。更に好まし
いのはβ率が90％以上の窒化ケイ素である。
ければβ型の効果が得られ、実質的にβ型窒化ケイ素と
みなすことができる。結晶中にβ型結晶系の含まれる割
合をβ率として表わすと、β率が80％以上であれば本発
明のβ型窒化ケイ素とみなすことができる。更に好まし
いのはβ率が90％以上の窒化ケイ素である。
本発明において、β型窒化ケイ素はエポキシ樹脂組成物
中に60重量％以上含有されていることが望ましい。これ
より少いと充分な熱伝導性が得られないためである。
中に60重量％以上含有されていることが望ましい。これ
より少いと充分な熱伝導性が得られないためである。
β型窒化ケイ素の粒度分布としては平均粒径が１〜100
μｍ、最大粒径が500μｍ以下の粉末が好ましい。
μｍ、最大粒径が500μｍ以下の粉末が好ましい。
β型窒化ケイ素はシランカップリング剤等の表面処理剤
で処理することにより、エポキシ樹脂組成物の特性を更
に改善できる。
で処理することにより、エポキシ樹脂組成物の特性を更
に改善できる。
他の充てん剤（シリカ，アルミナ，炭酸カルシウム等
々）を併用することはさしつかえないが、組成物の熱伝
導度があまり下がらないように配慮して用いる必要があ
る。
々）を併用することはさしつかえないが、組成物の熱伝
導度があまり下がらないように配慮して用いる必要があ
る。
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物には硬化促進剤を配
合することが必要である。硬化促進剤は、硬化時間の短
縮と、硬化物の特性向上のために有用である。高信頼性
の樹脂封止型半導体装置を得るためには、有機ホスフィ
ン化合物を用いることが必要である。
合することが必要である。硬化促進剤は、硬化時間の短
縮と、硬化物の特性向上のために有用である。高信頼性
の樹脂封止型半導体装置を得るためには、有機ホスフィ
ン化合物を用いることが必要である。
有機ホスフィン化合物としては、式： においてR1〜R3がすべて有機基である第３ホスフィン化
合物、R3のみ水素である第２ホスフィン化合物、R2,R3
がともに水素である第１ホスフィン化合物がある。具体
的にはトリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィ
ン、トリシクロヘキシルホスフィン、メチルジフェニル
ホスフィン、ブチルフェニルホスフィン、ジフェニルホ
スフィン、フェニルホスフィン、オクチルホスフィンな
どである。またR1が有機ホスフィンを含む有機基であっ
てもよい。たとえば1,2−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタンなど
である。これらの中でもアリールホスフィン化合物が好
ましく、特にトリフェニルホスフィン、トリトリルホス
フィン、1,2−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、
ビス（ジフェニルホスフィノ）メタンなどが最も好まし
い。またこれらの有機ホスフィン化合物は１種もしくは
２種以上の混合系で用いてもよい。しかしてこの有機ホ
スフィン化合物の組成比は一般に樹脂分（エポキシ樹脂
と硬化剤）の0.01〜20重量％の範囲内でよいが特に好ま
しい特性は0.01〜５重量％の範囲内で得られる。
合物、R3のみ水素である第２ホスフィン化合物、R2,R3
がともに水素である第１ホスフィン化合物がある。具体
的にはトリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィ
ン、トリシクロヘキシルホスフィン、メチルジフェニル
ホスフィン、ブチルフェニルホスフィン、ジフェニルホ
スフィン、フェニルホスフィン、オクチルホスフィンな
どである。またR1が有機ホスフィンを含む有機基であっ
てもよい。たとえば1,2−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタンなど
である。これらの中でもアリールホスフィン化合物が好
ましく、特にトリフェニルホスフィン、トリトリルホス
フィン、1,2−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、
ビス（ジフェニルホスフィノ）メタンなどが最も好まし
い。またこれらの有機ホスフィン化合物は１種もしくは
２種以上の混合系で用いてもよい。しかしてこの有機ホ
スフィン化合物の組成比は一般に樹脂分（エポキシ樹脂
と硬化剤）の0.01〜20重量％の範囲内でよいが特に好ま
しい特性は0.01〜５重量％の範囲内で得られる。
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物には、更に必要に応
じて、他の添加剤、例えば天然ワックス類、合成ワック
ス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類も
しくはパラフィン類などの離型剤、塩素化パラフィン、
ブロムトルエン、ヘキサブロムベンゼン、三酸化アンチ
モンなどの難燃剤、カーボンブラックなどの着色剤、シ
ランカップリング剤などを適宜添加配合しても差支えな
い。上述した封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料とし
て調製する場合の一般的な方法は、所定の組成比に選ん
だ原料組成分を例えばミキサーによって充分混合後、さ
らに熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダーなど
による混合処理を加えることにより容易にエポキシ樹脂
成形材料を得ることができる。
じて、他の添加剤、例えば天然ワックス類、合成ワック
ス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類も
しくはパラフィン類などの離型剤、塩素化パラフィン、
ブロムトルエン、ヘキサブロムベンゼン、三酸化アンチ
モンなどの難燃剤、カーボンブラックなどの着色剤、シ
ランカップリング剤などを適宜添加配合しても差支えな
い。上述した封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料とし
て調製する場合の一般的な方法は、所定の組成比に選ん
だ原料組成分を例えばミキサーによって充分混合後、さ
らに熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダーなど
による混合処理を加えることにより容易にエポキシ樹脂
成形材料を得ることができる。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記封止用エポキシ
樹脂組成物を用いて半導体装置を封止することにより容
易に製造することができる。封止の最も一般的な方法と
しては低圧トランスファ成形法があるが、インジェクシ
ョン成形，圧縮成形，注型などによる封止も可能であ
る。エポキシ樹脂組成物は封止の際に加熱して硬化さ
せ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された
樹脂封止型半導体装置を得ることができる。硬化に際し
ては150℃以上に加熱することが特に望ましい。
樹脂組成物を用いて半導体装置を封止することにより容
易に製造することができる。封止の最も一般的な方法と
しては低圧トランスファ成形法があるが、インジェクシ
ョン成形，圧縮成形，注型などによる封止も可能であ
る。エポキシ樹脂組成物は封止の際に加熱して硬化さ
せ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された
樹脂封止型半導体装置を得ることができる。硬化に際し
ては150℃以上に加熱することが特に望ましい。
実施例 １〜３ エポキシ当量200のクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂（エポキシ樹脂Ａ）、 エポキシ当量290の臭素化エポキシノバラック樹脂（エ
ポキシ樹脂Ｂ）、 分子量700のフェノールノボラック樹脂硬化剤、 充てん剤としてβ率95％の窒化ケイ素（β型窒化ケイ素
〔Ｉ〕）、 β率90％の窒化ケイ素（β型窒化ケイ素〔II〕）、 α率90％の窒化ケイ素（α型窒化ケイ素〔Ｉ〕）、 α率70％の窒化ケイ素（α型窒化ケイ素〔II〕）、 結晶性シリカ粉末，溶融シリカ粉末、 トリフェニルホスフィン硬化促進剤、三酸化アンチモ
ン、 カルナバワックス、カーボンブラック、 シランカップリング剤（γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン）、 を第１表に示す組成（重量部）に選んだ。充てん剤につ
いては組成物中の体積％と重量％を表中に付記して相互
に比較できるようにした。
脂（エポキシ樹脂Ａ）、 エポキシ当量290の臭素化エポキシノバラック樹脂（エ
ポキシ樹脂Ｂ）、 分子量700のフェノールノボラック樹脂硬化剤、 充てん剤としてβ率95％の窒化ケイ素（β型窒化ケイ素
〔Ｉ〕）、 β率90％の窒化ケイ素（β型窒化ケイ素〔II〕）、 α率90％の窒化ケイ素（α型窒化ケイ素〔Ｉ〕）、 α率70％の窒化ケイ素（α型窒化ケイ素〔II〕）、 結晶性シリカ粉末，溶融シリカ粉末、 トリフェニルホスフィン硬化促進剤、三酸化アンチモ
ン、 カルナバワックス、カーボンブラック、 シランカップリング剤（γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン）、 を第１表に示す組成（重量部）に選んだ。充てん剤につ
いては組成物中の体積％と重量％を表中に付記して相互
に比較できるようにした。
これらの組成物をミキサーによる混合、加熱ロールによ
る混練を行うことにより比較例を含め９種のトランスフ
ァ成形材料を調製した。
る混練を行うことにより比較例を含め９種のトランスフ
ァ成形材料を調製した。
上記成形材料を用いて、トランスファ成形機でパワーIC
（集積回路）を樹脂封止し、成形性を調べた。その結果
を第２表に示した。トランスファ成形は予熱機で90℃に
加熱した成形材料を180℃で３分間モールドすることに
より行った。
（集積回路）を樹脂封止し、成形性を調べた。その結果
を第２表に示した。トランスファ成形は予熱機で90℃に
加熱した成形材料を180℃で３分間モールドすることに
より行った。
○…樹脂封止型半導体装置を得た。
×…成形材料の流動性が悪く、キャビティに充てんしな
いため樹脂封止できなかった。
いため樹脂封止できなかった。
第２表に示したように、α型結晶系の窒化ケイ素及び充
てん剤73体積％のシリカの組成物は流動性が悪くトラン
スファ成形できないため、成形体が得られなかった。残
りの６種については、得られた成形体の熱伝導度を測定
した。その結果を第３表に示した。熱伝導度はレーザー
フラッシュ法を用い、室温（23℃）で測定した。
てん剤73体積％のシリカの組成物は流動性が悪くトラン
スファ成形できないため、成形体が得られなかった。残
りの６種については、得られた成形体の熱伝導度を測定
した。その結果を第３表に示した。熱伝導度はレーザー
フラッシュ法を用い、室温（23℃）で測定した。
実施例4,5 次に第４表に示すように、実施例１〜３と同じ原材料を
用いて実施例4,5をつくり前記原材料のほかに充てん剤
としてアルミナ粉末、硬化促進剤として1.8−ジアザ−
ビシクロ（5,4,0）ウンデセン−７（DBU），キュアゾー
ルCN（四国化成工業（株）製イミダゾールの商品名）を
用いて比較例７〜17をつくった。これらの組成物を実施
例１〜３と同様にミキサーによる混合、ロールによる混
練を行い、トランスファ成形材料として調整した。
用いて実施例4,5をつくり前記原材料のほかに充てん剤
としてアルミナ粉末、硬化促進剤として1.8−ジアザ−
ビシクロ（5,4,0）ウンデセン−７（DBU），キュアゾー
ルCN（四国化成工業（株）製イミダゾールの商品名）を
用いて比較例７〜17をつくった。これらの組成物を実施
例１〜３と同様にミキサーによる混合、ロールによる混
練を行い、トランスファ成形材料として調整した。
上記成形材料の成形性を実施例１〜３と同様の方法で調
べたところ、すべて成形可能であった。
べたところ、すべて成形可能であった。
次に実施例１〜３と同様の方法で成形体の熱伝導度を測
定した。その結果を第５表に示した。
定した。その結果を第５表に示した。
更に実施例１〜５および比較例１〜17の樹脂組成物で封
止した半導体装置の信頼性を調べるために熱伝導度が50
×10-4cal/cms ℃以上の樹脂組成物を用いて以下に記す
評価試験を行った。
止した半導体装置の信頼性を調べるために熱伝導度が50
×10-4cal/cms ℃以上の樹脂組成物を用いて以下に記す
評価試験を行った。
（１） 熱サイクル試験 この試験は樹脂封止半導体装置が高温と低温に繰返し曝
された時の信頼性を評価するために行うものである。20
0℃と−65℃の２つの恒温槽を用意し、樹脂封止した半
導体装置各20個を−65℃の恒温槽に入れて30分間放置し
た。その後取り出して常温中に５分間放置し、次に200
℃の恒温槽に30分間入れた後再び常温中で５分間放置し
た。以上の操作を１サイクルとし連続的に熱サイクル試
験を実施した。熱サイクル試験の経過に従って随時サイ
クルを中断し、樹脂封止型半導体装置の特性をテスター
を用いて測定し、故障の発生を調べた。その結果を第６
表に示す。
された時の信頼性を評価するために行うものである。20
0℃と−65℃の２つの恒温槽を用意し、樹脂封止した半
導体装置各20個を−65℃の恒温槽に入れて30分間放置し
た。その後取り出して常温中に５分間放置し、次に200
℃の恒温槽に30分間入れた後再び常温中で５分間放置し
た。以上の操作を１サイクルとし連続的に熱サイクル試
験を実施した。熱サイクル試験の経過に従って随時サイ
クルを中断し、樹脂封止型半導体装置の特性をテスター
を用いて測定し、故障の発生を調べた。その結果を第６
表に示す。
（２） プレッシャクッカ試験（PCT） この試験は樹脂封止型半導体装置の耐湿性を評価するた
めに行うものである。121℃、２気圧の飽和水蒸気内に
上記樹脂封止型半導体装置各20個を放置し、素子のアル
ミニウム配線が水分により腐食し、断線する故障を調べ
る耐湿試験を行った。その結果を第７票に示す。
めに行うものである。121℃、２気圧の飽和水蒸気内に
上記樹脂封止型半導体装置各20個を放置し、素子のアル
ミニウム配線が水分により腐食し、断線する故障を調べ
る耐湿試験を行った。その結果を第７票に示す。
［発明の効果］ 以上に詳述したように、本発明によって熱伝導度が80×
10-4cal/cm s℃以上の封止用エポキシ樹脂組成物を得る
ことができ、それを用いた高熱伝導性の樹脂封止型半導
体装置を提供できる。また本発明の樹脂封止型半導体装
置は熱サイクル試験や耐湿試験における信頼性が優れて
おり、その工業的価値は大である。
10-4cal/cm s℃以上の封止用エポキシ樹脂組成物を得る
ことができ、それを用いた高熱伝導性の樹脂封止型半導
体装置を提供できる。また本発明の樹脂封止型半導体装
置は熱サイクル試験や耐湿試験における信頼性が優れて
おり、その工業的価値は大である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31
Claims (6)
- 【請求項１】半導体デバイスが （ａ）エポキシ樹脂 （ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有す
る硬化剤および （ｃ）β型窒化ケイ素 （ｄ）有機ホスフィン化合物 を含むエポキシ樹脂組成物の硬化物によって封止されて
なることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】該エポキシ樹脂が、エポキシ当量170〜300
のノボラック型エポキシ樹脂である特許請求の範囲第１
項記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】該硬化剤がノボラック型フェノール樹脂で
ある特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項４】該β型窒化ケイ素のβ率が80％以上である
特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項５】該β型窒化ケイ素が組成物中に60重量％以
上含有されている特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止
型半導体装置。 - 【請求項６】該β型窒化ケイ素が平均粒径が１〜100μ
ｍの粉末である特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181849A JPH0730166B2 (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181849A JPH0730166B2 (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 樹脂封止型半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23447194A Division JPH07100732B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6243415A JPS6243415A (ja) | 1987-02-25 |
| JPH0730166B2 true JPH0730166B2 (ja) | 1995-04-05 |
Family
ID=16107895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60181849A Expired - Lifetime JPH0730166B2 (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730166B2 (ja) |
-
1985
- 1985-08-21 JP JP60181849A patent/JPH0730166B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6243415A (ja) | 1987-02-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |