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JPH07114183B2 - レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法 - Google Patents
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JPH07114183B2 - レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法 - Google Patents

レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法

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Publication number
JPH07114183B2
JPH07114183B2 JP62220857A JP22085787A JPH07114183B2 JP H07114183 B2 JPH07114183 B2 JP H07114183B2 JP 62220857 A JP62220857 A JP 62220857A JP 22085787 A JP22085787 A JP 22085787A JP H07114183 B2 JPH07114183 B2 JP H07114183B2
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JP
Japan
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resist
bellows
resist coating
processed
coating apparatus
Prior art date
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JP62220857A
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勝重 二宮
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、被処理物の表面にレジストを塗布するレジス
ト塗布装置及びレジスト塗布方法に関する。
(従来の技術) 従来、半導体ウエハ等の電子部品の製造工程では、露光
工程の前工程としてレジストの塗布が行われる。
第3図は、このような電子部品の製造プロセスに使用さ
れるレジスト塗布装置として、半導体ウエハ製造用のレ
ジスト塗布装置の構成を示す図で、レジストを圧送する
ためのベローズ1の下端には、逆止弁2を介してレジス
ト導入管3が取付けられている。このレジスト導入管3
は図示を省略したレジスト貯溜槽に挿入されており、ベ
ローズ1の伸長によりベローズ内に導入されたレジスト
は、ベローズ1上端に取付けられたレジスト供給管4内
を圧送されて図示を省略したレジスト吐出部に供給さ
れ、被処理物、例えば半導体ウエハ上に滴下される。
ベローズ1の下端にはベローズ伸縮機構例えばエアーシ
リンダ5が取付けられており、このエアーシリンダ5の
動作によりベローズ1が伸縮するように構成されてい
る。
このようなレジスト塗布装置におけるレジスト塗布量の
調整は、エアーシリンダ5のストロークの調整により行
う。ストロークの調整は、エアーシリンダ下端部に設け
られたUP/DOWNセンサ6のリミットスイッチにより行わ
れる。即ち、エアーシリンダ5の上限を限定するUPリミ
ットスイッチ7と、同様に下限を限定するDOWNリミット
スイッチ8間の距離を調整することによりストローク調
整を行う。
このような構成のレジスト塗布装置におけるレジストの
吐出動作は、まずベローズ1を数回伸縮させてベローズ
1内にレジストを導入した後、第4図に示すように、エ
アーシリンダ5をUPリミットスイッチ7まで伸長させる
ことによりベローズ1を収縮させてレジストを圧送し、
再びエアーシリンダをDOWNリミットスイッチ8まで収縮
することによりベローズ1を伸長させる。このときのレ
ジスト吐出量は、エアーシリンダ5のストローク即ち、
UP/DOWNセンサ6のUPリミット7とDOWNリミット8間の
距離のみで定まる。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら上述した従来のレジスト塗布装置では、レ
ジスト吐出量は、エアーシリンダのストロークのみによ
り決定されるているため、被処理物例えば半導体ウエハ
の種類や製造工程に合せて随時塗布量を調整することが
困難であり、レジストの無駄使いが生じてしまい不経済
であるという問題があった。
例えば、半導体ウエハにレジストを塗布する場合、第5
図に示したように、半導体ウエハ9の種類によってレジ
スト塗布量が異なり、表面が平滑な半導体ウエハ(第5
図(a))では、例えば0.6ccの塗布量でも、表面に凹
凸10の多い半導体ウエハ(第5図(b))では、例えば
1.2ccの塗布量が必要となる。ところが、従来の装置で
は、エアーシリンダのストロークが1.2cc用に設定され
ているため、平滑な半導体ウエハの場合には余分なレジ
ストを塗布することになり、レジストの無駄使いが生じ
た。
また、これを解決するために被処理物に合せて随時スト
ロークを変えることも考えられるが、近年の多品種少量
生産に対応した製造工程では、調整の頻度が非常に多く
なってしまい、作業性の悪化、生産効率低下等の問題を
招くことになる。
また、従来のレジスト塗布装置では、レジストに気泡が
混入し、生産効率が悪化するという問題があった。
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたも
ので、レジストに気泡が混入することを防止でき、生産
効率を向上させることのできるレジスト塗布装置及びレ
ジスト塗布方法を提供することを目的とする。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明のレジスト塗布装置は、被処理体上にベローズを
介してレジストを吐出するように構成されたレジスト塗
布装置において、 前記ベローズ内に前記レジストを供給する際には、前記
ベローズを複数回伸縮させて行うベローズ伸縮機構と、 前記レジストを前記ベローズから前記被処理体に供給す
る際には、予め前記ベローズの伸縮量に基づいて、前記
被処理体に供給される量に鑑みて前記ベローズの動作を
制御する動作制御機構と を具備したことを特徴とする。
また、本発明のレジスト塗布方法は、被処理体上にベロ
ーズを介してレジストを吐出するレジスト塗布方法にお
いて、 前記ベローズの内部に前記レジストを供給する際、複数
回伸縮させて前記ベローズ内に導入する工程と、 予め前記ベローズの伸縮量に基づいて、前記被処理体に
供給される量に鑑みて前記ベローズを伸張又は/及び収
縮させて前記レジストを前記ベローズ内から前記被処理
体上に吐出する工程と を具備したことを特徴とする。
(作 用) 本発明のレジスト塗布装置及びレジスト塗布方法では、
予めベローズを複数回伸縮させてベローズ内にレジスト
を導入した状態としておくことにより、気泡が混入する
ことを防止することができる。これによって、生産効率
を向上させることができる。
(実施例) 以下本発明の一実施例について第1図ないし第2図を参
照して説明する。
レジストを圧送するベローズ11の下端には、逆止弁12を
介して一端をレジスト貯溜槽13に挿入したレジスト挿入
管14が取付けられており、一方、ベローズ11上端には、
先端部にレジスト吐出部15を装着したレジスト供給配管
16がエアオペレイテッドバルブ17を介して取付けられて
いる。ベローズ11の伸縮動作は、ベローズ11の下端に設
けられたベローズ伸縮機構例えばエアーシリンダ18の伸
縮により行われる。
エアーシリンダ18は、エアーシリンダ下端部に設けら
れ、エアーシリンダの下限を限定するDOWNリミットスイ
ッチ19と、エアーシリンダ18の動作時間を制御してレジ
スト吐出量を調整するレジスト吐出量制御部20とにより
その動作が制御されるように構成されている。
レジスト吐出量制御部20は、レジスト吐出量設定機構2
1、吐出量−ベローズ動作時間演算機構22、ベローズ動
作制御機構23とから構成され、所望の吐出量に合せてエ
アーシリンダ18の動作時間を制御する。
このような構成のレジスト塗布装置における動作は、ま
ず、ベローズ11を予め数回伸縮させてベローズ内にレジ
ストを導入した状態としておき、次に処理する半導体ウ
エハ24に応じてレジスト吐出量設定機構21により所望の
吐出量を設定する。
該吐出量設定情報は、吐出量−動作時間演算機構22に記
憶されている変換パラメータにより、ベローズ11の動作
時間、即ちエアーシリンダ18の動作時間に変換されて動
作制御機構23へと入力してエアーシリンダ18を駆動し、
ベローズ11内のレジストを圧送する。
こうして半導体ウエハ24上に所定量滴下されたレジスト
は、例えば半導体ウエハを載置した回転台25の回転(例
えば1000rpm)による遠心力により、半導体ウエハ24上
に均一に分散される。
このような構成のレジスト塗布装置では、レジストの吐
出量の調整は、第2図に示したようにエアーシリンダ18
の動作時間、即ちベローズの動作時間により任意に調整
することができる。
従って、半導体ウエハの品種や作業工程毎にレジスト吐
出量を容易に調整でき、レジストの無駄使いがなくな
り、また作業性も向上する。本装置を使用したところ、
従来装置に比べ、30〜40%のレジストの節約が可能とな
った。
ところで、処理する半導体ウエハの品種を作業工程順に
予めレジスト吐出量制御部に記憶させるか、レジスト吐
出量制御部20と生産ラインを管理するCPUとをオンライ
ン化しておけば、作業毎のレジスト吐出量の調整が不要
となり、作業の完全自動化が可能となる。
[発明の構成] 以上説明したように、本発明のレジスト塗布装置及びレ
ジスト塗布方法によれば、レジストに気泡が混入するこ
とを防止できるので、さらに作業の簡略化により生産効
率が向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による一実施例のレジスト塗布装置の構
成を示す図、第2図は実施例におけるベローズ動作を示
す図、第3図は従来のレジスト塗布装置の構成を示す
図、第4図は従来装置におけるベローズの動作を示す
図、第5図は半導体ウエハに塗布されたレジストを示す
断面図である。 11……ベローズ、13……レジスト貯溜槽、18……エアー
シリンダ、20……レジスト吐出量制御部、21……レジス
ト吐出量設定機構、22……吐出量−動作時間演算機構、
23……動作制御機構、24……半導体ウエハ。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被処理体上にベローズを介してレジストを
    吐出するように構成されたレジスト塗布装置において、 前記ベローズ内に前記レジストを供給する際には、前記
    ベローズを複数回伸縮させて行うベローズ伸縮機構と、 前記レジストを前記ベローズから前記被処理体に供給す
    る際には、予め前記ベローズの伸縮量に基づいて、前記
    被処理体に供給させる量に鑑みて前記ベローズの動作を
    制御する動作制御機構と を具備したことを特徴とするレジスト塗布装置。
  2. 【請求項2】被処理体上にベローズを介してレジストを
    吐出するレジスト塗布方法において、 前記ベローズの内部に前記レジストを供給する際、複数
    回伸縮させて前記ベローズ内に導入する工程と、 予め前記ベローズの伸縮量に基づいて、前記被処理体に
    供給される量に鑑みて前記ベローズを伸張又は/及び収
    縮させて前記レジストを前記ベローズ内から前記被処理
    体上に吐出する工程と を具備したことを特徴とするレジスト塗布方法。
JP62220857A 1987-09-03 1987-09-03 レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法 Expired - Lifetime JPH07114183B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5461476A (en) * 1977-10-26 1979-05-17 Hitachi Ltd Discharger for viscous fluid
JPS56106451U (ja) * 1980-01-16 1981-08-19
JPS6083327A (ja) * 1983-10-14 1985-05-11 Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd スピンナ装置
JPS60117726A (ja) * 1983-11-30 1985-06-25 Canon Hanbai Kk フオトレジスト供給ライン用ポンプ
JPH07114183A (ja) * 1993-10-15 1995-05-02 Sony Corp 光重合性組成物及びこれを用いた硬化塗膜パターンの形成方法

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