JPH07116598B2 - Sputtering device - Google Patents
Sputtering deviceInfo
- Publication number
- JPH07116598B2 JPH07116598B2 JP61237627A JP23762786A JPH07116598B2 JP H07116598 B2 JPH07116598 B2 JP H07116598B2 JP 61237627 A JP61237627 A JP 61237627A JP 23762786 A JP23762786 A JP 23762786A JP H07116598 B2 JPH07116598 B2 JP H07116598B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- sputtered
- target electrode
- gas
- pipe material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 11
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 7
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） この発明は、主として長尺のパイプ材の内周面に金属被
膜を施すに用いられるスパッタリング装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to a sputtering apparatus mainly used for applying a metal coating to an inner peripheral surface of a long pipe material.
（従来の技術） たとえば、石油掘削パイプ等においては、その内周面の
摩耗を防止するためメッキが施される。(Prior Art) For example, in an oil drilling pipe or the like, plating is applied to prevent wear of the inner peripheral surface thereof.
このようなパイプ材の内周面へのメッキは、電気メッキ
手段では長尺パイプの内周面全域にメッキを施すことが
極めて困難である。It is extremely difficult to plate the inner peripheral surface of such a pipe material by electroplating over the entire inner peripheral surface of the long pipe.
一方、真空槽の中に被メッキ材を入れ、たとえばアルゴ
ンガス等のスパッタリングガスをグロー放電中でイオン
化し、イオン化したガスを負に印加されたターゲット
（被メッキ材）に衝突させ、凝固させて被膜を形成する
スパッタリング装置があり、これによれば、パイプ材の
内周面であってもメッキを施すことが可能である。On the other hand, the material to be plated is placed in a vacuum chamber, a sputtering gas such as argon gas is ionized in a glow discharge, and the ionized gas is collided with a negatively applied target (material to be plated) and solidified. There is a sputtering apparatus for forming a coating, which allows plating even on the inner peripheral surface of a pipe material.
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、従来のスパッタリング装置では、被メッ
キ材が長尺のパイプ材であると、このパイプ材を収納す
る大きさの真空槽が必要となり、その結果、装置自体が
著しく大型化してしまうという問題点がある。このよう
なことから、長尺パイプ材の内周面へのメッキ手段とし
て顧りみられなかった。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the conventional sputtering apparatus, when the material to be plated is a long pipe material, a vacuum chamber having a size for accommodating the pipe material is required, and as a result, the apparatus There is a problem that the size itself becomes remarkably large. For this reason, it has not been considered as a means for plating the inner peripheral surface of a long pipe material.
この発明は、上記従来のスパッタリング装置によるメッ
キ手段を、大きな真空槽を用いることなく長尺パイプ材
の内周面へのメッキ手段として使用することができるよ
うにしたスパッタリング装置を提供することを目的とす
るものである。It is an object of the present invention to provide a sputtering device which can be used as a plating device for the conventional sputtering device as a plating device for the inner peripheral surface of a long pipe material without using a large vacuum chamber. It is what
この発明は、前記問題点を解決するために、被スパッタ
リングパイプ材の両端を封止して内部を真空自在に形成
する封止材を備え、スパッタリング銃の先端部に円筒状
又は円盤状の被膜形成用ターゲット電極を配置するとと
もに、この被膜形成用ターゲット電極の背面側に高速被
覆するマグネットを配置し、前記スパッタリング銃の被
膜形成用ターゲット電極近傍にスパッタ用ガス及び反応
ガスのうち少なくともスパッタ用ガスを吹出す吹出口を
形成し、このスパッタリング銃を前記一方の封止材に気
密状態で摺動可能に挿通してなり、前記被スパッタリン
グパイプ材の軸方向に前記スパッタリング銃を移動させ
て先端部で当該被スパッタリングパイプ材の内周面に被
膜を形成するようにしたことを特徴とするものである。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention includes a sealing material that seals both ends of a material to be sputtered to form a vacuum inside, and a cylindrical or disk-shaped coating film at the tip of a sputtering gun. A target electrode for formation is arranged, a magnet for high-speed coating is arranged on the back side of the target electrode for film formation, and at least a sputtering gas or a reaction gas in the vicinity of the target electrode for film formation of the sputtering gun is used for sputtering. Is formed, and the sputtering gun is slidably inserted in the one sealing material in the hermetically sealed state, and the tip is moved by moving the sputtering gun in the axial direction of the pipe material to be sputtered. Then, the coating film is formed on the inner peripheral surface of the pipe material to be sputtered.
上記のように構成したことにより、被スパッタリングパ
イプ材の内部を真空にし、先端部に円筒状又は円盤状の
被膜形成用ターゲット電極を備えるとともに、背面側に
マグネットを備えたスパッタリング銃を被スパッタリン
グパイプ材の一端から他端にかけ移動させながらスパッ
タリング用ガスあるいは反応ガスを導入し、被膜形成用
ターゲット電極に高周波または負の直流電圧を印加して
被スパッタリングパイプ材との間に放電プラズマを発生
させ、マグネットによる磁界によって電極とパイプ内面
との放電のプラズマ密度を電極に集中させて、このプラ
ズマによりスパッタリング用ガスをイオン化してこのガ
スイオンで前記ターゲット電極を叩き、前記パイプ材の
内周面にスパッタ被膜を形成する。With the above-described structure, the inside of the material to be sputtered is evacuated, and the tip of the target electrode for forming a coating film in the shape of a cylinder or disk is provided with a sputtering gun having a magnet on the back side. Introducing a sputtering gas or a reactive gas while moving from one end of the material to the other, applying a high frequency or negative DC voltage to the target electrode for film formation to generate discharge plasma between the material to be sputtered, The magnetic field of the magnet concentrates the plasma density of the discharge between the electrode and the inner surface of the pipe on the electrode, the plasma gas is ionized and the gas ions strike the target electrode to sputter the inner surface of the pipe material. Form a film.
以下この発明を添付図面に示す実施例を参照して説明す
る。The present invention will be described below with reference to the embodiments shown in the accompanying drawings.
被スパッタリングパイプ材１の両端は、適宜接続手段に
より固定される封止材2,3により気密に封止され、一方
の封止材２の挿入孔には先端部に被膜形成用ターゲット
電極４を有するスパッタリング銃５のシールド部材６の
外周がシール材７を介し気密状態を保って摺動可能に挿
通されている。また他方の封止材３の開口部3aには図示
しない真空ポンプが接続され、前記被スパッタリングパ
イプ材１の内部を真空自在とされている。Both ends of the pipe material 1 to be sputtered are hermetically sealed by the sealing materials 2 and 3 which are appropriately fixed by the connecting means, and the film forming target electrode 4 is provided at the tip of the insertion hole of one sealing material 2. The outer periphery of the shield member 6 of the sputtering gun 5 that is provided is slidably inserted through a seal material 7 while maintaining an airtight state. A vacuum pump (not shown) is connected to the opening 3a of the other sealing material 3 so that the inside of the sputtering pipe material 1 can be vacuumed.
スパッタリング銃５は、軸心に中空の水冷管８を有し、
その外周にはシールド部材６が外嵌され、水冷管８の先
端に被膜形成用ターゲット電極４が設けられている。The sputtering gun 5 has a hollow water-cooled tube 8 at its axis,
A shield member 6 is fitted around the outer periphery of the water cooling tube 8, and a film-forming target electrode 4 is provided at the tip of the water cooling tube 8.
第１図におけるスパッタリング銃５では、ターゲット電
極４がリング状に形成され、その内側に高速被膜するた
めのマグネット９が同心的に配置されたもので、ターゲ
ット電極４の外周面がおかれる位置のシールド部材６は
周方向に開口10されている。In the sputtering gun 5 in FIG. 1, the target electrode 4 is formed in a ring shape, and a magnet 9 for high-speed coating is concentrically arranged inside the target electrode 4, and the target electrode 4 is provided at a position where the outer peripheral surface is placed. The shield member 6 has an opening 10 in the circumferential direction.
前記水冷管８とシールド部材６との間隙部11には、反応
ガス源12およびスパッタ用ガス源13から反応ガスとスパ
ッタ用ガスとの混合ガスを送る管路14が接続されてお
り、またシールド部材６の前記ターゲット電極４の近傍
には、混合ガスの吹出口15,15が放射方向に適当数開口
されている。A pipe line 14 for sending a mixed gas of a reaction gas and a sputtering gas from a reaction gas source 12 and a sputtering gas source 13 is connected to a gap 11 between the water cooling pipe 8 and the shield member 6, and the shield is also provided. In the vicinity of the target electrode 4 of the member 6, a suitable number of mixed gas outlets 15, 15 are formed in the radial direction.
前記ターゲット電極４には直流電源16あるいはマッチン
グボックス17付高周波電極16が接続されている。A DC power supply 16 or a high frequency electrode 16 with a matching box 17 is connected to the target electrode 4.
第１図中、符号18は、被スパッタリングパイプ材１の外
周に配設された加熱高周波コイルあるいはヒータ等の加
熱源でスパッタリング銃５とともに移動して（あるい
は、パイプ材１の左右両端間全体に配設すれば移動しな
くてよい。）被スパッタリングパイプ材１を加熱し、ス
パッタリング作用を助成するためのものである。In FIG. 1, reference numeral 18 is a heating source such as a heating high-frequency coil or a heater arranged on the outer periphery of the pipe material 1 to be sputtered, and is moved together with the sputtering gun 5 (or the entire space between the left and right ends of the pipe material 1 is This is for heating the pipe material 1 to be sputtered and for assisting the sputtering action if it is provided.).
第２図は第１図におけるスパッタリング銃５の変形例を
示すもので、この実施例の場合はターゲット電極４が円
盤状に形成され、このターゲット電極４の外周部にまで
シールド部材６を延設しかつターゲット電極４の外周縁
前面に所要の間隔をおいて屈曲してこの間隔部分が混合
ガスの吹出口15とされている。そしてターゲット電極４
の背面側に高速被膜するための円形のマグネット９が配
置されている。FIG. 2 shows a modified example of the sputtering gun 5 in FIG. 1. In this embodiment, the target electrode 4 is formed in a disk shape, and the shield member 6 is extended to the outer peripheral portion of the target electrode 4. In addition, the front surface of the outer peripheral edge of the target electrode 4 is bent at a required interval, and this interval portion serves as an outlet 15 for the mixed gas. And the target electrode 4
A circular magnet 9 for high-speed coating is arranged on the back side of the.
なお、第１図および第２図のスパッタリング銃５のター
ゲット電極４の背面側に配置されるマグネット９は、電
子流を制御するのに電界と磁界とを併用するマグネトロ
ンとして知られているものを応用して高速で被膜を形成
するためのものであり、電磁場中での電子は電位勾配と
磁場強度に応じて運動方向が偏向されることから、スパ
ッタリングでは、電子がスパッタ電極上を多重衝突しな
がら、かつ電極近傍にトラップされ、効率良く動き回
り、見掛上、電子濃度が上がったようにガス分子と衝突
してイオン化していき、高速での被膜形成を可能とする
ものである。The magnet 9 arranged on the back side of the target electrode 4 of the sputtering gun 5 in FIGS. 1 and 2 is a magnetron that uses an electric field and a magnetic field together to control the electron flow. It is applied to form a film at high speed.Since electrons in an electromagnetic field are deflected in the direction of motion according to the potential gradient and magnetic field strength, in sputtering, electrons collide multiple times on the sputtering electrode. However, it is trapped in the vicinity of the electrode, moves around efficiently, and apparently the electron concentration collides with gas molecules to ionize as if the electron concentration increased, enabling high-speed film formation.
第１図中符号19は、被スパッタリングパイプ材１の内周
面に形成された被膜を示す。Reference numeral 19 in FIG. 1 denotes a coating film formed on the inner peripheral surface of the pipe material 1 to be sputtered.
つぎに作用を説明する。Next, the operation will be described.
被スパッタリングパイプ材１の内部の空気を封止材３の
開口部3aを通じ真空ポンプで吸引し、内部を真空にす
る。Air inside the pipe material 1 to be sputtered is sucked by a vacuum pump through the opening 3a of the sealing material 3 to make the inside vacuum.
ついで反応ガスとスパッタ用ガスとの混合ガスを供給す
る一方、ターゲット電極４に高周波あるいは負の電圧を
印加すると、被スパッタリングパイプ材１の内周面との
間に放電プラズマが発生する。このプラズマによりスパ
ッタ用ガスがイオン化され、このガスイオン（＋電荷）
がターゲット電極４に衝突し、ターゲット原子を叩き出
す。叩き出されたターゲット原子が被スパッタリングパ
イプ材１の内周面に付着してスパッタコーティングある
いは反応ガスと結合されて反応性スパッタコーティング
がなされ、被膜19を形成する。Next, when a high frequency or a negative voltage is applied to the target electrode 4 while supplying a mixed gas of the reaction gas and the sputtering gas, discharge plasma is generated between the target electrode 4 and the inner peripheral surface of the pipe material 1 to be sputtered. The sputtering gas is ionized by this plasma, and this gas ion (+ charge)
Collides with the target electrode 4 and knocks out target atoms. The knocked out target atoms adhere to the inner peripheral surface of the pipe material 1 to be sputtered and are sputter-coated or combined with a reactive gas for reactive sputter coating to form a film 19.
こうして被膜19を形成しながらスパッタリング銃５を移
動させれば、被スパッタリングパイプ１の内周面の軸方
向全域に均等にスパッタリングによる被膜19を形成する
ことができる。By moving the sputtering gun 5 while forming the coating film 19 in this manner, the coating film 19 can be uniformly formed on the entire inner peripheral surface of the pipe 1 to be sputtered in the axial direction.
この場合、スパッタリング銃５の移動方向は奥側から手
前側へ、あるいは手前側から奥側へのいずれでもよい
が、第２図示のスパッタリング銃５による場合は奥側か
ら手前側へ移動させる構造とすることが望ましい。また
加熱源18は必ずしも被スパッタリングパイプ材１の外周
に配設せずともよい。In this case, the movement direction of the sputtering gun 5 may be either from the back side to the front side or from the front side to the back side. However, in the case of the sputtering gun 5 shown in the second figure, the structure is such that it is moved from the back side to the front side. It is desirable to do. The heating source 18 does not necessarily have to be arranged on the outer periphery of the pipe material 1 to be sputtered.
以上説明したようにこの発明は、被スパッタリングパイ
プ材の両端を封止して内部を真空自在に形成する封止材
を備え、スパッタリング銃の先端部に円筒状又は円盤状
の被膜形成用ターゲット電極を配置するとともに、この
被膜形成用ターゲット電極の背面側に高速被覆するマグ
ネットを配置し、前記スパッタリング銃の被膜形成用タ
ーゲット電極近傍にスパッタ用ガス及び反応ガスのうち
少なくともスパッタリング用ガスを吹出す吹出口を形成
し、このスパッタリング銃を前記一方の封止材に気密状
態で摺動可能に挿通してなり、前記被スパッタリングパ
イプ材の軸方向に前記スパッタリング銃を移動させて先
端部で当該被スパッタリングパイプ材の内周面に被膜を
形成するようにしたので、被スパッタリングパイプ材が
長尺物であっても大容積の真空槽を用いることなく被膜
を形成することができ、装置が被スパッタリングパイプ
材と実質的に同じスペースですみ、著しくコンパクトに
することができる。As described above, the present invention is provided with a sealing material that seals both ends of a material to be sputtered to form a vacuum inside, and has a cylindrical or disk-shaped target electrode for forming a coating film at the tip of the sputtering gun. And a magnet for high-speed coating is arranged on the back side of the target electrode for film formation, and at least a sputtering gas of a sputtering gas and a reaction gas is blown out in the vicinity of the target electrode for film formation of the sputtering gun. An outlet is formed, and the sputtering gun is slidably inserted in the one sealing material in an airtight state, and the sputtering gun is moved in the axial direction of the pipe material to be sputtered so that the sputtered target material is sputtered at the tip portion. Since the coating is formed on the inner peripheral surface of the pipe material, even if the pipe material to be sputtered is long It is possible to form a film without using a vacuum chamber volume, device requires only the sputtering pipe member substantially the same space, it is possible to significantly compact.
第１図はこの発明の一実施例を示す構成図、第２図は第
１図におけるスパッタリング銃の他の変形例を示す断面
図である。 １……被スパッタリングパイプ材、2,3……封止材、４
……ターゲット電極、５……スパッタリング銃、６……
シールド部材、７……シール材、８……水冷管、９……
マグネット、10……吹出口、12……反応ガス源、13……
スパッタ用ガス源、18……加熱源、19……被膜。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view showing another modification of the sputtering gun in FIG. 1 ... Sputtered pipe material, 2, 3 ... Sealing material, 4
...... Target electrode, 5 ... Sputtering gun, 6 ...
Shield member, 7 ... Seal material, 8 ... Water cooling tube, 9 ...
Magnet, 10 ... Blowout port, 12 ... Reaction gas source, 13 ...
Gas source for sputtering, 18 ... Heating source, 19 ... Coating.
Claims (1)
て内部を真空自在に形成する封止材を備え、スパッタリ
ング銃の先端部に円筒状又は円盤状の被膜形成用ターゲ
ット電極を配置するとともに、この被膜形成用ターゲッ
ト電極の背面側に高速被覆するマグネットを配置し、前
記スパッタリング銃の被膜形成用ターゲット電極近傍に
スパッタ用ガス及び反応ガスのうち少なくともスパッタ
用ガスを吹出す吹出口を形成し、このスパッタリング銃
を前記一方の封止材に気密状態で摺動可能に挿通してな
り、前記被スパッタリングパイプ材の軸方向に前記スパ
ッタリング銃を移動させて先端部で当該被スパッタリン
グパイプ材の内周面に被膜を形成するようにしたことを
特徴とするスパッタリング装置。1. A sealing material for sealing both ends of a pipe material to be sputtered so as to freely vacuum the inside, and a cylindrical or disk-shaped target electrode for forming a coating film is arranged at the tip of a sputtering gun. A magnet for high-speed coating is arranged on the back side of the target electrode for forming a film, and an outlet for blowing at least a sputtering gas of a sputtering gas and a reaction gas is formed in the vicinity of the target electrode for forming a film of the sputtering gun. The sputtering gun is slidably inserted in the one sealing material in an airtight state, and the sputtering gun is moved in the axial direction of the pipe material to be sputtered so that the tip portion of the pipe material to be sputtered A sputtering apparatus characterized in that a coating is formed on the peripheral surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61237627A JPH07116598B2 (en) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | Sputtering device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61237627A JPH07116598B2 (en) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | Sputtering device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6393857A JPS6393857A (en) | 1988-04-25 |
| JPH07116598B2 true JPH07116598B2 (en) | 1995-12-13 |
Family
ID=17018123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61237627A Expired - Lifetime JPH07116598B2 (en) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | Sputtering device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07116598B2 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2630189B2 (en) * | 1992-10-30 | 1997-07-16 | 株式会社島津製作所 | Sputtering apparatus and its power supply |
| US6193853B1 (en) * | 1999-02-25 | 2001-02-27 | Cametoid Limited | Magnetron sputtering method and apparatus |
| JP2006274387A (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nagasaki Prefecture | Ion implantation method using sputtering method to inner peripheral surface side of cylindrical body and and apparatus therefor and coating method using sputtering method and apparatus therefor |
| GB2517436A (en) * | 2013-08-19 | 2015-02-25 | Pct Protective Coating Technologies Ltd | Coating or sealing an internal surface of a workpiece |
| JP7117222B2 (en) * | 2018-11-08 | 2022-08-12 | 株式会社アルバック | Film forming apparatus, film forming method, and method for manufacturing high frequency acceleration cavity tube |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537584A (en) * | 1976-07-09 | 1978-01-24 | Nec Corp | Sputtering apparatus |
| JPS6014831B2 (en) * | 1979-04-18 | 1985-04-16 | 積水化学工業株式会社 | Coating method and device for inner surface of metal tube |
| JPS59197566A (en) * | 1983-04-21 | 1984-11-09 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Vacuum vessel for ultra-high vacuum apparatus |
-
1986
- 1986-10-06 JP JP61237627A patent/JPH07116598B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6393857A (en) | 1988-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100396456B1 (en) | High target utilization magnetic arrangement for a truncated conical sputtering target | |
| EP0045822B1 (en) | Cylindrical magnetron sputtering cathode | |
| US6254745B1 (en) | Ionized physical vapor deposition method and apparatus with magnetic bucket and concentric plasma and material source | |
| JP2556637B2 (en) | Deposition system on substrate by magnetron cathode | |
| JP4491132B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| US6497803B2 (en) | Unbalanced plasma generating apparatus having cylindrical symmetry | |
| US4179351A (en) | Cylindrical magnetron sputtering source | |
| US4525262A (en) | Magnetron reactive bias sputtering method and apparatus | |
| US5457298A (en) | Coldwall hollow-cathode plasma device for support of gas discharges | |
| US6337001B1 (en) | Process for sputter coating, a sputter coating source, and sputter coating apparatus with at least one such source | |
| US3408283A (en) | High current duoplasmatron having an apertured anode positioned in the low pressure region | |
| JP2575653B2 (en) | Method for forming a thin film on the inner surface of a metal cylindrical coated material | |
| US5369337A (en) | DC or HF ion source | |
| CN107955938A (en) | Air cylinder sleeve of engine inner cavity vacuum reaction magnetic control sputtering film plating device and method | |
| JPH05247645A (en) | Cathode sputtering device | |
| CN207811860U (en) | Air cylinder sleeve of engine inner cavity vacuum reaction magnetic control sputtering film plating device | |
| US6649036B2 (en) | Mirrortron sputtering apparatus | |
| EP0084971B1 (en) | A method for reactive bias sputtering | |
| KR101237184B1 (en) | Plasma gun and plasma gun film forming apparatus provided the same | |
| JPH07116598B2 (en) | Sputtering device | |
| JP3749178B2 (en) | High target utilization magnetic configuration for frustoconical sputtering targets | |
| GB1270496A (en) | Ion source for slow-ion sputtering | |
| US6342139B1 (en) | Sputtering system | |
| JPH01298154A (en) | Opposed target-type planar magnetron sputtering device | |
| WO2001092595A1 (en) | Unbalanced plasma generating apparatus having cylindrical symmetry |