JPH07123153B2 - 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法Info
- Publication number
- JPH07123153B2 JPH07123153B2 JP61269297A JP26929786A JPH07123153B2 JP H07123153 B2 JPH07123153 B2 JP H07123153B2 JP 61269297 A JP61269297 A JP 61269297A JP 26929786 A JP26929786 A JP 26929786A JP H07123153 B2 JPH07123153 B2 JP H07123153B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- lead frame
- strip
- stripe
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
- C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はストライプめっき条をプレス加工して製造する
半導体装置用リードフレームの製造方法に関する、特に
３端子IC用レギュレーター用中出力、大出力用の半導体
装置用リードフレームの製造方法に関するものである。
半導体装置用リードフレームの製造方法に関する、特に
３端子IC用レギュレーター用中出力、大出力用の半導体
装置用リードフレームの製造方法に関するものである。
［従来の技術］ 従来、ストライプめっき条をプレス加工して半導体装置
用リードフレームの製造方法、特に３端子IC用レギュレ
ーター用中出力、大出力用リードフレームの製造方法と
しては、第５図（ａ），（ｂ）及び（ｃ）に示すよう
に、使用するストライプめっき条としては、銅又は銅合
金条１に全面ニッケルめっき３を施し、その上に長手方
向に所定の位置で連続的に部分ストライプめっき（銀ス
トライプめっき２）を施し、ダイボンディングエリア及
びワイヤボンディングエリアをこの部分ストライプめっ
き条に同一面として形成したものを用いる。第５図
（ｃ）はリードフレームを両サイドで２条に配置するの
に用いるストライプめっき条の斜視図である。
用リードフレームの製造方法、特に３端子IC用レギュレ
ーター用中出力、大出力用リードフレームの製造方法と
しては、第５図（ａ），（ｂ）及び（ｃ）に示すよう
に、使用するストライプめっき条としては、銅又は銅合
金条１に全面ニッケルめっき３を施し、その上に長手方
向に所定の位置で連続的に部分ストライプめっき（銀ス
トライプめっき２）を施し、ダイボンディングエリア及
びワイヤボンディングエリアをこの部分ストライプめっ
き条に同一面として形成したものを用いる。第５図
（ｃ）はリードフレームを両サイドで２条に配置するの
に用いるストライプめっき条の斜視図である。
この際部分ストライプめっきとしては半田付性、ワイヤ
ボンディング性を考慮して銀めっきが主流となる。
ボンディング性を考慮して銀めっきが主流となる。
第６図は第５図のストライプめっき条（ａ），（ｂ），
（ｃ）等を用いてプレス加工を行い製造した３端子IC用
中出力レギュレーターリードフレームを示す。
（ｃ）等を用いてプレス加工を行い製造した３端子IC用
中出力レギュレーターリードフレームを示す。
第８図は６端子IC用大出力レギュレーターリードフレー
ムの平面図、第７図（ａ）はそれに用いるストライプめ
っき条の側面図、（ｂ）はリードフレームを両サイドで
２個取りするのに用いるストライプめっき条の斜視図で
ある。（ｂ）図において、４は異形銅合金条でその上に
ニッケルめっき３を全面に施し更にその上に銀めっき条
２を配したストライプめっき条である。
ムの平面図、第７図（ａ）はそれに用いるストライプめ
っき条の側面図、（ｂ）はリードフレームを両サイドで
２個取りするのに用いるストライプめっき条の斜視図で
ある。（ｂ）図において、４は異形銅合金条でその上に
ニッケルめっき３を全面に施し更にその上に銀めっき条
２を配したストライプめっき条である。
［発明が解決しようとする問題点］ しかるに従来の製造方法はその使用するストライプめっ
き条としてダイボンディングエリアとワイヤボンディン
グエリアを同一の銀めっきストライプによって形成した
ものを使用し、これをプレス加工により打ち抜いてリー
ドフレームを製造していたので次の問題点を有してい
た。
き条としてダイボンディングエリアとワイヤボンディン
グエリアを同一の銀めっきストライプによって形成した
ものを使用し、これをプレス加工により打ち抜いてリー
ドフレームを製造していたので次の問題点を有してい
た。
即ち、 （１） ダイボンディング時に使用するペレット付用の
半田が同一銀めっき面を介して（伝わって）流れ出し、
清浄な面を要求されるワイヤボンディングパッド部まで
流れ込みワイヤ接続作業を困難とする。ペレット付が行
なわれるダイボンディングエリアは、通常パッケージン
グが終了するまでは製造上の問題からその一部をリード
部分に連結して支持する必要がある。
半田が同一銀めっき面を介して（伝わって）流れ出し、
清浄な面を要求されるワイヤボンディングパッド部まで
流れ込みワイヤ接続作業を困難とする。ペレット付が行
なわれるダイボンディングエリアは、通常パッケージン
グが終了するまでは製造上の問題からその一部をリード
部分に連結して支持する必要がある。
（２） ワイヤボンディングは出来ても、半田が流れ込
むと高温度において合金化して接続部がもろくなり強度
的に不安で長期信頼性に欠ける。
むと高温度において合金化して接続部がもろくなり強度
的に不安で長期信頼性に欠ける。
（３） 半田流れ出し防止として、ダイボンディングパ
ッド周辺に溝やＶノッチ等のプレス加工を行うが、（実
開昭58−44858号、特開昭60−4246号、実開昭60−99547
号、特開昭60−103651号各公報参照）ある範囲内に納め
る必要があるため自ずと加工には制限がある。
ッド周辺に溝やＶノッチ等のプレス加工を行うが、（実
開昭58−44858号、特開昭60−4246号、実開昭60−99547
号、特開昭60−103651号各公報参照）ある範囲内に納め
る必要があるため自ずと加工には制限がある。
（４） めっき面の表面状況のバラツキ（結晶粒の大き
さ）が即半田流れに影響し、半田流れを調節するために
はリードフレームの品質におけるめっき結晶粒のコント
ロール要因が大きくなる。
さ）が即半田流れに影響し、半田流れを調節するために
はリードフレームの品質におけるめっき結晶粒のコント
ロール要因が大きくなる。
本発明の目的は前記した従来技術の問題点を解消し、ダ
イボンディングエリアにおける半田がワイヤボンディン
グ部へ流れるのを防止し、プレス加工及びワイヤ接続作
業が容易，確実で、めっき面の結晶粒の大きさに関係な
く、信頼性の高い製造得率の良い半導体装置用リードフ
レームの製造方法を提供することにある。
イボンディングエリアにおける半田がワイヤボンディン
グ部へ流れるのを防止し、プレス加工及びワイヤ接続作
業が容易，確実で、めっき面の結晶粒の大きさに関係な
く、信頼性の高い製造得率の良い半導体装置用リードフ
レームの製造方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ 本発明の要旨は、使用するストライプめっき条として半
導体のシリコンチップを乗せるダイボンディングエリア
用ストライプめっきとワイヤを接続するワイヤボンディ
ングエリア用ストライプめっきを分離して有するものを
使用したことにある。
導体のシリコンチップを乗せるダイボンディングエリア
用ストライプめっきとワイヤを接続するワイヤボンディ
ングエリア用ストライプめっきを分離して有するものを
使用したことにある。
即ち本発明は、予めダイボンディングエリア及びワイヤ
ボンディングエリアを含む長手方向部位にストライプ状
のめっきを施してなるストライプめっき条をプレス加工
により打ち抜いて半導体装置用リードフレームを製造す
る方法において、該ストライプめっき条として、ダイボ
ンディングエリア用ストライプめっきと、ワイヤボンデ
ィングエリア用ストライプめっきとを分離して有するも
のを使用したことを特徴とする半導体装置用リードフレ
ームの製造方法を要旨としている。
ボンディングエリアを含む長手方向部位にストライプ状
のめっきを施してなるストライプめっき条をプレス加工
により打ち抜いて半導体装置用リードフレームを製造す
る方法において、該ストライプめっき条として、ダイボ
ンディングエリア用ストライプめっきと、ワイヤボンデ
ィングエリア用ストライプめっきとを分離して有するも
のを使用したことを特徴とする半導体装置用リードフレ
ームの製造方法を要旨としている。
本発明において使用するストライプめっき条としては、
例えば銅又は銅合金条の上に全面ニッケルめっきをした
ものに部分めっきストライプとして半田付性、ワイヤボ
ンディング性を考慮して銀めっきを用いる。ダイボンデ
ィングエリア用ストライプめっきとワイヤボンディング
エリア用ストライプめっきとを分離するということは換
言すれば、お互いに独立したストライプを作ることであ
り、両ストライプの間隔として0.5〜1.5mmの範囲が用い
られる。
例えば銅又は銅合金条の上に全面ニッケルめっきをした
ものに部分めっきストライプとして半田付性、ワイヤボ
ンディング性を考慮して銀めっきを用いる。ダイボンデ
ィングエリア用ストライプめっきとワイヤボンディング
エリア用ストライプめっきとを分離するということは換
言すれば、お互いに独立したストライプを作ることであ
り、両ストライプの間隔として0.5〜1.5mmの範囲が用い
られる。
［作 用］ 本発明はストライプめっき条をプレス加工して半導体装
置用リードフレームを製造する方法において、該ストラ
イプめっき条としてダイボンディングエリア用ストライ
プめっきとワイヤボンディングエリア用ストライプめっ
きとを分離して有するものを使用したことによりダイボ
ンディング時の半田流れがワイヤボンディングエリアに
流れ込むことがなくなり、それによって、プレス加工、
ワイヤ接続作業が容易確実に行うことが出来、又めっき
面の結晶粒のコントロールも必要なくなり信頼性の高い
製造得率の良いリードフレームの製作が可能となるので
ある。
置用リードフレームを製造する方法において、該ストラ
イプめっき条としてダイボンディングエリア用ストライ
プめっきとワイヤボンディングエリア用ストライプめっ
きとを分離して有するものを使用したことによりダイボ
ンディング時の半田流れがワイヤボンディングエリアに
流れ込むことがなくなり、それによって、プレス加工、
ワイヤ接続作業が容易確実に行うことが出来、又めっき
面の結晶粒のコントロールも必要なくなり信頼性の高い
製造得率の良いリードフレームの製作が可能となるので
ある。
［実施例］ 本発明の実施例を図に用いて説明する。第２図，第４図
は本発明により製作したリードフレームの平面図であり
第１図，第３図はそれぞれ第２図，第４図に使用したス
トライプめっき条の斜視図である。
は本発明により製作したリードフレームの平面図であり
第１図，第３図はそれぞれ第２図，第４図に使用したス
トライプめっき条の斜視図である。
第１図において、銅または銅合金条１に全面ニッケルめ
っき３を施したものにダイボンディングエリア用ストラ
イプめっきとして約5mm幅の銀ストライプめっき6aを１
本施し、さらに1mm幅の間隔をあけて、さらにワイヤボ
ンディング用ストライプめっきとして約3mm幅の銀スト
ライプめっき5aを施した。ストライプ間の間隔1mm幅の
寸法交差は±0.2mm以内としたものである。第２図は第
１図のストライプめっき条を使用して製作した３端子IC
用中出力レギュレーター用リードフレームである。
っき３を施したものにダイボンディングエリア用ストラ
イプめっきとして約5mm幅の銀ストライプめっき6aを１
本施し、さらに1mm幅の間隔をあけて、さらにワイヤボ
ンディング用ストライプめっきとして約3mm幅の銀スト
ライプめっき5aを施した。ストライプ間の間隔1mm幅の
寸法交差は±0.2mm以内としたものである。第２図は第
１図のストライプめっき条を使用して製作した３端子IC
用中出力レギュレーター用リードフレームである。
第４図は３端子IC用大出力（パワー）レギュレーター用
リードフレームの平面図であり第３図はその製造に使用
するストライプめっき条の斜視図である。
リードフレームの平面図であり第３図はその製造に使用
するストライプめっき条の斜視図である。
第３図において異形銅合金条４に全面ニッケルめっき３
を施しその後ダイボンディングエリア（半田付け部）用
めっきストライプとして約7mm幅の銀ストライプめっき6
bを左右対象に２本施しさらにその外側に夫々1mm幅のス
トライプで隙間をあけてさらにワイヤボンディング用ス
トライプめっきとして約3.5mm幅の銀ストライプめっき5
bを１本宛施した例である。このストライプめっき条を
使用して左右対象に２ケの３端子IC用大出力レギュレー
ター用リードフレームを製作することが出来る。
を施しその後ダイボンディングエリア（半田付け部）用
めっきストライプとして約7mm幅の銀ストライプめっき6
bを左右対象に２本施しさらにその外側に夫々1mm幅のス
トライプで隙間をあけてさらにワイヤボンディング用ス
トライプめっきとして約3.5mm幅の銀ストライプめっき5
bを１本宛施した例である。このストライプめっき条を
使用して左右対象に２ケの３端子IC用大出力レギュレー
ター用リードフレームを製作することが出来る。
［発明の効果］ 本発明の効果として次の事項を列挙することが出来る。
（１） ダイボンディング時に使用する半田が所定のエ
リアから外へ流れ出ることがなくなった。
リアから外へ流れ出ることがなくなった。
（２） ワイヤボンディングエリアがダイボンディング
エアリよりの半田により侵されることがないため半導体
装置の特性、品質の向上が図れた。
エアリよりの半田により侵されることがないため半導体
装置の特性、品質の向上が図れた。
（３） プレス時、半田流れ防止用の溝を過度に深くし
たり、数を増やす必要もないためプレス加工が容易とな
った。
たり、数を増やす必要もないためプレス加工が容易とな
った。
（４） 半田流れ止めの刻印やＶ溝を浅くすることが出
来るため、特に全面にニッケルめっきを施したタイプで
は裏背面でのNiめっき割れも防止することが出来る。
来るため、特に全面にニッケルめっきを施したタイプで
は裏背面でのNiめっき割れも防止することが出来る。
（５） めっき表面のバラツキ（結晶粒の大きさ）のコ
ントロールが不必要になり、工程が安定した。
ントロールが不必要になり、工程が安定した。
以上の如く、本発明によって、リードフレームの製造が
容易確実となり更に品質上信頼性が向上し更に得率向
上、コスト低減にも貢献した。
容易確実となり更に品質上信頼性が向上し更に得率向
上、コスト低減にも貢献した。
第１図，第３図は本発明の半導体装置用リードフレーム
の製造方法に係るストライプめっき条の一実施例の斜視
図、第２図，第４図は夫々第１図，第３図のストライプ
めっき条を使用した製造方法により製作した夫々中出
力、大出力レギュレーターリードフレームの実施例の平
面図、第５図，第７図は従来の製造方法に用いる連続部
分めっき条の断面図及び斜視図、第６図，第８図は夫々
第５図，第７図の連続部分めっき条を使用した製作方法
により製作した夫々中出力レギュレーター、大出力レギ
ュレーター用リードフレームの平面図である。 1:銅又は銅合金条、 2:銀ストライプめっき、 3:ニッケルめっき、 4:異形銅合金条、 5a,5b:ワイヤボンディング用銀ストライプめっき、 6a,6b:ダイボンディング用銀ストライプめっき。
の製造方法に係るストライプめっき条の一実施例の斜視
図、第２図，第４図は夫々第１図，第３図のストライプ
めっき条を使用した製造方法により製作した夫々中出
力、大出力レギュレーターリードフレームの実施例の平
面図、第５図，第７図は従来の製造方法に用いる連続部
分めっき条の断面図及び斜視図、第６図，第８図は夫々
第５図，第７図の連続部分めっき条を使用した製作方法
により製作した夫々中出力レギュレーター、大出力レギ
ュレーター用リードフレームの平面図である。 1:銅又は銅合金条、 2:銀ストライプめっき、 3:ニッケルめっき、 4:異形銅合金条、 5a,5b:ワイヤボンディング用銀ストライプめっき、 6a,6b:ダイボンディング用銀ストライプめっき。
Claims (1)
- 【請求項１】予めダイボンディングエリア及びワイヤボ
ンディングエリアを含む長手方向部位にストライプ状の
めっきを施してなるストライプめっき条をプレス加工に
より打ち抜いて半導体装置用リードフレームを製造する
方法において、該ストライプめっき条としてダイボンデ
ィングエリア用ストライプめっきとワイヤボンディング
エリア用ストライプめっきとを分離して有するものを使
用したことを特徴とする半導体装置用リードフレームの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61269297A JPH07123153B2 (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61269297A JPH07123153B2 (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122254A JPS63122254A (ja) | 1988-05-26 |
| JPH07123153B2 true JPH07123153B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=17470385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61269297A Expired - Lifetime JPH07123153B2 (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07123153B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5322365A (en) * | 1976-08-13 | 1978-03-01 | Hitachi Ltd | Resin mold type semiconductor device and its production |
| JPS6270596A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-04-01 | Toshiba Corp | 錫含有銅合金基材の銀メツキ方法 |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP61269297A patent/JPH07123153B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63122254A (ja) | 1988-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7943431B2 (en) | Leadless semiconductor package and method of manufacture | |
| US7183630B1 (en) | Lead frame with plated end leads | |
| CN105185752B (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| US9171761B2 (en) | Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and lead frame | |
| US6297543B1 (en) | Chip scale package | |
| JP3444410B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置の製造方法 | |
| US6157074A (en) | Lead frame adapted for variable sized devices, semiconductor package with such lead frame and method for using same | |
| US9363901B2 (en) | Making a plurality of integrated circuit packages | |
| EP0537982A2 (en) | Semiconductor device having improved leads | |
| KR20160136208A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
| JP2014007363A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JP2000208690A (ja) | リ―ドフレ―ム、樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH06181277A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその抵抗線を備えたリードフレームの製造方法 | |
| JP2006147622A (ja) | リードフレームの製造方法、リードフレーム | |
| US4912546A (en) | Lead frame and method of fabricating a semiconductor device | |
| WO2022196278A1 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07123153B2 (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPH08204083A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH073849B2 (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| EP0723293B1 (en) | Semiconductor device with a heat sink and method of producing the heat sink | |
| JP2580740B2 (ja) | リードフレーム | |
| DE102021122591A1 (de) | Mehrlagiges verbindungsband | |
| JPS6097654A (ja) | 封止型半導体装置 | |
| US20250149410A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPS63122255A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |