JPH0715922B2 - 半導体装置の検査装置 - Google Patents
半導体装置の検査装置Info
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- JPH0715922B2 JPH0715922B2 JP7288387A JP7288387A JPH0715922B2 JP H0715922 B2 JPH0715922 B2 JP H0715922B2 JP 7288387 A JP7288387 A JP 7288387A JP 7288387 A JP7288387 A JP 7288387A JP H0715922 B2 JPH0715922 B2 JP H0715922B2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 56
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 28
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 16
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の検査装置に監視、特に半導体装置
の不良救済及び不良の検査結果を印字する装置に関す
る。
の不良救済及び不良の検査結果を印字する装置に関す
る。
従来、メモリ素子などのような機能素子からなる複数個
の半導体装置が規則正しく配列されている半導体ウェー
ハ上の半導体装置を検査する装置として、ICテスタと呼
ばれる特性試験装置と、ウェーハープローバと呼ばれ半
導体ウェハーを載物台（ステージ）に載せ間欠送り機構
によって１チップづつ送る機能を有した装置があった。
この半導体ウェハー上の半導体装置の位置情報は、プロ
ーバの移動座標として、ICテスタに情報がケーブルによ
って転送され、また半導体装置上の不良個所はICテスタ
により電気的に特定されている。
の半導体装置が規則正しく配列されている半導体ウェー
ハ上の半導体装置を検査する装置として、ICテスタと呼
ばれる特性試験装置と、ウェーハープローバと呼ばれ半
導体ウェハーを載物台（ステージ）に載せ間欠送り機構
によって１チップづつ送る機能を有した装置があった。
この半導体ウェハー上の半導体装置の位置情報は、プロ
ーバの移動座標として、ICテスタに情報がケーブルによ
って転送され、また半導体装置上の不良個所はICテスタ
により電気的に特定されている。
この半導体ウェハー上の半導体装置の位置情報と、この
半導体装置上の不良個所情報は、フロッピーディスクや
ケーブルによりトリーマと呼ばれる不良救済装置へ転送
されている。このトリーマではその情報に基いて、不良
半導体装置にあらかじめ余分にもうけられた機能素子の
アドレスに、不良個所の機能素子のアドレスを変更する
ように、レーザ光によりヒューズを切断している。
半導体装置上の不良個所情報は、フロッピーディスクや
ケーブルによりトリーマと呼ばれる不良救済装置へ転送
されている。このトリーマではその情報に基いて、不良
半導体装置にあらかじめ余分にもうけられた機能素子の
アドレスに、不良個所の機能素子のアドレスを変更する
ように、レーザ光によりヒューズを切断している。
例えば、第３図の半導体ウェハーの平面図に示すよう
に、この半導体ウェハー１は切断線４によって多数の半
導体装置２に分けられており、トリーマによって切断さ
れた切断ヒューズ５が示されている。このような処理を
した半導体ウェハー１上の半導体装置２を再びウェハー
プローバに載せ、ICテスタで第２の検査を行い、不良個
所が多過ぎて救済が不可能であった半導体装置は、この
ICテスタ（プローバ）に付随しているマーキング装置に
よって表面に不良マーク３がマーキングされていた。
に、この半導体ウェハー１は切断線４によって多数の半
導体装置２に分けられており、トリーマによって切断さ
れた切断ヒューズ５が示されている。このような処理を
した半導体ウェハー１上の半導体装置２を再びウェハー
プローバに載せ、ICテスタで第２の検査を行い、不良個
所が多過ぎて救済が不可能であった半導体装置は、この
ICテスタ（プローバ）に付随しているマーキング装置に
よって表面に不良マーク３がマーキングされていた。
上述した従来の検査装置では、ICテスタによる検査を２
度も繰り返す為に、一つの半導体装置の検査工数が２倍
かかることになり、また検査を二度行うので、半導体装
置に電極パッドに２度測定用探針群をあてることにな
り、電極パッドのアルミのダメージが大きくなるという
欠点があった。
度も繰り返す為に、一つの半導体装置の検査工数が２倍
かかることになり、また検査を二度行うので、半導体装
置に電極パッドに２度測定用探針群をあてることにな
り、電極パッドのアルミのダメージが大きくなるという
欠点があった。
本発明の目的は、このような欠点を除き、検査工数を削
減すると共に、電極パッドのダメージを少くした半導体
装置の検査装置を提供することにある。
減すると共に、電極パッドのダメージを少くした半導体
装置の検査装置を提供することにある。
本発明の半導体装置の検査装置は、半導体ウェハーを載
置しその位置決めを行うプローバと、このプローバ上の
半導体ウェハー上にある複数の半導体装置の特性検査を
行うICテスタとを含むこ検査部と；この検査部から救済
処置により救済でき不良をもった半導体装置の不良個所
情報とこの半導体装置の半導体ウェハー上の位置情報と
を受け冗長回路の救済用ヒューズを切断して救済処置を
行う救済処理部と、救済処理により救済できない不良を
もつ半導体装置の半導体ウェハー上の位置情報を受け、
その半導体装置に不良マークをつけるマーキング部とを
トリーマ部とを備えることを特徴とする。
置しその位置決めを行うプローバと、このプローバ上の
半導体ウェハー上にある複数の半導体装置の特性検査を
行うICテスタとを含むこ検査部と；この検査部から救済
処置により救済でき不良をもった半導体装置の不良個所
情報とこの半導体装置の半導体ウェハー上の位置情報と
を受け冗長回路の救済用ヒューズを切断して救済処置を
行う救済処理部と、救済処理により救済できない不良を
もつ半導体装置の半導体ウェハー上の位置情報を受け、
その半導体装置に不良マークをつけるマーキング部とを
トリーマ部とを備えることを特徴とする。
以下、本発明について図面を用いて説明する。第１図は
本発明の一実施例のブロック図である。本実施例の検査
装置は、半導体装置の検査部10とトリーマ部20とから構
成される。まず、検査部10において、プローバ11上にの
せた半導体ウェハー１をICテスタ12を用いて各半導体装
置２の検査を行ない、救済できる不良しかもたない半導
体装置については、その不良アドレスを半導体ウェハー
上の半導体装置の位置情報と同時に収集する。
本発明の一実施例のブロック図である。本実施例の検査
装置は、半導体装置の検査部10とトリーマ部20とから構
成される。まず、検査部10において、プローバ11上にの
せた半導体ウェハー１をICテスタ12を用いて各半導体装
置２の検査を行ない、救済できる不良しかもたない半導
体装置については、その不良アドレスを半導体ウェハー
上の半導体装置の位置情報と同時に収集する。
また、救済できない不良をもつ半導体装置２についても
半導体ウェハー１上の位置座標を収集する。
半導体ウェハー１上の位置座標を収集する。
これらの検査部から収集された情報は、通信路あるいは
フロッピーディスク等により、トリーマ部20に伝送され
る。このトリーマ部20は救済処置部21とマーキング部22
とからり、救済処置部21、救済用ヒューズを切断するた
めのレーザ光源と、その位置出し機構とを有している。
これらの情報によって救済可能な不良をもつ半導体装置
２については、救済処置部21により、不良救済用のヒュ
ーズを第３図の切断ヒューズ５のように切断し、救済不
可能な不良をもつ半導体装置については、マーーキング
部22によって不良マーク３を印字する。
フロッピーディスク等により、トリーマ部20に伝送され
る。このトリーマ部20は救済処置部21とマーキング部22
とからり、救済処置部21、救済用ヒューズを切断するた
めのレーザ光源と、その位置出し機構とを有している。
これらの情報によって救済可能な不良をもつ半導体装置
２については、救済処置部21により、不良救済用のヒュ
ーズを第３図の切断ヒューズ５のように切断し、救済不
可能な不良をもつ半導体装置については、マーーキング
部22によって不良マーク３を印字する。
第２図は本発明の別の実施例のブロック図である。本実
施例は、複数の検査部10,10′,10″を備え、これらの検
査結果を通信路あるいは、フロッピーディスク等によ
り、トリーマ部20に伝送し、その情報により不良救済用
のヒューズ切断や、救済不可能な不良をもつ半導体装置
への不良マーク３を印字する。
施例は、複数の検査部10,10′,10″を備え、これらの検
査結果を通信路あるいは、フロッピーディスク等によ
り、トリーマ部20に伝送し、その情報により不良救済用
のヒューズ切断や、救済不可能な不良をもつ半導体装置
への不良マーク３を印字する。
以上説明したように本発明によれば、従来二度にわけて
検査されてきた不良救済のデータ収集の検査と、救済作
業後の良品を判別を行い不良品にマークをつける作業
を、一度の検査で実施することができる。このため検査
コストを大幅に低減できると同時に、電極パッドのアル
ミへのダメージを減少させることが出来る。また、検査
装置毎のマーキング装置を、トリーマのマーキング装置
だけで運用できるため、検査部のマーキング装置が不用
となり、検査装置の価格を低減することができる。
検査されてきた不良救済のデータ収集の検査と、救済作
業後の良品を判別を行い不良品にマークをつける作業
を、一度の検査で実施することができる。このため検査
コストを大幅に低減できると同時に、電極パッドのアル
ミへのダメージを減少させることが出来る。また、検査
装置毎のマーキング装置を、トリーマのマーキング装置
だけで運用できるため、検査部のマーキング装置が不用
となり、検査装置の価格を低減することができる。
第１図、第２図は本発明の第１および第２の一実施例の
ブロック図、第３図は一般の半導体ウェハー上の半導体
装置の平面図である。 １……半導体ウェハー、２……半導体装置、３……不良
マーク、４……切断線、５……切断ヒューズ、10,10′,
10″……検査部、11……プローバ、12……ICテスタ、20
……トリーマ部、21……救済処置部、22……マーキング
部。
ブロック図、第３図は一般の半導体ウェハー上の半導体
装置の平面図である。 １……半導体ウェハー、２……半導体装置、３……不良
マーク、４……切断線、５……切断ヒューズ、10,10′,
10″……検査部、11……プローバ、12……ICテスタ、20
……トリーマ部、21……救済処置部、22……マーキング
部。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェハーを載置しその位置決めを行
うプローバと、このプローバ上の半導体ウェーハ上にあ
る複数の半導体装置の特性検査を行うICテスタとを含む
検査部と；この検査部から救済処置により救済できる不
良をもった半導体装置の不良個所情報とこの半導体装置
の半導体ウェハー上の位置情報とを受け冗長回路の救済
用ヒューズを切断して救済処置を行う救済処理部と、救
済処理により救済できない不良をもつ半導体装置の半導
体ウェーハー上の位置情報を受け、その半導体装置に不
良マークをつけるマーキング部とを含むトリーマ部とを
備えることを特徴とする半導体装置の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7288387A JPH0715922B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 半導体装置の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7288387A JPH0715922B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 半導体装置の検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63237432A JPS63237432A (ja) | 1988-10-03 |
| JPH0715922B2 true JPH0715922B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=13502177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7288387A Expired - Fee Related JPH0715922B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 半導体装置の検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715922B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2956597B2 (ja) * | 1996-07-31 | 1999-10-04 | 日本電気株式会社 | 半導体検査装置 |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP7288387A patent/JPH0715922B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63237432A (ja) | 1988-10-03 |
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Legal Events
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