JPH072269B2

JPH072269B2 - 半田ディプ処理装置

Info

Publication number: JPH072269B2
Application number: JP11846890A
Authority: JP
Inventors: 明銭谷
Original assignee: 銭谷産業株式会社
Priority date: 1990-05-08
Filing date: 1990-05-08
Publication date: 1995-01-18
Anticipated expiration: 2010-01-18
Also published as: JPH0437470A

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、多数の電子部品を搭載したリードフレームに
半田被膜を選択的に形成するための半田ディプ処理装置
に関するものである。

従来の技術多数の電子部品を搭載したリードフレームに半田被膜を
形成することが一般に行われており、前記半田被膜は通
常、ディプ（浸漬）処理により形成される。

液槽内の溶融半田は常にヒータで加熱されており、半田
浴のためにキャリヤ等で液槽上に送り込まれた電子部品
は、リードフレームのリード領域を下側にして下降し溶
融半田に接触する。また、前記接触を良好ならしめると
ともに溶融半田の表面酸化を軽減させるために、液槽内
の溶融半田を噴流させることも行われている。

発明が解決しようとする課題しかし、かかる従来の装置を用いてリードフレームに半
田被膜を形成すると、半田被膜を必要とするリード領域
のみならずフレーム領域にまで半田被膜が形成されてし
まい、それだけ半田を浪費するばかりでなく有害ガスの
発生量も多くなる。そのうえ、リードフレームから析出
した不純物が液槽内の溶融半田に混入し、その累積によ
って溶融半田の組成が経時変化するという課題もあっ
た。

そこで本発明者らは、垂直溝およびその上部に連なる水
平溝を有する半田濡れのよいブロックを溶融半田ととも
に液槽内に設け、垂直溝を通じて水平溝内に導入される
溶融半田にリードフレームのリード領域を接触させる半
田ディプ処理装置を開発し提案してきた。この場合、水
平溝内にリードフレームのリード領域のみを通過させる
ことによって、同領域にのみ半田被膜を形成することが
できる。

リードフレームのリード領域は、リードフレームの長手
方向に間欠的に配列されているので、垂直溝上をリード
領域が通過し終わる都度、垂直溝を通じて水平溝内に溶
融半田が補填されていく。このため、リード領域の上下
両面に半田被膜を同時に形成することができる。また、
垂直溝を通じて上昇した溶融半田は逆流しないので、液
槽内溶融半田の純度を常に高く維持することができる。

しかし、リード領域の板厚や幅が比較的大きい品種に対
しては、水平溝内に導入された溶融半田がリード領域の
上面側に十分にまわり込まず、形成された半田被膜に厚
みむらを生じるという新たな課題があった。

課題を解決するための手段本発明によると、多数の電子部品を搭載したリードフレ
ームのリード領域に半田被膜を形成すべく溶融半田とと
もに液槽内に設けられるブロックに、前記リード領域を
通過させるための水平溝を前記溶融半田の液面よりも高
い水平面内に有せしめるとともに、前記水平溝に連通し
て下方へ延び前記液面下に達する偏平な第１の通孔と、
前記水平溝に連通して上方へ若干延びたのち前記第１の
通孔を迂回して下方へ延び前記液面下に達する偏平な第
２の通孔とを有せしめる。

作用このように構成すると、液槽内の溶融半田はその表面張
力によって第１の通孔を通じ水平溝内に導入されるとと
もに、第２の通孔を通じても水平溝内に導入されること
になる。すなわち、水平溝内を通過するリード領域は上
下両方向から溶融半田の支給を受けることになり、各リ
ード領域の両面に半田被膜を厚みむらなく形成すること
ができ、しかも、処理能率を一段と高めることができ
る。また、第１および第２の通孔は溶融半田の液面下か
ら露出することなく上方へ延びるので、液面に浮遊する
酸化膜を混入させることなく液槽内の溶融半田を水平溝
内に導入させ得て、通孔内での半田詰まりを軽減させる
ことができる。

実施例つぎに、本発明を図面に示した実施例とともに詳しく説
明する。

第１図の示すように、溶融半田１を収容した液槽２内に
は、シーズヒータ３およびブロック４が設けられてお
り、ブロック４は鉛および亜鉛の共晶合金からなる溶融
半田１に対して濡れのよい鉄またはニッケル等の金属で
形成されている。第２図にも示すように、ブロック４は
第１垂直面５に第１および第２の通孔6,7を有し、上部
には水平溝８およびこれに隣接した貫通孔９を有してい
て、被処理電子部品Ａの本体部分ａが貫通孔９内を、そ
して、リードフレームｂのリード領域ｃが水平溝８内を
それぞれ通過する。ｄはフレーム領域を示す。

水平溝８は溶融半田１の液面よりも高い水平面内に位置
し、貫通孔９もその大部分が前記液面よりも高い位置に
ある。第１の通孔６は水平溝８に連通して下方へ延び、
溶融半田１の液面下に達する偏平なものである。また、
第２の通孔７は水平溝８に連通して上方へ若干延びたの
ち第１の通孔６および貫通孔９を迂回して下方へ延び、
溶融半田１の液面下に達する偏平なもので、数字７に似
た平面形状を有している。

第２垂直面10にも、第１垂直面５におけると同様の第１
および第２の通孔11,12が形成されている。また、第３
垂直面13にも前述と同様の第１および第２の通孔14,15
が形成されている。かかる通孔および水平溝８は、第２
図に示すようにブロック４を６つのブロック片16,17,1
8,19,20,21およびこれらを一体に結合する適数本のボル
トで構成することにより、比較的容易に得ることができ
る。また、蓋板としてのブロック片21をとり外して第１
および第２の通孔内や貫通孔内を清掃することができ
る。

前述の実施例では、第１および第２の通孔を第１ないし
第３垂直面に設けて３連構成となしたが、この連数は任
意に選択できる。また、被処理電子部品Ａの本体部分ａ
の通過路を水平溝８の外側に設定してもよく、この場合
は貫通孔９を要しない。

発明の効果以上のように本発明によると、リードフレームの板厚や
形状に関係なく、同フレームのリード領域の全面に半田
被膜を厚みむらなく形成できるのみならず処理能率を高
め得、しかも、液槽内溶融半田の純度を常に高く維持す
ることができる。また、液面に浮遊する酸化膜を混入さ
せることなく溶融半田を水平溝内に導入できるので、良
質の半田被膜を形成できるのみならず、通孔内での半田
詰まりを軽減させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施した半田ディプ処理装置の要部の
斜視図、第２図は同装置のブロックの分解斜視図であ
る。１……溶融半田、２……液槽、４……ブロック、6,11…
…第１の通孔、7,12……第２の通孔、８……水平溝、９
……貫通孔。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】多数の電子部品を搭載したリードフレーム
のリード領域に半田被膜を形成すべく溶融半田とともに
液槽内に設けられたブロックが、前記リード領域を通過
させるための水平溝を前記溶融半田の液面よりも高い水
平面内に有するとともに、前記水平溝に連通して下方へ
延び前記液面下に達する偏平な第１の通孔と、前記水平
溝に連通して上方へ若干延びたのち前記第１の通孔を迂
回して下方へ延び前記液面下に達する偏平な第２の通孔
とを有していることを特徴とする半田ディプ処理装置。
【請求項２】前記第１および第２の通孔が共通の垂直面
内に位置し、前記ブロックが水平および垂直方向へそれ
ぞれ分離可能に複数のブロック片で組み立てられている
ことを特徴とする請求項１記載の半田ディプ処理装置。