JPH0736320B2 - 走査変換蓄積管 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、トランジットオシロスコープ等に用いて好適
な走査変換蓄積管に関するものである。

〈従来の技術〉 第３図は従来の走査変換蓄積管の一例を示す構成図であ
る。

第３図に示す様に、走査変換蓄積管は電子銃11、加速管
12、四重極レンズ13、垂直偏向板14、水平偏向板15から
成る電子ビーム制御部10と蓄積ターゲット６で構成さ
れ、その動作は電荷パターンで画像又はその他の情報の
消去、書き込み、読み出しが可能である。

消去動作は蓄積ターゲット６全域を電子ビームで走査し
表面に一様に帯電させる事により行う。

書き込み動作は高速電子ビームで描画する事により行
い、描画部は他の部分より電位が正になる。

読み出し動作は低速電子ビームで蓄積ターゲット６上を
走査する事により行い、書き込み部では電極に電流が流
れる。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、上記従来技術に示す走査変換蓄積管にお
いては、電子ビーム制御部10を構成する四重極レンズ13
及び垂直偏向板14、水平偏向板15の形成時の位置出し及
び組み立てが困難である為、蓄積ターゲット６上を精度
良く電子ビームを走査出来ないという課題があった。

本発明は、上記従来技術の課題を踏まえて成されたもの
であり、電子ビーム制御部を構成する四重極レンズ及び
垂直偏向板、水平偏向板をシリコンの微細加工により形
成する事により、四重極レンズ及び垂直偏向板、水平偏
向板の位置出しを容易とし、四重極レンズの組立精度を
向上させ、光軸のアライメントを容易にさせる為、電子
ビームを高精度に蓄積ターゲット上を走査する事が出来
る走査変換蓄積管を提供する事を目的としたものであ
る。

〈課題を解決するための手段〉 上記課題を解決する為の本発明の構成は、シリコンの異
方性エッチングにより形成しＶ溝加工と角形加工を施
し、このＶ溝加工部にポールを接合した基板を２枚重ね
合わせる事により形成された四重極レンズ及び垂直偏向
板と、シリコンの異方性エッチングにより形成し角形加
工が施された基板を２枚重ね合わせる事により形成され
た水平偏向板とをビーム軸が一致する様に接合した事を
特徴とするものである。

〈作用〉 この様に、シリコンの微細加工を用いると、位置出し及
び組立精度を向上する事が出来、又、光軸のアライメン
トを容易とする為、電子ビームを高精度に蓄積ターゲッ
ト上を走査する事が出来る。

〈実施例〉 以下、本発明を図面に基ずいて説明する。

第１図は本発明に係わる走査変換蓄積管の一実施例を示
す構成図である。なお、第１図において第３図と同一要
素には同一符号を付して重複する説明は省略する。

第１図において、四重極レンズ13′と垂直偏向板14′は
シリコンの異方性エッチングにより形成され、四重極レ
ンズ13′部にはＶ溝加工、垂直偏向板14′部には角形加
工をそれぞれ施し、このＶ溝加工部には８個のポール７
を接合した基板20aと20bを２枚重ね合わせる事により形
成される。なお、基板20aと20bの接合は接合面にパイレ
ックスガラス（＃7740）等をスパッタリングし陽極接合
を行う事により行われる。水平偏向板15′はシリコンの
異方性エッチングにより形成され、角形加工を施した基
板30a、30bを２枚重ね合わせる事により形成され、接合
は同様に陽極接合により行われる。又、基板20a（20b）
と基板30a（30b）とはビーム軸が一致する様に接着剤等
で接合される。

ここで、第２図（イ）及び（ロ）に四重極レンズ13′部
の詳細を示す。

第２図（イ）に示す様に、シリコンの異方性エッチング
により形成された基板20a（20b）のＶ溝加工部に４個の
ポール７が設置されている。21は基板20a（20b）上にp-
n接合により引き出された電極である。又、（ロ）図に
示す様に、電極21のｐ層とポール７との接合は、接合面
にスパッタリングされた約１μｍのAl層22により電気的
接続をとって、接着剤等により接合される。

この様な構成において、動作は従来と同様であり、図示
しない電子銃から発射され加速管により加速された電子
ビームは四重極レンズ13′、垂直偏向板14′、水平偏向
板15′を通過する事により制御され、蓄積ターゲット６
上を精度良く走査出来るものである。

〈発明の効果〉 以上、実施例と共に具体的に説明した様に、本発明によ
れば、電子ビーム制御部を構成する四重極レンズ及び垂
直偏向板、水平偏向板をシリコンの微細加工により形成
する事により、四重極レンズ及び垂直偏向板、水平偏向
板の位置出しを容易とし、四重極レンズの組立精度を向
上させ、光軸のアライメントを容易にさせる為、電子ビ
ームを高精度に蓄積ターゲット上を走査する事が出来
る。又、光軸のアライメントが容易となる事により安価
な走査変換蓄積管を実現する事が出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係わる走査変換蓄積管の一実施例を示
す構成図、第２図は第１図の走査変換蓄積管に用いられ
る四重極レンズの詳細図、第３図は従来の走査変換蓄積
管の一例を示す構成図である。 ６……蓄積ターゲット、７……ポール、13′……四重極
レンズ、14′……垂直偏向板、15′……水平偏向板、20
a、20b、30a、30b……シリコンの基板、21……電極、22
……Al層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】シリコンの異方性エッチングにより形成し
   Ｖ溝加工と角形加工を施し、このＶ溝加工部にポールを
   接合した基板を２枚重ね合わせる事により形成された四
   重極レンズ及び垂直偏向板と、シリコンの異方性エッチ
   ングにより形成し角形加工が施された基板を２枚重ね合
   わせる事により形成された水平偏向板とをビーム軸が一
   致する様に接合した事を特徴とする走査変換蓄積管。