JPH0746710B2 - Semiconductor mounting board manufacturing method - Google Patents
Semiconductor mounting board manufacturing methodInfo
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- JPH0746710B2 JPH0746710B2 JP20472886A JP20472886A JPH0746710B2 JP H0746710 B2 JPH0746710 B2 JP H0746710B2 JP 20472886 A JP20472886 A JP 20472886A JP 20472886 A JP20472886 A JP 20472886A JP H0746710 B2 JPH0746710 B2 JP H0746710B2
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Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、各種の半導体素子を搭載するために使用され
る半導体搭載用基板の製造方法に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor mounting substrate used for mounting various semiconductor elements.
特に本発明は、搭載された半導体素子から発生する熱の
放散性に優れ、かつ外部から半導体素子へ湿気が侵入す
ることの少ない半導体搭載用基板の製造方法を提供する
ものであり、カメラ、時計などの内装基板をはじめ、チ
ップキャリアー、ピングリッドアレイ、ハイブリッド基
板などに有利に使用される、半導体搭載用基板の製造方
法に関するものである。In particular, the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor mounting substrate, which is excellent in heat dissipation from a mounted semiconductor element and in which moisture does not intrude into the semiconductor element from the outside, such as a camera and a watch. The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor mounting substrate, which is advantageously used for a chip carrier, a pin grid array, a hybrid substrate, etc.
［従来の技術］ 従来の半導体素子を直接搭載する半導体搭載用基板の材
質はプラスチックスまたはセラミックスであり、これら
の材料のうち、加工が容易であり比較的安価であるため
プラスチックスが広く使用されている。しかし、プラス
チック材料は熱伝導性がセラミック材料に比べ悪いた
め、発熱量の大きい半導体素子を搭載する基板としては
十分に満足されていなかった。よって、上記欠点を改善
するため、プラスチック材料からなる基板の半導体を直
接搭載する部分に金属板を接合した構造からなる半導体
搭載用基板が従来から使用されている。[Prior Art] Conventional materials for semiconductor mounting substrates on which semiconductor elements are directly mounted are plastics or ceramics. Of these materials, plastics are widely used because they are easy to process and relatively inexpensive. ing. However, since the plastic material has poorer thermal conductivity than the ceramic material, it has not been sufficiently satisfied as a substrate for mounting a semiconductor element that generates a large amount of heat. Therefore, in order to improve the above-mentioned drawbacks, a semiconductor mounting substrate having a structure in which a metal plate is bonded to a portion on which a semiconductor is directly mounted on a substrate made of a plastic material has been conventionally used.
さらに、出願人は先に、基板と金属板を接合した部分の
接着材のはみ出しを完全除去すると同時に、半導体搭載
用凹部底面を容易に平滑なものとするため、前記基板に
金属板を接合したのち、半導体搭載用凹部に溝掘り加工
を施すことにより、前記基板の半導体搭載用凹部の底面
全周に溝が形成されてなる半導体搭載用基板を提案し
た。（特願昭61−101569） 前記半導体搭載用基板の従来の製造方法にあっては、前
記基板に金属板を接合し、半導体搭載用凹部の底面全周
に溝を形成する工程において、第５図に示すように、半
導体搭載用基板を構成する基板（１）の裏面側に、この
基板（１）の半導体搭載領域の周囲のみに設けられた接
着層（５）を介して金属板（４）を接合したのち、基板
（１）の半導体搭載領域の周囲に前記金属板（４）の内
部まで到達する連続した溝掘り加工を施すことにより、
半導体搭載用凹部（６）とこの凹部（６）内の底面全周
に連続した溝（７）とを同時に形成するという工程を経
ている。Further, the applicant first joined the metal plate to the substrate in order to completely remove the protrusion of the adhesive at the portion where the substrate and the metal plate were joined and at the same time to make the bottom surface of the semiconductor mounting recess easily smooth. Then, a semiconductor mounting substrate was proposed in which a groove was formed on the entire bottom surface of the semiconductor mounting recess of the substrate by subjecting the semiconductor mounting recess to grooving. (Japanese Patent Application No. 61-101569) In the conventional method for manufacturing a semiconductor mounting substrate, in the step of joining a metal plate to the substrate and forming a groove around the entire bottom surface of the semiconductor mounting recess, As shown in the figure, a metal plate (4) is provided on the back surface side of the substrate (1) constituting the semiconductor mounting substrate via an adhesive layer (5) provided only around the semiconductor mounting region of the substrate (1). ) Are joined together, and then continuous grooving is performed around the semiconductor mounting region of the substrate (1) to reach the inside of the metal plate (4),
The step of simultaneously forming the semiconductor mounting recess (6) and the continuous groove (7) around the entire bottom surface in the recess (6) is performed.
［発明が解決しようとする問題点］ しかし、前記工程にあっては、基板（１）に金属板
（４）を接合した段階で、接着層（５）が後に形成する
連続した溝（７）の部分よりも内側まで流れ出すことが
多く、この流れ出した接着層（５）により、金属板
（４）が以前として基板（１）に接着された状態のまま
となる。従って、従来のこの半導体搭載用基板にあって
は、溝掘り加工を施した後に基板（１）の一部分を除去
することができず、前述の発明による半導体搭載用基板
を製造する段階での収率が悪いという欠点を有してい
た。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the above process, the continuous groove (7) formed later by the adhesive layer (5) at the stage of joining the metal plate (4) to the substrate (1). In most cases, the metal plate (4) is still bonded to the substrate (1) due to the adhesive layer (5) flowing out. Therefore, in this conventional semiconductor mounting substrate, it is not possible to remove a part of the substrate (1) after grooving, so that the semiconductor mounting substrate according to the above-mentioned invention can be manufactured. It had the disadvantage of poor rate.
このことは、第６図に示すように、基板（１）の裏面に
凹所（11）が形成され、この凹所（11）内に金属板
（４）を接合した従来タイプの半導体搭載用基板におい
ても同様であった。This means that, as shown in FIG. 6, a recess (11) is formed on the back surface of the substrate (1), and a metal plate (4) is joined in the recess (11) for semiconductor mounting of the conventional type. The same applies to the substrate.
［問題点を解決するための手段とその作用］ 本発明は、上記従来技術の有する欠点を改善するため、
半導体搭載用基板を構成する基板の裏面側であって半導
体搭載領域の内側周囲に連続した一次溝を予じめ形成
し、その後に金属板を接合するといった半導体搭載用基
板の製造方法を開示するものであり、以下図面に従って
詳細に説明する。[Means for Solving Problems and Actions Thereof] In order to improve the drawbacks of the above-mentioned conventional techniques, the present invention provides
Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor mounting substrate, in which a continuous primary groove is preliminarily formed around the inside of a semiconductor mounting region on the back surface side of the substrate that constitutes the semiconductor mounting substrate, and then a metal plate is bonded. It will be described in detail below with reference to the drawings.
第１図の（ａ）〜（ｅ）は本発明による半導体搭載用基
板の製造方法を工程順に示すもので、基板の縦断面図で
ある。第１図の（ａ）に示すように、金属箔（２）が上
下表面に貼着されたプラスチック材料からなる半導体搭
載用基板（１）の裏面側であってこの基板（１）の半導
体搭載領域の内側周囲に、連続した一次溝（10）をエン
ドミルなどを用いて予じめ形成する（Ａ工程）。FIGS. 1A to 1E show a method of manufacturing a semiconductor mounting substrate according to the present invention in the order of steps, and are vertical sectional views of the substrate. As shown in (a) of FIG. 1, the backside of a semiconductor mounting substrate (1) made of a plastic material having metal foils (2) adhered to the upper and lower surfaces, and the semiconductor mounting of the substrate (1). A continuous primary groove (10) is preliminarily formed around the inside of the region by using an end mill or the like (step A).
次に第１図の（ｂ）に示すように、基板（１）の裏面側
に、前記（ａ）の工程で形成した一次溝（10）の外側周
囲のみに設けられた接着層（５）を介して金属板（４）
を接合する（Ｂ工程）。Next, as shown in FIG. 1B, an adhesive layer (5) provided only on the outer periphery of the primary groove (10) formed in the step (a) on the back surface side of the substrate (1). Through metal plate (4)
Are joined (step B).
そして、第１図の（ｃ）に示すように、基板（１）の半
導体搭載領域の周囲に、基板（１）の表面から金属板
（４）の内部まで到達する連続した溝掘り加工を施すこ
とにより、基板（１）の一部分及び一次溝を除去して半
導体搭載用凹部（６）を形成すると同時に、金属板
（４）を切削して半導体搭載用凹部（６）の底面全周に
わたって当該半導体搭載用凹部（６）の側面と連続する
外周部を有する二次溝（７）を形成する（Ｃ工程）。Then, as shown in FIG. 1 (c), continuous grooving is performed around the semiconductor mounting region of the substrate (1) so as to reach from the surface of the substrate (1) to the inside of the metal plate (4). Thus, a part of the substrate (1) and the primary groove are removed to form the semiconductor mounting recess (6), and at the same time, the metal plate (4) is cut to cover the entire bottom surface of the semiconductor mounting recess (6). A secondary groove (7) having an outer peripheral portion continuous with the side surface of the semiconductor mounting recess (6) is formed (step C).
以上で、本発明に係る製造工程は終るが、以上の工程に
よって形成されたものを半導体搭載用基板として完成す
るには、従来行なわれている以下のような工程が加えら
れる。すなわち、第１図の（ｄ）に示すように、金属板
（４）を含む基板（１）の外表面全体にメッキ（８）、
（９）を施す。次に第１図の（ｅ）に示すように、工程
（ａ）〜（ｄ）を経て製作された基板の表面に導体回路
（８）を形成するのである。With the above, the manufacturing process according to the present invention is completed. However, in order to complete the product formed by the above process as a semiconductor mounting substrate, the following conventional processes are added. That is, as shown in FIG. 1 (d), the plating (8) is formed on the entire outer surface of the substrate (1) including the metal plate (4),
Perform (9). Next, as shown in FIG. 1 (e), the conductor circuit (8) is formed on the surface of the substrate manufactured through the steps (a) to (d).
このようにして半導体搭載用基板が完成された後に、そ
の半導体搭載用凹部（６）内に半導体素子が銀ペースト
などを介して実装される。After the semiconductor mounting substrate is completed in this way, semiconductor elements are mounted in the semiconductor mounting recess (6) via silver paste or the like.
ここで、基板（１）の裏面側に形成した一次溝（10）
は、後の工程で基板（１）の裏面側に金属板（４）を接
合する段階において用いられる接着材（５）が、基板
（１）の半導体搭載領域の内側へ流れ出すのを防止する
ための逃げの役割を持たせる意味があり、接着材（５）
が基板（１）の内側へ多量に流れだした場合にも、この
一次溝（10）内に溜める作用がある。すなわち、一次溝
（10）の外側周囲の部分のみに位置する接着層（５）
は、基板（１）と金属板（４）間の間隙であって半導体
搭載用凹部（６）に対応する領域に入る前に一次溝（1
0）内に流れ込むから、基板（１）の半導体搭載用凹部
（６）に対応する除去部分が金属板（４）に接着され
ず、この除去部分は容易に取り出せるようになるのであ
る。Here, the primary groove (10) formed on the back surface side of the substrate (1)
Is to prevent the adhesive material (5) used in the step of joining the metal plate (4) to the back surface side of the substrate (1) from flowing out to the inside of the semiconductor mounting area of the substrate (1) in a later step. There is a meaning to give the role of escape of the adhesive material (5)
Even if a large amount of gas flows into the inside of the substrate (1), it has a function of accumulating in the primary groove (10). That is, the adhesive layer (5) located only on the outer peripheral portion of the primary groove (10)
Is a gap between the substrate (1) and the metal plate (4) and is located in the primary groove (1) before entering a region corresponding to the semiconductor mounting recess (6).
Since it flows into 0), the removed portion of the substrate (1) corresponding to the semiconductor mounting recess (6) is not adhered to the metal plate (4), and the removed portion can be easily taken out.
第２図は、本発明による製造方法を、第１図に示した半
導体搭載用基板とはタイプの異なる半導体搭載用基板の
実施態様の製造方法を示す図であり、この場合は第１図
に示した半導体搭載用基板に比べ、基板全体を薄くした
タイプの半導体搭載用基板が製造される。第２図の
（ａ）に示すように、金属箔（２）が上下表面に貼着さ
れたプラスチック材料からなる半導体搭載用基板（１）
の半導体搭載領域の裏面に凹所（11）を形成する。FIG. 2 is a diagram showing a manufacturing method according to an embodiment of a semiconductor mounting substrate different in type from the semiconductor mounting substrate shown in FIG. 1 in the manufacturing method according to the present invention. A semiconductor mounting substrate of a type in which the entire substrate is thinner than the semiconductor mounting substrate shown is manufactured. As shown in FIG. 2 (a), a semiconductor mounting substrate (1) made of a plastic material having metal foils (2) attached to the upper and lower surfaces thereof.
A recess (11) is formed on the back surface of the semiconductor mounting area.
次に第２図の（ｂ）に示すように、凹所（11）内に基板
（１）の半導体搭載領域の内側周囲に、エンドミルなど
により連続した一次溝（10）を形成する（Ａ工程）。Next, as shown in FIG. 2B, a continuous primary groove (10) is formed in the recess (11) around the inside of the semiconductor mounting area of the substrate (1) by an end mill or the like (step A). ).
また、第２図の（ｃ）に示すように、凹所（11）内に、
前記（ｂ）の工程で形成した連続した一次溝（10）の外
側周囲のみに設けられた接着層（５）を介して、金属板
（４）を接合する（Ｂ工程）。そして、第２図の（ｄ）
に示すように、基板（１）の半導体搭載領域の周囲に、
基板（１）の表面から金属板（４）の内部まで到達する
連続した溝掘り加工を施すことにより、基板（１）の一
部分及び一次溝（10）を除去して半導体搭載用凹部
（６）を形成すると同時に、金属板（４）を切削して半
導体搭載用凹部（６）の底面全周にわたって当該半導体
搭載用凹部（６）の側面と連続する外周部を有する二次
溝（７）を形成する（Ｃ工程）。Further, as shown in FIG. 2 (c), in the recess (11),
The metal plate (4) is joined via the adhesive layer (5) provided only on the outer periphery of the continuous primary groove (10) formed in the step (b) (step B). And (d) of FIG.
As shown in, around the semiconductor mounting area of the substrate (1),
By performing a continuous grooving process that reaches the inside of the metal plate (4) from the surface of the substrate (1), a part of the substrate (1) and the primary groove (10) are removed to form a semiconductor mounting recess (6). Simultaneously with the formation, the metal plate (4) is cut to form a secondary groove (7) having an outer peripheral portion continuous with the side surface of the semiconductor mounting recess (6) over the entire bottom surface of the semiconductor mounting recess (6). Form (Step C).
その後にメッキ（８）、（９）を施し導体回路（８）を
形成する工程は第１図に示したものと同様であり、第２
図（ｅ）は第１図（ｄ）に、第２図（ｆ）は第１図
（ｅ）に相当する。Thereafter, the steps of plating (8) and (9) to form the conductor circuit (8) are the same as those shown in FIG.
Figure (e) corresponds to Figure 1 (d), and Figure 2 (f) corresponds to Figure 1 (e).
第１図および第２図に示した本発明による半導体搭載用
基板では、基板（１）の半導体搭載用凹部（６）の壁面
を形成する基材側面、接着層（５）側面および金属板
（４）表面にメッキ被膜（８）が一体形成され、かつ前
記基板裏面側の金属板表面およびその周辺領域にもメッ
キ被膜（９）が一体形成されてなる構造となっている
が、本発明による半導体搭載用基板の製造方法は、第１
図における（ａ）〜（ｅ）の工程もしくは第２図におけ
る（ａ）〜（ｆ）の工程順に限定されるものではなく、
前記工程の順序を入れ替えることにより、必要に応じて
第３図に示したような半導体搭載用基板の裏面側のメッ
キ被膜（９）のみが形成された構造もしくは、第４図に
示したような基板（１）の表裏面ともにメッキ被膜
（９）が形成されていない構造の半導体搭載用基板を製
造することが可能である 具体的には、第３図においてその（ａ）〜（ｂ）に示す
ように、基板（１）の裏面側に連続した一次溝（10）を
形成した（Ａ工程）後、金属板（４）を接合し（Ｂ工
程）、第３図の（ｃ）〜（ｄ）に示すように、基板
（１）の外表面にメッキ（８）、（９）を施した後導体
回路（８）を形成し、そののち第３図（ｅ）に示すよう
に、基板（１）の表面側から溝掘り加工を施して半導体
搭載用凹部（６）とその底面全周に連続した二次溝
（７）とを同時に形成する（Ｃ工程）といった工程順を
採ることにより、基板（１）の裏面側のみにメッキ被膜
（９）が形成された構造からなる半導体搭載用基板が製
造される。In the semiconductor mounting substrate according to the present invention shown in FIGS. 1 and 2, the side surface of the base material forming the wall surface of the semiconductor mounting recess (6) of the substrate (1), the side surface of the adhesive layer (5) and the metal plate ( 4) The structure is such that the plating film (8) is integrally formed on the surface, and the plating film (9) is also integrally formed on the surface of the metal plate on the rear surface side of the substrate and its peripheral region. The manufacturing method of the semiconductor mounting substrate is the first
The order is not limited to the steps (a) to (e) in the figure or the steps (a) to (f) in FIG.
By changing the order of the steps, a structure in which only the plating film (9) on the back surface side of the semiconductor mounting substrate as shown in FIG. 3 is formed as necessary, or as shown in FIG. It is possible to manufacture a semiconductor mounting substrate having a structure in which the plating film (9) is not formed on both the front and back surfaces of the substrate (1). Specifically, in FIG. As shown, after the continuous primary groove (10) is formed on the back surface side of the substrate (1) (step A), the metal plate (4) is joined (step B), and (c) to (c) of FIG. As shown in (d), the outer surface of the substrate (1) is plated (8) and (9) to form a conductor circuit (8), and then, as shown in FIG. A groove (6) is formed on the surface side of (1) to form a semiconductor mounting recess (6) and a secondary groove (7) continuous all around the bottom surface thereof. By taking the order of steps such formed simultaneously (C step), the semiconductor mounting board only on the back side plating film (9) is made from the formed structure of the substrate (1) it is produced.
また、第４図においてその（ａ）〜（ｂ）に示すよう
に、基板（１）の外表面にメッキ（８）、（９）を施し
た後導体回路（８）を形成し、そののち第４図（ｃ）〜
（ｅ）に示すように、基板（１）の裏面側に連続した一
次溝（10）を形成し（Ａ工程）、金属板（４）を接合し
た（Ｂ工程）後、基板（１）の表面側から溝掘り加工を
施して半導体搭載用凹部（６）とその底面全周に連続し
た二次溝（７）とを同時に形成する（Ｃ工程）といった
工程順を採ることにより、基板（１）の表裏面ともにメ
ッキ被膜が形成されていない構造の半導体搭載用基板が
製造される。このことは基板（１）の裏面側に凹所（1
1）が形成され、この凹所（11）内に金属板（４）が接
合された構造からなる半導体搭載用基板の製造方法にお
いても類似した工程順を採ることにより、本発明が目的
とする半導体搭載用基板が製造される。Further, as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), a conductor circuit (8) is formed after plating (8) and (9) on the outer surface of the substrate (1), and then, FIG. 4 (c)-
As shown in (e), a continuous primary groove (10) is formed on the back surface side of the substrate (1) (step A), and the metal plate (4) is joined (step B), and then the substrate (1) is removed. By grooving from the front surface side to simultaneously form the semiconductor mounting recess (6) and the continuous secondary groove (7) on the entire circumference of the bottom surface thereof (step C), the substrate (1 The semiconductor mounting substrate having a structure in which the plating film is not formed on both the front and back surfaces is manufactured. This means that the recess (1
The object of the present invention is to achieve the same steps in a method for manufacturing a semiconductor mounting substrate having a structure in which 1) is formed and a metal plate (4) is joined in the recess (11). A semiconductor mounting substrate is manufactured.
以下実施例に基づいてさらに説明する。Further description will be given below based on examples.
［実施例］ 実施例１ 第２図において、ガラス−変性トリアジン樹脂からなる
基板（１）の上下表面には銅箔（２）が貼着されてお
り、この基板（１）の裏面にエンドミルを用いて切削加
工を施し凹所（11）を形成した。さらに、この凹所（1
1）内にエンドミルにより連続した一次溝（10）を形成
した。そののち、連続した一次溝（10）の外側周囲部分
に変性トリアジン樹脂からなる接着材（５）をディスペ
ンサーにより塗布し、リン青銅板（４）を接合した。さ
らに、基板（１）の表面からエンドミルを用いて溝掘り
加工を施し、半導体搭載用凹部（６）と、この凹部
（６）の底面全周にわたって連続した二次溝（７）とを
同時に形成した。Example 1 In FIG. 2, a copper foil (2) is attached to the upper and lower surfaces of a substrate (1) made of a glass-modified triazine resin, and an end mill is attached to the back surface of this substrate (1). It was used for cutting to form a recess (11). In addition, this recess (1
A continuous primary groove (10) was formed in 1) by an end mill. After that, an adhesive material (5) made of a modified triazine resin was applied to the outer peripheral portion of the continuous primary groove (10) with a dispenser, and a phosphor bronze plate (4) was joined. Further, a groove is machined from the surface of the substrate (1) using an end mill to simultaneously form a semiconductor mounting recess (6) and a secondary groove (7) continuous over the entire circumference of the bottom surface of the recess (6). did.
そののち、基板（１）と接着層（５）および金属板
（４）の露出部全面に銅メッキを施した。そうして製作
された基板（１）の表面に感光性樹脂フイルムを貼付し
所望の回路パターン以外の部分に前記感光性樹脂フイル
ムを残すように露光現像し、所望の回路パターン上のみ
にさらに銅メッキおよびはんだメッキを施し、このはん
だメッキをエッチングレジストとしてエッチングを行な
ったのち、前記はんだメッキを剥離し、銅メッキからな
る導体回路（８）およびメッキ被膜（８）、（９）を形
成した。さらにそののち、導体回路（８）およびメッキ
被膜（８）、（９）の表面にニッケルメッキ、金メッキ
を施すことにより本発明の半導体搭載用基板を製作し
た。なお、このように製作した半導体搭載用基板の金属
板（４）の接合工程における収率は100％であった。After that, copper plating was applied to the entire exposed portions of the substrate (1), the adhesive layer (5) and the metal plate (4). A photosensitive resin film is attached to the surface of the substrate (1) thus manufactured, and exposed and developed so that the photosensitive resin film is left on a portion other than the desired circuit pattern, and copper is further formed only on the desired circuit pattern. After performing plating and solder plating and etching using this solder plating as an etching resist, the solder plating was peeled off to form a conductor circuit (8) and plating films (8) and (9) made of copper plating. After that, the surface of the conductor circuit (8) and the plated coatings (8) and (9) is nickel-plated and gold-plated to manufacture the semiconductor mounting substrate of the present invention. The yield in the bonding step of the metal plate (4) of the semiconductor mounting substrate thus manufactured was 100%.
実施例２ 第３図において、ガラス−エポキシ樹脂からなる基板
（１）の上下表面には銅箔（２）が貼着されており、こ
の基板（１）の裏面側にエンドミルを用いて切削加工を
施し連続した一次溝（10）を形成した。そののち、この
一次溝（10）の外側周囲部分にあらかじめ中抜きした形
状のエポキシ樹脂からなる接着シート（５）を載置し、
前記接着シート（５）を介してコバール板（４）を接合
した。Example 2 In FIG. 3, a copper foil (2) is adhered to the upper and lower surfaces of a substrate (1) made of glass-epoxy resin, and the back side of this substrate (1) is cut using an end mill. To form continuous primary grooves (10). After that, an adhesive sheet (5) made of an epoxy resin having a hollow shape is placed on the outer peripheral portion of the primary groove (10),
The Kovar plate (4) was joined via the adhesive sheet (5).
そののち基板（１）の外表面に施すメッキ被膜（８）、
（９）および導体回路（８）の形成に関しては実施例１
と同様である。After that, a plating film (8) applied to the outer surface of the substrate (1),
Example 1 for the formation of (9) and the conductor circuit (8)
Is the same as.
そうして製作された基板（１）の表面からエンドミルを
用いて溝掘り加工を施すことにより、半導体搭載用凹部
（６）とこの凹部（６）の底面全周にわたって連続した
二次溝（７）とを同時に形成し、基板（１）の裏面側の
みにメッキ被膜（９）が形成された本発明による半導体
搭載用基板を製造した。By grooving the surface of the substrate (1) thus manufactured using an end mill, a semiconductor mounting recess (6) and a secondary groove (7) continuous over the entire circumference of the bottom surface of the recess (6) are formed. And (3) are simultaneously formed, and a semiconductor mounting substrate according to the present invention is manufactured in which the plating film (9) is formed only on the back surface side of the substrate (1).
実施例３ 第４図において、ガラス−ポリイミド樹脂からなる基板
（１）の上下表面には銅箔（２）が貼着されており、実
施例１と同様の工程により導体回路（８）を形成した。
そののち、この基板（１）の裏面側にエンドミルを用い
て連続した一次溝（10）を形成し、この一次溝（10）の
外側周囲部分に予め中抜きしたガラス−ポリイミド樹脂
からなる接着シート（５）を載置し、予め表面にニッケ
ルメッキおよび金メッキが施されたりん青銅板（４）を
接合した。そうして製作された基板（１）の表面からエ
ンドミルを用いて溝掘り加工を施すことにより、半導体
搭載用凹部（６）とこの凹部（６）の底面全周にわたっ
て連続した二次溝（７）とを同時に形成し、本発明によ
る半導体搭載用基板を製造した。Example 3 In FIG. 4, a copper foil (2) is attached to the upper and lower surfaces of a substrate (1) made of glass-polyimide resin, and a conductor circuit (8) is formed by the same steps as in Example 1. did.
After that, a continuous primary groove (10) is formed on the back surface side of the substrate (1) by using an end mill, and an adhesive sheet made of glass-polyimide resin is hollowed out in advance around the outer periphery of the primary groove (10). (5) was placed, and a phosphor bronze plate (4), the surface of which was previously plated with nickel and gold, was joined. By grooving the surface of the substrate (1) thus manufactured using an end mill, a semiconductor mounting recess (6) and a secondary groove (7) continuous over the entire circumference of the bottom surface of the recess (6) are formed. ) And are simultaneously formed to manufacture a semiconductor mounting substrate according to the present invention.
第７図は本発明による半導体搭載用基板の製造方法によ
って製造された基板を用いて製作されたピングリッドア
レイの一実施例を示す基板の斜視図であり、また第８図
は第７図に示す基板をＡ−Ａ線に沿って切った縦断面図
である。このピングリッドアレイは、本発明による製造
方法により製作された半導体搭載用基板（１）の半導体
搭載用凹部（６）に半導体素子（17）が搭載されたのち
ワイヤーボンディングされ、さらに周囲をエポキシ樹脂
（19）で封止されており、金属板（４）と反対面側には
封止樹脂用枠板（13）が接着層（14）を介して接合され
るとともに、外部接続用の導体ピン（15）が前記封止樹
脂用枠板（13）を貫通した形で導体回路（８）と電気的
に接続したスルーホール（12）に固定されている。FIG. 7 is a perspective view of a substrate showing an embodiment of a pin grid array manufactured using the substrate manufactured by the method for manufacturing a semiconductor mounting substrate according to the present invention, and FIG. 8 is shown in FIG. It is the longitudinal cross-sectional view which cut | disconnected the shown board | substrate along the AA line. This pin grid array is mounted by wire bonding after mounting the semiconductor element (17) in the semiconductor mounting recess (6) of the semiconductor mounting substrate (1) manufactured by the manufacturing method according to the present invention, and further by surrounding the periphery with epoxy resin. It is sealed with (19), the frame plate for sealing resin (13) is joined to the side opposite to the metal plate (4) through an adhesive layer (14), and a conductor pin for external connection is used. (15) is fixed to the through hole (12) electrically connected to the conductor circuit (8) so as to penetrate the frame plate for sealing resin (13).
［発明の効果］ 以上のように、プラスチック材料からなる半導体搭載用
基板の裏面側に金属板が設けられると共に、半導体搭載
用凹部の底面全周にわたって連続した二次溝が形成され
た構造からなる半導体搭載用基板の製造方法において、
前記基板の裏面側であって基板の半導体搭載領域の内側
周囲に連続した一次溝を形成し、この一次溝の外側周囲
のみに設けられた接着層を介して金属板を接合する工程
を採ることにより、前記接着層の接着材の余剰部分が一
次溝内に流れ込むことにより、前記基板の半導体搭載部
へ流れ込むことを効果的に防止できるので、後の基板表
面から施す溝掘り加工ののち前記基板の一部分を除去す
る際の収率が向上する。また、半導体搭載用凹部底面で
の前記接着材の付着が防止され、前記半導体搭載用凹部
底面の平滑性を保つことに効果がある。[Advantages of the Invention] As described above, the semiconductor mounting substrate made of a plastic material is provided with the metal plate on the back side, and the secondary groove is formed continuously over the entire bottom surface of the semiconductor mounting recess. In the method of manufacturing a semiconductor mounting substrate,
A step of forming a continuous primary groove on the back side of the substrate inside the semiconductor mounting area of the substrate and joining the metal plates through an adhesive layer provided only on the outside of the primary groove is adopted. By this, it is possible to effectively prevent the excess portion of the adhesive material of the adhesive layer from flowing into the semiconductor mounting portion of the substrate by flowing into the primary groove, so that the substrate after the grooving process performed from the subsequent substrate surface is performed. The yield in removing a part of the is improved. Further, the adhesion of the adhesive on the bottom surface of the semiconductor mounting recess is prevented, which is effective in maintaining the smoothness of the bottom surface of the semiconductor mounting recess.
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明に係る工程を含む半導体
搭載用基板の製造方法を工程順に示す基板の縦断面図で
あり、第２図の（ａ）〜（ｆ）、第３図の（ａ）〜
（ｅ）、第４図の（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ本発明に
よる半導体搭載用基板の製造方法を含む他の実施例を工
程順に示す図である。 第５図の（ａ）〜（ｄ）及び、第６図の（ａ）〜（ｅ）
のそれぞれは従来技術による半導体搭載用基板の製造方
法を示す図である。 また、第７図は本発明の半導体搭載用基板の製造方法に
より、製作された基板を用いて製造されたピングリッド
アレイの一例を示す斜視図であり、第８図は第７図に示
す基板をＡ−Ａ線に沿って切った縦断面図である。 符号の説明 １…基板、２…銅箔、３…開口部、４…金属板、５…接
着層、６…半導体搭載用凹部、７…二次溝、８…導体回
路、９…メッキ被膜、10…一次溝、11…凹所、12…スル
ーホール、13…封止樹脂用枠板、14…接着層、15…導体
ピン、16…導体ピンの鍔、17…半導体素子、18…ボンデ
ィングワイヤー、19…封止樹脂。1 (a) to 1 (e) are vertical cross-sectional views of the substrate showing a method of manufacturing a semiconductor mounting substrate including the steps according to the present invention in the order of steps, and FIGS. 2 (a) to 2 (f), 3 (a)-
(E) and (a) to (e) of FIG. 4 are views showing another embodiment in the order of steps including the method for manufacturing a semiconductor mounting substrate according to the present invention. (A) to (d) of FIG. 5 and (a) to (e) of FIG.
Each of the drawings is a diagram showing a method for manufacturing a semiconductor mounting substrate according to a conventional technique. FIG. 7 is a perspective view showing an example of a pin grid array manufactured by using the substrate manufactured by the semiconductor mounting substrate manufacturing method of the present invention, and FIG. 8 is the substrate shown in FIG. It is a longitudinal cross-sectional view taken along line AA. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... Copper foil, 3 ... Opening, 4 ... Metal plate, 5 ... Adhesive layer, 6 ... Semiconductor mounting recess, 7 ... Secondary groove, 8 ... Conductor circuit, 9 ... Plating film, 10 ... Primary groove, 11 ... Recess, 12 ... Through hole, 13 ... Sealing resin frame plate, 14 ... Adhesive layer, 15 ... Conductor pin, 16 ... Conductor pin collar, 17 ... Semiconductor element, 18 ... Bonding wire , 19 ... Sealing resin.
Claims (1)
徴とする半導体搭載用基板の製造方法。 （Ａ）プラスチック材料からなる半導体搭載用基板の裏
面側であって前記基板の半導体搭載領域の内側周囲に、
連続した一次溝を形成する工程； （Ｂ）前記基板の裏面側に、前記一次溝の外側周囲のみ
に設けられた接着層を介して金属板を接合する工程； （Ｃ）前記基板の半導体搭載領域の周囲に前記基板の表
面から前記金属板の内部まで到達する連続した溝掘り加
工を施すことにより、前記基板の一部分及び前記一次溝
を除去して半導体搭載用凹部を形成すると同時に、前記
金属板を切削して前記半導体搭載用凹部の底面全周にわ
たって当該半導体搭載用凹部の側面と連続する外周部を
有する二次溝を形成する工程。1. A method for manufacturing a semiconductor mounting substrate, comprising the following steps (A) to (C). (A) On the back surface side of a semiconductor mounting substrate made of a plastic material, around the inside of the semiconductor mounting region of the substrate,
A step of forming a continuous primary groove; (B) a step of joining a metal plate to the back surface side of the substrate through an adhesive layer provided only on the outer periphery of the primary groove; (C) a semiconductor mounting of the substrate By performing continuous grooving around the area to reach the inside of the metal plate from the surface of the substrate, a part of the substrate and the primary groove are removed to form a semiconductor mounting recess, and at the same time, the metal is formed. A step of cutting the plate to form a secondary groove having an outer peripheral portion continuous with the side surface of the semiconductor mounting recess over the entire circumference of the bottom surface of the semiconductor mounting recess.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20472886A JPH0746710B2 (en) | 1986-08-30 | 1986-08-30 | Semiconductor mounting board manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20472886A JPH0746710B2 (en) | 1986-08-30 | 1986-08-30 | Semiconductor mounting board manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6360548A JPS6360548A (en) | 1988-03-16 |
| JPH0746710B2 true JPH0746710B2 (en) | 1995-05-17 |
Family
ID=16495328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20472886A Expired - Lifetime JPH0746710B2 (en) | 1986-08-30 | 1986-08-30 | Semiconductor mounting board manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746710B2 (en) |
-
1986
- 1986-08-30 JP JP20472886A patent/JPH0746710B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6360548A (en) | 1988-03-16 |
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