JPH0748486B2 - 減圧下でのレジスト灰化処理方法および装置 - Google Patents
減圧下でのレジスト灰化処理方法および装置Info
- Publication number
- JPH0748486B2 JPH0748486B2 JP62045233A JP4523387A JPH0748486B2 JP H0748486 B2 JPH0748486 B2 JP H0748486B2 JP 62045233 A JP62045233 A JP 62045233A JP 4523387 A JP4523387 A JP 4523387A JP H0748486 B2 JPH0748486 B2 JP H0748486B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- processing
- sample
- processing chamber
- temperature
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は減圧下での表面処理方法および装置に係り、特
に試料を温度制御して処理するものに好適な減圧下での
レジスト灰化処理方法および装置に関するものである。
に試料を温度制御して処理するものに好適な減圧下での
レジスト灰化処理方法および装置に関するものである。
従来、試料の処理速度を向上させるための方法として、
試料の温度を上げて処理するやり方があり、この試料を
加温するやり方として、特公昭54−41552号，特公昭57
−19567号等のように、プラズマを加温して試料温度を
上げたり、マイクロ波で試料台を加温して試料を昇温し
たりするものがあった。
試料の温度を上げて処理するやり方があり、この試料を
加温するやり方として、特公昭54−41552号，特公昭57
−19567号等のように、プラズマを加温して試料温度を
上げたり、マイクロ波で試料台を加温して試料を昇温し
たりするものがあった。
上記従来技術は昇温速度の点について配慮されておら
ず、前者は加温したプラズマにより試料を昇温するよう
になっているが、処理室内が低圧域になるに従い熱の伝
導が悪くなり、試料の昇温速度が遅くなるという問題が
あった。また、後者はマイクロ波によって試料台を加温
して試料を昇温するようにしているが、試料の昇温速度
の点については論じられていない。このように、前者お
よび後者は試料の昇温速度について配慮されておらず、
また、試料の昇温と処理とが同時に行われており、昇温
の初期においては処理速度か遅く、総合的に処理速度が
遅くなるという問題があった。
ず、前者は加温したプラズマにより試料を昇温するよう
になっているが、処理室内が低圧域になるに従い熱の伝
導が悪くなり、試料の昇温速度が遅くなるという問題が
あった。また、後者はマイクロ波によって試料台を加温
して試料を昇温するようにしているが、試料の昇温速度
の点については論じられていない。このように、前者お
よび後者は試料の昇温速度について配慮されておらず、
また、試料の昇温と処理とが同時に行われており、昇温
の初期においては処理速度か遅く、総合的に処理速度が
遅くなるという問題があった。
また、後者は試料台を加温するために高電力のマイクロ
板を印加する必要があり、この高電力のマイクロ波によ
って発生するプラズマが試料にダメージを与えるという
問題があった。
板を印加する必要があり、この高電力のマイクロ波によ
って発生するプラズマが試料にダメージを与えるという
問題があった。
本発明の目的は、試料の総合的な処理時間を短縮するこ
とのできる減圧下でのレジスト灰化処理方法および装置
を提供することにある。
とのできる減圧下でのレジスト灰化処理方法および装置
を提供することにある。
上記目的は、処理圧力よりも低い圧力に真空排気された
後記処理室に試料を搬入する手段と、該搬入された試料
を前記処理室内部の加熱された支持台に載置し、試料の
処理前に該処理室内を昇圧する加圧手段と、該昇圧によ
り前記処理室内に載置された前記試料を所定の温度に昇
温する温度制御手段と、該昇温により前記試料が所定温
度に到達後、前記処理室内の圧力を排気し所定の処理圧
力に減圧する圧力制御手段と、前記試料を前記減圧され
た所定の処理圧力下でレジストの灰化処理を行う処理室
とを具備した装置により、処理圧力よりも低い圧力に真
空排気された処理室に試料を搬入し、試料を加熱された
支持台へ載置する工程と、前記試料の処理前に処理ガス
を処理室内に導入し、該処理室内を昇圧する工程と、該
昇圧された前記処理室内で前記試料の温度を昇温する工
程と、前記試料が所定温度に到達後前記処理室内を所定
の処理圧力に減圧して、該減圧下でレジストの灰化処理
を行うことにより達成される。
後記処理室に試料を搬入する手段と、該搬入された試料
を前記処理室内部の加熱された支持台に載置し、試料の
処理前に該処理室内を昇圧する加圧手段と、該昇圧によ
り前記処理室内に載置された前記試料を所定の温度に昇
温する温度制御手段と、該昇温により前記試料が所定温
度に到達後、前記処理室内の圧力を排気し所定の処理圧
力に減圧する圧力制御手段と、前記試料を前記減圧され
た所定の処理圧力下でレジストの灰化処理を行う処理室
とを具備した装置により、処理圧力よりも低い圧力に真
空排気された処理室に試料を搬入し、試料を加熱された
支持台へ載置する工程と、前記試料の処理前に処理ガス
を処理室内に導入し、該処理室内を昇圧する工程と、該
昇圧された前記処理室内で前記試料の温度を昇温する工
程と、前記試料が所定温度に到達後前記処理室内を所定
の処理圧力に減圧して、該減圧下でレジストの灰化処理
を行うことにより達成される。
加圧手段によって試料を処理する前に処理室内を昇圧
し、温度制御手段によって処理室内の試料の温度を制御
する。これにより、処理室内のガスを媒体として温度制
御手段の熱が試料に伝わり易く、速く試料の温度が所定
温度に達する。試料の温度が所定温度に達した後は、圧
力制御手段によって所定の圧力まで減圧して処理を行
う。これによって、試料は所定速度になっているので処
理速度が速く、所定の処理を速く終わることができ、試
料の総合的な処理時間を短縮できる。
し、温度制御手段によって処理室内の試料の温度を制御
する。これにより、処理室内のガスを媒体として温度制
御手段の熱が試料に伝わり易く、速く試料の温度が所定
温度に達する。試料の温度が所定温度に達した後は、圧
力制御手段によって所定の圧力まで減圧して処理を行
う。これによって、試料は所定速度になっているので処
理速度が速く、所定の処理を速く終わることができ、試
料の総合的な処理時間を短縮できる。
以下、本発明の一実施例を第１図〜第５図により説明す
る。
る。
第１図は減圧下での表面処理装置として、この場合、O2
ガスによるレジストの灰化装置を示す。
ガスによるレジストの灰化装置を示す。
処理室１の上部の開口部に金網５を設け、金網５の上部
に石英製の放電管２を設置し、放電部６を形成する。放
電管２の外側で処理室１の上部にAl製の導波管３を設
け、導波管３の端部にマグネトロン４を設置する。処理
室１の下部を貫通してホットプレート７が処理室１内に
設置され、試料であるウェハ18がホットプレート７に載
置される。この場合、ホットプレート７が温度制御手段
であり、ホットプレート７内にヒータを有し、図示しな
い制御装置によって温度コントロールされる。ホットプ
レート７の中央にはウェハ上下装置８が設置される。
に石英製の放電管２を設置し、放電部６を形成する。放
電管２の外側で処理室１の上部にAl製の導波管３を設
け、導波管３の端部にマグネトロン４を設置する。処理
室１の下部を貫通してホットプレート７が処理室１内に
設置され、試料であるウェハ18がホットプレート７に載
置される。この場合、ホットプレート７が温度制御手段
であり、ホットプレート７内にヒータを有し、図示しな
い制御装置によって温度コントロールされる。ホットプ
レート７の中央にはウェハ上下装置８が設置される。
また、処理室１の側壁に設けられたゲートバルブ９を介
して予備室10が取付けられ、予備室10内には搬送装置11
が設けられる。放電部６には、マスフローコントローラ
13を介して、処理ガスであるO2ガスの供給源12がつなが
れ、処理室１の下部より、コントロールバルブ16を介し
て、真空ポンプ17までの真空排気系が設けられている。
処理室１には真空計15が取付けられている。この場合、
圧力制御手段は真空ポンプ17,コントロールバルブ16,真
空計15および、真空計15からの信号を入力しコントロー
ルバルブ16を制御する制御装置（図示省略）から成る。
して予備室10が取付けられ、予備室10内には搬送装置11
が設けられる。放電部６には、マスフローコントローラ
13を介して、処理ガスであるO2ガスの供給源12がつなが
れ、処理室１の下部より、コントロールバルブ16を介し
て、真空ポンプ17までの真空排気系が設けられている。
処理室１には真空計15が取付けられている。この場合、
圧力制御手段は真空ポンプ17,コントロールバルブ16,真
空計15および、真空計15からの信号を入力しコントロー
ルバルブ16を制御する制御装置（図示省略）から成る。
動作としては以下のようになる。処理室１内は、コント
ロールバルブ16を全開状態にされ、真空ポンプ17により
処理圧力よりも相当低い圧力（例えば0.1Torr以下）に
真空排気され、また、予備室10も図示しない真空ポンプ
により同様に真空排気された状態で、ゲートバルブ９が
開かれ、ウェハ18が搬送装置11とウェハ上下装置８とに
より１枚毎搬出入される。処理室１内に搬入されたウェ
ハ18は、200〜300℃に加熱されたホットプレート７に載
置される。
ロールバルブ16を全開状態にされ、真空ポンプ17により
処理圧力よりも相当低い圧力（例えば0.1Torr以下）に
真空排気され、また、予備室10も図示しない真空ポンプ
により同様に真空排気された状態で、ゲートバルブ９が
開かれ、ウェハ18が搬送装置11とウェハ上下装置８とに
より１枚毎搬出入される。処理室１内に搬入されたウェ
ハ18は、200〜300℃に加熱されたホットプレート７に載
置される。
その後ゲートバルブ９が閉じられ、マスフローコントロ
ーラ13により最大流量（例えば1Nl/min）に制御されたO
2ガスが導入されると共にコントロールバルブ16は全閉
にされる。真空計15で測定される圧力は、処理室１およ
び放電部６の容積空間（例えば本発明の場合約7l）がマ
スフローコントローラ13の流量による圧力上昇率（例え
ば、約1.8Torr/sec）で昇圧し所定の圧力（約６秒で10T
orr）になる。このように、この場合の加圧手段はO2ガ
スの供給源12,マスフローコントローラ13,コントロール
バルブ16および、マスフローコントローラ13とコントロ
ールバルブ16を制御する制御装置（図示省略）から成
る。
ーラ13により最大流量（例えば1Nl/min）に制御されたO
2ガスが導入されると共にコントロールバルブ16は全閉
にされる。真空計15で測定される圧力は、処理室１およ
び放電部６の容積空間（例えば本発明の場合約7l）がマ
スフローコントローラ13の流量による圧力上昇率（例え
ば、約1.8Torr/sec）で昇圧し所定の圧力（約６秒で10T
orr）になる。このように、この場合の加圧手段はO2ガ
スの供給源12,マスフローコントローラ13,コントロール
バルブ16および、マスフローコントローラ13とコントロ
ールバルブ16を制御する制御装置（図示省略）から成
る。
処理室１内の圧力が所定圧力付近になれば、マスフロー
コントローラ13の流量をほぼ零とし、昇圧した所定圧力
を２秒程度保持する。次にコントロールバルブ16を全開
にし、急速排気し、真空計15の出力が処理圧力（例えば
1Torr）付近になれば、O2ガス12を所定の流量にマスフ
ローコントローラ13で制御（例えば0.6Nl/min）すると
共に、コントロールバルブ16も所定の開度に設定し処理
圧力状態とする。
コントローラ13の流量をほぼ零とし、昇圧した所定圧力
を２秒程度保持する。次にコントロールバルブ16を全開
にし、急速排気し、真空計15の出力が処理圧力（例えば
1Torr）付近になれば、O2ガス12を所定の流量にマスフ
ローコントローラ13で制御（例えば0.6Nl/min）すると
共に、コントロールバルブ16も所定の開度に設定し処理
圧力状態とする。
その後マグネトロン４により、マイクロ波を発振し、導
波管３を介して放電管２内にマイクロ波電力を供給する
とともに、処理室１に接地された金網５でマイクロ波を
反射させ、放電管２内と金網５で囲まれた放電部６でプ
ラズマを発生させる。放電部６とウェハ18を離すことに
より、ウェハ18には化学的に活性なフリーラジカルが主
体に供給され、これにより、ダメージの少ないレジスト
の灰化処理が行われる。処理が終了すれば、処理室１お
よび予備室10を前記した圧力状態にし、ゲートバルブ９
を開きウェハ18を搬出する。以下、各ウェハ毎に上記処
理が繰り返えされる。
波管３を介して放電管２内にマイクロ波電力を供給する
とともに、処理室１に接地された金網５でマイクロ波を
反射させ、放電管２内と金網５で囲まれた放電部６でプ
ラズマを発生させる。放電部６とウェハ18を離すことに
より、ウェハ18には化学的に活性なフリーラジカルが主
体に供給され、これにより、ダメージの少ないレジスト
の灰化処理が行われる。処理が終了すれば、処理室１お
よび予備室10を前記した圧力状態にし、ゲートバルブ９
を開きウェハ18を搬出する。以下、各ウェハ毎に上記処
理が繰り返えされる。
次に、O2ガス圧力に対するウェハ載置部の加熱されたホ
ットプレート７とウェハ18間の熱移動率（単位面積，単
位温度当りの熱伝達量:W/cm2・deg）を第２図に示す。
第２図の曲線の間のハッチングの範囲は、ウェハ18のば
らつきによりホットプレート７との間の隙間が変わり値
がばらついたものである。このように、熱移動率は1Tor
r前後の処理圧力域では、10Torr以上の圧力域に比べて
相当低い。これはウェハ18とホットプレート７間の機械
的接触が点でしかなく固体間の熱伝導が、その間のガス
体による熱伝導よりも僅少で、ガス体による熱伝導によ
る影響が大きいためであり、ガス体の熱伝導は圧力によ
り影響を受け、処理圧力が熱伝導の小さい圧力領域にあ
るためである。
ットプレート７とウェハ18間の熱移動率（単位面積，単
位温度当りの熱伝達量:W/cm2・deg）を第２図に示す。
第２図の曲線の間のハッチングの範囲は、ウェハ18のば
らつきによりホットプレート７との間の隙間が変わり値
がばらついたものである。このように、熱移動率は1Tor
r前後の処理圧力域では、10Torr以上の圧力域に比べて
相当低い。これはウェハ18とホットプレート７間の機械
的接触が点でしかなく固体間の熱伝導が、その間のガス
体による熱伝導よりも僅少で、ガス体による熱伝導によ
る影響が大きいためであり、ガス体の熱伝導は圧力によ
り影響を受け、処理圧力が熱伝導の小さい圧力領域にあ
るためである。
このため、熱移動率に反比例するウェハの加熱の時定数
が1Torr前後の処理圧力では大きくなるので、従来のよ
うに処理圧力のままで昇圧する方法では、第５図に示す
ようにゆるやかなウェハの温度上昇曲線となる。これに
対し本発明のように、処理室１内を昇圧しあらかじめウ
ェハを加熱して処理する方法にすれば、第４図のように
急速にウェハ温度が上昇する温度曲線となり、速く処理
温度に達して、処理速度が速くなる。
が1Torr前後の処理圧力では大きくなるので、従来のよ
うに処理圧力のままで昇圧する方法では、第５図に示す
ようにゆるやかなウェハの温度上昇曲線となる。これに
対し本発明のように、処理室１内を昇圧しあらかじめウ
ェハを加熱して処理する方法にすれば、第４図のように
急速にウェハ温度が上昇する温度曲線となり、速く処理
温度に達して、処理速度が速くなる。
これは、本実施例のようにフリーラジカルが主体の反応
処理の場合、第３図のようにウェハの温度が上昇するに
つれてレジストの灰化処理速度が増加する。一般にアレ
ーニウスの経験式で知られるように化学反応の速度が反
応温度の増加と共に増大（速度＝定数×E/RT（一活性化
エネルギ／気体定数×絶対温度））。
処理の場合、第３図のようにウェハの温度が上昇するに
つれてレジストの灰化処理速度が増加する。一般にアレ
ーニウスの経験式で知られるように化学反応の速度が反
応温度の増加と共に増大（速度＝定数×E/RT（一活性化
エネルギ／気体定数×絶対温度））。
以上、本一実施例によれば、ウェハ18の処理前に処理室
１内の圧力を上げることにより、ウェハ18を急速に昇温
でき、その後処理室１内の圧力を処理圧力に戻し処理を
行うようにしているので、ウェハ18の処理速度が向上
し、総合的な処理時間を短縮することができる。
１内の圧力を上げることにより、ウェハ18を急速に昇温
でき、その後処理室１内の圧力を処理圧力に戻し処理を
行うようにしているので、ウェハ18の処理速度が向上
し、総合的な処理時間を短縮することができる。
なお、本一実施例ではウェハの温度が所定温度に達する
時点を、昇圧した圧力状態の保持時間で管理するように
しているが、ウェハの温度を赤外線温度計等によって検
出しても良い。ウェハ温度を直接検出すれば、ウェハ裏
面とホットプレート上面との間の隙間のばらつき等によ
るウェハ昇温のばらつきを管理できる。
時点を、昇圧した圧力状態の保持時間で管理するように
しているが、ウェハの温度を赤外線温度計等によって検
出しても良い。ウェハ温度を直接検出すれば、ウェハ裏
面とホットプレート上面との間の隙間のばらつき等によ
るウェハ昇温のばらつきを管理できる。
また、加圧手段として、処理室１とマスフローコントロ
ーラ13との間にバルブおよびバッファタンクを設け、バ
ッファタンクに処理室１と放電部６とを所定圧力に昇圧
可能なガス量を溜めておき、バルブを開いて一挙に昇圧
するようにしても良い。このようにすれば、昇圧時間が
さらに短縮される。
ーラ13との間にバルブおよびバッファタンクを設け、バ
ッファタンクに処理室１と放電部６とを所定圧力に昇圧
可能なガス量を溜めておき、バルブを開いて一挙に昇圧
するようにしても良い。このようにすれば、昇圧時間が
さらに短縮される。
また、本一実施例は処理室内を昇圧後、所定の処理圧力
に戻しているが、昇圧範囲内でウェハの処理が可能であ
れば、昇圧したまま処理を行っても良い。この場合は、
処理室内の圧力を処理圧力に戻す時間がなくなり、さら
に時間を短縮できる。
に戻しているが、昇圧範囲内でウェハの処理が可能であ
れば、昇圧したまま処理を行っても良い。この場合は、
処理室内の圧力を処理圧力に戻す時間がなくなり、さら
に時間を短縮できる。
また、処理室内を昇圧しウェハを昇温した後、ウェハ上
下装置によってウェハを上昇させて、レジストの灰化処
理を行えば、ウェハ裏面もクリーニングできる。
下装置によってウェハを上昇させて、レジストの灰化処
理を行えば、ウェハ裏面もクリーニングできる。
また、本一実施例はレジストの灰化装置を例に述べた
が、CVD装置やエッチング装置等にも適用できることは
言うまでもない。また、本一実施例は、処理室内を昇圧
しウェハ温度を昇温させるようになっているが、ウェハ
温度を下げる場合にも適用できる。ウェハ温度を下げる
場合、すなわち、ウェハの処理前に所定温度まで温度降
下させる場合や、ウェハの処理後に加熱されたウェハを
冷却する場合等がある。
が、CVD装置やエッチング装置等にも適用できることは
言うまでもない。また、本一実施例は、処理室内を昇圧
しウェハ温度を昇温させるようになっているが、ウェハ
温度を下げる場合にも適用できる。ウェハ温度を下げる
場合、すなわち、ウェハの処理前に所定温度まで温度降
下させる場合や、ウェハの処理後に加熱されたウェハを
冷却する場合等がある。
さらに、本一実施例はマイクロ波を使ってプラズマを発
生させる装置について述べたが、減圧下で処理を行うよ
うな処理室を有するもの、例えば平行平板型電極構造の
装置等であっても良い。
生させる装置について述べたが、減圧下で処理を行うよ
うな処理室を有するもの、例えば平行平板型電極構造の
装置等であっても良い。
本発明によれば、減圧下でレジスト灰化処理される試料
の総合的な処理時間を短縮することができるという効果
ある。
の総合的な処理時間を短縮することができるという効果
ある。
第１図は本発明の一実施例である減圧下での表面処理装
置を示す構成図、第２図は処理室内の圧力に対するホッ
トプレートに載置したウェハへの熱移動率を示す図、第
３図はウェハ温度に対するレジストの灰化速度を示す
図、第４図は本発明の処理方法による処理圧力，ウェハ
温度および処理量の時間変化を示す図、第５図は従来の
処理方法による処理圧力，ウェハ温度および処理量の時
間変化を示す図である。 １……処理室、７……ホットプレート、12……O2ガスの
供給源、13……マスフローコントローラ、15……真空
計、16……コントロールバルブ、17……真空ポンプ、18
……ウェハ
置を示す構成図、第２図は処理室内の圧力に対するホッ
トプレートに載置したウェハへの熱移動率を示す図、第
３図はウェハ温度に対するレジストの灰化速度を示す
図、第４図は本発明の処理方法による処理圧力，ウェハ
温度および処理量の時間変化を示す図、第５図は従来の
処理方法による処理圧力，ウェハ温度および処理量の時
間変化を示す図である。 １……処理室、７……ホットプレート、12……O2ガスの
供給源、13……マスフローコントローラ、15……真空
計、16……コントロールバルブ、17……真空ポンプ、18
……ウェハ
Claims (2)
- 【請求項１】処理圧力よりも低い圧力に真空排気された
処理室に試料を搬入し、試料を加熱された支持台へ載置
する工程と、前記試料の処理前に処理ガスを処理室内に
導入し、該処理室内を昇圧する工程と、 該昇圧された前記処理室内で前記試料の温度を昇温する
工程と、 前記試料が所定温度に到達後前記処理室内を所定の処理
圧力に減圧し、該減圧下でレジストの灰化処理を行う工
程とを有することを特徴とする減圧下でのレジスト灰化
処理方法。 - 【請求項２】処理圧力よりも低い圧力に真空排気された
後記処理室に試料を搬入する手段と、該搬入された試料
を前記処理室内部の加熱された支持台に載置し、試料の
処理前に該処理室内を昇圧する加圧手段と、該昇圧によ
り前記処理室内に載置された前記試料を所定の温度に昇
温する温度制御手段と、該昇温により前記試料が所定温
度に到達後、前記処理室内の圧力を排気し所定の処理圧
力に減圧する圧力制御手段と、前記試料を前記減圧され
た所定の処理圧力下でレジストの灰化処理を行う処理室
とを具備したことを特徴とする減圧下でのレジスト灰化
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62045233A JPH0748486B2 (ja) | 1987-03-02 | 1987-03-02 | 減圧下でのレジスト灰化処理方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62045233A JPH0748486B2 (ja) | 1987-03-02 | 1987-03-02 | 減圧下でのレジスト灰化処理方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63214337A JPS63214337A (ja) | 1988-09-07 |
| JPH0748486B2 true JPH0748486B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=12713543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62045233A Expired - Lifetime JPH0748486B2 (ja) | 1987-03-02 | 1987-03-02 | 減圧下でのレジスト灰化処理方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748486B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2744935B2 (ja) * | 1989-12-04 | 1998-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4535834A (en) * | 1984-05-02 | 1985-08-20 | Varian Associates, Inc. | Method and apparatus for controlling thermal transfer in a cyclic vacuum processing system |
-
1987
- 1987-03-02 JP JP62045233A patent/JPH0748486B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63214337A (ja) | 1988-09-07 |
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