JPH0751743B2 - Method for forming sendust thin film - Google Patents
Method for forming sendust thin filmInfo
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- JPH0751743B2 JPH0751743B2 JP63108382A JP10838288A JPH0751743B2 JP H0751743 B2 JPH0751743 B2 JP H0751743B2 JP 63108382 A JP63108382 A JP 63108382A JP 10838288 A JP10838288 A JP 10838288A JP H0751743 B2 JPH0751743 B2 JP H0751743B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いるセンダスト
薄膜の成膜方法に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for forming a sendust thin film used for manufacturing a thin film magnetic head and the like.
薄膜磁気ヘッド等では、スパッタリング法等により例え
ば膜厚１μｍ以下の非常に薄いセンダスト薄膜を形成す
る必要がある。In a thin film magnetic head or the like, it is necessary to form a very thin sendust thin film having a film thickness of 1 μm or less by a sputtering method or the like.
そして、従来は、第２図に示すように、結晶化ガラス等
からなる基板11上に直接センダスト薄膜12を成膜してい
た。Conventionally, as shown in FIG. 2, the sendust thin film 12 is directly formed on the substrate 11 made of crystallized glass or the like.
この従来の成膜方法で成膜されたセンダスト薄膜12の特
性例を示す。ここで基板11は、熱膨張係数135×10-7（d
eg-1）の結晶化ガラスを用いた。また、センダスト薄膜
12は、スパッタリング法により膜厚１μｍまで成膜し
た。そして、成膜後は、窒素雰囲気中で500℃・３時間
保持の熱処理を施した。この結果、センダスト薄膜12の
周波数1MHzにおける透磁率は560であり、保磁力は3.0Oe
であった。A characteristic example of the sendust thin film 12 formed by this conventional film forming method will be shown. Here, the substrate 11 has a coefficient of thermal expansion of 135 × 10 −7 (d
eg -1 ) crystallized glass was used. Also, sendust thin film
12 was formed by sputtering to a film thickness of 1 μm. After the film formation, a heat treatment was carried out at 500 ° C. for 3 hours in a nitrogen atmosphere. As a result, the permeability of the Sendust thin film 12 at a frequency of 1 MHz is 560, and the coercive force is 3.0 Oe.
Met.
このため、従来の成膜方法では、センダスト薄膜の透磁
率が高くならず、また保磁力も大きすぎるために、十分
な軟磁性を得ることができないという問題点が生じてい
た。Therefore, in the conventional film forming method, the magnetic permeability of the sendust thin film is not increased and the coercive force is too large, so that there is a problem that sufficient soft magnetism cannot be obtained.
このように軟磁性が悪化するのは、膜厚が極めて薄いた
めに（022）面の高配向センダスト薄膜を形成すること
ができないからである。The reason why the soft magnetism is deteriorated is that the highly oriented sendust thin film having the (022) plane cannot be formed because the film thickness is extremely thin.
本発明は、上記した従来の問題点に鑑みなされたもので
あって、その目的は、磁気特性に優れたセンダスト薄膜
の成膜方法を提供することを目的としている。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to provide a method for forming a sendust thin film having excellent magnetic characteristics.
本発明に係るセンダスト薄膜の成膜方法は、上記課題を
解決するために、基板上にクロム薄膜を成膜し、該クロ
ム薄膜の上層にセンダスト薄膜を成膜した後、窒素雰囲
気中にて熱処理を行うことにより、（022）面の高配向
センダスト薄膜を得るようにしたことを特徴としてい
る。In order to solve the above problems, a method for forming a sendust thin film according to the present invention comprises forming a chromium thin film on a substrate, forming a sendust thin film as an upper layer of the chromium thin film, and then performing heat treatment in a nitrogen atmosphere. Is performed to obtain a highly oriented Sendust thin film having a (022) plane.
クロム薄膜は、クロム〔Cr〕又はクロムを主体とする合
金からなる薄膜である。このクロム薄膜は、スパックリ
ング法等により基板上に成膜される。The chromium thin film is a thin film made of chromium [Cr] or an alloy mainly containing chromium. This chromium thin film is formed on the substrate by the sprinkling method or the like.
センダスト薄膜は、Fe−Al−Si又はこれらを主体とする
センダスト合金からなる薄膜である。このセンダスト薄
膜は、基板上に成膜したクロム薄膜のさらに上層にスパ
ッタリング法等により成膜される。The sendust thin film is a thin film made of Fe-Al-Si or a sendust alloy mainly containing them. This sendust thin film is formed by sputtering or the like on the chromium thin film formed on the substrate.
センダスト薄膜をこのようにクロム薄膜の上層に成膜し
た後、窒素雰囲気中で熱処理を行うと、従来と同様の薄
い膜厚に形成した場合にも、（022）面の高配向センダ
スト薄膜を得ることができる。従って、本発明の成膜方
法によれば、透磁率が高く、かつ保磁力の小さな磁気特
性に優れたセンダスト薄膜を得ることができる。When the sendust thin film is formed on the chromium thin film in this way and then heat-treated in a nitrogen atmosphere, a highly oriented sendust thin film with a (022) plane can be obtained even when the thin film is formed as in the conventional case. be able to. Therefore, according to the film forming method of the present invention, it is possible to obtain a sendust thin film having a high magnetic permeability and a small coercive force and excellent magnetic characteristics.
本発明の一実施例を第１図に基づいて説明すれば、以下
の通りである。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
本実施例では、方形板状の試料片上にセンダスト薄膜を
成膜する場合を示す。In this embodiment, a case where a sendust thin film is formed on a rectangular plate-shaped sample piece is shown.
まず、方形板状の基板１を準備した。この基板１は、熱
膨張係数が135×10-7（deg-1）の結晶化ガラスを用い
る。First, a rectangular plate-shaped substrate 1 was prepared. As the substrate 1, crystallized glass having a thermal expansion coefficient of 135 × 10 −7 (deg −1 ) is used.
次に、この基板１の表面にクロム薄膜３を成膜した。ク
ロム薄膜３は、クロム〔Cr〕をスパッタリング法により
基板１上に成膜したものである。また、このクロム薄膜
３の膜厚は、４個の基板１について、それぞれ50Å、10
0Å、200Å及び1,000Åの４種類の厚さを試した。Next, a chromium thin film 3 was formed on the surface of the substrate 1. The chromium thin film 3 is formed by forming chromium [Cr] on the substrate 1 by a sputtering method. The thickness of the chromium thin film 3 is 50Å and 10 for the four substrates 1, respectively.
We tried four thicknesses, 0Å, 200Å and 1,000Å.
そして、各基板１上に成膜されたこれらのクロム薄膜３
の上層に、さらにセンダスト薄膜２をそれぞれ成膜し
た。これらのセンダスト薄膜２は、Fe−Al−Siのセンダ
スト合金をスパッタリング法によりクロム薄膜３上に成
膜したものである。また、これらセンダスト薄膜２の膜
厚は、全て１μｍとした。Then, these chromium thin films 3 formed on each substrate 1
Further, a sendust thin film 2 was formed on each of the upper layers. These sendust thin films 2 are formed by depositing a sendust alloy of Fe-Al-Si on the chromium thin film 3 by a sputtering method. The thickness of each of the sendust thin films 2 was 1 μm.
最後に、このセンダスト薄膜２を成膜した基板１に窒素
雰囲気中で500℃・３時間保持の熱処理を施した。Finally, the substrate 1 having the Sendust thin film 2 formed thereon was subjected to a heat treatment of 500 ° C. for 3 hours in a nitrogen atmosphere.
上記のようにして成膜されたセンダスト薄膜２の特性を
測定した結果を第１表に示す。Table 1 shows the results of measuring the characteristics of the sendust thin film 2 formed as described above.
この表に示すように、本実施例によるセンダスト薄膜２
の（022）面のＸ線回折強度を測定すると、クロム薄膜
３の膜厚が50Å、100Å、200Å及び1,000Åのいずれの
場合にも、従来例に比べ３倍以上であった。このことか
ら、本実施例では、クロム薄膜３を下地層とし、センダ
スト薄膜２成膜後に窒素雰囲気中で熱処理を施すことに
よって、（022）面の高配向センダスト薄膜を得ている
ことが分かる。そして、本実施例によるセンダスト薄膜
２の周波数1MHzにおける透磁率は、従来例の２〜３倍と
なり、保磁力も約４分の１に減少していた。 As shown in this table, the sendust thin film 2 according to the present embodiment
When the X-ray diffraction intensity of the (022) plane was measured, it was three times or more that of the conventional example in any of the cases where the thickness of the chromium thin film 3 was 50Å, 100Å, 200Å and 1,000Å. From this, it can be seen that in the present embodiment, the chromium thin film 3 is used as an underlayer, and heat treatment is performed in a nitrogen atmosphere after forming the sendust thin film 2 to obtain a (022) -oriented highly oriented sendust thin film. The magnetic permeability of the sendust thin film 2 according to the present example at a frequency of 1 MHz was 2 to 3 times that of the conventional example, and the coercive force was reduced to about 1/4.
このことから、本発明に係るセンダスト薄膜の成膜方法
を薄膜磁気ヘッド等に実施すれば、軟磁性の大幅な改善
を図ることができることは明白である。From this, it is apparent that the soft magnetism can be greatly improved by applying the method for forming a sendust thin film according to the present invention to a thin film magnetic head or the like.
本発明に係るセンダスト薄膜の成膜方法は、以上のよう
に、基板上にクロム薄膜を成膜し、該クロム薄膜の上層
にセンダスト薄膜を成膜した後、窒素雰囲気中にて熱処
理を行うことにより、（022）面の高配向センダスト薄
膜を得るようにした構成である。As described above, the method for forming a sendust thin film according to the present invention comprises forming a chromium thin film on a substrate, forming a sendust thin film on the chromium thin film, and then performing heat treatment in a nitrogen atmosphere. Thus, a highly oriented Sendust thin film having a (022) plane is obtained.
こうして得られる（022）面の高配向センダスト薄膜
は、透磁率が高く、かつ保磁力の小さなものとなる。従
って、本発明の成膜方法によれば、センダスト薄膜の軟
磁性を改善することができるという効果を奏する。The (022) plane highly oriented sendust thin film thus obtained has a high magnetic permeability and a small coercive force. Therefore, according to the film forming method of the present invention, the soft magnetism of the sendust thin film can be improved.
第１図は本発明の一実施例を示すものであって、センダ
スト薄膜を成膜した試料片の部分断面斜視図である。第
２図は従来例を示すものであって、センダスト薄膜を成
膜した試料片の部分断面斜視図である。 １は基板、２はセンダスト薄膜、３はクロム薄膜であ
る。FIG. 1 shows an embodiment of the present invention and is a partial cross-sectional perspective view of a sample piece on which a sendust thin film is formed. FIG. 2 shows a conventional example and is a partial cross-sectional perspective view of a sample piece on which a sendust thin film is formed. Reference numeral 1 is a substrate, 2 is a sendust thin film, and 3 is a chromium thin film.
Claims (1)
膜の上層にセンダスト薄膜を成膜した後、窒素雰囲気中
にて熱処理を行うことにより、（022）面の高配向セン
ダスト薄膜を得るようにしたことを特徴とするセンダス
ト薄膜の成膜方法。1. A chromium thin film is formed on a substrate, a sendust thin film is formed on the chromium thin film, and heat treatment is performed in a nitrogen atmosphere to obtain a highly oriented sendust thin film of (022) plane. A method for forming a sendust thin film, characterized by being obtained.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63108382A JPH0751743B2 (en) | 1988-04-30 | 1988-04-30 | Method for forming sendust thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63108382A JPH0751743B2 (en) | 1988-04-30 | 1988-04-30 | Method for forming sendust thin film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01279742A JPH01279742A (en) | 1989-11-10 |
| JPH0751743B2 true JPH0751743B2 (en) | 1995-06-05 |
Family
ID=14483355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63108382A Expired - Lifetime JPH0751743B2 (en) | 1988-04-30 | 1988-04-30 | Method for forming sendust thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0751743B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2790159B2 (en) * | 1992-09-30 | 1998-08-27 | 日本ビクター株式会社 | Thin-film magnetic head |
| JP3382084B2 (en) * | 1995-04-10 | 2003-03-04 | シャープ株式会社 | Magnetic thin film for magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic head using the magnetic thin film |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61240434A (en) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Seiko Epson Corp | Manufacturing method of magnetic thin film |
-
1988
- 1988-04-30 JP JP63108382A patent/JPH0751743B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01279742A (en) | 1989-11-10 |
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