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JPH0759041B2 - Blanking circuit - Google Patents
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JPH0759041B2 - Blanking circuit - Google Patents

Blanking circuit

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JPH0759041B2
JPH0759041B2 JP60256212A JP25621285A JPH0759041B2 JP H0759041 B2 JPH0759041 B2 JP H0759041B2 JP 60256212 A JP60256212 A JP 60256212A JP 25621285 A JP25621285 A JP 25621285A JP H0759041 B2 JPH0759041 B2 JP H0759041B2
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transistor
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circuit
blanking
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紀陽 近藤
昌利 佐瀬
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Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will be described in the following order.

A産業上の利用分野 B発明の概要 C従来の技術(第4図) D発明が解決しようとする問題点(第4図) E問題点を解決するための手段(第1図及び第3図) F作用(第1図及び第3図) G実施例(第1図〜第3図) H発明の効果 A産業上の利用分野 本発明はブランキング回路に関し、特にビデオカメラの
ラスタ映像信号処理回路等に適用して好適なものであ
る。
A Industrial field B Outline of the invention C Prior art (Fig. 4) D Problems to be solved by the invention (Fig. 4) E Means for solving problems (Figs. 1 and 3) ) F action (Figs. 1 and 3) G embodiment (Figs. 1 to 3) H Effect of the invention A Industrial field of application The present invention relates to a blanking circuit, and particularly to raster video signal processing of a video camera. It is suitable for application to circuits and the like.

B発明の概要 本発明はブランキング回路において、ブランキング期間
のみ所定の電圧を加えて、ブランキング期間以外は、こ
れと異なる電圧を加えることによって、入力信号波形に
関わらず、希望する電圧でブランキング動作を行わせる
ことができる。
B. SUMMARY OF THE INVENTION In the blanking circuit according to the present invention, a predetermined voltage is applied only during the blanking period and a voltage different from the blanking period is applied during the blanking period, so that the desired voltage is blanked regardless of the input signal waveform. The ranking operation can be performed.

C従来の技術 従来、例えばビデオカメラのラスタ映像信号処理回路等
においては、入力信号波形を所定の期間すなわちブラン
キング期間TBLだけ、所定の基準電圧すなわちブランキ
ング電圧に置換する第4図に示すようなブランキング回
路を用いて、入力信号のブランキング期間の雑音部分を
除去したり、γ補正等の信号処理のための基準点を作成
したりするブランキング動作を行う。
C Conventional Technology Conventionally, for example, in a raster video signal processing circuit of a video camera or the like, an input signal waveform is replaced with a predetermined reference voltage, that is, a blanking voltage for a predetermined period, that is, a blanking period T BL , as shown in FIG. By using such a blanking circuit, a blanking operation is performed to remove a noise part in the blanking period of the input signal and to create a reference point for signal processing such as γ correction.

第4図において、NPN型トランジスタQ1は、定電流源2
を用いたバツフア回路で入力端子T1に接続された信号源
1の入力信号S1をエミツタから抵抗3を介してトランジ
スタQ2のベースに出力する。
In FIG. 4, the NPN transistor Q1 is a constant current source 2
The output signal of the signal source 1 connected to the input terminal T1 is output from the emitter through the resistor 3 to the base of the transistor Q2 by the buffer circuit using the.

NPN型トランジスタQ2及びQ3は、差動増幅回路構成のNAM
(non addition mixing)回路を定電流源4と共に構成
し、共通に接続されたエミツタが出力端子T0に導出され
ている。
NPN type transistors Q2 and Q3 are NAM with differential amplifier circuit configuration.
A (non addition mixing) circuit is configured with the constant current source 4, and the commonly connected emitters are led to the output terminal T0.

トランジスタQ3のベースには例えば正の電圧V01の基準
電源6が接続されて、一方トランジスタQ2のベース及び
抵抗3の接続中点には、ブランキングパルスBLに同期し
て当該接続中点とアースラインL2とを短絡するスイッチ
回路5が接続されている。
The base of the transistor Q3 is connected to a reference power source 6 having a positive voltage V 01 , for example, while the base of the transistor Q2 and the connection midpoint of the resistor 3 are synchronized with the blanking pulse BL and the ground. A switch circuit 5 that short-circuits the line L2 is connected.

以上の構成において、入力信号S1のブランキング期間T
BLの間、スイッチ回路5が制御信号BLによってオン動作
すると、トランジスタQ2のベース電圧が低下して、トラ
ンジスタQ2はオフ動作すると共に、トランジスタQ3がオ
ン動作する。
In the above configuration, the blanking period T of the input signal S1
During the BL , when the switch circuit 5 is turned on by the control signal BL, the base voltage of the transistor Q2 is lowered, the transistor Q2 is turned off, and the transistor Q3 is turned on.

従つて、出力端子T0には、基準電源6の電圧V01からト
ランジスタQ3のベース・エミツタ電圧VBE3を引いた値の
ブランキング電圧V01−VBE3が出力される。
Therefore, the blanking voltage V 01 -V BE3 of a value obtained by subtracting the base emitter voltage V BE3 of the transistor Q3 from the voltage V 01 of the reference power supply 6 is output to the output terminal T0.

一方ブランキング期間TBL以外の期間TS1においては、ト
ランジスタQ2のベース電圧VB2はトランジスタQ3のベー
ス電圧VB3より高くなり、トランジスタQ2がオン動作す
ると共に、トランジスタQ3がオフ動作する。
On the other hand, in the period T S1 other than the blanking period T BL , the base voltage V B2 of the transistor Q2 becomes higher than the base voltage V B3 of the transistor Q3, and the transistor Q2 turns on and the transistor Q3 turns off.

従つて、出力端子T0には、入力信号S1をトランジスタQ1
及びQ2のベース・エミツタ電圧VBE1及びVBE2分だけアー
スラインL2の電位側にシフトさせた電圧が出力される。
Therefore, the input signal S1 is applied to the output terminal T0 by the transistor Q1.
A voltage shifted by the base and emitter voltages V BE1 and V BE2 of Q2 and Q2 to the potential side of the ground line L2 is output.

かくして、ブランキング期間TBLにおいては、入力信号S
1は、後段の回路における信号処理のための基準点とし
て用いることのできる雑音成分のないクランプ電圧に置
換されることとなる。
Thus, during the blanking period T BL , the input signal S
1 will be replaced with a noise-free clamp voltage that can be used as a reference point for signal processing in the subsequent circuit.

C発明が解決しようとする問題点 ところが、例えばγ補正回路のように、入力信号S1のレ
ベルに応じて増幅器の利得を変化させるような処理を行
う場合は、その動作の基準点を入力信号S1の黒レベルの
電圧を基準として取扱うことが望ましい。
C The problem to be solved by the invention is, for example, in the case of performing a process for changing the gain of the amplifier according to the level of the input signal S1 like a γ correction circuit, the reference point of the operation is set as the input signal S1. It is desirable to handle the black level voltage as a reference.

すなわちブランキング電圧を入力信号S1の黒レベルの電
圧とすることが望ましい。
That is, it is desirable to set the blanking voltage to the black level voltage of the input signal S1.

しかし、第4図の従来のブランキング回路において、当
該電圧を等しくするためにトランジスタQ2及びトランジ
スタQ3のベース電圧VB2及びVB3を等しくすると、トラン
ジスタQ2及びQ3が共にオン動作してリニアな動作状態を
するようになり、そのためトランジスタQ2及びQ3が、当
該近傍の電圧において、共に影響し合う。その結果、ブ
ランキング期間TBLにおいては、入力信号S1の波形の影
響が現れて、ブランキング期間TBL以外の期間TS1におい
ては入力信号S1にトランジスタQ3の電流の影響が現れ
る。
However, in the conventional blanking circuit of FIG. 4, when the base voltages V B2 and V B3 of the transistors Q2 and Q3 are made equal to make the voltages equal, the transistors Q2 and Q3 are both turned on and linearly operated. State, so that transistors Q2 and Q3 affect each other at voltages in the vicinity. As a result, blanking the ranking period T BL, appears the effect of the waveform of the input signal S1, the influence of the current of the transistor Q3 to the input signal S1 appearing in a period T S1 other than the blanking period T BL.

よつてブランキング期間TBLに雑音成分が現れたり、黒
レベル近傍の信号が変化したりすることとなる。
Therefore, a noise component appears in the blanking period T BL , or a signal near the black level changes.

この問題を解決するため従来は、ブランキング電圧を黒
レベルの電圧より50〜100〔mV〕程度低い値に選定し
て、当該ブランキング回路に接続される後段回路におい
てこの差電圧を考慮した構成を採用するようになされて
いる。しかしこのようにすると、当該差電圧の温度ドリ
フト等をも考慮せねばならず、画像信号処理回路全体と
して構成が複雑になる問題がある。
In order to solve this problem, conventionally, the blanking voltage is selected to be about 50 to 100 [mV] lower than the black level voltage, and the difference voltage is taken into consideration in the subsequent circuit connected to the blanking circuit. Is adopted. However, in this case, the temperature drift of the difference voltage must be taken into consideration, and there is a problem that the configuration of the image signal processing circuit as a whole becomes complicated.

また、ブランキング期間TBL以外の期間TS1において、ト
ランジスタQ2のベース電圧VB2がトランジスタQ3のベー
ス電圧VB3より低くなると、トランジスタQ2に代つて、
トランジスタQ3がオン動作するため、出力端子T0には、
ブランキング電圧V01−VBE3が出力されることとなる。
When the base voltage V B2 of the transistor Q2 becomes lower than the base voltage V B3 of the transistor Q3 in the period T S1 other than the blanking period T BL , the transistor Q2 replaces the base voltage V B3 .
Since the transistor Q3 turns on, the output terminal T0
The blanking voltage V 01 −V BE3 will be output.

従つて、入力信号S1がブランキング電圧V01−VBE3でク
ランプされた波形が出力されることとなるため、入力信
号S1の変化幅に含まれる中間のレベルに、ブランキング
電圧V01−VBE3を設定する必要があるような信号、例え
ば色差信号のブランキング動作を行うことは困難であつ
た。
Therefore, since the waveform of the input signal S1 clamped by the blanking voltage V 01 −V BE3 is output, the blanking voltage V 01 −V is set at the intermediate level included in the change width of the input signal S1. It was difficult to perform a blanking operation for a signal that requires setting BE3 , for example, a color difference signal.

本発明は以上の点を考慮してなされたもので、入力信号
の変化幅に拘わらず、希望する電圧で、ブランキング動
作を行うことができるブランキング回路を提案しようと
するものである。
The present invention has been made in consideration of the above points, and it is an object of the present invention to propose a blanking circuit capable of performing a blanking operation at a desired voltage regardless of the change width of an input signal.

E問題点を解決するための手段 かかる問題点を解決するために本発明においては、差動
増幅回路及び定電流源を組み合わせた非加算合成回路で
なり、入力映像信号S1のブランキング期間TBLに相当す
る期間の間、入力映像信号S1の直流電圧を低下(又は上
昇)させ、ブランキング期間TBLに相当する期間以外の
間TS1、入力映像信号S1でなる映像信号を出力する第1
の回路(Q4、Q5、10(Q10、Q14、Q15、13))と、その
第1の回路(Q4、Q5、10(Q10、Q14、Q15、13))と同
様の非加算合成回路でなり、ブランキング期間TBLに相
当する期間の間、所定の基準電圧V02を出力し、そのブ
ランキング期間TBLに相当する期間以外の間TS1、基準電
圧の直流電圧を低下(又は上昇)させて出力する第2の
回路(Q6、Q7、11(Q11、Q16、Q17、15))と、第1及
び第2の回路(Q4、Q5、10(Q10、Q14、Q15、13))及
び(Q6、Q7、11(Q11、Q16、Q17、15))と同様の非加
算合成回路でなり、第1の回路(Q4、Q5、10(Q10、Q1
4、Q15、13))より出力される映像信号及び上記第2の
回路(Q6、Q7、11(Q11、Q16、Q17、15))より出力さ
れる基準電圧を比較し、電圧の高い(又は低い)方を選
択出力する第3の回路と(Q8、Q9、12(Q12、Q13、1
4))とを設け、入力映像信号S1のブランキング期間TBL
を基準電圧V02に置換して出力映像信号SOを送出するよ
うにした。
E Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention is a non-additive synthesis circuit combining a differential amplifier circuit and a constant current source, and is a blanking period T BL of the input video signal S1. The DC voltage of the input video signal S1 is reduced (or increased) during a period corresponding to T1 and a video signal composed of T S1 and the input video signal S1 is output during periods other than the period corresponding to the blanking period T BL .
Circuit (Q4, Q5, 10 (Q10, Q14, Q15, 13)) and its first circuit (Q4, Q5, 10 (Q10, Q14, Q15, 13)) During the period corresponding to the blanking period T BL , a predetermined reference voltage V 02 is output, and during the period other than the period corresponding to the blanking period T BL , T S1 , the DC voltage of the reference voltage is decreased (or increased). A second circuit (Q6, Q7, 11 (Q11, Q16, Q17, 15)) that outputs the output, and a first and second circuit (Q4, Q5, 10 (Q10, Q14, Q15, 13)) and (Q6, Q7, 11 (Q11, Q16, Q17, 15)) The same non-additive synthesis circuit as the first circuit (Q4, Q5, 10 (Q10, Q1)
4, Q15, 13)) is compared with the video signal output from the second circuit (Q6, Q7, 11 (Q11, Q16, Q17, 15)) and the high voltage (or The third circuit that selectively outputs the lower one and (Q8, Q9, 12 (Q12, Q13, 1
4)) are provided, and the blanking period T BL of the input video signal S1 is
Is replaced with the reference voltage V 02 to output the output video signal SO.

F作用 差動増幅回路及び定電流源を組み合わせた非加算合成回
路でなる第1、第2、第3の回路(Q4、Q5、10(Q10、Q
14、Q15、13))、(Q6、Q7、11(Q11、Q16、Q17、1
5))、(Q8、Q9、12(Q12、Q13、14))において、入
力映像信号S1は第1の回路(Q4、Q5、10(Q10、Q14、Q1
5、13))によつて、ブランキング期間TBLのみ十分に低
い(又は高い)直流電圧にクランプされる。一方基準電
圧は第2の回路(Q6、Q7、11(Q11、Q16、Q17、15))
によつて、ブランキング期間TBLのみ所定の基準電圧V02
を有し、ブランキング期間TBL以外の期間の間TS1は十分
に低い(又は高い)直流電圧を有するようにする。これ
により第3の回路(Q8、Q9、12(Q12、Q13、14))でこ
れらを比較し、電圧の高い(又は低い)方を選択出力す
ることにより、入力映像信号S1のブランキング期間TBL
を基準電圧V02で置換した出力映像信号SOを送出し得
る。
F-action First, second, and third circuits (Q4, Q5, 10 (Q10, Q
14, Q15, 13)), (Q6, Q7, 11 (Q11, Q16, Q17, 1
5)), (Q8, Q9, 12 (Q12, Q13, 14)), the input video signal S1 is the first circuit (Q4, Q5, 10 (Q10, Q14, Q1).
5, 13)), only the blanking period T BL is clamped to a sufficiently low (or high) DC voltage. On the other hand, the reference voltage is the second circuit (Q6, Q7, 11 (Q11, Q16, Q17, 15))
Therefore, only the blanking period T BL has a predetermined reference voltage V 02.
And T S1 has a sufficiently low (or high) DC voltage during a period other than the blanking period T BL . As a result, the third circuit (Q8, Q9, 12 (Q12, Q13, 14)) compares these, and selectively outputs the higher (or lower) voltage, so that the blanking period T of the input video signal S1 is BL
It is possible to output the output video signal SO in which is replaced with the reference voltage V 02 .

G実施例 以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。G Embodiment One embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第4図との対応部分に同一符合を付して示す第1図にお
いて、PNP型トランジスタQ4及びQ5と、PNP型トランジス
タQ6及びQ7と、NPN型トランジスタQ8及びQ9とによつ
て、各々コレクタ及びエミツタを互いに接続した差動増
幅回路構成の3つのNAM回路を形成する。
In FIG. 1 in which parts corresponding to those in FIG. 4 are given the same reference numerals, PNP transistors Q4 and Q5, PNP transistors Q6 and Q7, and NPN transistors Q8 and Q9 are used to collect collector and Three NAM circuits having a differential amplifier circuit configuration in which the emitters are connected to each other are formed.

トランジスタQ4及びQ5のコレクタはアースラインL2に接
続され、エミツタは定電流源10を介して電源ラインL1に
接続されている。一方トランジスタQ4のベースには信号
源1の入力信号S1が与えられ、トランジスタQ5のベース
に第2図(B)で示すブランキングパルスBL1が入力さ
れている。
The collectors of the transistors Q4 and Q5 are connected to the ground line L2, and the emitter is connected to the power supply line L1 via the constant current source 10. On the other hand, the input signal S1 of the signal source 1 is applied to the base of the transistor Q4, and the blanking pulse BL1 shown in FIG. 2B is input to the base of the transistor Q5.

かくして、トランジスタQ5のベース電圧VB5がトランジ
スタQ4のベース電圧VB4より低い場合は、トランジスタQ
5がオン動作すると共に、トランジスタQ4がオフ動作
し、トランジスタQ4及びQ5のエミツタの電圧は、トラン
ジスタQ5のベース電圧にトランジスタQ5のベース・エミ
ツタ電圧VBE5を加えた電圧VB5+VBE5となる。
Thus, if the base voltage V B5 of transistor Q5 is lower than the base voltage V B4 of transistor Q4, then transistor Q5
When Q5 is turned on and the transistor Q4 is turned off, the voltage of the emitters of the transistors Q4 and Q5 becomes the voltage V B5 + V BE5 obtained by adding the base emitter voltage V BE5 of the transistor Q5 to the base voltage of the transistor Q5.

逆に、トランジスタQ4のベース電圧VB4が、トランジス
タQ5のベース電圧VB5より低い場合は、トランジスタQ4
がオン動作すると共に、トランジスタQ5がオフ動作し、
トランジスタQ4及びQ5のエミツタの電圧は、トランジス
タQ4のベース電圧VB4にトランジスタQ4のベース・エミ
ツタ電圧VBE4を加えた電圧VB4+VBE4となる。
Conversely, if the base voltage V B4 of transistor Q4 is lower than the base voltage V B5 of transistor Q5, then transistor Q4
Turns on and transistor Q5 turns off,
The voltage across the transistors Q4 and Q5 is V B4 + V BE4 , which is the base voltage V B4 of the transistor Q4 plus the base emitter voltage V BE4 of the transistor Q4.

またトランジスタQ6及びQ7のコレクタはアースラインL2
に接続され、エミツタは定電流源11を介して電源ライン
L1に接続されている。トランジスタQ7のベースにはブラ
ンキング期間の出力電圧を決定する正の電圧V02の基準
電源9が接続され、トランジスタQ6のベースにはブラン
キングパルスBL1と逆変化する第2図(C)で示すブラ
ンキングパルスBL2が入力される。
The collectors of transistors Q6 and Q7 are ground line L2.
Connected to the power supply line via the constant current source 11.
It is connected to L1. The base of the transistor Q7 is connected to the reference power source 9 having a positive voltage V 02 that determines the output voltage in the blanking period, and the base of the transistor Q6 is shown in FIG. Blanking pulse BL2 is input.

かくして、トランジスタQ6及びQ7はトランジスタQ4及び
Q5と同様に動作して、トランジスタQ6のベース電圧VB6
がトランジスタQ7のベース電圧VB7より低い場合は、ト
ランジスタQ6がオン動作してトランジスタQ6及びQ7のエ
ミツタの電圧が、トランジスタQ6のベース電圧VB6にト
ランジスタQ6のベース・エミツタ電圧VBE6を加えた電圧
VB6+VBE6となる。
Thus, transistors Q6 and Q7 are connected to transistors Q4 and
Operates similarly to Q5, with the base voltage V B6 of transistor Q6
Is lower than the base voltage V B7 of the transistor Q7, the transistor Q6 is turned on and the emitter voltage of the transistors Q6 and Q7 is the base voltage V B6 of the transistor Q6 plus the base emitter voltage V BE6 of the transistor Q6. Voltage
It becomes V B6 + V BE6 .

逆にトランジスタQ7のベース電圧VB7がトランジスタQ6
のベース電圧VB6より低い場合は、トランジスタQ7がオ
ン動作してトランジスタQ7のベース電圧VB7にトランジ
スタQ7のベース・エミツタ電圧VBE7を加えた電圧VB7+V
BE7となる。
Conversely, the base voltage V B7 of transistor Q7 is
When the voltage is lower than the base voltage V B6 of the transistor Q7, the transistor Q7 is turned on and the base voltage V B7 of the transistor Q7 is added to the base emitter voltage V BE7 of the transistor Q7 to obtain the voltage V B7 + V
BE7 .

さらにトランジスタQ8及びQ9のコレクタは電源ラインL1
に接続され、エミツタは低電流源12を介してアースライ
ンL2に接続されている。トランジスタQ8のベースにはト
ランジスタQ4及びQ5のエミツタに接続され、トランジス
タQ9のベース端子はトランジスタQ6及びQ7のエミツタに
接続されている。
Further, the collectors of the transistors Q8 and Q9 are the power line L1.
And the emitter is connected to the ground line L2 via the low current source 12. The base of the transistor Q8 is connected to the emitters of the transistors Q4 and Q5, and the base terminal of the transistor Q9 is connected to the emitters of the transistors Q6 and Q7.

そしてトランジスタQ8及びQ9のエミツタが出力端子T0に
導出されている。
The emitters of the transistors Q8 and Q9 are led to the output terminal T0.

かくしてトランジスタQ8及びQ9は、トランジスタQ8のベ
ース電圧VB8(すなわちトランジスタQ4及びQ5のエミツ
タの電圧)が、トランジスタQ9のベース電圧VB9(すな
わちトランジスタQ6及びQ7のエミツタの電圧)より高い
場合、トランジスタQ8がオン動作してトランジスタQ8の
ベース電圧VB8から、トランジスタQ8のベース・エミツ
タ電圧VBE8を引いた電圧VB8−VBE8を出力端子T0に出力
する。
Thus, transistors Q8 and Q9 are transistors Q8 and Q9 when the base voltage V B8 of transistor Q8 (ie, the emitter voltage of transistors Q4 and Q5) is higher than the base voltage V B9 of transistor Q9 (ie, the emitter voltage of transistors Q6 and Q7). When Q8 is turned on, the voltage V B8 −V BE8 obtained by subtracting the base emitter voltage V BE8 of the transistor Q8 from the base voltage V B8 of the transistor Q8 is output to the output terminal T0.

逆にトランジスタQ9のベース電圧VB9がトランジスタQR
のベース電圧VB8より高い場合は、トランジスタQ9がオ
ン動作して、トランジスタQ9のベース電圧VB9からトラ
ンジスタQ9のベース・エミツタ電圧VBE9を引いた電圧V
B9−VBE9を出力する。
Conversely, the base voltage V B9 of the transistor Q9 is the transistor QR.
If it is higher than the base voltage V B8 of the transistor Q9, the transistor Q9 is turned on, and the voltage V BE9 obtained by subtracting the base emitter voltage V BE9 of the transistor Q9 from the base voltage V B9 of the transistor Q9.
Outputs B9 −V BE9 .

ブランキングパルスBL1は、第2図(B)で示すよう
に、ブランキング期間TBLにおいて0〔V〕(入力信号S
1より低い電圧)になり、ブランキング期間TBL以外の期
間TS1においては、入力信号S1の電圧より高い電圧VBL1
になる。
Blanking pulse BL1, as shown in FIG. 2 (B), the blanking period T BL at 0 [V] (the input signal S
Becomes a voltage lower than 1), the blanking period T in a period T S1 other than BL, a voltage higher than the voltage of the input signal S1 V BL1
become.

またブランキングパルスBL2は第2図(C)で示すよう
に、ブランキング期間TBLにおいて、基準電原9の電圧V
02より高い電圧VBL2となり、ブランキング期間TBL以外
の期間TS1において、電圧は0〔V〕となる。
The blanking pulse BL2 is, as shown in FIG. 2 (C), the voltage V of the reference power source 9 during the blanking period T BL .
The voltage becomes V BL2 higher than 02 , and the voltage becomes 0 [V] in the period T S1 other than the blanking period T BL .

以上の構成において、ブランキング期間TBLの間、トラ
ンジスタQ5は、ブランキングパルスBL1(第2図
(B))が0〔V〕に立ち下がることによつてトランジ
スタQ5がオン動作する。このときトランジスタQ8のベー
ス電圧VB8は、トランジスタQ5のベース・エミツタ電圧V
BE5(≒VBE)となる(第2図(D))。これに対してブ
ランキング期間TBLの間、トランジスタQ7は、ブランキ
ングパルスBL2(第2図(C))が電圧VBL2に立ち上が
ることによりオン動作し、トランジスタQ9のベース電圧
VB9は、トランジスタQ7のベース・エミツタ電圧V
BE9(≒VBE)と、電圧V02との和の電圧V02+VBEとなる
(第2図(E))。
In the above configuration, during the blanking period T BL , the transistor Q5 is turned on when the blanking pulse BL1 (FIG. 2 (B)) falls to 0 [V]. At this time, the base voltage V B8 of the transistor Q8 is the base-emitter voltage V B of the transistor Q5.
BE5 (≈ V BE ) (Fig. 2 (D)). On the other hand, during the blanking period T BL , the transistor Q7 is turned on by the blanking pulse BL2 (FIG. 2 (C)) rising to the voltage V BL2, and the base voltage of the transistor Q9.
V B9 is the base emitter voltage V of transistor Q7
The sum of BE9 (≈V BE ) and voltage V 02 results in voltage V 02 + V BE (Fig. 2 (E)).

従つて、ブランキング期間TBLにおいて、トランジスタQ
8及びQ9のベース電圧VB8及びVB9の関係は、次式 VB9=V02+VBE>VBE=VB8 ……(1) となり、トランジスタQ9がオン状態になつて、出力端子
T0は、トランジスタQ9のベース電圧VB9からトランジス
タQ9のベース・エミツタ電圧VBE(≒VBE)を引いた電
圧、すなわち VB9−VBE9≒V02 ……(2) になる(第2図(F))。
Therefore, in the blanking period T BL , the transistor Q
The relationship between the base voltages V B8 and V B9 of 8 and Q9 is as follows: V B9 = V 02 + V BE > V BE = V B8 (1), the transistor Q9 is turned on, and the output terminal
T0 is the voltage obtained by subtracting the base-emitter voltage V BE (≈ V BE ) of the transistor Q9 from the base voltage V B9 of the transistor Q9, that is, V B9 −V BE9 ≈ V 02 (2) (Fig. 2). (F)).

これに対してブランキング期間TBL以外の期間TS1におい
ては、ブランキングパルスBL1が電圧VBL1になり(第2
図(B))、かつブランキングパルスBL2が電圧0
〔V〕になるので、トランジスタQ4及びQ6がオン状態と
なる。このときトランジスタQ8のベース電圧VB8は、第
2図(D)で示すように、トランジスタQ4のベース・エ
ミツタ電圧VBE4(≒VBE)だけ正側にシフトした入力信
号の電圧になると共に、トランジスタQ9のベース電圧V
B9は、第2図(E)で示すように、トランジスタQ6のベ
ース・エミツタ電圧VBE6(≒VBE)となる。
On the other hand, in the period T S1 other than the blanking period T BL , the blanking pulse BL1 becomes the voltage V BL1 (second
(B)), and the blanking pulse BL2 has a voltage of 0
Since it becomes [V], the transistors Q4 and Q6 are turned on. At this time, the base voltage V B8 of the transistor Q8 becomes the voltage of the input signal shifted to the positive side by the base / emitter voltage V BE4 (≈V BE ) of the transistor Q4, as shown in FIG. Base voltage V of transistor Q9
As shown in FIG. 2 (E), B9 becomes the base-emitter voltage V BE6 (≈V BE ) of the transistor Q6.

従つてトランジスタQ8及びQ9のベース電圧VB8及びVB9
関係は次式 VB8>VB9=VBE ……(3) となり、その結果トランジスタQ8がオン状態となり、出
力端子T0には入力信号S1の電圧が得られる(第2図
(F))。
Therefore, the relation between the base voltages V B8 and V B9 of the transistors Q8 and Q9 is as follows: V B8 > V B9 = V BE (3) As a result, the transistor Q8 is turned on and the input signal is applied to the output terminal T0. The voltage of S1 is obtained (Fig. 2 (F)).

かくして出力端子T0には、ブランキング期間TBLにおい
ては、基準電源9の電圧V02が得られ、またブランキン
グ期間TBL以外の期間TS1においては、入力信号S1の波形
が得られるようになる。
Thus, the voltage V 02 of the reference power supply 9 is obtained at the output terminal T0 in the blanking period T BL , and the waveform of the input signal S1 is obtained in the period T S1 other than the blanking period T BL. Become.

以上の構成によれば、ブランキング期間TBLの間、ブラ
ンキング電圧に相当する電圧を置き換えることができる
ので、必要に応じて任意の波形をもつ入力信号S1(例え
ば色差信号等)に対して、ブランキング期間TBLにおけ
る電圧V02を、任意の値、例えば黒レベル等に設定し得
るブランキング回路を得ることができる。
According to the above configuration, the voltage corresponding to the blanking voltage can be replaced during the blanking period T BL , so that for the input signal S1 (for example, color difference signal) having an arbitrary waveform as necessary. It is possible to obtain a blanking circuit that can set the voltage V 02 in the blanking period T BL to an arbitrary value, for example, a black level.

因に上述の実施例の場合ブランキング期間TBLの電圧V02
は、電源ラインL1の電圧VCCからトランジスタQ7のベー
ス・エミツタ電圧VBE7を引いた電圧VCC−VBE近傍の値か
ら0〔V〕近傍までの広い範囲に設定することができ
る。
Incidentally, in the case of the above embodiment, the voltage V 02 of the blanking period T BL
Can be set in a wide range from a value near the voltage V CC -V BE obtained by subtracting the base-emitter voltage V BE7 of the transistor Q7 from the voltage V CC of the power supply line L to a value near 0 [V].

第3図は本発明の第2の実施例を示すもので、第1図と
の対応部分に同一符合を付して示すように、NPN型トラ
ンジスタQ12及びQ13、Q14及びQ15、Q16及びQ17とからな
る3つの差動増幅回路構成のNAM回路、トランジスタQ10
及びQ11とでブランキング回路が構成されている。
FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention. As shown by attaching the same reference numerals to corresponding portions with FIG. 1, NPN type transistors Q12 and Q13, Q14 and Q15, Q16 and Q17 are shown. NAM circuit consisting of three differential amplifier circuits, transistor Q10
And Q11 form a blanking circuit.

トランジスタQ14及びQ15のコレクタは、抵抗値R2の抵抗
16を介して互いに接続され、エミツタが定電流源13を共
通に介してアースラインL2に接続されている。トランジ
スタQ14及びQ15のベースにはそれぞれブランキングパル
スBL1及びBL2が与えられている。
The collector of the transistor Q14 and Q15 are of the resistance value R 2 resistor
The emitters are connected to each other via 16, and the emitter is connected to the ground line L2 via the constant current source 13 in common. Blanking pulses BL1 and BL2 are applied to the bases of the transistors Q14 and Q15, respectively.

トランジスタQ14のコレクタは、ベースに信号源1の入
力信号S1を受けるトランジスタQ10を介して電源ラインL
1に接続され、トランジスタQ15のコレクタはトランジス
タQ12のベースに接続されている。
The collector of the transistor Q14 receives the input signal S1 of the signal source 1 at its base and the power line L via the transistor Q10.
Connected to 1, the collector of transistor Q15 is connected to the base of transistor Q12.

従つてトランジスタQ14のベース電圧VB14が、トランジ
スタQ15のベース電圧VB15より高くなると、トランジス
タQ14がオン動作して、トランジスタQ12のベース電圧V
B12はトランジスタQ10のエミツタ電圧VE10と等しくな
る。
Therefore, when the base voltage V B14 of the transistor Q14 becomes higher than the base voltage V B15 of the transistor Q15, the transistor Q14 is turned on and the base voltage V B of the transistor Q12 is turned on.
B12 becomes equal to the emitter voltage V E10 of transistor Q10.

逆にトランジスタQ14のベース電圧VB15がトランジスタQ
15のベース電圧VB15より低くなると、トランジスタQ15
がオン動作して、トランジスタQ12のベース電圧V
B12は、定電流源13の電流I13が抵抗16に流れることによ
つて生じる降下電圧V16=I13・R2だけトランジスタQ10
のエミツタ電圧VE10より低い電圧になる。
Conversely, the base voltage V B15 of transistor Q14 is
Below the base voltage V B15 of 15, transistor Q15
Turns on, and the base voltage V
B12 is a voltage drop caused by the current I 13 of the constant current source 13 flowing through the resistor 16 V 16 = I 13 · R 2
The voltage is lower than the emitter voltage V E10 of .

またトランジスタQ16及びQ17のコレクタは抵抗値R3の抵
抗17を介して互いに接続され、エミツタが低電流源15を
共通に介してアースラインL2に接続されている。トラン
ジスタQ16及びQ17のベースにはそれぞれブランキングパ
ルスBL1及びBL2が与えられている。
Further, the collectors of the transistors Q16 and Q17 are connected to each other via the resistor 17 having the resistance value R 3 , and the emitter is connected to the ground line L2 via the low current source 15 in common. Blanking pulses BL1 and BL2 are applied to the bases of the transistors Q16 and Q17, respectively.

トランジスタQ16のコレクタ及びトランジスタQ13のベー
スは、ベースに基準電源20の出力電圧V03を受けるトラ
ンジスタQ11を介して電源ラインL1に接続されている。
The collector of the transistor Q16 and the base of the transistor Q13 are connected to the power supply line L1 via the transistor Q11 that receives the output voltage V 03 of the reference power supply 20 at its base.

従つてトランジスタQ16のベース電圧VB16が、トランジ
スタQ17のベース電圧VB17より低くなると、トランジス
タQ17がオン動作して、トランジスタQ13のベース電圧V
B13がトランジスタQ11のエミツタ電圧VE10と等しくな
る。
Therefore, when the base voltage V B16 of the transistor Q16 becomes lower than the base voltage V B17 of the transistor Q17, the transistor Q17 is turned on and the base voltage V B of the transistor Q13 is
B13 becomes equal to the emitter voltage V E10 of transistor Q11.

逆にトランジスタQ16のベース電圧VB16がトランジスタQ
17のベース電圧VB17より高くなると、トランジスタQ16
がオン動作して、トランジスタQ13のベース電圧V
B13は、定電流源15の電流I15が抵抗17に流れることによ
つて生じる電位差V17=I15・R3だけトランジスタQ11の
エミツタ電圧VE11より低い電圧となる。
Conversely, the base voltage V B16 of transistor Q16 is
Above the base voltage V B17 of 17 , transistor Q16
Turns on, and the base voltage V of the transistor Q13
B13 becomes a voltage lower than the emitter voltage V E11 of the transistor Q11 by a potential difference V 17 = I 15 · R 3 generated by the current I 15 of the constant current source 15 flowing through the resistor 17.

さらに、トランジスタQ12及びQ13のコレクタは電源ライ
ンL1に接続され、エミツタは定電流源14を共通に介して
アースラインL2に接続されている。そしてトランジスタ
Q12及びQ13のエミツタが、出力端子T0に導出されてい
る。
Further, the collectors of the transistors Q12 and Q13 are connected to the power supply line L1, and the emitter is connected to the ground line L2 via the constant current source 14 in common. And the transistor
The emitters of Q12 and Q13 are led to the output terminal T0.

従つてトランジスタQ12のベース電圧VB12がトランジス
タQ13のベース電圧VB13より高くなると、トランジスタQ
12がオン動作して、トランジスタQ12のベース電圧VB12
からベース・エミツタ電圧VBE12だけ低い電圧VB12−V
BE12が出力端子T0に出力される。
Therefore, when the base voltage V B12 of the transistor Q12 becomes higher than the base voltage V B13 of the transistor Q13, the transistor Q12
12 turns on, and the base voltage V B12 of transistor Q12
To base-emitter voltage V BE12 lower voltage V B12 −V
BE12 is output to the output terminal T0.

逆にトランジスタQ12のベース電圧VB12がトランジスタQ
13のベース電圧VB13より低くなると、トランジスタQ13
がオン動作して、トランジスタQ13のベース電圧VB13
らベースエミツタ間電圧VBE13だけ低い電圧VB13−VBE13
が出力端子T0に出力される。
Conversely, the base voltage V B12 of transistor Q12 is
Below the base voltage V B13 of 13, transistor Q13
Turns on, and the voltage between the base voltage V B13 of the transistor Q13 and the base-emitter voltage V BE13 is lower than the voltage V B13 −V BE13.
Is output to the output terminal T0.

以上の構成において、ブランキング期間TBLの間、ブラ
ンキングパルスBL1の電圧がブランキングパルスBL2の電
圧より低くなるので、トランジスタQ15及びQ17がオン動
作する。
In the above configuration, since the voltage of the blanking pulse BL1 becomes lower than the voltage of the blanking pulse BL2 during the blanking period T BL , the transistors Q15 and Q17 are turned on.

このとき、トランジスタQ12のベース電圧VB12は入力信
号S1の電圧VS1からトランジスタQ10のベース・エミツタ
電圧VBE10及び抵抗16の降下電圧I13・R2の和だけ低い電
圧VS1−VBE10−I12・R2となる。
At this time, the base voltage V B12 descent of the base emitter voltage V BE10 and resistor 16 of the transistor Q10 from the voltage V S1 of the input signal S1 Voltage I 13-R only the sum of the 2 low voltage V S1 -V BE10 of the transistor Q12 - It becomes I 12 · R 2 .

またトランジスタQ13のベース電圧VB1は、基準電源20の
電圧V03からトランジスタQ11のベース・エミッタ電圧V
BE11だけ低い電圧V03−VBE11となる。
Further, the base voltage V B1 of the transistor Q13 is from the voltage V 03 of the reference power source 20 to the base-emitter voltage V V of the transistor Q11.
Only BE11 has a lower voltage V 03 −V BE11 .

いま入力信号S1の電圧VS1に対して、基準電源20の電圧V
03が次式 VS1−VBE10−I12・R2<V03−VBE11 ……(3) となるように選定されていると、トランジスタQ13がオ
ン動作して、出力端子T0に得られる出力信号S0は、次式 S0=V03−VBE11−VBE13 ≒V03−2VBE ……(4) になる。
The voltage V S1 now the input signal S1, the voltage of the reference power supply 20 V
If 03 is selected so as to satisfy the following expression V S1 −V BE10 −I 12 · R 2 <V 03 −V BE11 (3), the transistor Q13 will be turned on and output to the output terminal T0. the output signal S0 is comprised of the following equation S0 = V 03 -V BE11 -V BE13 ≒ V 03 -2V bE ...... (4).

一方ブランキング期間TBL以外の期間TS1の間は、逆にブ
ランキングパルスBL1の電圧がブランキングパルスBL2の
電圧より高くなるので、トランジスタQ14及びQ16がオン
動作する。
On the other hand, during the period T S1 other than the blanking period T BL , the voltage of the blanking pulse BL1 becomes higher than the voltage of the blanking pulse BL2, so that the transistors Q14 and Q16 are turned on.

このとき、トランジスタQ12のベース電圧VB12は、入力
信号S1の電圧VS1からトランジスタQ10のベース・エミツ
タ電圧VBE10だけ低い電圧VS1−VBE10となる。
At this time, the base voltage V B12 of the transistor Q12 is composed of a voltage V S1 of the input signal S1 and the base emitter voltage V BE10 only low voltage V S1 -V BE10 of the transistor Q10.

またトランジスタQ13のベース電圧VB13は基準電源20の
電圧V03からトランジスタQ11のベースエミツタ間電圧V
BE11及び抵抗17の電圧降下の電圧I15・R3だけ低い電圧V
03−VBE11−I15・R3となる。
Further, the base voltage V B13 of the transistor Q13 is from the voltage V 03 of the reference power source 20 to the voltage V E between the base and emitter of the transistor Q11.
BE11 and resistor 17 voltage drop voltage I 15 · R 3 lower voltage V
03 −V BE11 −I 15 · R 3

ここで次式 VS1−VBE10>V03−VBE11−I15・R3 ……(5) の関係が成り立つ範囲において、トランジスタQ12がオ
ン動作して、出力端子T0に得られる出力信号S0は、 S0=VS1−VBE10−VBE12 ≒VS1−2VBE ……(6) になる。
Here, within the range where the relationship of V S1 −V BE10 > V 03 −V BE11 −I 15 · R 3 (5) holds, the transistor Q12 turns on and the output signal S0 obtained at the output terminal T0. will S0 = V S1 -V BE10 -V BE12 ≒ V S1 -2V bE ...... (6).

かくしてブランキング期間TBLにおいては基準電源20に
基づく電圧V03−2VBEが出力される。ブランキング期間T
BL以外の期間TS1においては入力信号に基づく電圧VS1
2VBEが出力されることとなる。
Thus, in the blanking period T BL , the voltage V 03 −2V BE based on the reference power source 20 is output. Blanking period T
During period T S1 other than BL , voltage V S1
2V BE will be output.

以上の構成によれば、(3)式及び(5)式を満足する
範囲、すなわち、次式 V03−I15・R3<VS1<V03+I12・R2 ……(7) を満足する範囲において、第1の実施例と同等の効果を
得ることができる。
According to the above configuration, the range satisfying the formulas (3) and (5), that is, the following formula V 03 −I 15 · R 3 <V S1 <V 03 + I 12 · R 2 (7) Within the range of satisfaction, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

また本実施例の場合には、いずれもNPN型トランジスタ
を用いているためIC化に適したブランキング回路を得る
ことができる。
Further, in the case of the present embodiment, since the NPN type transistor is used in all cases, it is possible to obtain a blanking circuit suitable for an IC.

なお上述の実施例において用いたPNP型トランジスタに
代えてNPN型トランジスタを用いて、かつNPN型トランジ
スタに代えてPNP型トランジスタを用いた回路構成を行
って、同等の結果を得ることができる。
An equivalent result can be obtained by performing a circuit configuration using an NPN transistor instead of the PNP transistor used in the above-described embodiment and using a PNP transistor instead of the NPN transistor.

この場合、各トランジスタの端子電圧、ブランキングパ
ルスBL1及びBL2及び電源電圧は、本実施例と正負反転す
ることとなり、例えば第1図のトランジスタQ8及びQ9に
相当するトランジスタにおいては、ブランキング期間に
おいては、入力信号側の電圧が上昇して、基準電源側の
電圧が低下することとなる。
In this case, the terminal voltage of each transistor, the blanking pulses BL1 and BL2, and the power supply voltage are inverted between positive and negative in this embodiment. For example, in the transistors corresponding to the transistors Q8 and Q9 in FIG. Means that the voltage on the input signal side increases and the voltage on the reference power source side decreases.

また本発明は、ビデオカメラのラスタ映像信号処理回路
に限らず、テレビジヨン受像機及びビデオテープレコー
ダ等の信号処理回路のブランキング回路として広く適用
することができる。
The present invention is not limited to the raster video signal processing circuit of a video camera, but can be widely applied as a blanking circuit of a signal processing circuit such as a television receiver and a video tape recorder.

H発明の効果 以上のように本発明によれば、ブランキング期間とそれ
以外の期間で、出力の差動増幅回路を構成するトランジ
スタに加える入力信号及び基準電圧レベルを換えること
により、入力信号の波形に拘わらず自由にブランキング
電圧を選ぶことができるため、ラスタ映像信号に対して
雑音を含まない任意の電圧レベルをもつブランキング区
間を確実に挿入することができる。
H Effect of the Invention As described above, according to the present invention, by changing the input signal and the reference voltage level applied to the transistors forming the output differential amplifier circuit during the blanking period and other periods, Since the blanking voltage can be freely selected regardless of the waveform, it is possible to reliably insert a blanking section having an arbitrary voltage level that does not include noise in the raster video signal.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明のブランキング回路の第1の実施例を示
す接続図、第2図はその各部の信号を示す信号波形図、
第3図は本発明のブランキング回路の第2の実施例を示
す接続図、第4図は従来回路を示す接続図である。 1……信号源、2,4,10〜15……定電流源、3,16,17……
抵抗、6、9、20……基準電源、Q1〜Q17……トランジ
スタ。
FIG. 1 is a connection diagram showing a first embodiment of a blanking circuit of the present invention, and FIG. 2 is a signal waveform diagram showing signals of respective parts thereof,
FIG. 3 is a connection diagram showing a second embodiment of the blanking circuit of the present invention, and FIG. 4 is a connection diagram showing a conventional circuit. 1 …… Signal source, 2,4,10 ~ 15 …… Constant current source, 3,16,17 ……
Resistors, 6, 9, 20 ... Reference power supply, Q1-Q17 ... Transistors.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】差動増幅回路及び定電流源を組み合わせた
非加算合成回路でなり、入力映像信号のブランキング期
間に相当する期間の間、上記入力映像信号の直流電圧を
低下(又は上昇)させ、上記ブランキング期間に相当す
る期間以外の間、上記入力映像信号でなる映像信号を出
力する第1の回路と、 当該第1の回路と同様の非加算合成回路でなり、上記ブ
ランキング期間に相当する期間の間、所定の基準電圧を
出力し、当該ブランキング期間に相当する期間以外の
間、上記基準電圧の直流電圧を低下(又は上昇)させて
出力する第2の回路と、 上記第1及び第2の回路と同様の非加算合成回路でな
り、上記第1の回路より出力される映像信号及び上記第
2の回路より出力される基準電圧を比較し、電圧の高い
(又は低い)方を選択出力する第3の回路と を具え、上記入力映像信号のブランキング期間を上記基
準電圧に置換して出力映像信号を送出するようにした ことを特徴とするブランキング回路。
1. A non-additive synthesis circuit in which a differential amplifier circuit and a constant current source are combined, and the DC voltage of the input video signal is lowered (or raised) during a period corresponding to the blanking period of the input video signal. During the period other than the period corresponding to the blanking period, the first circuit that outputs the video signal composed of the input video signal and the non-additive synthesis circuit similar to the first circuit are used. A second circuit that outputs a predetermined reference voltage during a period corresponding to, and reduces (or increases) the DC voltage of the reference voltage and outputs during a period other than the period corresponding to the blanking period. It is a non-additive synthesis circuit similar to the first and second circuits, and compares the video signal output from the first circuit with the reference voltage output from the second circuit to obtain a high (or low) voltage. ) Is selected and output Comprising a third circuit, a blanking circuit for blanking period of the input video signal, characterized in that so as to deliver an output video signal by replacing the above reference voltage.
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