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JPH0760139B2 - Grain boundary display method - Google Patents
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JPH0760139B2 - Grain boundary display method - Google Patents

Grain boundary display method

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Publication number
JPH0760139B2
JPH0760139B2 JP60258456A JP25845685A JPH0760139B2 JP H0760139 B2 JPH0760139 B2 JP H0760139B2 JP 60258456 A JP60258456 A JP 60258456A JP 25845685 A JP25845685 A JP 25845685A JP H0760139 B2 JPH0760139 B2 JP H0760139B2
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JP
Japan
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image
crystal
grain boundary
point
diffraction
Prior art date
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JP60258456A
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千寿子 前田
征夫 井口
庸 伊藤
満 柳沢
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川崎製鉄株式会社
川鉄システム開発株式会社
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Publication date
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  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は各隣接結晶方位の差を各結晶粒界の線幅により
画像表示する方法に関するものであり、特に、微小領域
の結晶方位測定試料の走査電子顕微鏡像または光顕像を
画像処理したディジタル画像に従い測定試料を自動駆動
させて各測定点のX線コッセル回折像を逐次画像メモリ
に入力し、画像処理を行なったのち測定試料のディジタ
ル化を行なった微小領域の結晶方位を自動的に解析し、
結晶方位カラーマップを作成する装置を使用して、マッ
プ上の隣接する結晶粒の方位差を自動的に計算し、方位
差に応じて結晶方位カラーマップの結晶粒界の太さを変
化させて表示する方法に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for displaying an image of the difference between adjacent crystal orientations by the line width of each crystal grain boundary, and particularly to a crystal orientation measuring sample in a minute region. The measurement sample is automatically driven according to the digital image obtained by image-processing the scanning electron microscope image or the optical microscope image, and the X-ray Cossel diffraction images at each measurement point are sequentially input to the image memory, and after image processing, the measurement sample is digitized. Automatically analyze the crystal orientation of the micro region
Using the device that creates the crystal orientation color map, the orientation difference between adjacent crystal grains on the map is automatically calculated, and the thickness of the grain boundary of the crystal orientation color map is changed according to the orientation difference. It is about how to display.

(従来の技術) 微小領域の結晶方位を測定する手法として、走査電子顕
微鏡像(以下、SEM像という)を利用したコッセル線解
析手法が従来のマイクロラウエ法やエッチピット法に代
わって使用されつつある。この手法は、発明者らがさき
に特開昭55−33660号および実公昭57−47791号各公報に
おいて開示したように走査型電子顕微鏡とコッセルカメ
ラとを組合わせ、結晶解析すべき微小領域に走査電子顕
微鏡用の直径数ミクロンまで絞りこんだ電子線を照射し
て、微小領域中の原子が励起されて発生したコッセル線
の像をコッセルカメラによって撮影するものである。
(Prior art) As a method for measuring the crystal orientation of a minute region, a Cossel line analysis method using a scanning electron microscope image (hereinafter referred to as SEM image) is being used instead of the conventional micro-laue method or etch pit method. is there. In this method, the inventors combined a scanning electron microscope and a Kossel camera as disclosed in JP-A-55-33660 and JP-B-57-47791, and a micro region to be crystallized was obtained. An electron beam for a scanning electron microscope, which has been narrowed down to a few microns in diameter, is irradiated, and an image of a Kossel beam generated by exciting atoms in a minute region is photographed by a Kossel camera.

しかしながら、X線フィルムを用いている都合上、装置
へのフィルムのセッテイング、フィルムの現像、定着、
フィルムの解析等に時間と労力がかかり、広範囲の集合
組織に関する情報を得るのは大変困難であった。
However, because of the use of X-ray film, setting the film on the device, developing, fixing the film,
It took time and labor to analyze the film, and it was very difficult to obtain information on a wide range of textures.

上述した欠点を解決するため、発明者らは特開昭56−26
248号公報においてX線イメージインテンシファイャを
用いたX線コッセル回折像観察装置を開示した。この装
置は、従来のX線フィルムに代わって、X線イメージイ
ンテンシファイャの出力をディジタルデータに変換して
ブラウン管上に表示させることができる。、しかしなが
ら、このようにして得られるコッセル回折像もこのまま
では実験データとして使用することはできず、コッセル
回折像解析にあたり誤差を最小限に抑えるためにも、ま
た省力化のためにも、解析の自動化が必要不可欠のもの
であった。
In order to solve the above-mentioned drawbacks, the inventors of the present invention have disclosed Japanese Patent Laid-Open No.
Japanese Patent No. 248 discloses an X-ray Cossel diffraction image observation apparatus using an X-ray image intensifier. This device can replace the conventional X-ray film and convert the output of the X-ray image intensifier into digital data for display on a cathode ray tube. However, the Cossel diffraction image obtained in this way cannot be used as the experimental data as it is, and in order to minimize the error in the analysis of the Cossel diffraction image and to save labor, the analysis is performed. Automation was essential.

1960年代初頭からコンピュータによる画像解析法が発達
し、X線ラウエ法や電子線回折法による回折スポットの
距離の自動測定などが行なわれてきているが、発明者ら
はX線イメージインテンシファイャに画像解析装置を接
続することによりコッセル線像の方位、歪み量解析の自
動化が可能であると考え、多数のデータを高精度にしか
も短時間に処理できるものとして、特願昭59−21580号
において上述した欠点を解消し、自動的にコッセル回折
像の方位、歪み量を解析することによって、多数のデー
タを高精度、短時間に処理でき誤差も少ないX線コッセ
ル回折像解析装置を提案した。
Computer-aided image analysis methods have been developed since the early 1960s, and automatic measurement of the distance of a diffraction spot by the X-ray Laue method or electron beam diffraction method has been performed. We believe that it is possible to automate the analysis of the orientation and distortion of the Kossel line image by connecting an image analysis device, and in Japanese Patent Application No. 59-21580, it is possible to process a large amount of data with high accuracy and in a short time. By solving the above-mentioned drawbacks and automatically analyzing the azimuth and the amount of distortion of the Cossel diffraction image, an X-ray Cossel diffraction image analysis apparatus which can process a large amount of data with high accuracy and in a short time and has few errors was proposed.

1980年代に入り、画像処理・解析装置は、これまでのよ
うな汎用コンピュータでなくパソコンを用いた専用のプ
ロセッサーの導入により、データ処理が高速化し、かつ
現場に即したソフトプログラムが組めるようになったた
め、工業、通信、医療、商業などの分野で幅広く活用さ
れるようになり、またメモリーの大容量化にともない異
なる種類の入力データを並行して処理、解析できる(マ
ルチメモリーチャンネル)ほかカラー画像メモリを設け
ることができ、処理、解析結果をカラー表示することも
可能となった。
In the 1980s, the image processing / analyzing device became faster than the general-purpose computer as before, but the introduction of a dedicated processor using a personal computer made it possible to speed up data processing and build a software program suitable for the site. Therefore, it has been widely used in fields such as industry, communication, medical care, and commerce, and different types of input data can be processed and analyzed in parallel with the increase in memory capacity (multi-memory channel) and color images. A memory can be provided and the processing and analysis results can be displayed in color.

発明者らは、特開昭56−26248号公報に開示したX線コ
ッセル回折像観察装置に上述のマルチメモリーチャンネ
ルシステムを導入した画像処理/解析専用のイメージプ
ロセッサー、オートフォーカス/ステージコントローラ
およびカラーディスプレイ装置(CRT,プリンター等)を
接続することにより電子線の逐次自動照射、極点図の自
動作成およびカラーマッピング可能なX線コッセル回折
像自動解析装置を特願昭60−70186号において提案し
た。これによれば、微小領域に存在する結晶粒の光顕像
またはSEM像から結晶粒界のみを抽出した2値化画像を
作成したのち、領域全体の個々の結晶粒の結晶方位を逐
次自動的に測定し、画像処理/解析専用のイメージプロ
セッサーにより結晶方位解析を行ない、結果を、(hk
l)正極点図でプリントアウトするとともに逆極点(N.
D.とR.D.)による結晶粒個々の結晶方位カラーイメージ
を、結晶粒界2値化画像に重ねあわせることにより、微
小領域の結晶方位カラーマップを作成することができる
ようになった。このカラーマップは個々の結晶粒の方位
を視覚的にわかりやすく表示するものであるから、再結
晶集合組織の優先方位形成状況を記述するうえで有力な
手法であるといえる。
The inventors of the present invention have introduced the above-mentioned multi-memory channel system into the X-ray Cossel diffraction image observation apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 56-26248. In Japanese Patent Application No. 60-70186, an automatic X-ray diffraction analysis device for X-ray diffraction, which enables automatic irradiation of electron beams, automatic creation of pole figure and color mapping by connecting a device (CRT, printer, etc.), was proposed. According to this, a binarized image is created by extracting only the crystal grain boundaries from an optical microscope image or SEM image of crystal grains existing in a minute region, and then the crystal orientations of the individual crystal grains in the entire region are automatically and sequentially obtained. The crystal orientation is measured using an image processor dedicated to image processing / analysis, and the result is (hk
l) Print the positive pole diagram and reverse pole (N.
By superimposing the crystal orientation color image of each crystal grain by D. and RD) on the grain boundary binarized image, it becomes possible to create a crystal orientation color map of a minute region. Since this color map displays the orientation of individual crystal grains in a visually easy-to-understand manner, it can be said to be an effective method for describing the state of preferential orientation formation of recrystallized texture.

(発明が解決しようとする問題点) ところで、焼鈍による結晶粒界の移動、および消滅等の
問題を扱ううえで結晶粒界の性質、たとえば隣接結晶粒
間の方位差が大きい大角粒界であるか、亜粒界(サブバ
ウンダリー)とも言われる小角粒界であるかという点が
注目されることがある。この問題を解決するためにさま
ざまな表示法,粒界モデルが今までに考えられてきてお
り、例えば対応粒界によるΣ値表示(H.Mykura:“Grain
−Boundary Structure and Kinetics",A.S.M.Seminar
(1979),清水ら:鉄と鋼,71(1985),S.554,石田洋
一:日本結晶学会誌,12(1970),142.)、Adams−Murra
y,Rath−Bernstein,Watanabe−Davisらによる図的方法
(それぞれM.A.Adams and G.T.Murray:J.Appl.Phys.,33
(1962),2126、B.B.Rath and J.M.Bernstein:Met.Tran
s.,2(1971),2845、T.Watanabe and P.W.Davis.Phil,M
ag.,A37(1978),649.)等が存在するが、未だ一般的に
確立された方法がない。
(Problems to be Solved by the Invention) By the way, when dealing with problems such as movement and disappearance of crystal grain boundaries due to annealing, it is a large-angle grain boundary in which the nature of the crystal grain boundaries, for example, the orientation difference between adjacent crystal grains is large. It may be noted that it is a small-angle grain boundary, which is also called a sub-boundary. Various display methods and grain boundary models have been considered to solve this problem. For example, Σ value display by corresponding grain boundaries (H. Mykura: “Grain
− Boundary Structure and Kinetics ", ASM Seminar
(1979), Shimizu et al .: Iron and Steel, 71 (1985), S.554, Yoichi Ishida: Journal of the Crystallographic Society of Japan, 12 (1970), 142.), Adams-Murra.
y, Rath-Bernstein, Watanabe-Davis and others graphical methods (MA Adams and GT Murray: J.Appl.Phys., 33, respectively).
(1962), 2126, BBRath and JMBernstein: Met.Tran.
s., 2 (1971), 2845, T. Watanabe and PWDavis.Phil, M
Ag., A37 (1978), 649.) exist, but there is still no established method.

本発明の目的は上述した不具合を解消し、結晶粒界表示
をするにあたり、例えばX線コッセル回折像自動解析装
置を用いて作成した結晶方位カラーマッピングに、結晶
特性値特に隣接結晶粒間の結晶方位差等の結晶粒界情報
をつけ加えて表示することにより直感的にわかりやすい
表示ができる結晶粒界表示法を提供しようとするもので
ある。
The object of the present invention is to solve the above-mentioned inconvenience and to display a crystal grain boundary, for example, in a crystal orientation color mapping created by using an X-ray Cossel diffraction image automatic analyzer, crystal characteristic values, particularly crystals between adjacent crystal grains. An object of the present invention is to provide a crystal grain boundary display method that allows intuitive and easy-to-understand display by additionally displaying crystal grain boundary information such as orientation difference.

(問題点を解決するための手段) 本発明の結晶粒界表示方法は、走査電子顕微鏡像または
光顕像を画像処理して得られた各結晶粒界を表示するデ
ータとコッセル法に基づき測定された各結晶粒ごとの結
晶方位のデータとに基づき、各結晶粒界の隣接結晶方位
の差に応じた結晶粒界の幅をもって結晶粒界を画像表示
することを特徴とするものである。
(Means for Solving Problems) The crystal grain boundary display method of the present invention is measured based on the data for displaying each crystal grain boundary obtained by image-processing a scanning electron microscope image or an optical microscope image and the Cossel method. It is characterized in that the crystal grain boundaries are image-displayed with the width of the crystal grain boundaries corresponding to the difference between the adjacent crystal orientations of the respective crystal grain boundaries based on the data of the crystal orientation of each crystal grain.

(作用) 上述した構成において、結晶粒界表示をするにあたり、
隣接結晶粒界の方位の差をその差に応じた結晶粒界の線
幅をもって結晶粒界と共に画像表示しているため、隣接
結晶粒界の方位の差を直感的にわかりやすく理解するこ
とができる。
(Operation) In displaying the crystal grain boundary in the above-described structure,
Since the difference in orientation between adjacent grain boundaries is displayed together with the grain boundary with the line width of the grain boundary corresponding to the difference, it is possible to intuitively understand the difference in orientation between adjacent grain boundaries. it can.

(実施例) 以下にその詳細を結晶方位カラーマップを例として述べ
る。
(Example) The details will be described below by taking a crystal orientation color map as an example.

第1図は本発明の結晶粒界表示法を実施するのに好適な
特願昭60−70186号で提案したX線コッセル回折像自動
解析装置のブロックダイヤグラムである。すなわち、X
線コッセル回折像観察装置本体1に装入された測定試料
1−4はSEM像検出装置4か又は光顕像検出装置3で検
出され、入力インターフェース5を中継することにより
イメージプロセッサー6にディジタル画像として入力さ
れる。このディジタル画像に、画像処理/解析専用CPU6
−2を用いて必要な2値化処理を行なったのち、結晶粒
界だけの2値化画像として画像メモリー6−1に記憶さ
せるとともに、制御/編集CPUにより、ステージ駆動/
電子銃起動停止装置9に1/0信号が送られ、反射又は透
過法によるX線コッセル回折測定が逐次自動的に行なわ
れる。試料1−4により回折されたX線コッセル回折像
は、X線イメージインテンシファイヤ1−5の受像面に
設けられた高感度X線センサー1−5−1で検知され、
これも組織の画像と同様入力インターフェース5を中継
することによりA/D変換され画像メモリー6−1に記憶
される。このX線コッセル回折像から結晶方位解析に必
要な2又は3本の{hkl}回折線が抽出され、個々の回
折線の原点からの最短距離にある点の座標を読出し、画
像処理/解析専用CPUを用いてこれらのデータから{hk
l}正極点図に必要な残りのすべての{hkl}極点を計算
したのち、ディスプレイ群8のプロッター8−1から
{hkl}正極点図が出力される。一方、結晶方位カラー
マップは、測定値から{100}極点の座標を球面座標系
にて読出し、座標変換を行なうことによりN.D.,R.D.と
もに基本ステレオ三角形内に存在するようなそれぞれ2
種類の逆極点図が作成される。ここで基本ステレオ三角
形の3つの頂点(001),(011)および(111)に光の
3原色、青,赤および緑をおき、各頂点からの角度差を
おもみとして混色することにより個々の結晶粒のN.D.,
R.D.の方位を表わす色情報が得られ、カラーディスプレ
イ8−5から結晶方位カラーマップが出力される。
FIG. 1 is a block diagram of an X-ray Cossel diffraction pattern automatic analyzer proposed in Japanese Patent Application No. 60-70186, which is suitable for carrying out the grain boundary display method of the present invention. That is, X
The measurement sample 1-4 loaded into the main body 1 of the line-COSSEL diffraction image observation apparatus is detected by the SEM image detection apparatus 4 or the optical microscope image detection apparatus 3, and is relayed through the input interface 5 to the image processor 6 as a digital image. Is entered. For this digital image, CPU6 dedicated for image processing / analysis
-2 is used to perform the necessary binarization process, and then the image is stored in the image memory 6-1 as a binarized image of only the crystal grain boundaries.
A 1/0 signal is sent to the electron gun starting / stopping device 9, and X-ray Cossel diffraction measurement by the reflection or transmission method is sequentially and automatically performed. The X-ray Cossel diffraction image diffracted by the sample 1-4 is detected by the high-sensitivity X-ray sensor 1-5-1 provided on the image receiving surface of the X-ray image intensifier 1-5,
This is also A / D converted and stored in the image memory 6-1 by relaying through the input interface 5 like the image of the tissue. From this X-ray Cossel diffraction image, two or three {hkl} diffraction lines necessary for crystal orientation analysis are extracted, and the coordinates of the point at the shortest distance from the origin of each diffraction line are read out for image processing / analysis only. From the data of these using CPU, {hk
After calculating all the remaining {hkl} poles required for the l} positive pole diagram, the plotter 8-1 of the display group 8 outputs the {hkl} positive pole diagram. On the other hand, the crystal orientation color map reads the coordinates of the {100} pole point from the measured value in the spherical coordinate system and performs coordinate conversion to find that both ND and RD exist in the basic stereo triangle.
A kind of inverse pole figure is created. Here, the three primary colors of light, blue, red, and green, are placed at the three vertices (001), (011), and (111) of the basic stereo triangle, and by mixing the angle differences from the vertices as the stimulus ND of grain,
Color information representing the RD direction is obtained, and the crystal display color map is output from the color display 8-5.

第2図は、このようにして得られたカラーマップの1例
で微量Mo添加高級方向性珪素鋼の脱炭・1次再結晶焼鈍
後の1次再結晶組織の結晶方位分布を表示している。第
2図において、結晶粒界はSEM像の写真から撮像管を通
して入力されたものであるため、写真の凹凸をともなう
陰影により結晶粒界の太さが均一ではない。この結晶粒
界を一度1画素分の太さの均一結晶粒界にした後、次に
述べる方法により隣接粒の結晶方位差を基準として結晶
粒界を表示することが可能となった。まずコッセル回折
像から結晶方位を決定する方法はFerranらによる方法
(G.Ferran&R.A.Wood:J.Appl.Gryst.vol.3(1970))
を使用する。すなわち、試料に垂直に電子ビームを照射
すると、試料内で洋梨型の特性X線が発生し、これが試
料内を通過するにあたりその結晶格子によりブラッグ回
折をおこしX線発生源を頂点とする回折円錐が形成され
る。この像はX線発生源から垂直方向にl離れたX線イ
メージインテンシファイャ1−5の水平な受像面1−5
−1上では(1)式で示される2次曲線として近似され
る。
FIG. 2 is an example of the color map obtained in this way, showing the crystal orientation distribution of the primary recrystallized structure after decarburization and primary recrystallization annealing of high-grade grain-oriented silicon steel containing a small amount of Mo. There is. In FIG. 2, since the crystal grain boundaries were input from the SEM image photograph through the image pickup tube, the thickness of the crystal grain boundaries was not uniform due to the shadow accompanied by the unevenness of the photograph. After this crystal grain boundary was once made into a uniform crystal grain boundary having a thickness of one pixel, it became possible to display the crystal grain boundary based on the crystal orientation difference between adjacent grains by the method described below. First, the method of determining the crystal orientation from the Cossel diffraction image is the method by Ferran et al. (G.Ferran & R.A.Wood: J.Appl.Gryst.vol.3 (1970)).
To use. That is, when a sample is vertically irradiated with an electron beam, a pear-shaped characteristic X-ray is generated in the sample, and when the sample passes through the sample, Bragg diffraction is caused by its crystal lattice and a diffraction cone with the X-ray generation source as an apex. Is formed. This image is a horizontal image receiving surface 1-5 of the X-ray image intensifier 1-5 which is vertically away from the X-ray source by l.
On -1, it is approximated as a quadratic curve represented by the equation (1).

ここで、−−は受像面1−5−1と平行な試料面
(圧延面)上の直交座標で軸は試料面と(hkl)回折
面の交線である。θhklは(hkl)回折面のブラッグ角、
またγは(hkl)回折面と、試料面のなす角である。(h
kl)正極点図は試料座標系x−y−z(x軸=R.D.y軸
=T.D.z軸=N.D.)を基準とした場合の結晶座標系X−
Y−Z(立方晶の場合は単位格子ベクトルに相当)の記
述で、すべての{hkl}面法線のステレオ投影点として
表わされる。
Here, “−−” is the orthogonal coordinate on the sample surface (rolling surface) parallel to the image receiving surface 1-5-1 and the axis is the line of intersection between the sample surface and the (hkl) diffraction surface. θhkl is the Bragg angle of the (hkl) diffractive surface,
Further, γ is the angle formed by the (hkl) diffraction surface and the sample surface. (H
kl) The positive point diagram is the crystal coordinate system X- based on the sample coordinate system xyz (x axis = RDy axis = TDz axis = ND)
It is a description of YZ (corresponding to a unit cell vector in the case of cubic crystal), and is expressed as a stereo projection point of all {hkl} plane normals.

すなわち、(1)式の−座標系と、試料座標系x−
yの回転角ψ(とzは一致している。)と、γの値を
求めることにより(hkl)極点が決定される。
That is, the-coordinate system of the equation (1) and the sample coordinate system x-
The (hkl) pole is determined by determining the rotation angle ψ of y (and z are the same) and the value of γ.

(1)式で=0についてとくとは(2)式の
なる。
To say that = 0 in the equation (1) is O in the equation (2).

このは、原点から(hkl)回折線までの最短距離に
相当する。この点をpとし、x−y座標系における点p
の座標を(xp,yp)、点pにおける(hkl)回折線の曲
率をξとおくと、γおよびψは(3)および(4)式
から求められる。(ただし (3)式によればγを決定するためには任意に選択した
回折線の回折面指数(hkl)を判別しなければならな
い。例えば、α鉄のコッセル回折線の場合、ブラッグ条
件を満足する回折面は{200},{110},{211},{2
20}の4種類に限られる。点pにおける回折線の曲率ξ
は、 であるから、γについての各θhklのルックアップテー
ブルを作成しておけばξを測定することにより(hk
l)の判別を行なうことができる。
This O corresponds to the shortest distance from the origin to the (hkl) diffraction line. Let this point be p, and point p in the xy coordinate system.
If the coordinates of (x p , y p ) and the curvature of the (hkl) diffraction line at point p are ξ p , γ and ψ can be obtained from equations (3) and (4). (However According to the equation (3), in order to determine γ, the diffractive surface index (hkl) of the arbitrarily selected diffracted line must be discriminated. For example, in the case of α iron Cossel diffraction line, the diffraction planes satisfying the Bragg condition are {200}, {110}, {211}, {2
Limited to 4 types of 20}. Curvature ξ of diffraction line at point p
p is Therefore, if a lookup table for each θhkl for γ is created, by measuring ξ p (hk
l) can be determined.

次に、画像解析により決定された任意の(hkl)回折線
の(γ,ψ)から(hkl)極点図を作成する方法につい
て述べる。
Next, a method of creating a (hkl) pole figure from (γ, ψ) of an arbitrary (hkl) diffraction line determined by image analysis will be described.

ステレオ投影によれば回折面法線を示す(hkl)極点は
第3図の点Aで表わされる。すなわち、点AはR.D.から
時計まわりにψ回転した軸上の (tは極点図の半径)を満たす点である。
According to stereo projection, the (hkl) pole point showing the diffractive surface normal is represented by point A in FIG. That is, the point A is on the axis rotated ψ clockwise from RD. (T is the radius of the pole figure).

(hkl)極点図は空間的に等価な{hkl}の組み合わせの
すべての極点を示す必要があるが、結晶の回転対称性か
ら{200}極点であれば2点{110}極点であれば3点が
決まれば残りのすべての極点の位置が決定できる。
The (hkl) pole figure needs to show all the poles of the spatially equivalent combinations of {hkl}, but due to the rotational symmetry of the crystal, two points are {200} poles and three points are {110} poles. Once the points are determined, the positions of all remaining poles can be determined.

(200)極点図の作成例を第4図に示す。An example of creating a (200) pole figure is shown in FIG.

点A,点Bは、コッセル回折線から求めた(200)および
(002)極点でそれぞれの測定値は(γ,ψ)およ
び(γ,ψ)である。これら2点から点C(γ
ψ)を決定する。
Points A and B are (200) and (002) poles obtained from the Cossel diffraction line, and their measured values are (γ A , ψ A ) and (γ B , ψ B ), respectively. From these two points, point C (γ C ,
ψ C ) is determined.

2点A,Bを通る晶帯軸(大円のステレオ投影)はOAB面
と、圧延面の交線ROSに垂直な▲▼によりRAQBSと決
まる。点Q(γ,ψ)とすれば▲▼と▲▼
のなす角度ψ′はステレオ投影による角度∠AOQによ
り(6)式で表わされる。
The zone axis passing through the two points A and B (the stereo projection of the great circle) is determined as RAQBS by the OAB plane and ▲ ▼ perpendicular to the line of intersection ROS of the rolling plane. If the point is Q (γ O , ψ O ), then ▲ ▼ and ▲ ▼
The angle ψ I ′ formed by is represented by the equation (6) by the angle ∠AOQ by stereo projection.

同様に ただし、0≦γ,γ0≦ψ,ψ,ψ≦2π ステレオ投影では、一般に(8),(9)式が成立す
る。
As well However, 0 ≦ γ A , γ B , 0 ≦ ψ A , ψ B , ψ O ≦ 2π In stereo projection, the equations (8) and (9) generally hold.

tanγ=tanγcos(ψ−ψ) …(8) tanγ=tanγcos(ψ−ψ) …(9) (8),(9)式を(6),(7)式に代入し、▲
▼と▲▼のなす角度 であるから、γは(10)式から計算できる。
tanγ O = tanγ A cos (ψ O -ψ A) ... (8) tanγ O = tanγ B cos (ψ B -ψ 0) ... (9) (8), (9) Equation (6), (7) Substitute into the formula, ▲
Angle between ▼ and ▲ ▼ Therefore, γ O can be calculated from equation (10).

これを(8)または(9)式に代入すれば、ψが(1
1)式により計算できる。
Substituting this into Eq. (8) or (9), ψ O becomes (1
It can be calculated by the formula 1).

▲▼,▲▼いずれにも垂直な▲▼は▲
▼とも垂直でありかつ∠QOC=πであるから、点Cは(1
2),(13)式により決定される。
▲ ▼ which is vertical to both ▲ ▼ and ▲ ▼ is ▲
Since both ▼ are vertical and ∠QOC = π, the point C is (1
It is determined by equations (2) and (13).

この(200)極点図から(110)極点図への変換は、点A
とB,点BとC,点CとAの各晶帯軸を(6)〜(11)式よ
り求め、{200}面と{110}面の面間角度 ならびに{110}面と{110}面の面間角度 の関係から表示に必要な6つの{110}極点を決定する
ことができる。
The conversion from this (200) pole figure to the (110) pole figure is point A
And B, points B and C, and points C and A, the crystal zone axes are obtained from equations (6) to (11), and the interplane angle between the {200} plane and the {110} plane is calculated. And the angle between {110} and {110} planes The six {110} poles required for display can be determined from the relationship of.

次に、この正極点図から結晶方位のミラー指数(hkl)
〔uvw〕を決定し隣接粒間の方位差を計算で求める。結
晶方位のミラー指数を計算させるために、まず測定粒の
(220)正極点図を作成し、次に逆極点図への変換を行
なう。逆極点図は(200)正極点図を(200)標準投影図
に合致するように等角回転させたときのN.D.とR.D.で表
わされるが、一般にこの等角回転は幾とおりも存在す
る。ここでは以下に述べるようにN.D.を基準にとり最小
の回転角度で変換する方法を用いる。すなわち第4図の
(200)正極点図を第5図の破線経路をたどり第6図の
逆極点図へ変換する。
Next, from this positive point diagram, the crystal orientation Miller index (hkl)
[Uvw] is determined and the orientation difference between adjacent grains is calculated. In order to calculate the Miller index of the crystal orientation, first, a (220) positive pole figure of the measured grain is created, and then converted to a reverse pole figure. The inverse pole figure is represented by ND and RD when the (200) positive pole figure is rotated equiangularly so as to agree with the (200) standard projection, but generally, this equiangular rotation exists many times. Here, as will be described below, a method of converting with a minimum rotation angle with reference to ND is used. That is, the (200) positive pole figure of FIG. 4 is converted into the reverse pole figure of FIG. 6 by following the broken line path of FIG.

ここで、第4、5、6図はステレオ投影におけるウルフ
ネットでプロットした図面であり、第4図の中の極点
A、極点B、極点Cに対応する(γ、ψ)、
(γ、ψ)、(γ、ψ)は、それぞれ直交する
(200)極点パラメータ、γ、γ、γは経度、ψ
、ψ、ψは円周角で表示したものである。第5図
は第4図を(100)標準投影に変換するため、第4図の
正極点図中心に最も近い極点Cを中心に移動させる手順
を図示したものである。第6図は回転後の第5図を図示
したものである。ただし、点A′は水平方向、点B′は
鉛直下方向に回転した。(ω、ψ)、(ω
ψ)はそれぞれ点N、点Rの極点パラメータ(角度表
示はωが経度、ψが円周角)であり、第6図は第4図に
おける点O(N.D.)とR.D.を(100)標準投影図上に試
料法線方向N、圧延方向Rとしてプロットし直した図面
に相当するものである。以上の定義に基づき(200)正
極点図から逆極点図への変換を具体的に述べる。
Here, FIGS. 4, 5 and 6 are drawings plotted by Wolfnet in stereo projection, which correspond to the pole A, the pole B, and the pole C in FIG. 4 (γ A , ψ A ),
B , ψ B ), (γ C , ψ C ) are orthogonal (200) pole point parameters, γ A , γ B , γ C are longitude, ψ
A , ψ B , and ψ C are represented by circumferential angles. FIG. 5 illustrates the procedure for moving the pole point C closest to the center of the positive pole figure in FIG. 4 to convert it into the (100) standard projection. FIG. 6 illustrates FIG. 5 after rotation. However, the point A'rotated horizontally and the point B'rotated vertically downward. (Ω N , ψ N ), (ω R ,
ψ R ) is the pole parameter of the point N and the point R (ω is the longitude and ψ is the circumference angle in the angle display), and FIG. 6 shows the points O (ND) and RD in FIG. 4 as (100) standard. This corresponds to the drawing in which the normal line direction N of the sample and the rolling direction R are plotted again on the projection view. Based on the above definition, the conversion from the (200) positive pole figure to the reverse pole figure will be specifically described.

第4図の点A〜C3つの{200}極点のうち原点O(N.
D.)に一番近い点(γ値最小の点)を(001)極点とし
て原点まで回転移動させる。いまγ<γ<γとす
れば第5図に示すように点Cは原点C′まで回転移動す
る。それに従い、点A、点Bおよび点O(N.D.)、点P
(R.D.)はRSを回転軸として等角移動し、それぞれ点
A′、点B′および点N点Rとなる。ここで点A′と点
B′は立方晶の(200)標準投影における円周上の極点
(200),(020),(00),(00)のいずれかに
相当するが、(002)まわりの180°回転方位を等価にと
り点A′と点B′のいずれかが(200)極点に対応する
ように逆極点図を決定する。いま第5図においてψ′
<ψ′であるから、点A′が(200)極点と決定さ
れ、第4図のN.D.とR.D.は第6図の(200)標準投影上
の点Nと点Rへそれぞれ変換される。(200)標準投影
上の点Nと点Rの座標をそれぞれ(ω,ψ)および
(ω,ψ)(ωは経度、ψは円周角)とすればこれ
らは以下の(14)〜(17)式により計算することができ
る。(ただしψはγ=minを与える円周角) ω=tan-1(tanγcosψ) …(14) 次に結晶方位のミラー指数(hkl)〔uvw〕は点N
(ω,ψ)および点R(ω,ψ)を用いて(1
8)〜(21)式により計算される。
Of the three {200} poles of points A to C in Fig. 4, the origin O (N.
Rotate the point closest to (D.) (point with the smallest γ value) to the origin as the (001) pole. If γ CAB , the point C is rotationally moved to the origin C'as shown in FIG. According to it, point A, point B and point O (ND), point P
(RD) moves equiangularly around RS as a rotation axis to become point A ', point B'and point N point R, respectively. Here, points A'and B'correspond to any of the poles (200), (020), (00), and (00) on the circumference of the cubic (200) standard projection, but (002) The opposite pole figure is determined such that the 180 ° rotation azimuth around the circle is equivalently taken and either the point A ′ or the point B ′ corresponds to the (200) pole. Now in FIG. 5, ψ ′ 1
Since <ψ ' 2 , the point A'is determined to be the (200) pole point, and ND and RD in FIG. 4 are converted to the points N and R on the (200) standard projection in FIG. 6, respectively. If the coordinates of points N and R on the (200) standard projection are (ω N , ψ N ) and (ω R , ψ R ) (ω is longitude and ψ is a circumferential angle), these are given by It can be calculated by equations (14) to (17). (However, ψ O is the circumferential angle that gives γ = min) ω N = tan -1 (tan γ C cos ψ N ) ... (14) Next, the Miller index (hkl) [uvw] of crystal orientation is point N
Using (ω N , ψ N ) and the point R (ω R , ψ R ),
It is calculated by the formulas 8) to (21).

i)ω≠0,±90°のとき ii)ω=90°又は−90°のとき iii)ω=0のときψ=90°又は−90° 次に、隣接結晶粒の方位差は第2図に示すN.D.(又はR.
D.)の逆極点図に結晶粒界の情報としてつけ加えるた
め、方位差角は、N.D.およびR.D.それぞれの方向を表わ
すベクトルのなす角θとして以下の(22),(23)式か
ら計算する。
i) When ω R ≠ 0, ± 90 ° ii) When ω R = 90 ° or −90 ° iii) When ω R = 0, ψ R = 90 ° or −90 ° Next, the difference in orientation between adjacent crystal grains is ND (or R.
The misorientation angle is calculated from the following equations (22) and (23) as the angle θ formed by the vectors representing the directions of ND and RD, in order to add it to the inverse pole figure of D.) as information on the grain boundaries.

θ=cos-1(h1h2+k1k2+l1l2) …(22) θ=cos-1(u1u2+v1v2+w1w2) …(23) ここで(h1k1l1)〔u1v1w1〕および(h2k2l2)〔u2v
2w2〕は隣接する結晶粒1と2と結晶方位を示すミラー
指数である。θは0≦θ≦180°であるが、θ>90°の
ときは補角をとって180°−θを計算する。
θ N = cos -1 (h 1 h 2 + k 1 k 2 + l 1 l 2 )… (22) θ R = cos -1 (u 1 u 2 + v 1 v 2 + w 1 w 2 ) ・ ・ ・ (23) Where (H 1 k 1 l 1 ) [u 1 v 1 w 1 ] and (h 2 k 2 l 2 ) [u 2 v
2 w 2 ] is a Miller index indicating the crystal orientation of adjacent crystal grains 1 and 2. θ is 0 ≦ θ ≦ 180 °, but when θ> 90 °, a complementary angle is taken to calculate 180 ° −θ.

第1図のイメージプロセッサー6により結晶方位差角θ
,θを自動的に計算し、次のようにしてN.D.とR.D.
の方位を示す結晶方位カラーマップの結晶粒界の情報と
して出力させる。
The crystal orientation difference angle θ by the image processor 6 in FIG.
N and θ R are calculated automatically, and ND and RD are calculated as follows.
The information is output as the information of the crystal grain boundary of the crystal orientation color map indicating the orientation of.

簡単のためにいま第7図に示した結晶粒界のみによる結
晶粒1と2の2値化画像を用い、隣接結晶粒の方位差角
により結晶粒界の太さを表示する方法について述べる。
一般にCRT上の結晶粒界による結晶粒2値化画像は、個
々の単位画素のメモリー番地に黒(0)か白(1)の灰
調値が入力される。すなわち、結晶粒の領域の画素の2
値化メモリーにはすべて1結晶粒界には0が入力され
る。第7図の2値化画像では斜線をひいた画素Bが結晶
粒界で、(粒界太さは、はじめすべて1画素とする。)
2値化メモリーには0が入力されている。次にこの2値
化画素から結晶方位測定を行なう結晶粒を抽出し濃淡画
像メモリーの各画素のメモリー番地(16ビット単位)に
結晶粒番号が入力される。第7図では結晶粒1の占める
各画素のすべてに1、結晶粒2の占める各画素のすべて
に2が入力される。この番号に従いコッセルX線回折お
よび結晶方位測定が逐次自動的に行なわれ、2又は3組
の(γ,ψ)パラメータが各結晶粒の結晶粒番号を索引
番号として、外部記憶部のディスクメモリーに入力され
る。これらは第1図画像処理/解析専用CPU6−2により
カラーマップに必要なパラメータを計算するとともに
(14)〜(17)式に示す各結晶粒のN.D.(ω,ψ
とR.D.(ω,ψ)を計算し、前者は各画素のR.G.B.
のカラーメモリAに、後者はカラーメモリーBに入力さ
れる。すなわち、第7図の結晶粒1を示す画素G1すべて
に(ωN1,ψN1)および(ωR1,ψR1)が結晶粒2を示
す画素G2すべてに(ωN2,ψN2)および(ωR2,ψR2
が入力される。隣接結晶粒すべての結晶方位差を計算す
るには、CRTの2値化メモリーを左から右へラスタース
キャンさせ、結晶粒界を示す画素Bに到達したときに画
素Bの左に隣接する画素G1と右に隣接するG2のメモリー
内容からそれぞれ(18)〜(21)を計算し、(22)およ
び(23)式によりN.D.とR.D.の方位差角θN12およびθ
R12を求めてこれらを画素Bのメモリーに入力する。さ
らに、図における画素Bの上に隣接する画素と下に隣接
する画素についても同様な処理を行なう。これが上段か
ら下段へすべての段について行なわれ、ラスター領域内
に存在するすべての結晶粒界画素Bにはこれをはさむ両
隣の結晶粒のN.D.およびR.D.方位差角θ,θが対応
される。この方位差角θ,θの大きさにより表示す
べき結晶粒界の太さを決定する。たとえば第8図はこの
方位差角を0≦θ,θ≦10deg.を1画素、10<
θ,θ≦25deg.を2画素、θ,θ>25deg.を3
画素分の太さとした結晶粒界、結晶方位カラーマップで
ある。このように粒界画素Bに入力されたθ,θ
大きさで数段階に分け、そのランクにより画素Bの右隣
か又は左隣,上隣,下隣の画素を粒界画素とするような
カラーメモリーAおよびカラーメモリーBの該当画素の
R.G.Bの灰調が0に変換される。
For simplification, a method for displaying the thickness of the grain boundary by the misorientation angle of adjacent crystal grains using the binarized image of the crystal grains 1 and 2 shown in FIG. 7 only will be described.
In general, in a binarized image of a crystal grain by a grain boundary on a CRT, a gray (0) or white (1) gray tone value is input to a memory address of each unit pixel. That is, 2 of the pixels in the crystal grain region
All 1's are entered in the binarization memory and 0's are entered in the grain boundaries. In the binarized image of FIG. 7, the pixel B with diagonal lines is the crystal grain boundary (the grain boundary thickness is all 1 pixel at the beginning).
0 is input to the binary memory. Next, the crystal grain whose crystal orientation is to be measured is extracted from this binarized pixel, and the crystal grain number is input to the memory address (16-bit unit) of each pixel of the grayscale image memory. In FIG. 7, 1 is input to all the pixels occupied by the crystal grain 1, and 2 is input to all the pixels occupied by the crystal grain 2. According to this number, the Cossel X-ray diffraction and the crystal orientation measurement are sequentially and automatically performed, and two or three sets of (γ, ψ) parameters are stored in the disk memory of the external storage unit using the crystal grain number of each crystal grain as an index number. Is entered. These are shown in Fig. 1. The CPU 6-2 dedicated to image processing / analysis calculates the parameters required for the color map, and ND (ω N , ψ N ) of each crystal grain shown in equations (14) to (17).
And RD (ω N , ψ N ) are calculated, and the former is the RGB of each pixel
Is input to the color memory A and the latter is input to the color memory B. That is, (ω N1 , ψ N1 ) and (ω R1 , ψ R1 ) in all the pixels G 1 showing the crystal grain 1 in FIG. 7 are (ω N2 , ψ N2 ) and all in the pixel G 2 showing the crystal grain 2. (Ω R2 , ψ R2 )
Is entered. To calculate the crystal orientation difference of all adjacent crystal grains, the binarization memory of the CRT is raster-scanned from left to right, and when the pixel B indicating the crystal grain boundary is reached, the pixel G adjacent to the left of the pixel B is detected. (18) to (21) are calculated from the memory contents of 1 and the G 2 adjacent to the right, respectively, and the azimuth difference angles θ N12 and θ of ND and RD are calculated using equations (22) and (23).
Find R12 and enter these into the memory of pixel B. Further, similar processing is performed on the pixel adjacent to the pixel B and the pixel adjacent to the pixel B in the figure. This is performed for all the stages from the upper stage to the lower stage, and all the crystal grain boundary pixels B existing in the raster region are associated with the ND and RD misorientation angles θ N , θ R of the crystal grains on both sides sandwiching it. . The thickness of the crystal grain boundary to be displayed is determined by the magnitudes of the misorientation angles θ N and θ R. For example, in FIG. 8, the misorientation angle is 0 ≦ θ N , θ R ≦ 10 deg. For 1 pixel, and 10 <
2 pixels for θ N and θ R ≦ 25 deg. and 3 pixels for θ N and θ R > 25 deg.
It is a crystal grain boundary and a crystal orientation color map having a thickness for a pixel. In this way, θ N and θ R input to the grain boundary pixel B are divided into several stages according to size, and the pixel on the right side or the left side, the upper side, and the lower side of the pixel B is determined as the grain boundary pixel according to the rank. Of the corresponding pixels of color memory A and color memory B
RGB gray tone is converted to 0.

(発明の効果) 以上詳細に説明したところから明らかなように、本発明
の結晶粒界表示法によれば、結晶粒界表示をするにあた
り隣接結晶粒界の方位の差をその差に応じた結晶粒界の
線幅をもって結晶粒界と共に画像表示しているため、隣
接する結晶粒界の方位の差を直感的にわかりやすく表示
することができる。
(Effect of the Invention) As is clear from the above description, according to the crystal grain boundary display method of the present invention, the difference in the orientation of the adjacent crystal grain boundaries is determined according to the difference in displaying the crystal grain boundaries. Since the image is displayed together with the crystal grain boundary with the line width of the crystal grain boundary, it is possible to intuitively and easily display the difference in the orientation of the adjacent crystal grain boundaries.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は結晶粒界、結晶方位カラーマップを自動的に作
成するX線コッセル回折像自動回折装置のブロック図、 第2図は結晶粒界2値化画像を用いた結晶方位カラーマ
ップによる結晶の構造を示す写真、 第3図は測定値と正極点図の関係図、 第4図は(200)正極点図の作成例の説明図、 第5図は(200)正極点図からの逆極点図への変換経路
図、 第6図は逆極点図の作成例の説明図、 第7図はCRT上の結晶粒界2値化画像の模式図、 第8図は第2図に方位差による結晶粒界表示を付加した
結晶粒界、結晶方位カラーマップによる結晶の構造を示
す写真である。 1……X線コッセル回折像観察装置 1−1……電子銃、1−2……収束レンズ 1−3……対物レンズ、1−4……試料 1−5……X線イメージインテンシファイャ 1−5−1……高感度X線センサ 3……光学顕微鏡像検出装置 3−1……光学顕微鏡、3−2……テレビカメラ 4……SEM像検出装置、4−1……検出器 4−2……スキャニングコンバータ 5……入力インターフェース 6……イメージプロセッサー 6−1……画像メモリ 6−2……画像処理/回折専用CPU 6−3……制御/編集専用CPU 7……出力インターフェース 8……ディスプレイ 9……ステージ駆動/電子銃駆動停止装置 9−1……オートフォーカス/ステージコントローラ 9−2……X−Y−Zパルスモータ
Fig. 1 is a block diagram of an X-ray Cossel diffraction image automatic diffraction device that automatically creates grain boundaries and crystal orientation color maps, and Fig. 2 is a crystal with crystal orientation color maps using a grain boundary binary image. Fig. 3 is a photograph showing the structure of Fig. 3, Fig. 3 is a diagram showing the relationship between the measured values and the positive electrode dot diagram, Fig. 4 is an explanatory diagram of an example of creating the (200) positive electrode dot diagram, and Fig. 5 is the reverse of the (200) positive electrode dot diagram Diagram of conversion path to pole figure, Fig. 6 is an explanatory diagram of an example of creating an inverse pole figure, Fig. 7 is a schematic diagram of binarized image of grain boundary on CRT, Fig. 8 is misorientation in Fig. 2. 3 is a photograph showing a crystal grain boundary to which a crystal grain boundary display is added and a crystal structure based on a crystal orientation color map. 1 ... X-ray Cossel diffraction image observation device 1-1 ... Electron gun 1-2 ... Converging lens 1-3 ... Objective lens 1-4 ... Sample 1-5 ... X-ray image intensifier 1-5-1 ... High-sensitivity X-ray sensor 3 ... Optical microscope image detection device 3-1 ... Optical microscope 3-2 ... TV camera 4 ... SEM image detection device, 4-1 ... Detector 4-2 Scanning converter 5 Input interface 6 Image processor 6-1 Image memory 6-2 Image processing / diffraction CPU 6-3 Control / editing CPU 7 Output interface 8 ... Display 9 ... Stage drive / electron gun drive stop device 9-1 ... Autofocus / stage controller 9-2 ... XYZ pulse motor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 庸 千葉県千葉市川崎町1番地 川崎製鉄株式 会社技術研究本部内 (72)発明者 柳沢 満 東京都千代田区内幸町2丁目2番3号 川 鉄システム開発株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−228336(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Yo Ito 1 Kawasaki-cho, Chiba-shi, Chiba Kawasaki Steel Co., Ltd. Technical Research Headquarters (72) Inventor Mitsu Yanagisawa 2-3 2-3 Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Kawatetsu System Development Co., Ltd. (56) Reference JP-A-61-228336 (JP, A)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】走査電子顕微鏡像または光顕像を画像処理
して得られた各結晶粒界を表示するデータとコッセル法
に基づき測定された各結晶粒ごとの結晶方位のデータと
に基づき、各結晶粒界の隣接結晶方位の差に応じた結晶
粒界の幅をもって結晶粒界を画像表示することを特徴と
する結晶粒界表示方法。
1. Based on data for displaying each crystal grain boundary obtained by image-processing a scanning electron microscope image or an optical microscope image and data on a crystal orientation for each crystal grain measured by the Cossel method, A method for displaying a grain boundary, wherein the grain boundary is image-displayed with a width of the grain boundary according to a difference between adjacent crystal orientations of the grain boundary.
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