JPH0766566B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH0766566B2 JPH0766566B2 JP61140792A JP14079286A JPH0766566B2 JP H0766566 B2 JPH0766566 B2 JP H0766566B2 JP 61140792 A JP61140792 A JP 61140792A JP 14079286 A JP14079286 A JP 14079286A JP H0766566 B2 JPH0766566 B2 JP H0766566B2
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザ光等の光を用いて情報の記録再生を行
なう光記録媒体に関するものである。
なう光記録媒体に関するものである。
従来の技術 近年、情報処理システムにおける処理情報量の急速な増
加に伴い、特にデータ処理システムやオフィス・オート
メーション等の分野において記録容量の大きい記録媒
体、とりわけ光記録媒体が注目されている。光記録媒体
では、媒体上に光ビームを照射し、光吸収による局部的
な温度上昇あるいは化学変化を誘起して記録を行なう。
再生は、記録によって誘起された媒体上の局部的変化を
記録時と強度あるいは波長の異なる光ビームを照射し、
その反射光あるいは透過光を検出して行なう。
加に伴い、特にデータ処理システムやオフィス・オート
メーション等の分野において記録容量の大きい記録媒
体、とりわけ光記録媒体が注目されている。光記録媒体
では、媒体上に光ビームを照射し、光吸収による局部的
な温度上昇あるいは化学変化を誘起して記録を行なう。
再生は、記録によって誘起された媒体上の局部的変化を
記録時と強度あるいは波長の異なる光ビームを照射し、
その反射光あるいは透過光を検出して行なう。
光記録媒体の記録膜としては、テルル系合金膜、希土類
−遷移金属系合金膜等のように酸化や腐食で劣化し易い
材料が多く、記録膜の劣化防止のための保護膜を選定す
ることが重要である。従来の光記録媒体の保護膜として
は、Si3N4,AlN等の窒化膜やSiO,SiO2等の酸化膜が検討
されており、一般に記録膜を挾んだ形で設けられる。
−遷移金属系合金膜等のように酸化や腐食で劣化し易い
材料が多く、記録膜の劣化防止のための保護膜を選定す
ることが重要である。従来の光記録媒体の保護膜として
は、Si3N4,AlN等の窒化膜やSiO,SiO2等の酸化膜が検討
されており、一般に記録膜を挾んだ形で設けられる。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、基板にプラスチックを用いた場合、その
上に形成される窒化膜はヒビ割れを生じ易く、光記録媒
体へのレーザ光照射の繰り返しや保管環境温度の急変で
媒体の破壊がもたらされるという欠点を有していた。
上に形成される窒化膜はヒビ割れを生じ易く、光記録媒
体へのレーザ光照射の繰り返しや保管環境温度の急変で
媒体の破壊がもたらされるという欠点を有していた。
これは基板と窒化膜の熱膨張率差、窒化膜の残留応力等
に起因していると考えられる。また、SiO2膜は膜界面に
遊離した酸素を持つため、記録膜の酸化劣化を促進し易
く、特に記録膜が希土類−遷移金属系合金膜の場合、第
３図に示すように60℃,90％RHの試験環境下で100時間前
後で特性が劣化してしまうという欠点を有していた。さ
らに、SiO膜を保護膜として用いた場合、第４図に示す
ように記録感度が時間とともに変化して行くという欠点
を有していた。
に起因していると考えられる。また、SiO2膜は膜界面に
遊離した酸素を持つため、記録膜の酸化劣化を促進し易
く、特に記録膜が希土類−遷移金属系合金膜の場合、第
３図に示すように60℃,90％RHの試験環境下で100時間前
後で特性が劣化してしまうという欠点を有していた。さ
らに、SiO膜を保護膜として用いた場合、第４図に示す
ように記録感度が時間とともに変化して行くという欠点
を有していた。
本発明は、上記問題点に鑑み、耐久性に優れた高信頼性
の光記録媒体を提供するものである。
の光記録媒体を提供するものである。
問題点を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の光記録媒体は、記録
膜の保護膜が、記録膜に近い側から順に窒化物層、窒化
物と酸化物の共存層、酸化物層で構成されている。
膜の保護膜が、記録膜に近い側から順に窒化物層、窒化
物と酸化物の共存層、酸化物層で構成されている。
作用 本発明は上記した膜の残留応力が小さく、基板への付着
力が大きい酸化物層と、記録膜の酸化劣化の防止能力を
有する窒化物層および、酸化物層−窒化物層間の整合を
図る共存層とからなる構成によって、プラスチック基板
を用いた場合でも膜にヒビ割れが発生し難く、記録膜の
酸化や腐食を防止できるもので、記録再生特性の安定し
た高信頼性の光記録媒体を実現できる。
力が大きい酸化物層と、記録膜の酸化劣化の防止能力を
有する窒化物層および、酸化物層−窒化物層間の整合を
図る共存層とからなる構成によって、プラスチック基板
を用いた場合でも膜にヒビ割れが発生し難く、記録膜の
酸化や腐食を防止できるもので、記録再生特性の安定し
た高信頼性の光記録媒体を実現できる。
実 施 例 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は、本発明の一実施例の光記録媒体の構造を示す
断面図である。第１図において、11はポリカーボネイト
基板、12a〜ｃおよび14は保護膜で、12aは酸化ケイ素
層、12bは酸化ケイ素と窒化ケイ素の共存層（以下共存
層という）、12cおよび14は窒化ケイ素層、13は記録膜
（GdTbFe膜）である。上記各保護膜（12a〜ｃおよび1
4）はスパッタリング法あるいはエレクトロン−サイク
ロトン共鳴CVD法（ECR−CVD法）を用いて形成し、酸化
ケイ素層12a,共存層12b,窒化ケイ素層12c,14の各層は、
反応ガスである酸素ガスと窒素ガスの混合比を切り換え
て形成を行なった。また、記録膜13はスパッタリング法
によって形成した。それぞれの膜厚は、酸化ケイ素層12
aが50〜1000Å，共存層12bが５〜500Å，窒化ケイ素層1
2cおよび14が300〜5000Å，記録膜13が300〜1500Åであ
る。
断面図である。第１図において、11はポリカーボネイト
基板、12a〜ｃおよび14は保護膜で、12aは酸化ケイ素
層、12bは酸化ケイ素と窒化ケイ素の共存層（以下共存
層という）、12cおよび14は窒化ケイ素層、13は記録膜
（GdTbFe膜）である。上記各保護膜（12a〜ｃおよび1
4）はスパッタリング法あるいはエレクトロン−サイク
ロトン共鳴CVD法（ECR−CVD法）を用いて形成し、酸化
ケイ素層12a,共存層12b,窒化ケイ素層12c,14の各層は、
反応ガスである酸素ガスと窒素ガスの混合比を切り換え
て形成を行なった。また、記録膜13はスパッタリング法
によって形成した。それぞれの膜厚は、酸化ケイ素層12
aが50〜1000Å，共存層12bが５〜500Å，窒化ケイ素層1
2cおよび14が300〜5000Å，記録膜13が300〜1500Åであ
る。
第２図は、本発明による第１図の構造の光記録媒体につ
いて60℃90％RHの環境下での記録膜の保磁力とカー回転
角と記録感度の経時変化を示したものである。記録膜が
酸化や腐食等によって劣化すると保磁力、カー回転角が
低下するが、第２図に示すように、本発明による３層構
成の保護膜を用いた場合、2000時間以上ヒビ割れの発生
や保磁力、カー回転角および記録感度の劣化は認められ
なかった。
いて60℃90％RHの環境下での記録膜の保磁力とカー回転
角と記録感度の経時変化を示したものである。記録膜が
酸化や腐食等によって劣化すると保磁力、カー回転角が
低下するが、第２図に示すように、本発明による３層構
成の保護膜を用いた場合、2000時間以上ヒビ割れの発生
や保磁力、カー回転角および記録感度の劣化は認められ
なかった。
以上のように、本実施例によれば、保護膜にヒビ割れの
発生がなく、記録膜の劣化がない高信頼性の光記録媒体
が実現できる。
発生がなく、記録膜の劣化がない高信頼性の光記録媒体
が実現できる。
なお、本実施例では、基板としてポリカーボネイト、記
録膜として希土類−遷移金属系合金、酸化物層として酸
化ケイ素、共存層として酸化ケイ素と窒化ケイ素の共存
層、窒化物層として窒化ケイ素を用いたが、基板にガラ
スはもちろんアクリル，エポキシ，その他のプラスチッ
ク、記録膜にテルル系合金や熱可塑性樹脂等、酸化物層
に酸化アルミニウム、共存層に酸化アルミニウムと窒化
アルミニウムの共存層、窒化物層に窒化アルミニウムを
用いても同様の効果が得られる。
録膜として希土類−遷移金属系合金、酸化物層として酸
化ケイ素、共存層として酸化ケイ素と窒化ケイ素の共存
層、窒化物層として窒化ケイ素を用いたが、基板にガラ
スはもちろんアクリル，エポキシ，その他のプラスチッ
ク、記録膜にテルル系合金や熱可塑性樹脂等、酸化物層
に酸化アルミニウム、共存層に酸化アルミニウムと窒化
アルミニウムの共存層、窒化物層に窒化アルミニウムを
用いても同様の効果が得られる。
発明の効果 本発明は、光記録媒体の保護膜として、窒化物層、窒化
物と酸化物の共存層、酸化物層からなるセラミック膜を
用いることにより、高信頼性の光記録媒体を提供するも
のである。
物と酸化物の共存層、酸化物層からなるセラミック膜を
用いることにより、高信頼性の光記録媒体を提供するも
のである。
第１図は本発明の一実施例における光記録媒体の構造を
示す断面図、第２図は本発明による保護膜を用いた第１
図の構造の光記録媒体について、60℃90％RHの環境下で
の記録膜の保磁力、カー回転角、および記録感度の経時
変化を示した特性図、第３図はSiO2を保護膜として用い
た場合の記録膜の保磁力の経時変化を示した特性図、第
４図はSiOを保護膜として用いた場合の記録膜の記録感
度の経時変化を示した特性図である。 11……ポリカーボネイト基板、12a……酸化ケイ素層
（酸化物層）、12b……酸化ケイ素と窒化ケイ素の共存
層（酸化物と窒化物の共存層）、12c……窒化ケイ素層
（窒化物層）、13……記録膜（GdTbFe膜）、14……窒化
ケイ素層。
示す断面図、第２図は本発明による保護膜を用いた第１
図の構造の光記録媒体について、60℃90％RHの環境下で
の記録膜の保磁力、カー回転角、および記録感度の経時
変化を示した特性図、第３図はSiO2を保護膜として用い
た場合の記録膜の保磁力の経時変化を示した特性図、第
４図はSiOを保護膜として用いた場合の記録膜の記録感
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（酸化物層）、12b……酸化ケイ素と窒化ケイ素の共存
層（酸化物と窒化物の共存層）、12c……窒化ケイ素層
（窒化物層）、13……記録膜（GdTbFe膜）、14……窒化
ケイ素層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 家城 満 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−281142（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−281143（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】基板と記録膜の間に保護膜が設けられ、前
記保護膜が、前記記録膜に近い側から順に窒化物層、窒
化物と酸化物の共存層、酸化物層で構成されていること
を特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】窒化物層が窒化ケイ素または窒化アルミニ
ウム、酸化物層が酸化ケイ素または酸化アルミニウム、
共存層が窒化ケイ素と酸化ケイ素の共存層または窒化ア
ルミニウムと酸化アルミニウムの共存層であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61140792A JPH0766566B2 (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61140792A JPH0766566B2 (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62298037A JPS62298037A (ja) | 1987-12-25 |
| JPH0766566B2 true JPH0766566B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=15276847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61140792A Expired - Fee Related JPH0766566B2 (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766566B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2597630B2 (ja) * | 1988-03-04 | 1997-04-09 | 株式会社東芝 | 光メモリ媒体 |
| JPH01271937A (ja) * | 1988-04-23 | 1989-10-31 | Hitachi Maxell Ltd | 光情報記録媒体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH079715B2 (ja) * | 1986-05-30 | 1995-02-01 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPH0770096B2 (ja) * | 1986-05-30 | 1995-07-31 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-06-17 JP JP61140792A patent/JPH0766566B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62298037A (ja) | 1987-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |