JPH0766691B2 - 高周波誘電体用焼結体の製造方法 - Google Patents
高周波誘電体用焼結体の製造方法Info
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- JPH0766691B2 JPH0766691B2 JP2005295A JP529590A JPH0766691B2 JP H0766691 B2 JPH0766691 B2 JP H0766691B2 JP 2005295 A JP2005295 A JP 2005295A JP 529590 A JP529590 A JP 529590A JP H0766691 B2 JPH0766691 B2 JP H0766691B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、高周波誘電体用焼結体の製造方法に関す
る。
る。
従来、マイクロ波領域において高誘電率および高Ｑ値を
もつ高周波誘電体用焼結体として、BaMg1/3Ta2/3O3（＝
Ba3MgTa2O9）であらわされるペロブスカイト型高周波誘
電体用焼結体（以下、適宜「BMT焼結体」と称すること
がある）がある。
もつ高周波誘電体用焼結体として、BaMg1/3Ta2/3O3（＝
Ba3MgTa2O9）であらわされるペロブスカイト型高周波誘
電体用焼結体（以下、適宜「BMT焼結体」と称すること
がある）がある。
焼結体は、原料配合物を仮焼して得た仮焼物を本焼成し
焼結させることで得られている。しかし、BMT焼結体
は、一般に、誘電特性の良い焼結体を歩留まりよく得る
ことが困難であるとされている。得られた焼結体の緻密
度が低かったり、焼結体にクラックが入っていたりする
ことが多いからである。
焼結させることで得られている。しかし、BMT焼結体
は、一般に、誘電特性の良い焼結体を歩留まりよく得る
ことが困難であるとされている。得られた焼結体の緻密
度が低かったり、焼結体にクラックが入っていたりする
ことが多いからである。
緻密度を高めるために、本焼成での昇温速度を100℃／
分と急速に上げる方法が提案されているが、この急速昇
温構成では、焼成コストが高くて電子デバイス（例え
ば、共振器）の低価格化が困難であるため、量産に適さ
ず実用性が薄い。
分と急速に上げる方法が提案されているが、この急速昇
温構成では、焼成コストが高くて電子デバイス（例え
ば、共振器）の低価格化が困難であるため、量産に適さ
ず実用性が薄い。
上記事情に鑑み、この発明は、誘電特性の優れた高周波
誘電体用焼結体を歩留まりよく安価に製造することので
きる量産性に富む方法を提供することを課題とする。
誘電体用焼結体を歩留まりよく安価に製造することので
きる量産性に富む方法を提供することを課題とする。
発明者は、上記課題を解決するため、BMT焼結体につい
て、様々な方向から検討し、つぎのようなことを見出し
た。すなわち、1000〜1100℃程度で仮焼した粉末を焼成
して得た焼結体には、クラック発生があるために誘電特
性は十分でないが、緻密度は十分に高いということを、
他方、1300〜1400℃程度で仮焼した粉末を焼成して得た
焼結体には、、クラックの発生はないが緻密度で劣ると
いうことを見出した。そこで、その原因を詳しく検討し
た結果、仮焼温度1000〜1100℃の仮焼物では、少量のBa
Ta2O6が生成されているが、仮焼温度1300〜1400℃の仮
焼物では、BaTa2O6が事実上生成されていないことが分
かり、このBaTa2O6がBMT焼結体の緻密度を向上させてい
るのではないかと推察し、1300程度を越える温度で十分
に仮焼したBaMg1/3Ta2/3O3であらわされる難焼結性仮焼
物に、少量のBaTa2O6を積極的に添加すれば、クラック
発生を抑制しつつ、緻密度の高い焼結体とすることがで
きるのではないかと推定し、実験によってこの推定の正
しいことを確かめた結果、ここに、この発明を完成させ
ることができたのである。
て、様々な方向から検討し、つぎのようなことを見出し
た。すなわち、1000〜1100℃程度で仮焼した粉末を焼成
して得た焼結体には、クラック発生があるために誘電特
性は十分でないが、緻密度は十分に高いということを、
他方、1300〜1400℃程度で仮焼した粉末を焼成して得た
焼結体には、、クラックの発生はないが緻密度で劣ると
いうことを見出した。そこで、その原因を詳しく検討し
た結果、仮焼温度1000〜1100℃の仮焼物では、少量のBa
Ta2O6が生成されているが、仮焼温度1300〜1400℃の仮
焼物では、BaTa2O6が事実上生成されていないことが分
かり、このBaTa2O6がBMT焼結体の緻密度を向上させてい
るのではないかと推察し、1300程度を越える温度で十分
に仮焼したBaMg1/3Ta2/3O3であらわされる難焼結性仮焼
物に、少量のBaTa2O6を積極的に添加すれば、クラック
発生を抑制しつつ、緻密度の高い焼結体とすることがで
きるのではないかと推定し、実験によってこの推定の正
しいことを確かめた結果、ここに、この発明を完成させ
ることができたのである。
したがって、この発明のペロブスカイト型高周波誘電体
用焼結体のＡ、Ｂ、Ｃの記号でそれぞれ表す元素または
元素団およびＯで表す酸素の構成比率がAB1/3C2/3O3で
あらわされるペロブスカイト型高周波誘電体用焼結体を
得る方法であり、AB1/3C2/3O3であらわされる仮焼物に
A,C複合酸化物を添加して1300℃以上で焼成する。
用焼結体のＡ、Ｂ、Ｃの記号でそれぞれ表す元素または
元素団およびＯで表す酸素の構成比率がAB1/3C2/3O3で
あらわされるペロブスカイト型高周波誘電体用焼結体を
得る方法であり、AB1/3C2/3O3であらわされる仮焼物に
A,C複合酸化物を添加して1300℃以上で焼成する。
AB1/3C2/3O3であらわされる仮焼物のＡ、Ｂ、Ｃと、A,C
複合酸化物のＡ、Ｃとは、下記Ａ、Ｂ、Ｃの中から適宜
選んで組み合わされる。
複合酸化物のＡ、Ｃとは、下記Ａ、Ｂ、Ｃの中から適宜
選んで組み合わされる。
A;Ba、Sr、Ba1-XSrX B;Mg、Zn、Ni、Mn C;Ta、Nb BMT焼結体を得るための仮焼物は、例えば、請求項２記
載のように、BaMg1/3Ta2/3O3であらわされるものが挙げ
られ、この場合における好ましい複合酸化物はBaTa2O6
である。さらには、請求項３のように、仮焼物が（Ba
1-XSrX）B1/3C2/3O3であらわされる仮焼物もあり（但
し、０＜Ｘ＜１である）、この場合、A,C複合酸化物
に、Ba,C複合酸化物およびSr,C複合酸化物の少なくとも
一方を用いるようにする。
載のように、BaMg1/3Ta2/3O3であらわされるものが挙げ
られ、この場合における好ましい複合酸化物はBaTa2O6
である。さらには、請求項３のように、仮焼物が（Ba
1-XSrX）B1/3C2/3O3であらわされる仮焼物もあり（但
し、０＜Ｘ＜１である）、この場合、A,C複合酸化物
に、Ba,C複合酸化物およびSr,C複合酸化物の少なくとも
一方を用いるようにする。
この発明では、請求項４のように、A,C複合酸化物に加
えて、これと合わせてAB1/3C2/3O3であらわされるペロ
ブスカイト型化合物を生成する酸化物をも添加するよう
にしてもよい。例えば、前記BMT焼結体を得る場合に
は、複合酸化物BaTa2O6に下記〜のいずれかの酸化
物を併せて添加するようにするのである。
えて、これと合わせてAB1/3C2/3O3であらわされるペロ
ブスカイト型化合物を生成する酸化物をも添加するよう
にしてもよい。例えば、前記BMT焼結体を得る場合に
は、複合酸化物BaTa2O6に下記〜のいずれかの酸化
物を併せて添加するようにするのである。
BaOとMgO BaCO3とMgO Ba2MgO3 すなわち、前記記号Ａ、Ｂ、Ｏで表現すると、前記仮焼
物に前記A,C複合酸化物とともに、Ａの酸化物とＢの
酸化物との組み合わせ、Ａの炭酸化物とＢの酸化物と
の組み合わせ、および、A,B複合酸化物のうちの何れ
か１組または１種をさらに添加して焼成するのである。
物に前記A,C複合酸化物とともに、Ａの酸化物とＢの
酸化物との組み合わせ、Ａの炭酸化物とＢの酸化物と
の組み合わせ、および、A,B複合酸化物のうちの何れ
か１組または１種をさらに添加して焼成するのである。
この発明では、請求項５のように、AB1/3C2/3O3であら
わされる仮焼物1molに対しA,C複合酸化物を0.001〜0.40
molの割合で添加するのが良い。0.001molを下回ると十
分な添加効果を確保することが難しく、0.40molを上回
ると却って十分な誘電特性や緻密度の焼結体が得にくく
なるからである。
わされる仮焼物1molに対しA,C複合酸化物を0.001〜0.40
molの割合で添加するのが良い。0.001molを下回ると十
分な添加効果を確保することが難しく、0.40molを上回
ると却って十分な誘電特性や緻密度の焼結体が得にくく
なるからである。
なお、ペロブスカイト型高周波誘電体用焼結体を得るた
めの仮焼物と、添加される複合酸化物および併用酸化物
の他の組み合わせとしては、下記のようなものが挙げら
れる。
めの仮焼物と、添加される複合酸化物および併用酸化物
の他の組み合わせとしては、下記のようなものが挙げら
れる。
(a) 仮焼物；BaZn1/2Ta2/3O3の場合 複合酸化物；BaTa2O6 併用酸化物；BaOとZnO、BaCO3とZnO、Ba2ZnO3の
うちのいずれか。
うちのいずれか。
(b) 仮焼物：BaNi1/3Ta2/3O2の場合 複合酸化物；BaTa2O6 併用酸化物；BaOとNiO、BaCO3とNiO、Ba2NiO3の
うちのいずれか。
うちのいずれか。
(c) 仮焼物；BaMn1/3Ta2/3O3の場合複合酸化物；BaTa2
O6 併用酸化物；BaO2とMnO、BaCO3とMnO、Ba2MnO3の
うちのいずれか。
O6 併用酸化物；BaO2とMnO、BaCO3とMnO、Ba2MnO3の
うちのいずれか。
(d) 仮焼物：BaMg1/3Nb2/3O3の場合 複合酸化物；BaNbO3 併用酸化物；BaOとMgO、BaCO3とMgO、Ba2MgO3の
うちのいずれか。
うちのいずれか。
(e) 仮焼物：BaZn1/3Nb2/3O3の場合 複合酸化物；BaNbO3 併用酸化物；BaOとZnO、BaCO3とZnO、Ba2ZnO3の
うちのいずれか。
うちのいずれか。
(f) 仮焼物：BaMn1/3Nb2/3O3の場合 複合酸化物；BaNbO3 併用酸化物；BaOとMnO、BaCO3とMnO、Ba2MnO3の
うちのいずれか。
うちのいずれか。
(g) 仮焼物：SrMg1/3Ta2/3O3の場合 複合酸化物；SrTa2O6 併用酸化物；SrOとMgO、SrCO3とMgO、SrMgO3のう
ちのいずれかが挙げられる。
ちのいずれかが挙げられる。
(h) 仮焼物：SrZn1/3Ta2/3O3の場合 複合酸化物；SrTa2O6 併用酸化物；SrOとZnO、SrCO3とZnO、SrZnO3のう
ちのいずれかが挙げられる。
ちのいずれかが挙げられる。
(i) 仮焼物：SrNi1/3Ta2/3O3の場合 複合酸化物；SrTa2O6 併用酸化物；SrOとNiO、SrCO3とNiO、SrNiO3のう
ちのいずれかが挙げられる。
ちのいずれかが挙げられる。
(j) 仮焼物：Ba1-XSrxMg1/3Ta2/3O3の場合 但し;0＜
Ｘ＜１ １−Ｘ≧Ｘの場合 複合酸化物イ；BaTa2O6 併用酸化物イ；BaOとMgO、BaCO3とMgO、Ba2MgO8
のうちのいずれか。
Ｘ＜１ １−Ｘ≧Ｘの場合 複合酸化物イ；BaTa2O6 併用酸化物イ；BaOとMgO、BaCO3とMgO、Ba2MgO8
のうちのいずれか。
１−Ｘ≦Ｘの場合 複合酸化物ロ；SrTa2O6 併用酸化物ロ；SrO2とMgO、SrCO3とMgO、Sr2MgO3
のうちのいずれか。
のうちのいずれか。
さらには、比率に応じて複合酸化物イ，ロや併用酸化物
イ、ロを併せて用いるようにしてもよい。
イ、ロを併せて用いるようにしてもよい。
(k) 仮焼物：Ba1-XSrxNi1/3Ta2/3O3の場合 但し;0＜
Ｘ＜１ １−Ｘ≧Ｘの場合 複合酸化物イ；BaTa2O6 併用酸化物イ；BaOとNiO、BaCO3とNiO、Ba2NiO3
のうちのいずれか。
Ｘ＜１ １−Ｘ≧Ｘの場合 複合酸化物イ；BaTa2O6 併用酸化物イ；BaOとNiO、BaCO3とNiO、Ba2NiO3
のうちのいずれか。
１−Ｘ≦Ｘの場合 複合酸化物ロ；SrTa2O6 併用酸化物ロ；SrO2とNiO、SrCO3とNiO、Sr2NiO3
のうちのいずれか。
のうちのいずれか。
さらには、比率に応じて複合酸化物イ，ロや併用酸化物
イ、ロを併せて用いるようにしてもよい。
イ、ロを併せて用いるようにしてもよい。
このように、この発明において、Ａが複数の元素の場合
（例えばＡ＝Ａ′1-XＡ″X）には、Ａ、Ｃ複合酸化物と
して、Ａ′、Ａ″の元素のうち占有率の高い方の元素の
みの複合酸化物（Ａ′、Ｃ複合酸化物またはＡ″、Ｃ複
合酸化物）が単独で使われたり、あるいは、Ａに複数の
元素の各元素が単独で入った複合酸化物（Ａ′、Ｃ複合
酸化物およびＡ″、Ｃ複合酸化物）が元素占有比率に応
じて併せて使われたり、さらには、Ａに全ての元素が入
った複合酸化物（Ａ′Ａ″、Ｃ複合酸化物）が使われた
りする態様をとる。
（例えばＡ＝Ａ′1-XＡ″X）には、Ａ、Ｃ複合酸化物と
して、Ａ′、Ａ″の元素のうち占有率の高い方の元素の
みの複合酸化物（Ａ′、Ｃ複合酸化物またはＡ″、Ｃ複
合酸化物）が単独で使われたり、あるいは、Ａに複数の
元素の各元素が単独で入った複合酸化物（Ａ′、Ｃ複合
酸化物およびＡ″、Ｃ複合酸化物）が元素占有比率に応
じて併せて使われたり、さらには、Ａに全ての元素が入
った複合酸化物（Ａ′Ａ″、Ｃ複合酸化物）が使われた
りする態様をとる。
この発明では、例えば、BMT焼結体の場合、具体的には
以下のようにして製造する。
以下のようにして製造する。
BaMg1/3Ta2/3O5の化学量論比に従って、出発原料Ba
CO3、MgOおよびTa2O3を計算する。
CO3、MgOおよびTa2O3を計算する。
BaCO3の代わりにBaOを用いてもよいが、BaCO3は高純度
で粒径の揃ったものが安価に入手できる。また、MgOの
代わりにMgCO3を用いてもよい。
で粒径の揃ったものが安価に入手できる。また、MgOの
代わりにMgCO3を用いてもよい。
1000〜1100℃の温度で予備仮焼を行う。予備仮焼
は、後の仮焼や本焼成の際にMgOが揮発するのを避ける
ようにするためのものである。但し、この予備仮焼は省
いてもよい。
は、後の仮焼や本焼成の際にMgOが揮発するのを避ける
ようにするためのものである。但し、この予備仮焼は省
いてもよい。
なお、1000〜1100℃の予備仮焼での固相反応は、 ３（BaCO3）＋MgO＋Ta2O5→αBa3MgTa2O9 ＋β〔BaTa2O6＋2BaCO3＋MgO〕＋（３−２β）CO2↑ である。
予備仮焼を終えた粉末は、冷却後、純粋中で24時間
程度ボール・ミルを用い粉砕し、乾燥してから、1300〜
1400℃の温度で２〜10時間仮焼する。この仮焼は、２回
以上行うことが好ましい。一回の仮焼毎に仮焼物を粉砕
するようにする。この仮焼物は、BaMg1/3Ta2/3O3であら
わされるものとなっている。
程度ボール・ミルを用い粉砕し、乾燥してから、1300〜
1400℃の温度で２〜10時間仮焼する。この仮焼は、２回
以上行うことが好ましい。一回の仮焼毎に仮焼物を粉砕
するようにする。この仮焼物は、BaMg1/3Ta2/3O3であら
わされるものとなっている。
なお、1300〜1400℃の仮焼での反応は、 ３（BaCO3）＋MgO＋Ta2O5→Ba3MgTa2O9＋3CO2↑ である。
ここで、仮焼物1molに対してBaTa2O6をP1mol（０＜
P1≦0.05の範囲）添加し、加圧成形により所定形状の圧
粉体にする。
P1≦0.05の範囲）添加し、加圧成形により所定形状の圧
粉体にする。
ついで、本焼成を行う。
(1) 1550℃以上の温度で２〜５時間焼成する。昇温速
度には特に制限はない。この(1)の焼成は、緻密化を進
行させるためのものである。ついで、 (2) 1200〜1450℃で10〜120時間熱処理する。この(2)
の処理は、BMT結晶を理想的な六方晶とするためになさ
れる。
度には特に制限はない。この(1)の焼成は、緻密化を進
行させるためのものである。ついで、 (2) 1200〜1450℃で10〜120時間熱処理する。この(2)
の処理は、BMT結晶を理想的な六方晶とするためになさ
れる。
これにより、優れたBMT焼結体が容易に得られるように
なる。
なる。
なお、上記以下を下記のようにしてもよい。
′ここで、仮焼物1molに対して〔BaTa2O6＋2BaO＋Mg
O〕をP2mol（0.01＜P2≦0.07の範囲）添加し、加圧成形
により所定形状の圧粉体にする。
O〕をP2mol（0.01＜P2≦0.07の範囲）添加し、加圧成形
により所定形状の圧粉体にする。
′ついで、本焼成を行う。
(1)′1550〜1650℃の温度で２〜５時間焼成する。1100
℃までの昇温速度には特に制限はないが、それ以降は、
50℃/hr程度以上とすることが好ましい。この焼成(1)′
は緻密化を進行させるためのものである。ついで、 (2)′1300〜1650℃で10〜200時間熱処理する。この
(2)′の処理は、BaTa2O6、BaO、MgOにおける固相反応に
よりこれらの化合物をBaMg1/3Ta2/3O3として生成させ、
焼結体の母体組成物と同一にすると同時に、BMT結晶を
理想的な六方晶とするためのものである。
℃までの昇温速度には特に制限はないが、それ以降は、
50℃/hr程度以上とすることが好ましい。この焼成(1)′
は緻密化を進行させるためのものである。ついで、 (2)′1300〜1650℃で10〜200時間熱処理する。この
(2)′の処理は、BaTa2O6、BaO、MgOにおける固相反応に
よりこれらの化合物をBaMg1/3Ta2/3O3として生成させ、
焼結体の母体組成物と同一にすると同時に、BMT結晶を
理想的な六方晶とするためのものである。
また、上記以下を下記のようにしてもよい。
″ここで、仮焼物1molに対して〔2BaCO3＋2MgO＋BaTa
2O6〕をP3mol（0.01＜P3≦0.40の範囲）添加し、加圧成
形により所定形状の圧粉体にする。
2O6〕をP3mol（0.01＜P3≦0.40の範囲）添加し、加圧成
形により所定形状の圧粉体にする。
″ついで、本焼成を行う。
(1)″1550〜1650℃の温度で２〜５時間焼成する。1100
℃までの昇温速度には特に制限はないが、それ以降は、
50℃/hr程度以上とすることが好ましい。この焼成(1)′
は緻密化を進行させるためのものである。ついで、 (2)″1300〜1650℃で10〜200時間熱処理する。この
(2)″の処理は、BaTa2O6、MgO、BaCO3における固相反応
によりこれらの化合物をBaMg1/3Ta2/3O3として生成さ
せ、焼結体の母体組成物と同一にすると同時に、BMT結
晶を理想的な六方晶とするためのものである。
℃までの昇温速度には特に制限はないが、それ以降は、
50℃/hr程度以上とすることが好ましい。この焼成(1)′
は緻密化を進行させるためのものである。ついで、 (2)″1300〜1650℃で10〜200時間熱処理する。この
(2)″の処理は、BaTa2O6、MgO、BaCO3における固相反応
によりこれらの化合物をBaMg1/3Ta2/3O3として生成さ
せ、焼結体の母体組成物と同一にすると同時に、BMT結
晶を理想的な六方晶とするためのものである。
この発明では、本焼成において添加されるA,C複合酸化
物は、AB1/3C2/2O3であらわされる仮焼物に対し焼結を
促す作用を発揮する。
物は、AB1/3C2/2O3であらわされる仮焼物に対し焼結を
促す作用を発揮する。
ペロブスカイト型高周波誘電体用焼結体がBaMg1/3Ta2/3
O3であらわされるものである場合は、他の組成のものの
場合に比べ、誘電特性の優れたものが得やすい。
O3であらわされるものである場合は、他の組成のものの
場合に比べ、誘電特性の優れたものが得やすい。
前記仮焼物に前記A,C複合酸化物とともに、Ａの酸化
物とＢの酸化物との組み合わせ、Ａの炭酸化物とＢの
酸化物との組み合わせ、および、A,B複合酸化物のう
ち何れか１組または１種をも添加するようにする場合に
は、A,C複合酸化物単独の場合に比べ、高Ｑ値のものが
得やすいという利点がある。
物とＢの酸化物との組み合わせ、Ａの炭酸化物とＢの
酸化物との組み合わせ、および、A,B複合酸化物のう
ち何れか１組または１種をも添加するようにする場合に
は、A,C複合酸化物単独の場合に比べ、高Ｑ値のものが
得やすいという利点がある。
A,C複合酸化物の添加量がAB1/3C2/3O3であらわされる仮
焼物1molに対し0.001〜0.40molである場合には、焼結促
進作用が確実に発揮されるようになる。
焼物1molに対し0.001〜0.40molである場合には、焼結促
進作用が確実に発揮されるようになる。
以下、この発明の実施例を説明する。
−実施例１〜４− 上記〜に従って、BMT焼結体を得た。
但し、仮焼物1molに対するBaTa2O6の添加割合は、第１
表の通りとした。
表の通りとした。
なお、予備仮焼工程では、1100℃、10時間の処理を行
い、仮焼工程では、1300度、10時間の処理を２回行
い、本焼成の(1)焼成工程では、1600℃、２時間の焼
成を行い、(2)焼成工程では、1450℃、100時間の処理を
行った。
い、仮焼工程では、1300度、10時間の処理を２回行
い、本焼成の(1)焼成工程では、1600℃、２時間の焼
成を行い、(2)焼成工程では、1450℃、100時間の処理を
行った。
−比較例１− 実施例１において、BaTa2O3を添加しなかった他は、同
様にしてBMT焼結体を得た。
様にしてBMT焼結体を得た。
−実施例５、６− 上記〜、′、′に従って、BMT焼結体を得た。
但し、仮焼物1molに対する〔BaTa2O6＋2BaO＋MgO〕の添
加割合は、第１表の通りとした。
加割合は、第１表の通りとした。
なお、予備仮焼工程では、1100℃、10時間の焼成を行
い、′仮焼工程では、1300℃、10時間の焼成を２回行
い、′本焼成の(1)′焼成工程では1600℃、２時間の
焼成を行い、(2)′熱処理工程では、1600℃、80時間の
処理を行った。
い、′仮焼工程では、1300℃、10時間の焼成を２回行
い、′本焼成の(1)′焼成工程では1600℃、２時間の
焼成を行い、(2)′熱処理工程では、1600℃、80時間の
処理を行った。
−比較例２− 〔BaTa2O6＋2BaO＋MgO〕を添加しなかった他は、実施例
５と同様にしてBMT焼結体を得た。
５と同様にしてBMT焼結体を得た。
−実施例７〜12− 上記〜、″、″に従って、BMT焼結体を得た。
但し、仮焼物1molに対する〔BaTa2O6MgO＋2BaCO3〕の添
加割合は、第２表の通りである。
加割合は、第２表の通りである。
なお、予備仮焼工程では、1100℃、２時間の処理を行
い、″仮焼工程では、1300℃、10時間の焼成を２回行
い、″本焼成の(1)″焼成工程では、1600℃、２時間
の焼成を行い、(2)″熱処理工程では、1600℃、80時間
の処理を行った。
い、″仮焼工程では、1300℃、10時間の焼成を２回行
い、″本焼成の(1)″焼成工程では、1600℃、２時間
の焼成を行い、(2)″熱処理工程では、1600℃、80時間
の処理を行った。
−比較例３− 〔BaTa2O6＋MgO＋2BaCO3〕を添加しなかった他は、実施
例７と同様にしてBMT焼結体を得た。
例７と同様にしてBMT焼結体を得た。
−比較例４− 実施例１において、予備仮焼後の仮焼を行わなかっ
た他は、同様にしてBMT焼結体を得た。
た他は、同様にしてBMT焼結体を得た。
実施例および比較例について、緻密度（焼結体の相対密
度）を測定するとともに、誘電率とＱ値を誘電体円柱共
振法により測定した。また、クラック発生の有無につい
ても調べた。
度）を測定するとともに、誘電率とＱ値を誘電体円柱共
振法により測定した。また、クラック発生の有無につい
ても調べた。
なお、クラック発生の有無に関しては、実施例１〜12、
比較例１〜３についてはクラック発生無しであり、比較
例４についてはクラック発生がみられた。
比較例１〜３についてはクラック発生無しであり、比較
例４についてはクラック発生がみられた。
第１、第２表にみるように、実施例の各焼結体は、比較
例１〜４の焼結体と比べ、緻密であり、クラック発生も
なく、優れた誘電特性の誘電体となっていることが分か
る。
例１〜４の焼結体と比べ、緻密であり、クラック発生も
なく、優れた誘電特性の誘電体となっていることが分か
る。
以上に述べたように、請求項１〜５記載の発明では、AB
1/3C2/3O3であらわされる仮焼物に優れた焼結促進作用
をもつA,C複合酸化物を添加し焼成するようにするた
め、クラックが入らず緻密度も高い優れた高周波誘電特
性の焼結体を歩留まりよく容易に製造することができ
る。
1/3C2/3O3であらわされる仮焼物に優れた焼結促進作用
をもつA,C複合酸化物を添加し焼成するようにするた
め、クラックが入らず緻密度も高い優れた高周波誘電特
性の焼結体を歩留まりよく容易に製造することができ
る。
請求項２記載の発明では、ペロブスカイト型高周波誘電
体用焼結体の組成がBaMg1/3Ta2/3O3であるため、誘電特
性が他の組成のものに比べてよく、利用価値が高い。
体用焼結体の組成がBaMg1/3Ta2/3O3であるため、誘電特
性が他の組成のものに比べてよく、利用価値が高い。
請求項４記載の発明では、前記仮焼物に前記A,C複合酸
化物とともに前記併用酸化物をも添加することで、これ
らA,C複合酸化物と併用酸化物とが合わされてAB1/3C2/3
O3であらわされるペロブスカイト型化合物となって生成
し焼結体の母体組成と同一となってしまうため、AB1/3C
2/3O3のみ添加する場合に比べてＱ値が高くなるなどの
利点がある。
化物とともに前記併用酸化物をも添加することで、これ
らA,C複合酸化物と併用酸化物とが合わされてAB1/3C2/3
O3であらわされるペロブスカイト型化合物となって生成
し焼結体の母体組成と同一となってしまうため、AB1/3C
2/3O3のみ添加する場合に比べてＱ値が高くなるなどの
利点がある。
請求項５記載の発明では、AB1/3C2/3O3であらわされる
仮焼物1molに対しA,C複合酸化物を0.001〜0.40molの割
合で添加しているため、A,C複合酸化物の焼結促進作用
がより確実に発揮される。
仮焼物1molに対しA,C複合酸化物を0.001〜0.40molの割
合で添加しているため、A,C複合酸化物の焼結促進作用
がより確実に発揮される。
Claims (5)
- 【請求項１】Ba、Sr、Ba1-XSrX（但し、０＜Ｘ＜１）の
うちの何れか１種の元素または元素団を表すＡと、Mg、
Zn、Ni、Mnのうちの何れか１種の元素を表すＢと、Taま
たはNbの何れか１種の元素を表すＣと、酸素を表すＯと
の構成比率がAB1/3C2/3O3であらわされるペロブスカイ
ト型高周波誘電体用焼結体を得るにあたり、AB1/3C2/3O
3であらわされる仮焼物にA,C複合酸化物を添加して1300
℃以上で焼成する高周波誘電体用焼結体の製造方法。 - 【請求項２】前記仮焼物がBaMg1/3Ta2/3O3であらわされ
るものであり、前記A,C複合酸化物がBaTa2O6であらわさ
れるものである請求項１記載の高周波誘電体用焼結体の
製造方法。 - 【請求項３】前記仮焼物が（Ba1-XSrX）B1/3C2/3O3（但
し、０＜Ｘ＜１）であらわされるものであって、前記A,
C複合酸化物が、Ba,C複合酸化物およびSr,C複合酸化物
の少なくとも一方である請求項１記載の高周波誘電体用
焼結体の製造方法。 - 【請求項４】前記仮焼物に前記A,C複合酸化物ととも
に、Ａの酸化物とＢの酸化物との組み合わせ、Ａの炭酸
化物とＢの酸化物との組み合わせ、および、A,B複合酸
化物のうちの何れか１組または１種をさらに添加して焼
成する請求項１から３までのいずれかに記載の高周波誘
電体用焼結体の製造方法。 - 【請求項５】AB1/3C2/3O3であらわされる仮焼物1molに
対しA,C複合酸化物を0.001〜0.40molの割合で添加する
請求項１から４までのいずれかに記載の高周波誘電体用
焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005295A JPH0766691B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 高周波誘電体用焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005295A JPH0766691B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 高周波誘電体用焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03210704A JPH03210704A (ja) | 1991-09-13 |
| JPH0766691B2 true JPH0766691B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=11607258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005295A Expired - Fee Related JPH0766691B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 高周波誘電体用焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766691B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05182521A (ja) * | 1991-12-31 | 1993-07-23 | Nikko Co | Ｂｚｔ焼結体の製造方法 |
| JP4494725B2 (ja) * | 2003-04-18 | 2010-06-30 | 日本特殊陶業株式会社 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-01-11 JP JP2005295A patent/JPH0766691B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03210704A (ja) | 1991-09-13 |
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