JPH0817053B2 - 高周波誘電体用焼結体の製造方法 - Google Patents
高周波誘電体用焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0817053B2 JPH0817053B2 JP2404558A JP40455890A JPH0817053B2 JP H0817053 B2 JPH0817053 B2 JP H0817053B2 JP 2404558 A JP2404558 A JP 2404558A JP 40455890 A JP40455890 A JP 40455890A JP H0817053 B2 JPH0817053 B2 JP H0817053B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- oxide
- calcined product
- frequency dielectric
- high frequency
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高周波誘電体用焼結
体の製造方法に関する。
体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、マイクロ波領域において高誘電率
および高Ｑ値をもつ高周波誘電体用焼結体として、Ｂａ
Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 （＝Ｂａ3 ＭｇＴａ2 Ｏ9 ）であ
らわされるペロブスカイト型高周波誘電体用焼結体（以
下、適宜「ＢＭＴ焼結体」と言う）がある。
および高Ｑ値をもつ高周波誘電体用焼結体として、Ｂａ
Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 （＝Ｂａ3 ＭｇＴａ2 Ｏ9 ）であ
らわされるペロブスカイト型高周波誘電体用焼結体（以
下、適宜「ＢＭＴ焼結体」と言う）がある。
【０００３】この高周波誘電体用焼結体は、原料配合物
を仮焼して得た仮焼物を本焼成し焼結させることで得ら
れている。しかし、ＢＭＴ焼結体は、一般に、誘電特性
の良い焼結体を歩留まりよく得ることが困難であるとさ
れている。得られた焼結体の緻密度が低かったり、焼結
体にクラックが入っていたりすることが多いからであ
る。
を仮焼して得た仮焼物を本焼成し焼結させることで得ら
れている。しかし、ＢＭＴ焼結体は、一般に、誘電特性
の良い焼結体を歩留まりよく得ることが困難であるとさ
れている。得られた焼結体の緻密度が低かったり、焼結
体にクラックが入っていたりすることが多いからであ
る。
【０００４】緻密度を高めるために、本焼成での昇温速
度を１００℃／分と急速に上げる方法が提案されている
が、この急速昇温焼成では、焼成コストが高くて電子デ
バイス（例えば、共振器）の低価格化が困難であるた
め、量産に適さず実用性が低い。
度を１００℃／分と急速に上げる方法が提案されている
が、この急速昇温焼成では、焼成コストが高くて電子デ
バイス（例えば、共振器）の低価格化が困難であるた
め、量産に適さず実用性が低い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記事情に鑑み、この
発明は誘電特性の優れた安価な高周波誘電体用焼結体を
容易に製造することのできる方法を提供することを課題
とする。
発明は誘電特性の優れた安価な高周波誘電体用焼結体を
容易に製造することのできる方法を提供することを課題
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】発明者は、上記課題を解
決するため、ＢＭＴ焼結体について、様々な方向から検
討し、つぎのようなことを見出した。すなわち、１００
０〜１１００℃程度で仮焼した仮焼物の粉末を用いた場
合の焼結体には、クラック発生があるために誘電特性は
十分でないが、緻密度は十分である。クラック発生が起
こるのは、仮焼物中に未反応で残るＢａＣＯ3 、ＭｇＯ
およびＢａＴａ2 Ｏ6 の３者が焼成過程で再反応するか
らと考えた。他方、１３００〜１４００℃程度で仮焼し
た粉末を焼成して得た焼結体には、クラックの発生はな
いが緻密度で劣るということを見出した。そこで、緻密
度の劣る原因を詳しく検討した結果、仮焼温度が１３０
０〜１４００℃の場合には反応が十分に進んでいるため
にＭｇＯは殆ど残存しないが、仮焼温度１０００〜１１
００℃の場合にはＭｇＯが残存するためではないか、と
推察したのである。この推察に基づいて、１３００℃を
超える温度で十分に焼成したＢａＭｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3
であらわされる難焼結性仮焼物に、少量のＭｇＯを積極
的に添加すれば、クラック発生を抑制しつつ、緻密度の
高い焼結体とすることができるのではないかと推定し、
実験によってこの推定の正しいことを確かめた結果、こ
こに、この発明を完成させることができたのである。
決するため、ＢＭＴ焼結体について、様々な方向から検
討し、つぎのようなことを見出した。すなわち、１００
０〜１１００℃程度で仮焼した仮焼物の粉末を用いた場
合の焼結体には、クラック発生があるために誘電特性は
十分でないが、緻密度は十分である。クラック発生が起
こるのは、仮焼物中に未反応で残るＢａＣＯ3 、ＭｇＯ
およびＢａＴａ2 Ｏ6 の３者が焼成過程で再反応するか
らと考えた。他方、１３００〜１４００℃程度で仮焼し
た粉末を焼成して得た焼結体には、クラックの発生はな
いが緻密度で劣るということを見出した。そこで、緻密
度の劣る原因を詳しく検討した結果、仮焼温度が１３０
０〜１４００℃の場合には反応が十分に進んでいるため
にＭｇＯは殆ど残存しないが、仮焼温度１０００〜１１
００℃の場合にはＭｇＯが残存するためではないか、と
推察したのである。この推察に基づいて、１３００℃を
超える温度で十分に焼成したＢａＭｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3
であらわされる難焼結性仮焼物に、少量のＭｇＯを積極
的に添加すれば、クラック発生を抑制しつつ、緻密度の
高い焼結体とすることができるのではないかと推定し、
実験によってこの推定の正しいことを確かめた結果、こ
こに、この発明を完成させることができたのである。
【０００７】したがって、この発明にかかる誘電体用焼
結体の製造方法は、Ｂａ、Ｓｒ、Ｂａ 1-x Ｓｒ x （但
し、０＜Ｘ＜１）のうちの何れか１種の元素または元素
団を表すＡと、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｍｎのうちの何れか
１種の元素を表すＢと、ＴａまたはＮｂの何れか１種の
元素を表すＣと、酸素を表すＯとの構成比率がＡＢ1/3
Ｃ2/3 Ｏ3 であらわされるペロブスカイト型高周波誘電
体用焼結体を得るにあたり、ＡＢ1/3 Ｃ2/3 Ｏ3 であら
わされる仮焼物にＢ酸化物を添加して１３００℃以上で
焼成する。この発明におけるＡＢ1/3 Ｃ2/3 Ｏ3 であら
わされる仮焼物およびＢ酸化物のＡ、Ｂ、Ｃは前記Ａ、
Ｂ、Ｃの中から適宜選んで組み合される。
結体の製造方法は、Ｂａ、Ｓｒ、Ｂａ 1-x Ｓｒ x （但
し、０＜Ｘ＜１）のうちの何れか１種の元素または元素
団を表すＡと、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｍｎのうちの何れか
１種の元素を表すＢと、ＴａまたはＮｂの何れか１種の
元素を表すＣと、酸素を表すＯとの構成比率がＡＢ1/3
Ｃ2/3 Ｏ3 であらわされるペロブスカイト型高周波誘電
体用焼結体を得るにあたり、ＡＢ1/3 Ｃ2/3 Ｏ3 であら
わされる仮焼物にＢ酸化物を添加して１３００℃以上で
焼成する。この発明におけるＡＢ1/3 Ｃ2/3 Ｏ3 であら
わされる仮焼物およびＢ酸化物のＡ、Ｂ、Ｃは前記Ａ、
Ｂ、Ｃの中から適宜選んで組み合される。
【０００８】 例えば、ＢＭＴ焼結体の場合、請求項２の
ように、仮焼物はＢａＭｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 であらわさ
れるものであり、Ｂ酸化物はＭｇＯである。
ように、仮焼物はＢａＭｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 であらわさ
れるものであり、Ｂ酸化物はＭｇＯである。
【０００９】仮焼物に加えるＢ酸化物の添加量は、通
常、請求項３のように、仮焼物１ molに対し、３〜８mo
l ％、より好ましくは、４〜６mol％の範囲とする。３
mol％を下回ると緻密度を高める効果が十分でない傾向
がみられ、８ mol％を上回ると却って誘電特性や緻密化
の十分な焼結体が得難くなるからである。なお、ペロブ
スカイト型高周波誘電体用焼結体を得るための仮焼物
と、添加される酸化物の組み合せとしては、上記のＢＭ
Ｔの場合の他、つぎのようなものも挙げられる。 （ａ）仮焼物；ＢａＺｎ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 酸化物；Ｚｎ
Ｏ （ｂ）仮焼物；ＢａＮｉ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 酸化物；Ｎｉ
Ｏ （ｃ）仮焼物；ＢａＭｎ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 酸化物；Ｍｎ
Ｏ （ｄ）仮焼物；ＢａＭｇ1/3 Ｎｂ2/3 Ｏ3 酸化物；Ｍｇ
Ｏ （ｅ）仮焼物；ＢａＺｎ1/3 Ｎｂ2/3 Ｏ3 酸化物；Ｚｎ
Ｏ （ｆ）仮焼物；ＢａＭｎ1/3 Ｎｂ2/3 Ｏ3 酸化物；Ｍｎ
Ｏ （ｇ）仮焼物；ＳｒＭｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 酸化物；Ｍｇ
Ｏ （ｈ）仮焼物；ＳｒＺｎ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 酸化物；Ｚｎ
Ｏ （ｉ）仮焼物；ＳｒＮｉ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 酸化物；Ｎｉ
Ｏ （ｊ）仮焼物；Ｂａ1-x Ｓｒx Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 酸
化物；ＭｇＯ （ｋ）仮焼物；Ｂａ1-x Ｓｒx Ｎｉ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 酸
化物；ＮｉＯ 以下、この発明を、ＢＭＴ焼結体の場合を例にとって、
具体的に説明する。
常、請求項３のように、仮焼物１ molに対し、３〜８mo
l ％、より好ましくは、４〜６mol％の範囲とする。３
mol％を下回ると緻密度を高める効果が十分でない傾向
がみられ、８ mol％を上回ると却って誘電特性や緻密化
の十分な焼結体が得難くなるからである。なお、ペロブ
スカイト型高周波誘電体用焼結体を得るための仮焼物
と、添加される酸化物の組み合せとしては、上記のＢＭ
Ｔの場合の他、つぎのようなものも挙げられる。 （ａ）仮焼物；ＢａＺｎ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 酸化物；Ｚｎ
Ｏ （ｂ）仮焼物；ＢａＮｉ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 酸化物；Ｎｉ
Ｏ （ｃ）仮焼物；ＢａＭｎ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 酸化物；Ｍｎ
Ｏ （ｄ）仮焼物；ＢａＭｇ1/3 Ｎｂ2/3 Ｏ3 酸化物；Ｍｇ
Ｏ （ｅ）仮焼物；ＢａＺｎ1/3 Ｎｂ2/3 Ｏ3 酸化物；Ｚｎ
Ｏ （ｆ）仮焼物；ＢａＭｎ1/3 Ｎｂ2/3 Ｏ3 酸化物；Ｍｎ
Ｏ （ｇ）仮焼物；ＳｒＭｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 酸化物；Ｍｇ
Ｏ （ｈ）仮焼物；ＳｒＺｎ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 酸化物；Ｚｎ
Ｏ （ｉ）仮焼物；ＳｒＮｉ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 酸化物；Ｎｉ
Ｏ （ｊ）仮焼物；Ｂａ1-x Ｓｒx Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 酸
化物；ＭｇＯ （ｋ）仮焼物；Ｂａ1-x Ｓｒx Ｎｉ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 酸
化物；ＮｉＯ 以下、この発明を、ＢＭＴ焼結体の場合を例にとって、
具体的に説明する。
【００１０】 ＢａＭｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 の化学量論
比に従って、出発原料ＢａＣＯ3 、ＭｇＯおよびＴａ2
Ｏ5 の粉末をそれぞれ計量する。通常、各粉末の平均粒
径は以下の程度である。 ＢａＣＯ3 粉末…1 〜１５μｍ程度 ＭｇＯ粉末…１〜１５μｍ程度 Ｔａ2 Ｏ5 粉末…１〜１５μｍ程度 ＢａＣＯ3 の代わりにＢａＯを用いてもよいが、ＢａＣ
Ｏ3 は高純度で粒径の揃ったものが安価に入手できる。
比に従って、出発原料ＢａＣＯ3 、ＭｇＯおよびＴａ2
Ｏ5 の粉末をそれぞれ計量する。通常、各粉末の平均粒
径は以下の程度である。 ＢａＣＯ3 粉末…1 〜１５μｍ程度 ＭｇＯ粉末…１〜１５μｍ程度 Ｔａ2 Ｏ5 粉末…１〜１５μｍ程度 ＢａＣＯ3 の代わりにＢａＯを用いてもよいが、ＢａＣ
Ｏ3 は高純度で粒径の揃ったものが安価に入手できる。
【００１１】 １０００〜１１００℃の温度で予備仮
焼を行う。予備仮焼は、後の仮焼や本焼成の際にＭｇＯ
が揮発するのを抑えるためである。但し、この予備仮焼
は省いてもよい。 予備仮焼を終えた粉末は、冷却後、純水中で２４時
間程度ボール・ミルを用い粉砕し、乾燥してから、１３
００〜１４００℃の温度で２〜１０時間仮焼する。この
仮焼は、２回以上行うことが好ましい。仮焼を繰り返す
ことにより組成の均一性が高まる。更に、一回の仮焼毎
に仮焼物を粉砕し攪拌するようにする。この仮焼物は、
ＢａＭｇ1/3 Ｔａ2/3Ｏ3 であらわされるものとなって
いる。最終仮焼処理の後で粉砕して得た粉末の平均粒径
は、１〜１５μｍ程度である。
焼を行う。予備仮焼は、後の仮焼や本焼成の際にＭｇＯ
が揮発するのを抑えるためである。但し、この予備仮焼
は省いてもよい。 予備仮焼を終えた粉末は、冷却後、純水中で２４時
間程度ボール・ミルを用い粉砕し、乾燥してから、１３
００〜１４００℃の温度で２〜１０時間仮焼する。この
仮焼は、２回以上行うことが好ましい。仮焼を繰り返す
ことにより組成の均一性が高まる。更に、一回の仮焼毎
に仮焼物を粉砕し攪拌するようにする。この仮焼物は、
ＢａＭｇ1/3 Ｔａ2/3Ｏ3 であらわされるものとなって
いる。最終仮焼処理の後で粉砕して得た粉末の平均粒径
は、１〜１５μｍ程度である。
【００１２】仮焼工程での反応は下記の通りである。
【化１】 である。 得られた仮焼物の粉末１mol に対してＭｇＯ粉末
を、αmol％（但し、０＜α≦８の範囲）添加し、加圧
成形により所定形状の圧粉体にする。添加するＭｇＯ粉
末の平均粒径は、１〜１５μｍ程度である。
を、αmol％（但し、０＜α≦８の範囲）添加し、加圧
成形により所定形状の圧粉体にする。添加するＭｇＯ粉
末の平均粒径は、１〜１５μｍ程度である。
【００１３】ＭｇＯは、通常、単独で用いられるが、他
の酸化物、例えば、ＢａＴａ2 Ｏ6 をも含めてもよい。
このように、１３００℃以上の温度で仮焼したものに原
料のひとつであるＭｇＯを少量添加するだけですむた
め、極めて容易かつ安価に製造できるのである。仮焼温
度は、１３００℃以上であることが望ましい。これは、
原料同士の反応が十分に進み仮焼物中に緻密化を阻害す
る未反応原料物が残留することを抑えられるからであ
る。特に、仮焼物のＸ線回折分析における回折線（１０
・２）、（２０・２）、（２１・２）、（２０・４）お
よび（２１・４）の半値幅が、それぞれ、０．２０°、
０．２２°、０．２９°、０．３３°および０．３６°
以下となるように仮焼されたものは組成の均一性が高く
Ｑ値が十分となる傾向にある。
の酸化物、例えば、ＢａＴａ2 Ｏ6 をも含めてもよい。
このように、１３００℃以上の温度で仮焼したものに原
料のひとつであるＭｇＯを少量添加するだけですむた
め、極めて容易かつ安価に製造できるのである。仮焼温
度は、１３００℃以上であることが望ましい。これは、
原料同士の反応が十分に進み仮焼物中に緻密化を阻害す
る未反応原料物が残留することを抑えられるからであ
る。特に、仮焼物のＸ線回折分析における回折線（１０
・２）、（２０・２）、（２１・２）、（２０・４）お
よび（２１・４）の半値幅が、それぞれ、０．２０°、
０．２２°、０．２９°、０．３３°および０．３６°
以下となるように仮焼されたものは組成の均一性が高く
Ｑ値が十分となる傾向にある。
【００１４】 この後、本焼成を行う。 （１） １５００℃以上の温度で２〜５時間焼成する。
昇温速度には特に制限はない。この（１）の焼成は、緻
密化を進行させるためのものである。ついで、 （２） １２００〜１４５０℃で１０〜１２０時間熱処
理する。この（２）の処理は、ＢＭＴ結晶を理想的な六
方晶とするためになされる。
昇温速度には特に制限はない。この（１）の焼成は、緻
密化を進行させるためのものである。ついで、 （２） １２００〜１４５０℃で１０〜１２０時間熱処
理する。この（２）の処理は、ＢＭＴ結晶を理想的な六
方晶とするためになされる。
【００１５】これにより、優れたＢＭＴ焼結体が容易に
得られるようになる。
得られるようになる。
【００１６】
【作用】この発明では、本焼成において添加されるＢ酸
化物は、ＡＢ1/3Ｃ2/3 Ｏ3 であらわされる仮焼物に対
し焼結を促す作用を発揮するため、クラックのない緻密
な焼結体が確実に（歩留まりよく）得られる。少量添加
するＢ酸化物は、通常、仮焼物を作る際の原料であって
格別なものではなく、また、急速昇温焼成などの特殊な
処理の必要もないので、製造は容易であってコスト高を
招来するようなこともない。
化物は、ＡＢ1/3Ｃ2/3 Ｏ3 であらわされる仮焼物に対
し焼結を促す作用を発揮するため、クラックのない緻密
な焼結体が確実に（歩留まりよく）得られる。少量添加
するＢ酸化物は、通常、仮焼物を作る際の原料であって
格別なものではなく、また、急速昇温焼成などの特殊な
処理の必要もないので、製造は容易であってコスト高を
招来するようなこともない。
【００１７】ペロブスカイト型高周波誘電体用焼結体が
ＢａＭｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 であらわされるものである場
合は、他の組成のものの場合に比べ、誘電特性の優れた
ものが得やすい。Ｂ酸化物の添加量がＡＢ1/3 Ｃ2/3 Ｏ
3 であらわされる仮焼物１mol に対し３〜８mol ％であ
る場合には、適切な焼結促進作用が確実にあらわれる。
ＢａＭｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 であらわされるものである場
合は、他の組成のものの場合に比べ、誘電特性の優れた
ものが得やすい。Ｂ酸化物の添加量がＡＢ1/3 Ｃ2/3 Ｏ
3 であらわされる仮焼物１mol に対し３〜８mol ％であ
る場合には、適切な焼結促進作用が確実にあらわれる。
【００１８】
【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。 −実施例１〜５− 上記〜に従って、ＢＭＴ焼結体を得た。但し、仮焼
物１mol に対するＭｇＯの添加割合は、表１の通りとし
た。
物１mol に対するＭｇＯの添加割合は、表１の通りとし
た。
【００１９】なお、予備仮焼工程では、１１００℃、
１０時間の処理を行い、仮焼工程では、１３００℃、
１０時間の処理を２回行い、本焼成の（１）焼成工程
では、１６００℃、２時間の焼成を行い、（２）焼成工
程では、１４５０℃、１００時間の処理を行った。な
お、原料粉末の平均粒径は、ＢａＣＯ3粉末が約４μ
ｍ、ＭｇＯ粉末が約４μｍ、Ｔａ2 Ｏ5 粉末が約４μｍ
である。
１０時間の処理を行い、仮焼工程では、１３００℃、
１０時間の処理を２回行い、本焼成の（１）焼成工程
では、１６００℃、２時間の焼成を行い、（２）焼成工
程では、１４５０℃、１００時間の処理を行った。な
お、原料粉末の平均粒径は、ＢａＣＯ3粉末が約４μ
ｍ、ＭｇＯ粉末が約４μｍ、Ｔａ2 Ｏ5 粉末が約４μｍ
である。
【００２０】粉砕後における仮焼物の粉末の平均粒径は
約４μｍであり、添加するＭｇＯ粉末の平均粒径も約４
μｍである。 −比較例１− 実施例１において、ＭｇＯを添加しなかった他は、同様
にしてＢＭＴ焼結体を得た。
約４μｍであり、添加するＭｇＯ粉末の平均粒径も約４
μｍである。 −比較例１− 実施例１において、ＭｇＯを添加しなかった他は、同様
にしてＢＭＴ焼結体を得た。
【００２１】−比較例２− 仮焼温度が１１００℃である他は比較例１と同様にし
て、ＢＭＴ焼結体を得た。実施例および比較例の焼結体
について、緻密度（焼結体の相対密度）を測定するとと
もに、誘電率とＱ値を誘電体円柱共振法により測定（測
定周波数１０Ｇ Hz）した。また、クラックの有無につ
いても調べた。測定結果を表１に示す。
て、ＢＭＴ焼結体を得た。実施例および比較例の焼結体
について、緻密度（焼結体の相対密度）を測定するとと
もに、誘電率とＱ値を誘電体円柱共振法により測定（測
定周波数１０Ｇ Hz）した。また、クラックの有無につ
いても調べた。測定結果を表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１の実施例の各焼結体と比較例１、２の
焼結体と比べれば、実施例の焼結体は、緻密であり、ク
ラックもなく、十分に実用に足る誘電特性をもつ誘電体
であることが分かる。
焼結体と比べれば、実施例の焼結体は、緻密であり、ク
ラックもなく、十分に実用に足る誘電特性をもつ誘電体
であることが分かる。
【００２４】
【発明の効果】以上に述べたように、請求項１〜３記載
の発明では、ＡＢ1/3 Ｃ2/3 Ｏ3 であらわされる仮焼物
に焼結促進作用をもつＢ酸化物を微量添加すればよいだ
けであるため、優れた高周波誘電特性の安価な焼結体を
容易に得ることができる。請求項２記載の発明では、ペ
ロブスカイト型高周波誘電体用焼結体の組成がＢａＭｇ
1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 であるため、誘電特性が顕著に優れて
おり、より実用性が高い。
の発明では、ＡＢ1/3 Ｃ2/3 Ｏ3 であらわされる仮焼物
に焼結促進作用をもつＢ酸化物を微量添加すればよいだ
けであるため、優れた高周波誘電特性の安価な焼結体を
容易に得ることができる。請求項２記載の発明では、ペ
ロブスカイト型高周波誘電体用焼結体の組成がＢａＭｇ
1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 であるため、誘電特性が顕著に優れて
おり、より実用性が高い。
【００２５】請求項３記載の発明では、Ｂ酸化物の添加
量が３〜８ mol％であるため、適切な焼結促進作用が確
実にあらわれる。
量が３〜８ mol％であるため、適切な焼結促進作用が確
実にあらわれる。
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｂａ、Ｓｒ、Ｂａ 1-x Ｓｒ x （但し、０
＜Ｘ＜１）のうちの何れか１種の元素または元素団を表
すＡと、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｍｎのうちの何れか１種の
元素を表すＢと、ＴａまたはＮｂの何れか１種の元素を
表すＣと、酸素を表すＯとの構成比率がＡＢ1/3 Ｃ2/3
Ｏ3 であらわされるペロブスカイト型高周波誘電体用焼
結体を得るにあたり、ＡＢ1/3 Ｃ2/3 Ｏ3 であらわされ
る仮焼物にＢ酸化物を添加して１３００℃以上で焼成す
るようにすることを特徴とする高周波誘電体用焼結体の
製造方法。 - 【請求項２】 仮焼物がＢａＭｇ1/3 Ｔａ2/3 Ｏ3 であ
らわされるものであり、添加酸化物がＭｇＯである請求
項１記載の高周波誘電体用焼結体の製造方法。 - 【請求項３】 ＡＢ1/3 Ｃ2/3 Ｏ3 であらわされる仮焼
物１mol に対しＢ酸化物を３〜８mol ％の割合で添加す
るようにする請求項１または２記載の高周波誘電体用焼
結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404558A JPH0817053B2 (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 高周波誘電体用焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404558A JPH0817053B2 (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 高周波誘電体用焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04220905A JPH04220905A (ja) | 1992-08-11 |
| JPH0817053B2 true JPH0817053B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=18514219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2404558A Expired - Lifetime JPH0817053B2 (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 高周波誘電体用焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817053B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100487204B1 (ko) * | 2001-08-30 | 2005-05-03 | (주)에어링크테크놀로지 | 고주파용 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조방법 |
| CN110407579B (zh) * | 2018-04-28 | 2021-04-16 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种具有超高q值微波介质材料及其制备方法 |
| CN110483042B (zh) * | 2018-05-15 | 2021-11-02 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种新型的单相微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
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-
1990
- 1990-12-20 JP JP2404558A patent/JPH0817053B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04220905A (ja) | 1992-08-11 |
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