JPH0766880B2 - Operating method of small SOR device - Google Patents
Operating method of small SOR deviceInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、SOR装置の運転方法に係り、特に、小型のSOR
装置であっても大電流蓄積ができる運転方法に関するも
のである。The present invention relates to a method for operating an SOR device, and more particularly to a small SOR device.
The present invention relates to an operation method capable of accumulating a large current even in a device.
[従来の技術] 近年、SOR光(シンクロトロン放射光)を種々の分野で
利用しようとする研究が活発に進められている。ここ
で、SOR光とは、電子を光速度で円運動させるとき、接
線方向前方に放出される電磁波をいう。現在、SOR光利
用の一形態として、SOR光をLSIリソグラフィ用の光源と
して利用しようとする期待が大きい。SOR光の特徴とし
て、従来にない大きな強度を有しかつ指向性の良い軟X
線領域を含むことが挙げられる。このことから、X線リ
ソグラフィの光源としての実現性が大きいと考えられ期
待されている。SOR光がX線リソグラフィに利用される
ようになると、大きな需要が予測される64MbitDRAMある
いはそれ以上の集積度の半導体素子が容易に製作される
ことも期待される一因である。[Prior Art] In recent years, research has been actively conducted to use SOR light (synchrotron radiation) in various fields. Here, SOR light refers to an electromagnetic wave emitted forward in the tangential direction when an electron circularly moves at the speed of light. At present, there is great expectation to use SOR light as a light source for LSI lithography as one form of using SOR light. A characteristic of SOR light is a soft X that has unprecedented high intensity and good directivity.
It may include a line region. From this, it is considered and expected that it has great potential as a light source for X-ray lithography. When SOR light comes to be used for X-ray lithography, it is expected that a 64Mbit DRAM or a semiconductor device having an integration degree higher than that, which is expected to have great demand, can be easily manufactured.
このように利用が期待されるSOR光は、SOR装置(シンク
ロトロン装置)により得ることができる。SOR装置は、
電子ビームを加速する入射器としてのリニアック、その
リニアックから入射された電子ビームを真空チャンバ内
で周回させるシンクロトロン、及びそのシンクロトロン
において、電子ビームの軌道が曲げられたとき放出され
るSOR光を取り出して利用する装置からなっている。こ
のようなSOR装置において、X線リソグラフィに適したS
OR光を得るためには、シンクロトロン内に電子ビームを
多重入射して大電流蓄積し、その電子ビームを定常エネ
ルギ800MeVに保って周回させることが必要である。The SOR light expected to be used in this way can be obtained by the SOR device (synchrotron device). SOR equipment
A linac as an injector for accelerating the electron beam, a synchrotron that orbits the electron beam incident from the linac, and a synchrotron that emits SOR light when the electron beam trajectory is bent. It consists of a device that can be taken out and used. In such a SOR device, an S that is suitable for X-ray lithography
In order to obtain OR light, it is necessary to multiply inject electron beams into the synchrotron, accumulate a large amount of current, and orbit the electron beams with a steady energy of 800 MeV.
[発明が解決しようとする課題] ところで、上記SOR装置をX線リソグラフィ用光源とし
て市場に提供する場合、SOR装置の大きさを、少なくと
も工場の一室内に設置できる程度にまで小型化すること
が望まれる。ところが、SOR装置をこのように小型に構
成すると、リニアックにおいては、長さの制約から電子
ビームを上記定常エネルギ800MeVまで加速することがで
きず、45MeV程度に制限されてしまう。そのため、この
ような小型SOR装置の運転方法としては、シンクロトロ
ン内に電子ビームを45MeVで繰返し入射して所定の蓄積
電流を得た後、定常エネルギ800MeVまで加速して周回さ
せることが必要となる。しかし、シンクロトロンに入射
される電子ビームのエネルギーが45MeVと低いと、放射
減衰効果が期待できず、入射後しばらくビームサイズが
大きいことから電子ビームの寿命が短くなっており、上
述のように多重入射しても次々と消滅してしまい大電流
蓄積ができない。[Problems to be Solved by the Invention] By the way, when the above-mentioned SOR device is provided on the market as a light source for X-ray lithography, the size of the SOR device should be reduced to at least a size that can be installed in one room of a factory. desired. However, if the SOR device is configured in such a small size, in the linac, the electron beam cannot be accelerated to the above-mentioned stationary energy of 800 MeV due to the length restriction, and the linac is limited to about 45 MeV. Therefore, as a method of operating such a small SOR device, it is necessary to repeatedly inject an electron beam at 45 MeV into the synchrotron to obtain a predetermined accumulated current, and then accelerate the orbit to a steady energy of 800 MeV and orbit it. . However, when the energy of the electron beam incident on the synchrotron is as low as 45 MeV, the radiative decay effect cannot be expected, and the beam size is large for a while after the incidence, which shortens the life of the electron beam. Even if it enters, it disappears one after another and a large current cannot be stored.
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、小型のSOR装置であっても大電流蓄
積が可能なSOR装置の運転方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method of operating a SOR device capable of accumulating a large current even with a small SOR device.
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するために、本発明は、リニアックから
シンクロトロンの真空チャンバ内に入射された電子ビー
ムを、高周波加速空洞によりエネルギを供給しかつ偏向
電磁石により偏向させながら定常エネルギ800MeVに保っ
て周回させる小型SOR装置の運転方法において、上記電
子ビームをリニアックにより45MeVまで加速して上記シ
ンクロトロンの真空チヤンバ内に入射したのち、その入
射した電子ビームのエネルギを300MeVまで高めて一定時
間保持し、次いで入射時のエネルギ45MeVまで下げて、
再度上記リニアックから電子ビームを45MeVで入射し、
かつこれを繰り返して真空チェンバ内の蓄積電流を高め
た後、上記電子ビームのエネルギを定常エネルギ800MeV
まで高めて定常運転を行うものである。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides an electron beam incident from a linac into a vacuum chamber of a synchrotron by supplying energy by a high-frequency accelerating cavity and deflecting it by a deflection electromagnet. In the operating method of a small SOR device that keeps orbiting while maintaining a steady energy of 800 MeV, the electron beam is accelerated to 45 MeV by a linac and is injected into the vacuum chamber of the synchrotron, and then the energy of the incident electron beam is 300 MeV. And hold it for a certain period of time, then lower the energy at the time of incidence to 45 MeV,
Inject the electron beam at 45 MeV from the linac again,
And after repeating this process to increase the accumulated current in the vacuum chamber, the energy of the electron beam is changed to a steady energy of 800 MeV.
The normal operation is performed by raising the temperature up to.
[作 用] 本発明の運転方法においては、シンクロトロンの真空チ
ャンバ内に電子ビームが45MeVで入射される毎に、電子
ビームのエネルギを300MeVまで高めて一定時間保持した
のち、再び入射時のエネルギ45MeVに戻すようにしたの
で、シンクロトロンに入射された電子ビームを次の入射
時までに十分に放射減衰させてビームサイズを小さくす
ることができる。このため、ビーム寿命が飛躍的に向上
し、電子ビームの蓄積量を速やかに増大できる。すなわ
ち、シンクロトロン内のビームエネルギを45MeVに一定
に維持したまま追加入射すると、入射時における電子ビ
ームの放射減衰時間が長く、電子ビームが空間的に広が
っているため、電子ビームは比較的早く消滅してしまう
が、入射毎に300MeVまでエネルギを高めて一定時間保持
すれば、即座に電子ビームを放射減衰させてビームサイ
ズを縮小することができる。[Operation] In the operation method of the present invention, every time an electron beam is injected into the vacuum chamber of the synchrotron at 45 MeV, the energy of the electron beam is increased to 300 MeV and held for a certain period of time, and then the energy at the time of injection is again generated. Since it is returned to 45 MeV, the electron beam incident on the synchrotron can be sufficiently radiatively attenuated by the next injection to reduce the beam size. Therefore, the beam life is dramatically improved, and the amount of accumulated electron beams can be increased rapidly. That is, when the beam energy in the synchrotron is kept constant at 45 MeV and additionally injected, the radiation decay time of the electron beam at the time of incidence is long and the electron beam spreads spatially. However, if the energy is increased to 300 MeV for each incident and held for a certain period of time, the electron beam can be immediately radiatively attenuated to reduce the beam size.
[実施例] 以下、本発明の一実施例を添付図面に従って説明する。[Embodiment] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
第2図に、小型SOR装置を示す。図中1は電子ビームを
加速する入射器としてのリニアックであり、電子発生装
置2から発生した電子に加速管3で高周波を投入して加
速する。リニアック1で加速された電子ビームは、偏向
電磁石4,5でその軌道が曲げられ、シンクロトロン6に
導かれる。Figure 2 shows a small SOR device. In the figure, reference numeral 1 is a linac as an injector for accelerating an electron beam, and a high frequency is injected into an electron generated from an electron generator 2 by an accelerating tube 3 to accelerate the electron. The orbit of the electron beam accelerated by the linac 1 is bent by the bending electromagnets 4 and 5, and is guided to the synchrotron 6.
シンクロトロン6は、密封された真空チャンバ7と、そ
のチャンバ7の4箇所の偏向部に挿入される偏向電磁石
8と、互いに隣接する偏向電磁石8,8間の各直線部に挿
入される収束電磁石9と、上記直線部の1つに挿入さ
れ、投入した高周波で電子ビームにエネルギを供給する
高周波加速空洞10と、真空チャンバ7に接続されその内
部を高真空状態に確保する真空ポンプ(図示省略)とを
備えている。リニアック1から真空チャンバ7内に入射
された電子ビームは、偏向電磁石8でその軌道が曲げら
れ、収束電磁石9でビームが絞られ、かつ高周波加速空
洞10でエネルギが供給されることにより、真空チャンバ
7内を周回することになる。The synchrotron 6 includes a sealed vacuum chamber 7, deflection electromagnets 8 inserted in the four deflection portions of the chamber 7, and focusing electromagnets inserted in each linear portion between the deflection electromagnets 8 which are adjacent to each other. 9, a high-frequency accelerating cavity 10 which is inserted into one of the straight portions and supplies energy to the electron beam with the applied high-frequency wave, and a vacuum pump which is connected to the vacuum chamber 7 and ensures a high vacuum state inside (not shown). ) And. The orbit of the electron beam incident from the linac 1 into the vacuum chamber 7 is bent by the deflecting electromagnet 8, the beam is focused by the converging electromagnet 9, and energy is supplied by the high-frequency accelerating cavity 10. It will orbit in 7.
このようにいて真空チャンバ7内で集会する電子ビーム
はSOR光が放出されるが、このSOR光は、必要に応じてビ
ームチャンネル11を介して取り出され、露光装置12に導
かれる。そして、そこでLSIリソグラフィ用の光源とし
て利用されるようになっている。In this way, the electron beam converging in the vacuum chamber 7 emits SOR light, and this SOR light is extracted via the beam channel 11 as necessary and guided to the exposure device 12. Then, it is used as a light source for LSI lithography.
本実施例では、このようにしてSOR光をリソグラフィ光
源として利用するために、SOR装置を15m×15m程度の室
内に設置できる大きさとしている。この大きさは、通
常、リソグラフィが行われる室内の大きさを基準として
決められている。SOR装置の大きさを具体的に示すなら
ば、真空チャンバ7の径Dが約7m、リニアック1の長さ
Lが約10mである。このような長さの制約から、リニア
ック1では、加速される電子ビームのエネルギが45MeV
程度に制限されている。ところが、SOR光をリソグラフ
ィに利用するためには、300〜500mA程度の大電流蓄積が
必要であるとされている。In this embodiment, in order to use the SOR light as a lithography light source in this way, the SOR device has a size that can be installed in a room of about 15 m × 15 m. This size is usually determined based on the size of the room where lithography is performed. To specifically show the size of the SOR device, the diameter D of the vacuum chamber 7 is about 7 m, and the length L of the linac 1 is about 10 m. Due to such length restrictions, the energy of the accelerated electron beam is 45 MeV in linac 1.
Limited in extent. However, in order to use SOR light for lithography, it is said that a large current storage of 300 to 500 mA is required.
本実施例では、このように低い入射エネルギしか得られ
ない場合にも大電流蓄積が可能で、X線リソグラフィ光
源として好適なSOR光を長時間に亘って放出できるよ
う、SOR装置を次に示すよう運転している。このSOR装置
の運転は第1図に示すように、リニアック1により45Me
Vまで加速された電子ビームが所定周期tでシンクロト
ロン6に入射される毎に(入射タイミングを矢印で示
す)、電子ビームのエネルギを300MeVまで上げたのち、
所定時間保持し、再度45MeVまで下げて所定量の電子ビ
ームを蓄積し(入射運転A)、次に、電子ビームのエネ
ルギを定常状態である800MeVまで高めて、所定の波長
(4−10Å)及び光強度のSOR光を得るようし(加速運
転B)、その後、電子ビームのエネルギを800MeVに維持
して、所定のSOR光を必要に応じて取り出すことができ
る(定常運転C)ようにしている。In the present embodiment, the SOR device is shown below so that a large current can be stored even when only such a low incident energy is obtained and SOR light suitable as an X-ray lithography light source can be emitted for a long time. Is driving like. As shown in Fig. 1, the operation of this SOR device is 45Me by the linac 1.
Every time the electron beam accelerated to V is incident on the synchrotron 6 at a predetermined cycle t (incident timing is indicated by an arrow), the energy of the electron beam is increased to 300 MeV,
Hold for a predetermined time, reduce again to 45 MeV to accumulate a predetermined amount of electron beam (injection operation A), then increase the energy of the electron beam to 800 MeV which is a steady state, and set a predetermined wavelength (4-10 Å) and The SOR light having the light intensity is obtained (acceleration operation B), and then the energy of the electron beam is maintained at 800 MeV so that the predetermined SOR light can be extracted as needed (steady operation C). .
したがって、このような運転によれば、リニアック1か
らシンクロトロン6に入射された電子ビームのエネルギ
45MeVを、次に電子ビームが入射されるまでに一度300Me
Vまで高めたため、放射減衰効果により、入射時に空間
的に広がったビームサイズが収縮されることになり、真
空中の残留気体と衝突して消滅する電子数を低減でき、
入射された電子ビームの寿命を伸ばすことができる。Therefore, according to such an operation, the energy of the electron beam incident on the synchrotron 6 from the linac 1 is
45MeV, 300Me once before the next electron beam injection
Since it is increased to V, the beam size spread spatially at the time of incidence will be contracted by the radiation attenuation effect, and the number of electrons that disappear due to collision with the residual gas in the vacuum can be reduced,
The life of the incident electron beam can be extended.
また、入射した電子ビームのエネルギを300MeVまで高め
保持することにより、偏向電磁石8で軌道が曲げられる
とき放出し真空チャンバ7内壁を照射するSOR光の強度
が増大しかつ波長が短くなり、真空チャンバ7からの脱
ガスを促進し、真空チャンバ7内の真空度を高めること
ができる、すなわち、真空チャンバ7がステンレス鋼か
らなる場合、そのチャンバ7の組織や粒界中にはCやH
などの不純物が含まれるため、真空ポンプで排気するの
みでは真空度の向上に限界がある。例えば、ベーキング
により水分を除去したステンレス鋼製の真空チャンバ7
を使用しても電子ビーム周回時には10-9torr台が限界で
ある。しかし、上述のように電子ビームのエネルギを高
めると、SOR光は、その光強度が電子ビームのエネルギ
の4乗に比例して増大されて真空チャンバ7内壁を照射
することになり、上記不純物がガス状となって取り出さ
れポンプで排気されて、短時間のうちに10-10torr台を
達成することができる。一度このように不純物が除去さ
れると、後の使用においては常に高真空状態を確保でき
ることになり、この点からも入射された電子ビームの寿
命を伸ばすことができる。By increasing the energy of the incident electron beam to 300 MeV and holding it, the intensity of the SOR light emitted when the orbit is bent by the deflection electromagnet 8 and irradiating the inner wall of the vacuum chamber 7 is increased and the wavelength is shortened. It is possible to promote degassing from the vacuum chamber 7 and increase the degree of vacuum in the vacuum chamber 7, that is, when the vacuum chamber 7 is made of stainless steel, C and H are present in the structure and grain boundaries of the chamber 7.
Since such impurities are included, there is a limit to improvement of the degree of vacuum only by exhausting with a vacuum pump. For example, a vacuum chamber 7 made of stainless steel whose moisture is removed by baking
Even if is used, the limit is 10 -9 torr when the electron beam goes around. However, when the energy of the electron beam is increased as described above, the SOR light has its light intensity increased in proportion to the fourth power of the energy of the electron beam and irradiates the inner wall of the vacuum chamber 7, and the impurities are It can be taken out in the form of gas and pumped to reach the 10 -10 torr level in a short time. Once the impurities are removed in this way, a high vacuum state can always be ensured in later use, and from this point as well, the life of the incident electron beam can be extended.
さらに、上述のようにビームサイズを小さくできると同
時に、真空チャンバ7の真空度を高めることができるこ
とにより、これらの相乗的効果から電子ビームの寿命を
飛躍的に向上でき、大電流蓄積できることが明らかであ
る。Further, as described above, the beam size can be reduced, and at the same time, the degree of vacuum in the vacuum chamber 7 can be increased. Therefore, it is clear that the life of the electron beam can be dramatically improved and a large current can be accumulated due to these synergistic effects. Is.
また、本実施例によれば、上述のように300MeVまで高め
た電子ビームを再び45MeVまで下げて次の電子ビームを
入射したため、安定してシンクロトロン6内に電子ビー
ムを追加入射できる。Further, according to the present embodiment, the electron beam increased to 300 MeV as described above is lowered again to 45 MeV and the next electron beam is made incident, so that the electron beam can be stably made to additionally enter the synchrotron 6.
上述のような電子ビームのエネルギ制御は、偏向及び収
束電磁石8,9によって生起される磁場の大きさを制御す
ることにより行うことができる。そのため、本実施例で
は、第3図に示すように、偏向電磁石8及び収束電磁石
9がそれぞれ電源装置13,14を介して制御用コンピュー
タ15に接続されており、予め設定されたプログラムに従
って電源装置13,14を制御することにより、電磁石8,9に
よって生起される磁場の大きさを制御するようになって
いる。The energy control of the electron beam as described above can be performed by controlling the magnitude of the magnetic field generated by the deflection and focusing electromagnets 8 and 9. Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 3, the deflection electromagnet 8 and the focusing electromagnet 9 are connected to the control computer 15 via the power supply devices 13 and 14, respectively, and the power supply device is set according to a preset program. By controlling 13 and 14, the magnitude of the magnetic field generated by the electromagnets 8 and 9 is controlled.
第4図に、制御用コンピュータ15によって制御される偏
向及び収束電磁石8,9の動作フローを示す。この制御
は、先ず制御用コンピュータ15の初期設定を行った後
(ステップ100),電磁石8,9が励磁可能か否かを判定す
る(ステップ110)。この判定の結果がYESならば、電磁
石8,9を入射時のエネルギ相当、すなわち45MeVの電子ビ
ームを周回できるよう励磁する(ステップ120)。その
後、シンクロトロン6への電子ビームの入射が可能か否
かを判定し(ステップ130)、YESならば、入射タイミン
グパルス(第1図矢印位置で出力されるパルス)に基づ
いて(ステップ140)、予めステップ100で登録した入射
運転パターンを出力する(ステップ150)。この入射運
転パターンは上述したように、リニアック1からシンク
ロトロン6に入射される45MeVの電子ビームを300MeVま
で加速して保持し、次の入射時までに再び45MeVに下げ
るよう、電磁石8,9の磁場の大きさを制御するものであ
る。この入射運転パターンの出力は、電子ビームが所定
パルス入射されてステップ160において加速可能と判定
されるまで繰り返し行われ、所定量の電子ビームがシン
クロトロン6内に蓄積される。ステップ160において加
速可能と判定されると(判定結果がYESになると)、今
度は、予めステップ100で登録した加速運転パターンを
出力する(ステップ170)。これによりシンクロトロン
6内の電子ビームのエネルギが300MeVから800MeVまで徐
々に高められる。その後は、電子ビームのエネルギを80
0MeVに保持し、所定のSOR光を随時取り出し可能な定常
運転を継続する(ステップ180)。この定常運転が所定
時間行われて、降磁可能時期であることが判定されると
(ステップ190)、SOR装置の運転が停止された後(ステ
ップ200)、ステップ10にリターンしSOR装置の運転を再
開する。FIG. 4 shows an operation flow of the deflection and focusing electromagnets 8 and 9 controlled by the control computer 15. In this control, first, the control computer 15 is initialized (step 100), and then it is determined whether or not the electromagnets 8 and 9 can be excited (step 110). If the result of this determination is YES, the electromagnets 8 and 9 are excited so that they can orbit the electron beam corresponding to the energy at the time of incidence, that is, 45 MeV (step 120). Then, it is determined whether or not the electron beam can be incident on the synchrotron 6 (step 130), and if YES, based on the incident timing pulse (pulse output at the arrow position in FIG. 1) (step 140). The injection operation pattern registered in advance in step 100 is output (step 150). As described above, this injection operation pattern accelerates and holds the electron beam of 45 MeV incident on the synchrotron 6 from the linac 1 up to 300 MeV, and lowers it to 45 MeV again by the next injection. It controls the magnitude of the magnetic field. The output of this injection operation pattern is repeatedly performed until a predetermined pulse of the electron beam is injected and it is determined in step 160 that acceleration is possible, and a predetermined amount of the electron beam is accumulated in the synchrotron 6. When it is determined in step 160 that acceleration is possible (when the determination result is YES), the acceleration operation pattern previously registered in step 100 is output (step 170). As a result, the energy of the electron beam in the synchrotron 6 is gradually increased from 300 MeV to 800 MeV. After that, the electron beam energy is set to 80
Maintaining 0 MeV, the steady operation that can take out a predetermined SOR light at any time is continued (step 180). When this steady operation is performed for a predetermined time and it is determined that the demagnetization is possible (step 190), the operation of the SOR device is stopped (step 200), and then the process returns to step 10 to operate the SOR device. To resume.
なお、リニアック1からシンクロトロン6に電子ビーム
を一度入射する毎に、入射運転パターンを出力するよう
にしたが、電子ビームを所定パルス入射する毎に入射運
転パターンを出力してもよい。Although the injection operation pattern is output every time the electron beam is incident on the synchrotron 6 from the linac 1, the injection operation pattern may be output each time a predetermined pulse of the electron beam is incident.
[発明の効果] 以上要するに本発明によれば次のごとく優れた効果を発
揮する。[Effects of the Invention] In summary, according to the present invention, the following excellent effects are exhibited.
(1)45MeVで入射された電子ビームのエネルギを、次
の入射までに300MeVに高めて一定時間保持した後、再び
45MeVに戻すようにしたので、入射エネルギが45MeVと低
い小型のSOR装置においても、入射後即座に電子ビーム
を放射減衰させてビームサイズを小さくし、ビーム寿命
を大幅に伸ばすことができ、小型SOR装置における大電
流蓄積を図ることができる。(1) The energy of the electron beam injected at 45 MeV is increased to 300 MeV before the next injection and is held for a certain period of time.
Since it is set back to 45 MeV, even in a small SOR device whose incident energy is as low as 45 MeV, the electron beam can be radiatively attenuated immediately after the incident to reduce the beam size, and the beam life can be greatly extended. A large amount of current can be stored in the device.
(2)真空チャンバ内壁を照射するSOR光の強度が増大
するので、真空チェンバ内壁からの脱ガスを促進させて
真空度を向上することができ、この点でも、小型のSOR
装置における大電流蓄積が可能となる。(2) Since the intensity of the SOR light that irradiates the inner wall of the vacuum chamber increases, it is possible to promote degassing from the inner wall of the vacuum chamber and improve the degree of vacuum.
A large amount of current can be stored in the device.
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例にかかる運転方法によって得
られるビームエネルギの時間的変化を示す図、第2図は
一実施例が適用されるSOR装置の概略構成を示す図、第
3図は一実施例が適用されるSOR装置の制御部構成を示
す図、第4図は制御用コンピュータによって制御される
偏向及び収束電磁石の動作を示すフローチャート図であ
る。 図中、1はリニアック、6はシンクロトロン、7は真空
チャンバ、8は偏向電磁石、10は高周波加速空洞であ
る。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram showing a temporal change in beam energy obtained by an operating method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic configuration of an SOR device to which the embodiment is applied. FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the control unit of the SOR device to which one embodiment is applied, and FIG. 4 is a flow chart diagram showing the operation of the deflection and focusing electromagnets controlled by the control computer. In the figure, 1 is a linac, 6 is a synchrotron, 7 is a vacuum chamber, 8 is a bending electromagnet, and 10 is a high-frequency acceleration cavity.
Claims (1)
ックから入射された電子ビームを、高周波加速空洞によ
りエネルギを供給しかつ偏向電磁石により偏向させなが
ら定常エネルギ800MeVに保って周回させる小型SOR装置
の運転方法において、上記電子ビームをリニアックによ
り45MeVまで加速して上記シンクロトロンの真空チヤン
バ内に入射したのち、その入射した電子ビームのエネル
ギを300MeVまで高めて一定時間保持し、次いで入射時の
エネルギ45MeVまで下げて、再度上記リニアックから電
子ビームを45MeVで入射し、かつこれを繰り返して真空
チェンバ内の蓄積電流を高めた後、上記電子ビームのエ
ネルギを上記定常エネルギ800MeVまで高めて周回させて
定常運転を行うことを特徴とする小型SOR装置の運転方
法。1. A method for operating a small SOR device in which an electron beam incident from a linac into a vacuum chamber of a synchrotron is circulated while being supplied with energy by a high-frequency accelerating cavity and being deflected by a deflection electromagnet while maintaining a constant energy of 800 MeV. In the above, after accelerating the electron beam to 45 MeV by a linac and injecting it into the vacuum chamber of the synchrotron, the energy of the incident electron beam is increased to 300 MeV and held for a certain time, and then the energy at the time of incidence is reduced to 45 MeV Then, the electron beam is again injected from the linac at 45 MeV, and this is repeated to increase the accumulated current in the vacuum chamber, and then the energy of the electron beam is increased to the stationary energy of 800 MeV to orbit and perform stationary operation. A method for operating a small SOR device, which is characterized in that
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27612789A JPH0766880B2 (en) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | Operating method of small SOR device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27612789A JPH0766880B2 (en) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | Operating method of small SOR device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03138900A JPH03138900A (en) | 1991-06-13 |
| JPH0766880B2 true JPH0766880B2 (en) | 1995-07-19 |
Family
ID=17565168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27612789A Expired - Fee Related JPH0766880B2 (en) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | Operating method of small SOR device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766880B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995008909A1 (en) * | 1993-09-20 | 1995-03-30 | Hitachi, Ltd. | Accelerator operation method, accelerator, and accelerator system |
-
1989
- 1989-10-25 JP JP27612789A patent/JPH0766880B2/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 実験物理学講座28「加速器」新版(昭和57年)共立出版株式会社P.514−515 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03138900A (en) | 1991-06-13 |
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