JPH0770004B2

JPH0770004B2 - バイアス磁界発生装置

Info

Publication number: JPH0770004B2
Application number: JP27024986A
Authority: JP
Inventors: 修水野; 泰明枝廣; 和栄佐藤
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1986-11-13
Filing date: 1986-11-13
Publication date: 1995-07-31
Anticipated expiration: 2010-07-31
Also published as: JPS63124202A

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は電子計算機の外部記憶、音楽及び映像信号、そ
の他情報の記録再生等に利用される光磁気記録再生に用
いられるバイアス磁界発生装置に関するものである。

従来の技術近年電子計算機の発達及び情報の高速大量伝達の手段の
発達と共に、低価格，高密度かつ大容量，高速転送能力
のある不揮発性記憶装置が要求され、多くは磁気ディス
ク装置が用いられているが、記録密度が低く、１情報単
位あたりの価格が高く、また特に固定型磁気ディスク装
置では媒体交換が困難である等の問題がある。光学記録
はそれらの問題点を解決する技術として現在脚光を浴び
ており、特に書き換え可能な光磁気記録は多くの方面で
期待されている。

従来のバイアス磁界発生装置は、単一の電圧源により電
磁石を駆動していた。

以下、図面を参照しながら、上述したような従来のバイ
アス磁界発生装置について説明を行う。

第８図は従来のバイアス磁界発生装置を示すもので、第
８図で、１は励磁コイル、２は磁芯で、これらは光磁気
記録媒体（図示せず）に情報の記録，消去用のバイアス
磁界を与える電磁石を構成する。３は制御部で、励磁コ
イル１の駆動及び出力磁界の極性の切り替えを行うトラ
ンジスタ等によるスイッチ６〜９のオン，オフ動作のタ
イミング及び順序を、入力部（図示せず）の指示に従っ
て信号線S₁〜S₄を介して制御する。信号線S₁，S₂，S₃，
S₄は各々スイッチ6,9,8,7に１対１で対応しており、信
号線の電圧がある電圧V_H以上になると該当するスイッチ
がオンになり、それ以外の電圧では該当するスイッチは
オフになる。21は励磁コイル１に電圧を与える電圧源
で、一定の電圧V_Sを維持する。4,5は各々励磁コイル１
が記録動作，消去動作を行う時に励磁コイル１に電流を
供給する記録用電流源，消去用電流源である。

以上のように構成されたバイアス磁界発生装置につい
て、以下その動作について説明する。

まず、消去動作を行う場合、第９図に示すように制御部
３が時刻t₁に信号線S₁，S₂の電圧をV_Hに上げる。すると
第８図のスイッチ6,9がオンになって回路が閉じ、電流
が電圧源21からスイッチ6,励磁コイル1,スイッチ9,消去
用電流源５を通って流れ、励磁コイル１と磁芯２で構成
された電磁石が前記光磁気記録媒体に消去用のバイアス
磁界を与え始める。バイアス磁界が消去動作が可能な大
きさになるまで待った後に、光学ヘッド（図示せず）が
前記光磁気記録媒体に消去用の光スポットを与え、消去
動作を実行する。消去が完了して時刻t₂になると制御部
３は信号線S₁，S₂の電圧を0Vに落とす。するとスイッチ
6,9はオフになり、回路が開いて電流が切れ、励磁コイ
ル１と磁芯２で構成された電磁石は磁界の出力を停止す
る。

次に記録動作を行う場合、第９図に示すように制御部３
が時刻t₃に信号線S₃，S₄の電圧をV_Hに上げる。すると第
８図のスイッチ8,7がオンになって回路が閉じ、電流が
電圧源21からスイッチ8,励磁コイル1,スイッチ7,記録用
電流源４を通って流れ、励磁コイル１と磁芯２で構成さ
れた電磁石が図示しない光磁気記録媒体に記録用のバイ
アス磁界を与え始める。バイアス磁界が記録動作が可能
な大きさになるまで待った後に前記光学ヘッドが前記光
磁気記録媒体に記録する情報に応じた光スポットを与
え、記録動作を実行する。記録が完了して時刻t₄になる
と制御部３は信号線S₃，S₄の電圧を0Vに落とす。すると
スイッチ8,7はオフになり、回路が開いて電流が切れ、
励磁コイル１と磁芯２で構成された電磁石は磁界の出力
を停止する。

発明が解決しようとする問題点しかしながら、前記のような構成では、次のような問題
点が生じていた。

すなわち、励磁コイル１と磁芯２で構成された電磁石が
出力するバイアス磁界が記録もしくは消去可能な大きさ
に立ち上がるまでの待ち時間の長さ、即ち磁界立ち上が
り時間の長さは、電圧源21の電圧V_Sにほぼ反比例する。
通常光磁気記録はオーバーライトを行わないため、情報
を記録する際には情報例に示したように媒体上の該当す
る領域を消去してから行うが、磁界立ち上がり時間の長
い装置で情報の記録を行う場合は、先ず磁界が消去に必
要な大きさに立ち上がるまで待ってから消去を開始し、
さらに消去を完了してからも直ちには記録を行えず、磁
界が記録に必要な大きさに立ち上がるまで待ってから記
録を行う必要が有る。たとえオーバーライトが可能にな
ったとしても記録動作のための待ち時間は必要である。
即ち僅かの情報を記録する際にも大きなオーバーヘッド
タイムが発生し、光磁気記録再生装置の実稼働率が大き
く低下する。従って磁界立ち上がり時間を短縮する事は
光磁気記録再生装置の性能向上のために非常に重要であ
る。

一般に光磁気記録再生装置に用いるバイアス磁界発生用
電磁石の自己インダクタンスは数十mHと比較的大きく、
また記録もしくは消去に必要な磁界の強さも大きいた
め、前記磁界立ち上がり時間を十分小さくするためには
電圧源21の電圧V_Sを十分大きな値にしなければならな
い。

ところが磁界立ち上がり時の励磁コイル１の両端電圧の
絶対値V_C及び記録用電流源４もしくは消去用電流源５の
両端電圧の絶対値V_Iは第10図に示すように変化し、磁界
が完全に立ち上がった後のV_Cは立ち上げ直後の電圧V_Sに
比べ小さい値となる。

一方、V_Iは回路構成上V_SからV_Iを引いた値となるため、
磁界立ち上げ直後は0Vであるが、磁界が完全に立ち上が
った後はV_Sに近い値となる。今消費電力を考えると、両
者を流れる電流値は等しいため、V_C，V_Iの比は消費電力
の比を表している。即ち、磁界が完全に立ち上がった後
の電力消費はその大半が励磁コイル１以外の部分で発生
し、全て熱となって光磁気記録再生装置内部の温度を上
昇させる。前述の通り電圧源21の電圧V_Sは大きくする必
要があるが、回路全体の消費電力は電流が一定である限
りV_Sに比例するためこの温度上昇は無視できない大きさ
となり、光磁気記録媒体の寿命を縮める原因となり、特
に温度上昇に弱い光学ヘッドに悪影響を与え、情報の信
頼性を劣化させるという問題点を有していた。

本発明は上記問題点に鑑み、磁界立ち上がり時間に悪影
響を及ぼすことなく消費電力の低減ができるバイアス磁
界発生装置を提供するものである。

問題点を解決するための手段この目的を達成するために本発明のバイアス磁界発生装
置は、励磁コイル及び前記励磁コイルを巻回した磁芯か
ら構成された電磁石と、前記電磁石に駆動用の電圧を与
える第１の電圧源と、前記電磁石に前記第１の電圧源よ
り低い駆動用の電圧を与える第２の電圧源と、前記第１
の電圧源と前記第２の電圧源を切り替える切り替え手段
と、前記励磁コイルの印加電圧を検出し基準電圧と比較
する電圧判定部と、前記電圧判定部からの信号により前
記切り替え手段を制御する制御部とを有し、前記電磁石
の磁界の立ち上げ時は、初期は前記電磁石を前記第１の
電圧源で駆動し、その後前記制御部が前記電圧判定部の
出力に従い前記切り替え手段を制御して前記電磁石の駆
動電圧源を前記第２の電圧源に切り替える構成である。

作用この構成によって、まず電磁石の磁界を第１の電圧源で
ある高電圧源で立ち上げ、その後電圧判定部が電磁石の
励磁コイルの電圧を検出して基準電圧源の電圧と比較
し、前記励磁コイルの電圧または前記励磁コイルの電圧
を増幅した結果が基準電圧源の電圧より小さくなった時
に電圧判定部から制御部に信号が出力され、制御部が電
圧源を第２の電圧源である低電圧源に切り替える信号を
電圧切り替え手段に出力することにより電圧切り替え手
段が電圧源を切り替える。即ち、磁界立ち上げ時とそれ
以外の状態で駆動回路の電圧を切り替え、磁界の立ち上
がり時は高電圧源を使用することで磁界の立ち上がり時
間を短縮し、立ち上がりがほぼ完了したら低電圧源を使
用することで回路全体の消費電力を低減させる。

なお、本発明で言う「磁界の立ち上がり」とは、電磁石
により磁界を変化させるときのことであり、所定の磁界
の値を示している状態から磁界を変化させるときも含
み、必ずしも０磁界からの立ち上げのみを示しているの
ではない。

実施例以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。第１図は本発明の一実施例におけるバイアス磁
界発生装置を示す図である。

第１図で、１は励磁コイル、２は磁芯、４は記録用電流
源、５は消去用電流源で従来例と同じものである。14,1
5は励磁コイル１の両端の電位差を増幅率の大きさＡで
増幅する差動増幅器であって、互いに逆極性の増幅を行
う。差動増幅器14の出力S₈は比較器16に、同じく差動増
幅器15の出力S₇は比較器17に入力されている。比較器1
6,17は差動増幅器14,15の出力電圧S₈，S₇を基準電圧源1
8の電圧V_refと比較し、電圧S₈，S₇が電圧V_ref以下にな
ると出力S₁₀，S₉の電圧はV_Hになり、S₈，S₇がV_refより
大きいときは出力S₁₀，S₉は０になる。12,13は励磁コイ
ル１に電圧を与える電圧源で、各々一定の電圧V_SH，V_SL
を維持する高電圧源及び低電圧源である。ここでV_SH＞V
_SLである。また、基準電圧源18の電圧V_refは、励磁コイ
ル１の両端の電位差が低電圧源の出力V_SLで駆動可能な
値に下がったとき比較器16,17が作動する電圧に設定さ
れている。30は制御部で、励磁コイル１を駆動する高電
圧源12,低電圧源13の切り替え及び出力磁界の極性の切
り替えを行うトランジスタ等によるスイッチ６〜11のオ
ン，オフ動作のタイミング及び順序を信号線S₁〜S₆を介
して入力部（図示せず）の指示と比較器16,17の出力
S₁₀，S₉に従って制御する。信号線S₁，S₂，S₃，S₄，
S₅，S₆は各々スイッチ6,10,9,8,11,7に１対１で対応し
ており、信号線の電圧V_H以上になると該当するスイッチ
がオンになり、それ以外の電圧では該当するスイッチは
オフになる。

まず、消去動作を行う場合、第２図に示すように制御部
30が時刻t₁に信号線S₁，S₃の電圧をV_Hに上げる。すると
第１図のスイッチ6,9がオンになって回路が閉じ、電流
が高電圧源12からスイッチ6,励磁スイッチ1,スイッチ9,
消去用電流源５を通って流れ、励磁コイル１と磁芯２で
構成された電磁石が光磁気記録媒体（図示せず）に消去
用のバイアス磁界を与え始める。

電圧S₁，S₃がV_Hになり、スイッチ6,9がオンになった直
後、差動増幅器15の出力S₇はV_refより大きくなり、比較
器17の出力S₉はV_Hから０になる。その後、時刻t₂でS₇が
V_ref以下になると、S₉は０からV_Hに立ち上がり、制御部
30はS₉の立ち上がりを検出した時点でS₁を０に、S₂をV_H
にする。すると第１図のスイッチ６がオフになると同時
に、スイッチ10がオンになり、今度は電流が低電圧源13
からスイッチ10,励磁コイル1,スイッチ9,消去用電流源
５を通って流れる。

バイアス磁界が消去動作が可能な大きさになるまで待っ
た後に光学ヘッド（図示せず）が前記光磁気記録媒体に
消去用の光スポットを与え、消去動作を実行する。消去
が完了して時刻t₃になると制御部30は信号線S₂，S₃の電
圧を0Vに落とす。するとスイッチ10,9はオフになり、回
路が開いて電流が切れ、励磁コイル１と磁芯２で構成さ
れた電磁石は磁界の出力を停止する。

次に記録動作を行う場合、第２図に示すように制御部30
が時刻t₄に信号線S₄，S₆の電圧をV_Hに上げる。すると第
１図のスイッチ8,7がオンになって回路が閉じ、電流が
高電圧源12からスイッチ8,励磁コイル1,スイッチ7,記録
用電流源４を通って流れ、励磁コイル１と磁芯２で構成
された電磁石が前記光磁気記録媒体に記録用のバイアス
磁界を与え始める。

電圧S₄，S₆がV_Hになり、スイッチ8,7がオンになった直
後、差動増幅器14の出力S₈はV_refより大きくなり、比較
器16の出力S₁₀はV_Hから０になる。その後時刻t₅でS₈がV
_ref以下になると、S₁₀は０からV_Hに立ち上がり、制御部
30はS₁₀の立ち上がりを検出した時点でS₄を０に、S₅をV
_Hにする。すると第１図のスイッチ８がオフになると同
時にスイッチ11がオンになり、今度は電流が低電圧源13
からスイッチ11,励磁コイル1,スイッチ7,記録用電流源
５を通って流れる。バイアス磁界が記録動作が可能な大
きさになるまで待った後に前記光学ヘッドが前記光磁気
記録媒体に記録する情報に応じた光スポットを与え、記
録動作を実行する。

記録が完了して時刻t₆になると制御部30は信号線S₅，S₆
の電圧を0Vに落とす。するとスイッチ11,7はオフにな
り、回路が開いて電流が切れ、励磁コイル１と磁芯２で
構成された電磁石は磁界の出力を停止する。

第３図に本実施例の励磁コイル１の磁界立ち上がり時の
励磁コイルの両端電圧の絶対値V_G及び記録用電流源４も
しくは消去用電流源５の両端電圧の絶対値V_Iの変化を示
す。今、差作増幅器の増幅率の大きさはＡであるから、
V_CがＡ×V_ref以下に下がったときに電圧源を高電圧源か
ら低電圧源に切り替えているため、V_Iの大きさは切り替
え時以後減少し、立ち上がり完了後の大きさが従来例に
比べ大幅に小さくなる。即ち消費電力は低電圧源13の電
圧V_SLによって決まり、高電圧源の電圧V_SHにはほとんど
依存しない。従って従来例に比べ磁界の立ち上がり完了
後の回路全体の消費電力が大幅に減少する。

通常光磁気記録再生装置はモータ駆動系等に使用される
十数Ｖ以上の電源と、制御系の論理回路等に使用される
5Vの２電源を持つため、実施例で示した高電圧源12と低
電圧源13の２電源は容易に得ることが出来る。

以上のように本実施例によれば、磁界立ち上げ時とそれ
以外の状態の間で駆動回路の電圧を切り替え、磁界の立
ち上がり時は高電圧源を使用することで磁界の立ち上が
り時間を短縮し、立ち上がりがほぼ完了したら低電圧源
を使用することで回路全体の消費電力を低減させる事が
出来る。

また、高電圧源12の電圧は消費電力に殆ど影響しないた
め、V_SHの値が十分大きな電源を用意することができ、
磁界の立ちあがり時間を大幅に短縮することも可能であ
る。

以下本発明の第２の実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。

第４図は本発明の第２の実施例におけるバイアス磁界発
生装置を示す図である。第４図で、１は励磁コイル、２
は磁芯、４は記録用電流源、５は消去用電流源、６〜11
はスイッチ、12は高電圧源、13は低電圧源、14は差動増
幅器、16,17は比較器、30は制御部で第１の実施例と同
じものである。差動増幅器14の出力S₇は比較器16の非反
転入力と比較器17の反転入力に入力されている。比較器
17は差動増幅器14の出力電圧S₇を正極基準電圧源19の電
圧V_refと比較し、S₇がV_ref以下になると出力S₈の電圧は
V_Hになり、S₇がV_refより大きいときは出力S₈は０にな
る。同じく比較器16は差動増幅器14の出力電圧S₇を負極
基準電圧源20の電圧−V_refと比較し、S₇が−V_ref以上に
なると出力S₉の電圧はV_Hになり、S₇が−V_refより低いと
きは出力S₉は０になる。また、正極基準電圧源19及び負
極基準電圧源20の電圧の大きさV_refは、励磁コイル１の
両端の電位差の大きさが低電圧源13の出力V_SLで駆動可
能な値に下がったとき比較器が作動する電圧に設定され
ている。

まず、消去動作を行う場合、第５図に示すように制御部
30が時刻t₁に信号線S₁，S₃の電圧をV_Hに上げる。すると
第４図のスイッチ6,9がオンになって回路が閉じ、電流
が高電圧源12からスイッチ6,励磁コイル1,スイッチ9,消
去用電流源５を通って流れ、励磁コイル１と磁芯２で構
成された電磁石が光磁気記録媒体（図示せず）に消去用
のバイアス磁界を与え始める。S₁，S₃の電圧がV_Hにな
り、スイッチ6,9がオンになった直後、差動増幅器14の
出力S₇はV_refより大きくなり、比較器17の出力S₈はV_Hか
ら０になる。その後時刻t₂でS₇がV_ref以下になると、S₈
は０からV_Hに立ち上がり、制御部30はS₈の立ち上がりを
検出した時点でS₁を０に、S₂をV_Hにする。すると第４図
のスイッチ６がオフになると同時にスイッチ10がオンに
なり、今度は電流が低電圧源13からスイッチ10,励磁コ
イル1,スイッチ9,消去用電流源５を通って流れる。バイ
アス磁界が消去動作が可能な大きさになるまで待った後
に光学ヘッド（図示せず）が前記光磁気記録媒体に消去
用の光スポットを与え、消去動作を実行する。消去が完
了して時刻t₃になると制御部30は信号線S₂，S₃の電圧を
0Vに落とす。するとスイッチ10,9はオフになり、回路が
開いて電流が切れ、励磁コイル１と磁芯２で構成された
電磁石は磁界の出力を停止する。

次に記録動作を行う場合について説明する。第５図に示
すように制御部30が時刻t₄に信号線S₄，S₆の電圧をV_Hに
上げる。すると第４図のスイッチ8,7がオンになって回
路が閉じ、電流が高電圧源12からスイッチ8,励磁コイル
1,スイッチ7,記録用電流源４を通って流れ、励磁コイル
１と磁芯２で構成された電磁石が前記光磁気記録媒体に
記録用のバイアス磁界を与え始める。電圧S₄，S₆がV_Hに
なり、スイッチ8,7がオンになった直後、差動増幅器14
の出力S₇は−V_refより低くなり、比較器16の出力S₉はV_H
から０になる。その後、時刻t₅でS₇が−V_ref以上になる
と、S₉は０からV_Hに立ち上がり、制御部30はS₉の立ち上
がりを検出した時点でS₄を０に、S₅をV_Hにする。すると
第４図のスイッチ８がオフになると同時にスイッチ11が
オンになり、今度は電流が低電圧源13からスイッチ11,
励磁コイル1,スイッチ7,記録用電流源５を通って流れ
る。バイアス磁界が記録動作が可能な大きさになるまで
待った後に前記光学ヘッドが前記光磁気記録媒体に記録
する情報に応じた光スポットを与え、記録動作を実行す
る。

本実施例は第１の実施例と同様の効果を有するが、第１
の実施例に比べ差動増幅器を１個無くすことが可能とな
る。

以下本発明の第３の実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。

第６図は本発明の第３の実施例におけるバイアス磁界発
生装置を示すブロック図である。第６図で、１は励磁コ
イル、２は磁芯、４は記録用電流源、５は消去用電流
源、６〜11はスイッチ、12は高電圧源、13は低電圧源、
16,17は比較器、18は基準電圧源で、以上は第１の実施
例と同じものである。

励磁コイル１の両端は、各々比較器16,17の非反転入力
に入力され、基準電圧源18は比較器16,17の反転入力に
入力されている。比較器16は励磁コイル１の一端の電圧
S₇を基準電圧源18の電圧V_refと比較し、S₇がV_ref以上に
なると出力S₉の電圧はV_Hになり、S₇がV_refより低いとき
は出力S₈は０になる。同じく比較器17は励磁コイル１の
他端の電圧S₈を基準電圧源18の電圧V_refと比較し、S₈が
V_ref以上になると出力S₁₀の電圧はV_Hになり、S₈がV_ref
より低いときは出力S₁₀は０になる。31は制御部で、基
本的には第１の実施例で示した制御部30と同じである
が、消去動作時は信号線S₄〜S₆を、記録動作時は信号線
S₁〜S₃を常に0Vに維持する点が異なっている。

まず、消去動作を行う場合、第７図に示すように制御部
31が時刻t₁に信号線S₁，S₃の電圧をV_Hに上げる。すると
第６図のスイッチ6,9がオンになって回路が閉じ、電流
が高電圧源12からスイッチ6,励磁コイル1,スイッチ9,消
去用電流源５を通って流れ、励磁コイル１と磁芯２で構
成された電磁石が光磁気記録媒体に消去用のバイアス磁
界を与え始める。電圧S₁，S₃がV_Hになり、スイッチ6,9
がオンになった直後、信号S₇は徐々に上がり始め、S₇が
V_refに達すると、比較器16の出力S₉は０からV_Hに上昇す
る。すると制御部31はS₂をV_Hにし、S₁を０に落とす。こ
の時スイッチ６とスイッチ10が切り替わり、励磁コイル
１を駆動する電圧源は高電圧源12から低電圧源13に一瞬
切り替わるが、切り替わった直後、第７図に示すように
S₇がV_ref以下に落ち、比較器16の出力S₉は再び０に落ち
て励磁コイル１の駆動電圧源は再び高電圧源12に切り替
わり、S₇が再び立ち上がり始める。しかし、この時S₇は
0Vまで落ちていないので、次にV_refまで立ち上がる時間
が最初より短くなり、以後第７図に示したような鋸歯状
の波形を示しながら高電圧源12と低電圧源13の切り替え
を繰り返し、しだいに高電圧源12で駆動している時間が
短くなり、最終的に時刻t₂では励磁コイルの駆動電圧源
が低電圧源13に切り替わる。バイアス磁界が消去動作が
可能な大きさになるまで待った後に光学ヘッドが前記光
磁気記録媒体に消去用の光スポットを与え、消去動作を
実行する。消去が完了して時刻t₃になると制御部の31は
信号線S₂，S₃の電圧を0Vに落とす。するとスイッチ10,9
はオフになり、回路が開いて電流が切れ、励磁コイル１
と磁芯２で構成された電磁石は磁界の出力を停止する。

次に記録動作を行う場合、第７図に示すように制御部31
が時刻t₄に信号線S₄，S₆の電圧をV_Hに上げる。すると第
６図のスイッチ8,7がオンになって回路が閉じ、電流が
高電圧源12からスイッチ8,励磁コイル1,スイッチ7,記録
用電流源４を通って流れ、励磁コイル１と磁芯２で構成
された電磁石が光磁気記録媒体に記録用のバイアス磁界
を与え始める。電圧S₄，S₆がV_Hになり、スイッチ8,7が
オンになった直後、信号S₈は徐々に上がり始め、S₈がV
_refに達すると、比較器17の出力S₁₀は０からV_Hに上昇す
る。すると制御部31はS₅をV_Hにし、S₄を０に落とす。こ
の時スイッチ８とスイッチ11が切り替わり、励磁コイル
１を駆動する電圧源は高電圧源12から低電圧源13に一瞬
切り替わるが、切り替わった直後第７図に示すようにS₈
がV_ref以下に落ち、比較器17の出力S₁₀は再び０に落ち
て励磁コイル１の駆動電圧源は再び高電圧源12に切り替
わり、S₈が再び立ち上がり始める。しかしこの時S₇は0V
まで落ちていないので、次にV_refまで立ち上がる時間が
最初より短くなり、以後第７図に示したような鋸歯状の
波形を示しながら高電圧源12と低電圧源13の切り替えを
繰り返し、しだいに高電圧源12で駆動している時間が短
くなり、最終的に時刻t₅では励磁コイルの駆動電圧源が
低電圧源13に切り替わる。バイアス磁界が記録動作が可
能な大きさになるまで待った後に光学ヘッドが前記光磁
気記録媒体に記録する情報に応じた光スポットを与え、
記録動作を実行する。記録が完了して時刻t₆になると制
御部31は信号線S₅，S₆の電圧を0Vに落とす。するとスイ
ッチ11,7はオフになり、回路が開いて電流が切れ、励磁
コイル１と磁芯２で構成された電磁石は磁界の出力を停
止する。

本実施例は第１の実施例と同様の効果を有するが、第１
の実施例に比べ差動増幅器を全く無くすことができ、更
に電圧源の切り替えは第1,第２の実施例のように突然低
電圧源に切り替わるのではなく高電圧源で駆動している
確率が徐々に低くなる切り替え方式であるため、第1,第
２の実施例に比べ、高電圧源で駆動している時間がトー
タルとして長くなり、より磁界立ち上がり時間の短いバ
イアス磁界発生装置が実現できる。

発明の効果本発明は、光磁気記録媒体に記録，消去用のバイアス磁
界を与える励磁コイル及び前記励磁コイルを巻回した磁
芯から構成された電磁石と、前記電磁石に駆動用の電圧
を与える第１の電圧源と、前記電磁石に前記第１の電圧
源より低い駆動用の電圧を与える第２の電圧源と、前記
第１の電圧源と前記第２の電圧源を切り替える切り替え
手段と、前記励磁コイルの印加電圧を検出し基準電圧と
比較する電圧判定部と、前記電圧判定部下からの信号に
より前記電圧切り替え手段を制御する制御部を有する事
により、第１の電圧源である高電圧源で立ち上げた電磁
石の励磁コイルの電圧が第２の電圧源である低電圧源の
電圧より低くなったときに比較器から制御部に信号が出
力され、制御部が電圧源を低電圧源に切り替える信号を
電圧切り替え手段に出力することにより、電圧切り替え
手段が電圧源を切り替える。即ち磁界立ち上げ時とそれ
以外の状態で駆動回路の電圧を切り替え、磁界の立ち上
がり時は高電圧源を使用することで磁界の立ち上がり時
間を短縮し、立ち上がりがほぼ完了したら低電圧源を使
用することで回路全体の消費電力を低減させることがで
きる。即ち、立ち上がり時間に対し悪影響を及ぼすこと
無く効率の改善が達成される。

また、高電圧源の電圧は消費電力に殆ど影響しないた
め、電圧が十分大きな電源を用意することができ、磁界
の立ち上がり時間を大幅に短縮することも可能である。
さらに不必要な電力消費を低減できるため光磁気記録再
生装置内部の温度上昇を最小にすることができ、比較的
温度変化に弱い光学ヘッドを安定動作させ、情報の信頼
性を向上させる事ができるという数々の優れた効果を得
ることのできるバイアス磁界発生装置を実現できるもの
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例におけるバイアス磁界発生装
置の構成を示すブロック図、第２図は第１図のバイアス
磁界発生装置の消去及び記録時の各部の信号の状態を示
すタイミングチャート、第３図は第１図のバイアス磁界
発生装置の磁界の立ち上がり時の励磁コイルの両端電圧
と電流源の両端電圧の変化を示す特性図、第４図は本発
明の第２の実施例におけるバイアス磁界発生装置のブロ
ック図、第５図は第４図のバイアス磁界発生装置の消去
及び記録時の各部の信号の状態を示すタイミングチャー
ト、第６図は本発明の第３の実施例におけるバイアス磁
界発生装置のブロック図、第７図は第６図のバイアス磁
界発生装置の消去及び記録時の各部の信号の状態を示す
タイミングチャート、第８図は従来例のバイアス磁界発
生装置のブロック図、第９図は第８図のバイアス磁界発
生装置の消去及び記録時の各部の信号の状態を示すタイ
ミングチャート、第10図は第８図のバイアス磁界発生装
置の磁界の立ち上がり時の励磁コイルの両端電圧と電流
源の両端電圧の変化を示す特性図である。１……励磁コイル、２……磁芯、3,30,31……制御部、
４……記録用電流源、５……消去用電流源、６〜11……
スイッチ、12……高電圧源、13……低電圧源、14,15…
…差動増幅器、16,17……比較器、18……基準電圧源、1
9……正極基準電圧源、20……負極基準電圧源。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光磁気記録媒体に記録，消去用のバイアス
磁界を与える励磁コイル及び前記励磁コイルを巻回した
磁芯から構成された電磁石と、前記電磁石に駆動用の電
圧を与える第１の電圧源と、前記電磁石に前記第１の電
圧源より低い駆動用の電圧を与える第２の電圧源と、前
記第１の電圧源と前記第２の電圧源を切り替える切り替
え手段と、前記励磁コイルの印加電圧を検出し基準電圧
と比較する電圧判定部と、前記切り替え手段を制御する
制御手段とを有し、前記電磁石の磁界の立ち上げ時は、
初期は前記電磁石を前記第１の電圧源で駆動し、その後
前記制御部が前記電圧判定部の出力に従い前記切り替え
手段を制御して前記電磁石の駆動電圧源を前記第２の電
圧源に切り替える事を特徴とするバイアス磁界発生装
置。
【請求項２】電圧判定部は、励磁コイルの両端の電位差
を検出，増幅し、その増幅された電圧と基準電圧源の出
力する基準電圧とを比較し、比較結果を制御部に出力す
るように構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のバイアス磁界発生装置。
【請求項３】電圧判定部は、励磁コイルの両端電圧の少
なくとも何れか片方を基準電圧源の出力する基準電圧と
比較し、比較結果を制御部に出力するように構成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバイアス磁
界発生装置。
【請求項４】電圧判定部は、電磁石の磁界の立ち上げ時
は第１の電圧源で駆動し、励磁コイルの印加電圧を検
出、増幅し、増幅された電圧が基準電圧源の電圧より小
さくなった時点で前記励磁コイルを駆動する電圧源を第
２の電圧源に切り替える信号を制御部に対し出力するよ
うに構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のバイアス磁界発生装置。