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JPH0770656B2 - High power transistor - Google Patents
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JPH0770656B2 - High power transistor - Google Patents

High power transistor

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JPH0770656B2
JPH0770656B2 JP1205255A JP20525589A JPH0770656B2 JP H0770656 B2 JPH0770656 B2 JP H0770656B2 JP 1205255 A JP1205255 A JP 1205255A JP 20525589 A JP20525589 A JP 20525589A JP H0770656 B2 JPH0770656 B2 JP H0770656B2
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connector
circuit
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3421Leaded components
    • H05K3/3426Leaded components characterised by the leads

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、大電力で動作する高出力トランジスタに関
するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a high-power transistor that operates at high power.

〔従来の技術〕 第6図は従来の高出力トランジスタを示す斜視図であ
る。図において、1は当該高出力トランジスタを放熱板
に取り付けるための取付座であり、2は熱伝導度の高い
絶縁材料によって形成されて第6図には現れないトラン
ジスタチップが搭載され、前記取付座1の上に取り付け
られる基盤である。3はこの基盤2に取り付けられ、ボ
ンディング等によって基盤2上に搭載されたトランジス
タチップの、例えばエミッタに接続されて共通アースと
なり得る、偏平リードによる接続子であり、4は前記基
盤2に取り付けられ、前記トランジスタチップの例えば
コレクタに接続されて出力端子となり得る、偏平リード
による接続子、5は同じく基盤2に取り付けられ、トラ
ンジスタチップの例えばベースに接続されて入力端子と
なり得る、偏平リードによる接続子である。6は前記ト
ランジスタチップ、およびそのボンディング等を保護す
るため、前記基盤2上に設けられた保護キャップであ
る。
[Prior Art] FIG. 6 is a perspective view showing a conventional high-power transistor. In the figure, 1 is a mounting seat for mounting the high-power transistor on a heat sink, and 2 is a mounting chip formed by an insulating material having a high thermal conductivity and not shown in FIG. It is a base attached on top of 1. Reference numeral 3 denotes a connector by a flat lead which is attached to the base 2 and can be connected to, for example, an emitter of a transistor chip mounted on the base 2 by bonding or the like to form a common ground, and 4 is attached to the base 2. A flat lead connector that can be connected to, for example, the collector of the transistor chip to serve as an output terminal, and a flat lead connector that can also be attached to the substrate 2 and connected to, for example, the base of the transistor chip to serve as an input terminal Is. Reference numeral 6 is a protective cap provided on the base 2 to protect the transistor chip and its bonding and the like.

次に動作について説明する。ここで、第7図は前記構成
の高出力トランジスタを用いた高周波高出力回路を示す
回路図である。この高出力トランジスタは各接続子3〜
5の半田付けによってプリント配線板に取り付けられ、
例えば、C級動作による増幅作用にて入力電力の電力増
幅を行っている。このような高周波高出力回路では、高
出力トランジスタとそれが接続される回路との間でイン
ピーダンス整合をとる必要があり、接続子4にはプリン
タ配線板上に配置された出力整合用のコンデンサ7aおよ
びコイル7bが接続されて出力整合がとられ、同様に、接
続子5にはプリント配線板上の入力用整合用のコンデン
サ7cおよびコイル7dが接続されて入力整合がとられてい
る。これらのインピーダンス整合では、高出力トランジ
スタの接続子4あるいは5のインダクタンス成分も考慮
した整合が行われる。
Next, the operation will be described. Here, FIG. 7 is a circuit diagram showing a high-frequency high-output circuit using the high-output transistor having the above configuration. This high output transistor is connected to each connector 3 ~
Attached to the printed wiring board by soldering 5
For example, the power amplification of the input power is performed by the amplification action by the class C operation. In such a high frequency and high output circuit, it is necessary to perform impedance matching between the high output transistor and the circuit to which it is connected. And a coil 7b are connected for output matching, and similarly, a connector 7 for input matching on the printed wiring board and a coil 7d are connected to the connector 5 for input matching. In these impedance matching, matching is performed in consideration of the inductance component of the connector 4 or 5 of the high output transistor.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

従来の高出力トランジスタは以上のように構成されてい
るので、大電力で動作する場合、トランジスタチップに
おける発熱が接続子3〜5よりプリント配線板に伝わっ
て、接続子3〜5の半田付けなどによる接合部分、特
に、流れる電流が多い出力端子となる接続子4の接合部
分における経年的信頼性を劣化させる要因となるばかり
か、各接続子3〜5はその形状が固定されており、接続
子4および5のインダクタンス成分が高周波高出力回路
の構成に影響を与え、目的とする特性を得るためには整
合回路が複雑になり、部品点数が増加して調整も頻雑に
なるなどの問題点があった。
Since the conventional high output transistor is configured as described above, when operating with a large amount of power, heat generated in the transistor chip is transmitted from the connectors 3 to 5 to the printed wiring board, and the connectors 3 to 5 are soldered. Not only becomes a factor of deteriorating the reliability over time in the joint part of the connector 4, which becomes an output terminal in which a large amount of current flows, but also the shape of each connector 3-5 is fixed, and The inductance components of the children 4 and 5 affect the configuration of the high frequency and high output circuit, and the matching circuit becomes complicated to obtain the desired characteristics, the number of parts increases, and the adjustment becomes complicated. There was a point.

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半田付けの経年的信頼性を改善し、高周波高
出力回路での目的とする特性を得やすい高出力トランジ
スタを得ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and to improve the reliability of soldering over time, and to obtain a high output transistor that is easy to obtain the desired characteristics in a high frequency high output circuit. To aim.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

この発明に係る高出力トランジスタは、トランジスタチ
ップを搭載した基盤の表面の一部を保護キャップより露
出させるとともに、トランジスタチップに接続され、さ
らに外部接続のための接続リードが接続される接続端子
を、前記基盤の露出面に密着配置したものである。
The high-power transistor according to the present invention exposes a part of the surface of the base on which the transistor chip is mounted from the protective cap, and is connected to the transistor chip, and further has a connection terminal to which a connection lead for external connection is connected, It is arranged in close contact with the exposed surface of the base.

〔作用〕[Action]

この発明における高出力トランジスタは、固定形状の接
続子に代えて、外部との接続のための接続リードが接続
される接続端子を、基盤の保護キャップより露出した面
に密着して配置することにより、トランジスタチップの
発生した熱を、基盤を介して効率よく放散させるととも
に、前記接続リードに目的の特性をもったものの使用を
可能とし、高周波高出力回路での目的とする特性を容易
に得ることのできる高出力トランジスタを実現する。
In the high output transistor according to the present invention, instead of the fixed-shaped connector, the connection terminal to which the connection lead for external connection is connected is arranged in close contact with the surface exposed from the protective cap of the base. , It is possible to efficiently dissipate the heat generated by the transistor chip through the substrate and to use the connection leads having the desired characteristics, and easily obtain the desired characteristics in the high frequency and high output circuit. Realizes a high output transistor that can

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、1は取付座、2は基盤、3および5は偏平
リードによる接続子、6は保護キャップであり、第6図
に同一符号を付した従来のそれらと同一、あるいは相当
部分であるため詳細な説明は省略する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. First
In the figure, 1 is a mounting seat, 2 is a base, 3 and 5 are connectors with flat leads, 6 is a protective cap, which is the same as or equivalent to those of the conventional ones given the same reference numerals in FIG. Detailed description is omitted.

また、8は前記保護キャップ6によって覆われていな
い、前記基盤2の露出した表面であり、9は従来の接続
子4に代わって、第1図には現れないトランジスタチッ
プに接続され、基盤2の前記露出した表面8に密着して
配置された接続端子である。10はその一方の端部が図示
を省略したプリント配線板に半田付けにて接続され、他
方の端部が前記接続端子9に、例えば半田付けなどによ
って接続され、当該高出力トランジスタの外部との接続
を実現する接続リードで、要求される特性に応じた長
さ、幅、および厚さを有しており、また、多数のすだれ
状のスリットを設けることによってその放熱特性の向上
をはかっている。
Reference numeral 8 denotes an exposed surface of the substrate 2 which is not covered by the protective cap 6, and 9 is connected to a transistor chip not shown in FIG. The connection terminals are arranged in close contact with the exposed surface 8. One end of 10 is connected to a printed wiring board (not shown) by soldering, and the other end is connected to the connection terminal 9 by, for example, soldering so that the high output transistor is connected to the outside. A connection lead that realizes connection and has a length, width, and thickness according to the required characteristics. Also, by providing a number of interdigital slits, the heat dissipation characteristics are improved. .

次に動作について説明する。ここで、第2図は前記構成
の高出力トランジスタを用いた高周波高出力回路を示す
回路図である。この高出力トランジスタは各接続子3お
よび5の半田付け、および接続端子9に接続された接続
リード10の半田付けによってプリント配線板に取り付け
られ、例えば、C級動作による増幅作用にて入力電力の
電力増幅を行っている。従って、基盤2の露出した表面
8に密着して配置された接続端子9では、そこに多くの
電流が流れて大きな発熱があっても、熱伝導度の高い絶
縁材料で形成されている基盤2によってその熱は速やか
に放熱される。
Next, the operation will be described. Here, FIG. 2 is a circuit diagram showing a high-frequency high-output circuit using the high-output transistor having the above configuration. This high-power transistor is attached to the printed wiring board by soldering each of the connectors 3 and 5 and the connection lead 10 connected to the connection terminal 9, and for example, the input power is amplified by the amplification action by the class C operation. Power amplification is performed. Therefore, in the connection terminal 9 arranged in close contact with the exposed surface 8 of the base 2, even if a large amount of current flows therethrough and a large amount of heat is generated, the base 2 made of an insulating material having high thermal conductivity is used. The heat is quickly dissipated by.

このような高周波高出力回路における出力インピーダン
スの整合は、プリント配線板上に配置されて接続リード
10に接続された。出力整合用のコンデンサ7aおよびコイ
ル7bによってとられ、同様にして入力インピーダンスの
整合は、プリント配線板上に配置されて接続子5に接続
された、入力用整合用コンデンサ7cおよびコイル7dによ
ってとられている。これらのインピーダンス整合は、接
続リード10および接続子5のインダクタンス成分も考慮
して行われており、従って、接続リード10として、目的
とする特性に合った長さ、幅、および厚さのものを選択
することによって、整合回路が部品点数の少ない簡略な
ものとすることが可能となり、その調整も簡易化するこ
とができる。
Output impedance matching in such high-frequency and high-power circuits is arranged on the printed wiring board by connecting leads.
Connected to 10. The output matching capacitor 7a and the coil 7b are used. Similarly, the input impedance matching is performed by the input matching capacitor 7c and the coil 7d which are arranged on the printed wiring board and connected to the connector 5. ing. The impedance matching is performed in consideration of the inductance components of the connection lead 10 and the connector 5, and therefore, the connection lead 10 having a length, width, and thickness suitable for the desired characteristics is used. By selecting the matching circuit, the matching circuit can be made simple with a small number of parts, and the adjustment thereof can be simplified.

また、第3図はこの発明の他の実施例を示す斜視図であ
る。この実施例では、従来の接続子4に代わって、第3
図には現れないトランジスタチップに接続され、基盤2
の露出した表面8に密着して配置された接続端子9と、
この高出力トランジスタの共通アースとなり得る接続子
3との間に、電子部品、例えば出力整合用コンデンサ7a
を直接接続したものである。このように出力整合用コン
デンサ7aを接続した場合、接続リード10と高出力トラン
ジスタの内部インダクタンスとの間にコンデンサが接続
されることになり、回路のQを考慮しながら容易にイン
ピーダンス整合を行うことが可能となる。さらに、当該
出力整合用コンデンサ7aより発生する熱も接続端子9が
その露出した表面8に密着している基盤2より速やかに
放散され、放熱特性をさらに改善することができる。こ
こで、接続端子9と接続リード10との間に接続する電子
部品としては、前述のようなコンデンサのみでなく、抵
抗器、コイル等、他の電子部品であってもよい。
FIG. 3 is a perspective view showing another embodiment of the present invention. In this embodiment, a third connector is used instead of the conventional connector 4.
Board 2 connected to a transistor chip that does not appear in the figure
A connection terminal 9 disposed in close contact with the exposed surface 8 of
An electronic component such as an output matching capacitor 7a is provided between the high output transistor and a connector 3 that can be a common ground.
Is a direct connection. When the output matching capacitor 7a is connected in this way, the capacitor is connected between the connection lead 10 and the internal inductance of the high output transistor, and impedance matching can be easily performed while considering the Q of the circuit. Is possible. Further, the heat generated by the output matching capacitor 7a is also dissipated more quickly from the base plate 2 in which the connection terminals 9 are in close contact with the exposed surface 8, and the heat dissipation characteristics can be further improved. Here, the electronic component connected between the connection terminal 9 and the connection lead 10 is not limited to the above-mentioned capacitor, but may be another electronic component such as a resistor or a coil.

なお、上記実施例では、接続リード10として、多数のす
だれ状スリットを有する平らな偏平リードを用いた場合
を示したが、スリットの形状を他の形状としても、スリ
ットのない単純な偏平リード、あるいはボンディングワ
イヤや丸リードであってもよく、さらに、それらに湾曲
部を設けてもよい。第5図はすだれ状のスリットを有す
る偏平リードにこのような湾曲部11を設けた接続リード
10の一例を示す斜視図であり、このように接続リード10
に湾曲部11を持たせることにより、発熱によって接続リ
ード10が伸縮しても、当然伸縮による応力をこの湾曲部
11にて吸収し、半田付け部分の経年的信頼性の劣化を防
止することができる。
Incidentally, in the above embodiment, as the connection lead 10, the case of using a flat flat lead having a large number of interdigital slits, even if the shape of the slit is another shape, a simple flat lead without slit, Alternatively, it may be a bonding wire or a round lead, and further, a curved portion may be provided on them. FIG. 5 shows a connecting lead in which such a curved portion 11 is provided on a flat lead having a comb-like slit.
FIG. 10 is a perspective view showing an example of the connection lead 10 in this manner.
Even if the connecting lead 10 expands and contracts due to heat generation, the bending part 11 naturally has a stress due to expansion and contraction.
It is possible to prevent deterioration of reliability of the soldered portion over time due to absorption in 11.

また、上記実施例では、出力端子となり得る接続子4の
みを、基盤2の露出した表面8に密着した接続端子9に
代えた場合について説明したが、共通アースとなり得る
接続子3、および入力端子となり得る接続子5なども、
この基盤2の露出した表面に密着した接続端子に代えて
もよく、さらに、上記実施例では、接続リード10を当該
高出力トランジスタの取付時に接続端子9に接続する場
合について説明したが、出荷時にすでに、接続リード10
を接続端子9に接続しておくようにしてもよい。
Further, in the above-described embodiment, the case where only the connector 4 which can be an output terminal is replaced with the connection terminal 9 which is in close contact with the exposed surface 8 of the substrate 2, is described. The connector 5 that can become
The connection terminal may be replaced with a contact terminal that is in close contact with the exposed surface of the board 2. Further, in the above embodiment, the case where the connection lead 10 is connected to the connection terminal 9 when the high-power transistor is mounted has been described. Already, connection lead 10
May be connected to the connection terminal 9.

また、上記実施例では、高出力トランジスタの形状が角
型の場合について説明したが丸型であってもよく、上記
実施例と同様の効果を奏するものであり、さらに、上記
実施例では、当該高出力トランジスタをC級動作の高周
波増幅回路に使用した場合について説明したが、スイッ
チング回路、低周波の増幅回路等、他の高出力回路にて
使用することも可能である。
Further, in the above-described embodiment, the case where the high-output transistor has a rectangular shape has been described. However, the high-output transistor may have a round shape, and the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained. The case where the high output transistor is used in the high-frequency amplifier circuit of class C operation has been described, but the high output transistor can be used in other high output circuits such as a switching circuit and a low frequency amplifier circuit.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上のように、この発明によれば、固定形状の接続子に
代えて、外部との接続のための接続リードが接続される
接続端子を、基盤の保護キャップより露出した表面に密
着して配置するように構成したので、トランジスタチッ
プより発生した熱を基盤を介して効率よく放散させるこ
とが可能となって、半田付けなどによる接合部分の経年
的信頼性の劣化を防止でき、またその接続リードにすだ
れ状のスリットを設けたので、トランジスタチップから
発生した熱が接続リードを伝導しても、途中でそのすだ
れ状のスリットによって放熱させることができ、よっ
て、従来のように接続子と外部回路との半田付け部など
の劣化を防止することができる。また、前記接続リード
として、目的の特性を持ったものを使用することが可能
となり、高周波高出力回路などおいては目的とする特性
を容易に実現することができるばかりか、電子部品を当
該高出力トランジスタ上に容易に取り付けることが可能
となるため、トランジスタ製造上の誤差を外部より容易
に補正でき、さらに外部回路の電子部品の一部をこの高
出力トランジスタに取り付けることで外部回路を簡略化
することも可能となるなどの効果がある。
As described above, according to the present invention, instead of the fixed-shaped connector, the connection terminal to which the connection lead for connection with the outside is connected is arranged in close contact with the surface exposed from the protective cap of the base. Since it is configured so that it is possible to efficiently dissipate the heat generated from the transistor chip through the substrate, it is possible to prevent the deterioration of the reliability of the joint portion due to soldering etc. Since the interdigital slit is provided on the connector chip, even if the heat generated from the transistor chip conducts through the connection lead, the interdigital slit can dissipate the heat on the way. It is possible to prevent deterioration of the soldered portion and the like. In addition, it is possible to use the connection lead having a desired characteristic, and it is possible to easily achieve the desired characteristic in a high-frequency high-output circuit, etc. Since it can be easily mounted on the output transistor, errors in transistor manufacturing can be easily corrected from the outside, and a part of the electronic components of the external circuit can be mounted on this high-power transistor to simplify the external circuit. It is also possible to do so.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の一実施例による高出力トランジスタ
を示す斜視図、第2図はそれを使用した回路の一例を示
す回路図、第3図はこの発明の他の実施例を示す斜視
図、第4図はそれを使用した回路の一例を示す回路図、
第5図は接続リードの他の実施例を示す斜視図、第6図
は従来の高出力トランジスタを示す斜視図、第7図はそ
れを使用した回路の一例を示す回路図である。 2は基盤、6は保護キャップ、8は露出した表面、9は
接続端子、10は接続リード。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
FIG. 1 is a perspective view showing a high output transistor according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a circuit using the same, and FIG. 3 is a perspective view showing another embodiment of the present invention. , FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of a circuit using the same,
FIG. 5 is a perspective view showing another embodiment of the connection lead, FIG. 6 is a perspective view showing a conventional high output transistor, and FIG. 7 is a circuit diagram showing an example of a circuit using the same. 2 is a base, 6 is a protective cap, 8 is an exposed surface, 9 is a connection terminal, and 10 is a connection lead. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】トランジスタチップを搭載する熱伝導度の
高い絶縁材料より成る基盤と、前記基盤に搭載されたト
ランジスタチップおよびそのボンディング部を覆い、前
記基盤の表面の一部を露出するように前記基盤上に配置
された保護キャップと、前記トランジスタチップに接続
されて前記基盤の露出した表面に密着して配置された接
続リードと、すだれ状のスリットを有し一方の端部が外
部回路と接続され、他方の端部が前記接続リードと接続
された接続端子とを備えた高出力トランジスタ。
1. A base made of an insulating material having a high thermal conductivity for mounting a transistor chip, the transistor chip mounted on the base and the bonding portion thereof are covered, and a part of the surface of the base is exposed. A protective cap disposed on the base, a connection lead connected to the transistor chip and closely attached to the exposed surface of the base, and a comb-like slit having one end connected to an external circuit. And a connection terminal whose other end is connected to the connection lead.
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