JPH0770656B2 - 高出力トランジスタ - Google Patents
高出力トランジスタInfo
- Publication number
- JPH0770656B2 JPH0770656B2 JP1205255A JP20525589A JPH0770656B2 JP H0770656 B2 JPH0770656 B2 JP H0770656B2 JP 1205255 A JP1205255 A JP 1205255A JP 20525589 A JP20525589 A JP 20525589A JP H0770656 B2 JPH0770656 B2 JP H0770656B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- transistor
- connection
- connector
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
- H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、大電力で動作する高出力トランジスタに関
するものである。
するものである。
〔従来の技術〕 第６図は従来の高出力トランジスタを示す斜視図であ
る。図において、１は当該高出力トランジスタを放熱板
に取り付けるための取付座であり、２は熱伝導度の高い
絶縁材料によって形成されて第６図には現れないトラン
ジスタチップが搭載され、前記取付座１の上に取り付け
られる基盤である。３はこの基盤２に取り付けられ、ボ
ンディング等によって基盤２上に搭載されたトランジス
タチップの、例えばエミッタに接続されて共通アースと
なり得る、偏平リードによる接続子であり、４は前記基
盤２に取り付けられ、前記トランジスタチップの例えば
コレクタに接続されて出力端子となり得る、偏平リード
による接続子、５は同じく基盤２に取り付けられ、トラ
ンジスタチップの例えばベースに接続されて入力端子と
なり得る、偏平リードによる接続子である。６は前記ト
ランジスタチップ、およびそのボンディング等を保護す
るため、前記基盤２上に設けられた保護キャップであ
る。
る。図において、１は当該高出力トランジスタを放熱板
に取り付けるための取付座であり、２は熱伝導度の高い
絶縁材料によって形成されて第６図には現れないトラン
ジスタチップが搭載され、前記取付座１の上に取り付け
られる基盤である。３はこの基盤２に取り付けられ、ボ
ンディング等によって基盤２上に搭載されたトランジス
タチップの、例えばエミッタに接続されて共通アースと
なり得る、偏平リードによる接続子であり、４は前記基
盤２に取り付けられ、前記トランジスタチップの例えば
コレクタに接続されて出力端子となり得る、偏平リード
による接続子、５は同じく基盤２に取り付けられ、トラ
ンジスタチップの例えばベースに接続されて入力端子と
なり得る、偏平リードによる接続子である。６は前記ト
ランジスタチップ、およびそのボンディング等を保護す
るため、前記基盤２上に設けられた保護キャップであ
る。
次に動作について説明する。ここで、第７図は前記構成
の高出力トランジスタを用いた高周波高出力回路を示す
回路図である。この高出力トランジスタは各接続子３〜
５の半田付けによってプリント配線板に取り付けられ、
例えば、Ｃ級動作による増幅作用にて入力電力の電力増
幅を行っている。このような高周波高出力回路では、高
出力トランジスタとそれが接続される回路との間でイン
ピーダンス整合をとる必要があり、接続子４にはプリン
タ配線板上に配置された出力整合用のコンデンサ7aおよ
びコイル7bが接続されて出力整合がとられ、同様に、接
続子５にはプリント配線板上の入力用整合用のコンデン
サ7cおよびコイル7dが接続されて入力整合がとられてい
る。これらのインピーダンス整合では、高出力トランジ
スタの接続子４あるいは５のインダクタンス成分も考慮
した整合が行われる。
の高出力トランジスタを用いた高周波高出力回路を示す
回路図である。この高出力トランジスタは各接続子３〜
５の半田付けによってプリント配線板に取り付けられ、
例えば、Ｃ級動作による増幅作用にて入力電力の電力増
幅を行っている。このような高周波高出力回路では、高
出力トランジスタとそれが接続される回路との間でイン
ピーダンス整合をとる必要があり、接続子４にはプリン
タ配線板上に配置された出力整合用のコンデンサ7aおよ
びコイル7bが接続されて出力整合がとられ、同様に、接
続子５にはプリント配線板上の入力用整合用のコンデン
サ7cおよびコイル7dが接続されて入力整合がとられてい
る。これらのインピーダンス整合では、高出力トランジ
スタの接続子４あるいは５のインダクタンス成分も考慮
した整合が行われる。
従来の高出力トランジスタは以上のように構成されてい
るので、大電力で動作する場合、トランジスタチップに
おける発熱が接続子３〜５よりプリント配線板に伝わっ
て、接続子３〜５の半田付けなどによる接合部分、特
に、流れる電流が多い出力端子となる接続子４の接合部
分における経年的信頼性を劣化させる要因となるばかり
か、各接続子３〜５はその形状が固定されており、接続
子４および５のインダクタンス成分が高周波高出力回路
の構成に影響を与え、目的とする特性を得るためには整
合回路が複雑になり、部品点数が増加して調整も頻雑に
なるなどの問題点があった。
るので、大電力で動作する場合、トランジスタチップに
おける発熱が接続子３〜５よりプリント配線板に伝わっ
て、接続子３〜５の半田付けなどによる接合部分、特
に、流れる電流が多い出力端子となる接続子４の接合部
分における経年的信頼性を劣化させる要因となるばかり
か、各接続子３〜５はその形状が固定されており、接続
子４および５のインダクタンス成分が高周波高出力回路
の構成に影響を与え、目的とする特性を得るためには整
合回路が複雑になり、部品点数が増加して調整も頻雑に
なるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半田付けの経年的信頼性を改善し、高周波高
出力回路での目的とする特性を得やすい高出力トランジ
スタを得ることを目的とする。
たもので、半田付けの経年的信頼性を改善し、高周波高
出力回路での目的とする特性を得やすい高出力トランジ
スタを得ることを目的とする。
この発明に係る高出力トランジスタは、トランジスタチ
ップを搭載した基盤の表面の一部を保護キャップより露
出させるとともに、トランジスタチップに接続され、さ
らに外部接続のための接続リードが接続される接続端子
を、前記基盤の露出面に密着配置したものである。
ップを搭載した基盤の表面の一部を保護キャップより露
出させるとともに、トランジスタチップに接続され、さ
らに外部接続のための接続リードが接続される接続端子
を、前記基盤の露出面に密着配置したものである。
この発明における高出力トランジスタは、固定形状の接
続子に代えて、外部との接続のための接続リードが接続
される接続端子を、基盤の保護キャップより露出した面
に密着して配置することにより、トランジスタチップの
発生した熱を、基盤を介して効率よく放散させるととも
に、前記接続リードに目的の特性をもったものの使用を
可能とし、高周波高出力回路での目的とする特性を容易
に得ることのできる高出力トランジスタを実現する。
続子に代えて、外部との接続のための接続リードが接続
される接続端子を、基盤の保護キャップより露出した面
に密着して配置することにより、トランジスタチップの
発生した熱を、基盤を介して効率よく放散させるととも
に、前記接続リードに目的の特性をもったものの使用を
可能とし、高周波高出力回路での目的とする特性を容易
に得ることのできる高出力トランジスタを実現する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、１は取付座、２は基盤、３および５は偏平
リードによる接続子、６は保護キャップであり、第６図
に同一符号を付した従来のそれらと同一、あるいは相当
部分であるため詳細な説明は省略する。
図において、１は取付座、２は基盤、３および５は偏平
リードによる接続子、６は保護キャップであり、第６図
に同一符号を付した従来のそれらと同一、あるいは相当
部分であるため詳細な説明は省略する。
また、８は前記保護キャップ６によって覆われていな
い、前記基盤２の露出した表面であり、９は従来の接続
子４に代わって、第１図には現れないトランジスタチッ
プに接続され、基盤２の前記露出した表面８に密着して
配置された接続端子である。10はその一方の端部が図示
を省略したプリント配線板に半田付けにて接続され、他
方の端部が前記接続端子９に、例えば半田付けなどによ
って接続され、当該高出力トランジスタの外部との接続
を実現する接続リードで、要求される特性に応じた長
さ、幅、および厚さを有しており、また、多数のすだれ
状のスリットを設けることによってその放熱特性の向上
をはかっている。
い、前記基盤２の露出した表面であり、９は従来の接続
子４に代わって、第１図には現れないトランジスタチッ
プに接続され、基盤２の前記露出した表面８に密着して
配置された接続端子である。10はその一方の端部が図示
を省略したプリント配線板に半田付けにて接続され、他
方の端部が前記接続端子９に、例えば半田付けなどによ
って接続され、当該高出力トランジスタの外部との接続
を実現する接続リードで、要求される特性に応じた長
さ、幅、および厚さを有しており、また、多数のすだれ
状のスリットを設けることによってその放熱特性の向上
をはかっている。
次に動作について説明する。ここで、第２図は前記構成
の高出力トランジスタを用いた高周波高出力回路を示す
回路図である。この高出力トランジスタは各接続子３お
よび５の半田付け、および接続端子９に接続された接続
リード10の半田付けによってプリント配線板に取り付け
られ、例えば、Ｃ級動作による増幅作用にて入力電力の
電力増幅を行っている。従って、基盤２の露出した表面
８に密着して配置された接続端子９では、そこに多くの
電流が流れて大きな発熱があっても、熱伝導度の高い絶
縁材料で形成されている基盤２によってその熱は速やか
に放熱される。
の高出力トランジスタを用いた高周波高出力回路を示す
回路図である。この高出力トランジスタは各接続子３お
よび５の半田付け、および接続端子９に接続された接続
リード10の半田付けによってプリント配線板に取り付け
られ、例えば、Ｃ級動作による増幅作用にて入力電力の
電力増幅を行っている。従って、基盤２の露出した表面
８に密着して配置された接続端子９では、そこに多くの
電流が流れて大きな発熱があっても、熱伝導度の高い絶
縁材料で形成されている基盤２によってその熱は速やか
に放熱される。
このような高周波高出力回路における出力インピーダン
スの整合は、プリント配線板上に配置されて接続リード
10に接続された。出力整合用のコンデンサ7aおよびコイ
ル7bによってとられ、同様にして入力インピーダンスの
整合は、プリント配線板上に配置されて接続子５に接続
された、入力用整合用コンデンサ7cおよびコイル7dによ
ってとられている。これらのインピーダンス整合は、接
続リード10および接続子５のインダクタンス成分も考慮
して行われており、従って、接続リード10として、目的
とする特性に合った長さ、幅、および厚さのものを選択
することによって、整合回路が部品点数の少ない簡略な
ものとすることが可能となり、その調整も簡易化するこ
とができる。
スの整合は、プリント配線板上に配置されて接続リード
10に接続された。出力整合用のコンデンサ7aおよびコイ
ル7bによってとられ、同様にして入力インピーダンスの
整合は、プリント配線板上に配置されて接続子５に接続
された、入力用整合用コンデンサ7cおよびコイル7dによ
ってとられている。これらのインピーダンス整合は、接
続リード10および接続子５のインダクタンス成分も考慮
して行われており、従って、接続リード10として、目的
とする特性に合った長さ、幅、および厚さのものを選択
することによって、整合回路が部品点数の少ない簡略な
ものとすることが可能となり、その調整も簡易化するこ
とができる。
また、第３図はこの発明の他の実施例を示す斜視図であ
る。この実施例では、従来の接続子４に代わって、第３
図には現れないトランジスタチップに接続され、基盤２
の露出した表面８に密着して配置された接続端子９と、
この高出力トランジスタの共通アースとなり得る接続子
３との間に、電子部品、例えば出力整合用コンデンサ7a
を直接接続したものである。このように出力整合用コン
デンサ7aを接続した場合、接続リード10と高出力トラン
ジスタの内部インダクタンスとの間にコンデンサが接続
されることになり、回路のＱを考慮しながら容易にイン
ピーダンス整合を行うことが可能となる。さらに、当該
出力整合用コンデンサ7aより発生する熱も接続端子９が
その露出した表面８に密着している基盤２より速やかに
放散され、放熱特性をさらに改善することができる。こ
こで、接続端子９と接続リード10との間に接続する電子
部品としては、前述のようなコンデンサのみでなく、抵
抗器、コイル等、他の電子部品であってもよい。
る。この実施例では、従来の接続子４に代わって、第３
図には現れないトランジスタチップに接続され、基盤２
の露出した表面８に密着して配置された接続端子９と、
この高出力トランジスタの共通アースとなり得る接続子
３との間に、電子部品、例えば出力整合用コンデンサ7a
を直接接続したものである。このように出力整合用コン
デンサ7aを接続した場合、接続リード10と高出力トラン
ジスタの内部インダクタンスとの間にコンデンサが接続
されることになり、回路のＱを考慮しながら容易にイン
ピーダンス整合を行うことが可能となる。さらに、当該
出力整合用コンデンサ7aより発生する熱も接続端子９が
その露出した表面８に密着している基盤２より速やかに
放散され、放熱特性をさらに改善することができる。こ
こで、接続端子９と接続リード10との間に接続する電子
部品としては、前述のようなコンデンサのみでなく、抵
抗器、コイル等、他の電子部品であってもよい。
なお、上記実施例では、接続リード10として、多数のす
だれ状スリットを有する平らな偏平リードを用いた場合
を示したが、スリットの形状を他の形状としても、スリ
ットのない単純な偏平リード、あるいはボンディングワ
イヤや丸リードであってもよく、さらに、それらに湾曲
部を設けてもよい。第５図はすだれ状のスリットを有す
る偏平リードにこのような湾曲部11を設けた接続リード
10の一例を示す斜視図であり、このように接続リード10
に湾曲部11を持たせることにより、発熱によって接続リ
ード10が伸縮しても、当然伸縮による応力をこの湾曲部
11にて吸収し、半田付け部分の経年的信頼性の劣化を防
止することができる。
だれ状スリットを有する平らな偏平リードを用いた場合
を示したが、スリットの形状を他の形状としても、スリ
ットのない単純な偏平リード、あるいはボンディングワ
イヤや丸リードであってもよく、さらに、それらに湾曲
部を設けてもよい。第５図はすだれ状のスリットを有す
る偏平リードにこのような湾曲部11を設けた接続リード
10の一例を示す斜視図であり、このように接続リード10
に湾曲部11を持たせることにより、発熱によって接続リ
ード10が伸縮しても、当然伸縮による応力をこの湾曲部
11にて吸収し、半田付け部分の経年的信頼性の劣化を防
止することができる。
また、上記実施例では、出力端子となり得る接続子４の
みを、基盤２の露出した表面８に密着した接続端子９に
代えた場合について説明したが、共通アースとなり得る
接続子３、および入力端子となり得る接続子５なども、
この基盤２の露出した表面に密着した接続端子に代えて
もよく、さらに、上記実施例では、接続リード10を当該
高出力トランジスタの取付時に接続端子９に接続する場
合について説明したが、出荷時にすでに、接続リード10
を接続端子９に接続しておくようにしてもよい。
みを、基盤２の露出した表面８に密着した接続端子９に
代えた場合について説明したが、共通アースとなり得る
接続子３、および入力端子となり得る接続子５なども、
この基盤２の露出した表面に密着した接続端子に代えて
もよく、さらに、上記実施例では、接続リード10を当該
高出力トランジスタの取付時に接続端子９に接続する場
合について説明したが、出荷時にすでに、接続リード10
を接続端子９に接続しておくようにしてもよい。
また、上記実施例では、高出力トランジスタの形状が角
型の場合について説明したが丸型であってもよく、上記
実施例と同様の効果を奏するものであり、さらに、上記
実施例では、当該高出力トランジスタをＣ級動作の高周
波増幅回路に使用した場合について説明したが、スイッ
チング回路、低周波の増幅回路等、他の高出力回路にて
使用することも可能である。
型の場合について説明したが丸型であってもよく、上記
実施例と同様の効果を奏するものであり、さらに、上記
実施例では、当該高出力トランジスタをＣ級動作の高周
波増幅回路に使用した場合について説明したが、スイッ
チング回路、低周波の増幅回路等、他の高出力回路にて
使用することも可能である。
以上のように、この発明によれば、固定形状の接続子に
代えて、外部との接続のための接続リードが接続される
接続端子を、基盤の保護キャップより露出した表面に密
着して配置するように構成したので、トランジスタチッ
プより発生した熱を基盤を介して効率よく放散させるこ
とが可能となって、半田付けなどによる接合部分の経年
的信頼性の劣化を防止でき、またその接続リードにすだ
れ状のスリットを設けたので、トランジスタチップから
発生した熱が接続リードを伝導しても、途中でそのすだ
れ状のスリットによって放熱させることができ、よっ
て、従来のように接続子と外部回路との半田付け部など
の劣化を防止することができる。また、前記接続リード
として、目的の特性を持ったものを使用することが可能
となり、高周波高出力回路などおいては目的とする特性
を容易に実現することができるばかりか、電子部品を当
該高出力トランジスタ上に容易に取り付けることが可能
となるため、トランジスタ製造上の誤差を外部より容易
に補正でき、さらに外部回路の電子部品の一部をこの高
出力トランジスタに取り付けることで外部回路を簡略化
することも可能となるなどの効果がある。
代えて、外部との接続のための接続リードが接続される
接続端子を、基盤の保護キャップより露出した表面に密
着して配置するように構成したので、トランジスタチッ
プより発生した熱を基盤を介して効率よく放散させるこ
とが可能となって、半田付けなどによる接合部分の経年
的信頼性の劣化を防止でき、またその接続リードにすだ
れ状のスリットを設けたので、トランジスタチップから
発生した熱が接続リードを伝導しても、途中でそのすだ
れ状のスリットによって放熱させることができ、よっ
て、従来のように接続子と外部回路との半田付け部など
の劣化を防止することができる。また、前記接続リード
として、目的の特性を持ったものを使用することが可能
となり、高周波高出力回路などおいては目的とする特性
を容易に実現することができるばかりか、電子部品を当
該高出力トランジスタ上に容易に取り付けることが可能
となるため、トランジスタ製造上の誤差を外部より容易
に補正でき、さらに外部回路の電子部品の一部をこの高
出力トランジスタに取り付けることで外部回路を簡略化
することも可能となるなどの効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による高出力トランジスタ
を示す斜視図、第２図はそれを使用した回路の一例を示
す回路図、第３図はこの発明の他の実施例を示す斜視
図、第４図はそれを使用した回路の一例を示す回路図、
第５図は接続リードの他の実施例を示す斜視図、第６図
は従来の高出力トランジスタを示す斜視図、第７図はそ
れを使用した回路の一例を示す回路図である。 ２は基盤、６は保護キャップ、８は露出した表面、９は
接続端子、10は接続リード。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
を示す斜視図、第２図はそれを使用した回路の一例を示
す回路図、第３図はこの発明の他の実施例を示す斜視
図、第４図はそれを使用した回路の一例を示す回路図、
第５図は接続リードの他の実施例を示す斜視図、第６図
は従来の高出力トランジスタを示す斜視図、第７図はそ
れを使用した回路の一例を示す回路図である。 ２は基盤、６は保護キャップ、８は露出した表面、９は
接続端子、10は接続リード。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】トランジスタチップを搭載する熱伝導度の
高い絶縁材料より成る基盤と、前記基盤に搭載されたト
ランジスタチップおよびそのボンディング部を覆い、前
記基盤の表面の一部を露出するように前記基盤上に配置
された保護キャップと、前記トランジスタチップに接続
されて前記基盤の露出した表面に密着して配置された接
続リードと、すだれ状のスリットを有し一方の端部が外
部回路と接続され、他方の端部が前記接続リードと接続
された接続端子とを備えた高出力トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1205255A JPH0770656B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 高出力トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1205255A JPH0770656B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 高出力トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0369149A JPH0369149A (ja) | 1991-03-25 |
| JPH0770656B2 true JPH0770656B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=16503960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1205255A Expired - Fee Related JPH0770656B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 高出力トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770656B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0783074B2 (ja) * | 1985-12-06 | 1995-09-06 | ソニー株式会社 | モ−ルドトランジスタ |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP1205255A patent/JPH0770656B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0369149A (ja) | 1991-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5075759A (en) | Surface mounting semiconductor device and method | |
| EP0449435B1 (en) | Construction for cooling of a RF power transistor | |
| US4314270A (en) | Hybrid thick film integrated circuit heat dissipating and grounding assembly | |
| KR100503531B1 (ko) | 반도체디바이스 | |
| JPS62113452A (ja) | パワ−半導体装置 | |
| EP0304058B1 (en) | Mounting of a transistor device on a lead frame with a ceramic plate | |
| JPH09321216A (ja) | 電力用半導体装置 | |
| JPH1197598A (ja) | 半導体装置 | |
| EP0408904A2 (en) | Surface mounting semiconductor device and method | |
| JP2002064180A (ja) | 半導体モジュール | |
| JPH0595212A (ja) | 高周波半導体混成集積回路装置 | |
| JPH0770656B2 (ja) | 高出力トランジスタ | |
| JPH06132468A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002043779A (ja) | 電子部品の組み付け構造 | |
| JP3396541B2 (ja) | 混成集積回路装置を搭載した回路基板 | |
| JP2554040Y2 (ja) | 電子部品取付構造 | |
| JP3096536B2 (ja) | 混成集積回路 | |
| JP2002026246A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001274278A (ja) | マイクロ波半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2001068877A (ja) | 電子回路装置 | |
| JPS5844636Y2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP3449312B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63104358A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP3714808B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR810001730B1 (ko) | 반도체 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |