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JPH0770744B2 - Semiconductor device - Google Patents
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JPH0770744B2 - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JPH0770744B2
JPH0770744B2 JP4311912A JP31191292A JPH0770744B2 JP H0770744 B2 JPH0770744 B2 JP H0770744B2 JP 4311912 A JP4311912 A JP 4311912A JP 31191292 A JP31191292 A JP 31191292A JP H0770744 B2 JPH0770744 B2 JP H0770744B2
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cavity case
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semiconductor element
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の構造に関
し、特に半導体素子の表面が外部光を受光することを必
要とする半導体装置のパッケージ構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device structure, and more particularly to a semiconductor device package structure that requires the surface of a semiconductor element to receive external light.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、図3に示すように、半導体装置の
一部にガラスの透明体8を用いて半導体素子表面の受光
素子が受光可能にした半導体装置用パッケージは、予め
セラミックを材質として成形された上パッケージ2と下
パッケージ3との間に、導電性金属材料を材質として成
形されたリードフレーム4を挾み込んでパッケージを成
形していた。その際、上パッケージ2とリードフレーム
4及び下パッケージ3とリードフレーム4は、加熱溶融
したガラス9を介して結合される。
2. Description of the Related Art Conventionally, as shown in FIG. 3, a semiconductor device package in which a transparent element 8 made of glass is used as a part of a semiconductor device so that a light receiving element on the surface of the semiconductor element can receive light is made of ceramic material in advance. A lead frame 4 formed of a conductive metal material is sandwiched between the formed upper package 2 and lower package 3 to form the package. At that time, the upper package 2 and the lead frame 4 and the lower package 3 and the lead frame 4 are bonded to each other through the glass 9 that is heated and melted.

【0003】このキャビティケースの下パッケージ3上
に半導体素子6をペースト状樹脂5によって搭載後、金
属細線7により半導体素子6とインナーリード4aとを
結線する。次にキャビティケース部上面をガラス等の透
明体8にて密封する。その際、透明体8よりも融点の低
いガラス9を加熱溶融してキャビティケースと透明体と
を接合していた。
After the semiconductor element 6 is mounted on the lower package 3 of the cavity case with the paste-like resin 5, the semiconductor element 6 and the inner lead 4a are connected by the fine metal wire 7. Next, the upper surface of the cavity case is sealed with a transparent body 8 such as glass. At that time, the glass 9 having a lower melting point than the transparent body 8 was heated and melted to bond the cavity case and the transparent body.

【0004】最終的にアウターリード4bを金型等を用
いてリードフレーム4より切断,成形して半導体装置を
構成していた。またフルモールドパッケージタイプで
は、特開昭62−136050号公報,特開平1−27
8755号公報のようにアイランド裏側に蛇行状パター
ンの溝部を設けたものや、アイランドを複数に分割した
ものもある。
Finally, the outer lead 4b is cut and molded from the lead frame 4 using a mold or the like to form a semiconductor device. Further, in the full mold package type, JP-A-62-136050 and JP-A-1-27 are available.
There is also one in which a groove portion having a meandering pattern is provided on the back side of the island as in Japanese Patent No. 8755, and one in which the island is divided into a plurality of parts.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】前述した従来の半導体
装置の一部に透明体を用いた半導体装置は、コスト的に
パッケージの占める割合が高すぎるという欠点がある。
費用割合を概算で記述すると、半導体素子が約20%,
組立工数が約10%に対し、パッケージを含む資材費が
70%を占めている。そこで、パッケージの費用を安く
するために、パッケージの材質をセラミックからプラス
チックに変更する必要があり、構造的には、半導体素子
6の搭載部下には今まで必要のなかったアイランド1を
設けなければならない。
The semiconductor device using a transparent body as a part of the above-mentioned conventional semiconductor device has a drawback that the package occupies too high a cost ratio.
Approximately describing the cost ratio, semiconductor devices are about 20%,
Material costs including packages account for 70% of the total assembly man-hours. Therefore, in order to reduce the cost of the package, it is necessary to change the material of the package from ceramic to plastic, and structurally, the island 1 which is not necessary until now is provided below the mounting portion of the semiconductor element 6. I won't.

【0006】今までのセラミックケースでは、セラミッ
クと半導体素子の熱膨張差は同等なので、アイランドは
不要だったが、プラスチックケースでは、プラスチック
と半導体素子は使用温度差150度の範囲で膨張差が8
0μm程度生じるため、半導体素子にストレスが加わ
り、半導体素子の寿命に問題が生ずるので、金属アイラ
ンドは必要である。
In the conventional ceramic case, since the difference in thermal expansion between the ceramic and the semiconductor element is the same, the island is not necessary, but in the plastic case, the difference in expansion between the plastic and the semiconductor element is 8 within a temperature difference range of 150 degrees.
Since about 0 μm is generated, stress is applied to the semiconductor element, which causes a problem in the life of the semiconductor element. Therefore, the metal island is necessary.

【0007】このアイランドを設けたリードフレームを
パッケージ成形用の封入金型に装着し、プラスチック樹
脂を注入し、パッケージを製作すると、図4のようにア
イランド1がプラスチックと金属アイランドの熱膨張差
により0.1〜1mm程度凸状となる問題があった。ア
イランドのソリ規格としては、20μm以内に抑える必
要がある。また従来例の特開昭62−23605号公報
のアイランドを複数に分割する内容のものをプラスチッ
クパッケージにそのまま適用すると、分割した長さに比
例してソリが小さくなるが、20μm以内の規格を満足
することはできない。また、特開平1−278735号
公報では、上述した内容と同じアイランドが一体のまま
の構造であるため、0.1〜1mm程度のソリが生じる
という問題がある。
The lead frame provided with the islands is mounted in a package molding die, and a plastic resin is injected to manufacture the package. As a result, as shown in FIG. 4, the island 1 has a difference in thermal expansion between the plastic and metal islands. There was a problem that the protrusions were formed to have a thickness of about 0.1 to 1 mm. It is necessary to suppress the warp standard of the island to within 20 μm. Further, if the conventional example of Japanese Patent Laid-Open No. 62-23605 in which the island is divided into a plurality of parts is directly applied to the plastic package, the warp is reduced in proportion to the divided length, but the standard within 20 μm is satisfied. You cannot do it. Further, in Japanese Patent Laid-Open No. 1-278735, since the island having the same contents as described above remains integrated, there is a problem that warpage of about 0.1 to 1 mm occurs.

【0008】本発明の目的は、アイランドのソリの少な
い熱硬化性プラスチック樹脂ケースに変更した半導体装
置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a semiconductor device in which a thermosetting plastic resin case with less warp of islands is used.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置は、キャビティケースと、
透明体と、半導体素子と、アイランドとを有する半導体
装置であって、キャビティケースは、プラスチック樹脂
からなる中空構造のものであり、透明体は、キャビティ
ケースの開口部を閉塞するものであり、半導体素子は、
キャビティケース内に設けられ、透明体を通して外部光
を受光するものであり、アイランドは、キャビティケー
スの内底部から凸条に隆起して形成され、かつ連続して
蛇行する形状に成形され、半導体素子が搭載されるもの
である。
To achieve the above object, a semiconductor device according to the present invention comprises a cavity case,
A semiconductor device having a transparent body, a semiconductor element, and an island, wherein the cavity case has a hollow structure made of plastic resin, and the transparent body closes an opening of the cavity case. The element is
The semiconductor device is provided in the cavity case and receives external light through the transparent body. The island is formed by protruding from the inner bottom portion of the cavity case to a ridge, and is formed into a continuous meandering shape. Is installed.

【0010】また、本発明に係る半導体装置は、キャビ
ティケースと、透明体と、半導体素子と、アイランドと
を有する半導体装置であって、キャビティケースは、プ
ラスチック樹脂からなる中空構造のものであり、透明体
は、キャビティケースの開口部を閉塞するものであり、
半導体素子は、キャビティケース内に設けられ、透明体
を通して外部光を受光するものであり、アイランドは、
キャビティケースの内底部から凸条に隆起して中空楕円
形状に形成され、かつ中空楕円間が一点で結合され、半
導体素子が搭載されるものである。
The semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device having a cavity case, a transparent body, a semiconductor element, and an island, and the cavity case has a hollow structure made of plastic resin. The transparent body closes the opening of the cavity case,
The semiconductor element is provided in the cavity case, receives external light through the transparent body, and the island is
The semiconductor device is mounted by protruding from the inner bottom portion of the cavity case to a convex line to form a hollow ellipse shape and connecting the hollow ellipses at one point.

【0011】[0011]

【作用】アイランドは、パッケージ内底部から凸条に隆
起して形成し、かつ蛇行形状、或いは中空形状としてあ
るため、プラスチックパッケージの縮み量に対応してア
イランドが変形し、その縮み量を吸収する。
Since the island is formed by protruding from the inner bottom of the package to a convex line and has a meandering shape or a hollow shape, the island is deformed according to the shrinkage amount of the plastic package and absorbs the shrinkage amount. .

【0012】[0012]

【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0013】(実施例1)図1は、本発明の実施例1に
係る半導体装置を示す斜視図、図2は、同縦断面図であ
る。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor device according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the same.

【0014】図において、下パッケージ3の周縁から上
パッケージ2が立上り、下パッケージ3と上パッケージ
2とにより、内部が中空構造のキャビティケースが構成
されている。上パッケージ2及び下パッケージ3は、熱
硬化性プラスチック樹脂からなる。また、導電性金属か
ら形成されたリードフレーム4は、一部が上パッケージ
2内に埋設されて、その内端側のインナーリード4aが
キャビティケース内に差込まれている。一方、リードフ
レーム4のアウターリード4bはキャビティケース外に
露出している。
In the figure, the upper package 2 rises from the peripheral edge of the lower package 3, and the lower package 3 and the upper package 2 form a cavity case having a hollow structure inside. The upper package 2 and the lower package 3 are made of thermosetting plastic resin. Further, a part of the lead frame 4 made of a conductive metal is embedded in the upper package 2, and an inner lead 4a on the inner end side thereof is inserted in the cavity case. On the other hand, the outer leads 4b of the lead frame 4 are exposed outside the cavity case.

【0015】さらに、金属アイランド1は、下パッケー
ジ3の表面から凸条に隆起して設けられ、かつ連続して
パッケージの長さ方向に蛇行して形成されている。この
アイランド1上には、半導体素子6がペースト状樹脂5
で接合され、半導体素子6とインナーリード4aとの間
が金属細線7により電気的に接続される。
Further, the metal island 1 is provided so as to project from the surface of the lower package 3 in a convex shape, and is formed continuously and meandering in the longitudinal direction of the package. On this island 1, the semiconductor element 6 has a paste-like resin 5
And the semiconductor element 6 and the inner lead 4a are electrically connected by the thin metal wire 7.

【0016】また、キャビティケースの上面開口は、ガ
ラス等の透明体8で密封されている。この透明体8を通
して、半導体素子6が受光する。
The upper opening of the cavity case is sealed with a transparent body 8 such as glass. The semiconductor element 6 receives light through the transparent body 8.

【0017】この半導体パッケージの製造方法は、図示
しない封入上下金型として、上下パッケージ形状に加工
した金型を用い、その金型に導電性金属から形成された
リードフレーム4を装着し、その金型内に加熱溶融した
熱硬化性プラスチック樹脂を注入して、上パッケージ2
及び下パッケージ3から構成されるキャビティケースを
成形する。このキャビティケースの一部に当たるアイラ
ンド1を下パッケージ3の表面から凸条に立上がらせて
設け、かつ、パッケージ長手方向に蛇行する形状にして
半導体装置を構成する。
In this semiconductor package manufacturing method, a die processed into upper and lower package shapes is used as a sealed upper and lower die, and a lead frame 4 made of a conductive metal is attached to the die and the die is formed. The thermosetting plastic resin that has been heated and melted is injected into the mold to form the upper package 2
A cavity case including the lower package 3 and the lower package 3 is molded. The semiconductor device is formed by providing the island 1 corresponding to a part of the cavity case so as to be raised from the surface of the lower package 3 in a convex shape and meandering in the longitudinal direction of the package.

【0018】本発明によれば、パッケージ製作時(金型
加熱温度は180度)樹脂注入完了後、パッケージを空
気中に取り出す(180度から室温に戻す)時にプラス
チックのパッケージ2,3が金属アイランド1より縮む
が、上記アイランド構造にすることにより、プラスチッ
クの縮みをアイランド1が変形し、その縮み量を吸収す
るため、アイランド1にソリが発生しない。
According to the present invention, the plastic packages 2 and 3 are metal islands when the package is taken out into the air (returned to room temperature from 180 degrees) after the resin injection is completed at the time of manufacturing the package (mold heating temperature is 180 degrees). Although it shrinks more than 1, the island structure deforms the shrinkage of the plastic and absorbs the shrinkage of the plastic, so that the island 1 does not warp.

【0019】(実施例2)図5は、本発明の実施例2を
示す斜視図である。本実施例に係るアイランド1は、下
パッケージ3の表面から上方に立上がり、かつ中空楕円
形状に形成され、この中空楕円部1aがパッケージの長
さ方向に配列され、隣接する中空楕円部1a,1a間が
短い直線部1bを介して相互に連結されている。
(Second Embodiment) FIG. 5 is a perspective view showing a second embodiment of the present invention. The island 1 according to the present embodiment rises upward from the surface of the lower package 3 and is formed in a hollow elliptical shape, and the hollow elliptical portions 1a are arranged in the length direction of the package, and adjacent hollow elliptical portions 1a, 1a. They are connected to each other via a straight portion 1b having a short distance.

【0020】本実施例では、アイランド1の中空楕円部
1aが変形して、パッケージ2,3の縮み量を吸収する
こととなる。
In this embodiment, the hollow elliptical portion 1a of the island 1 is deformed to absorb the shrinkage amount of the packages 2 and 3.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、従来半導
体装置のケース部分にセラミックを使用していたもの
を、アイランドのソリの少ない熱硬化性プラスチック樹
脂ケースに変更でき、これにより資材費低減を図り約5
0%のコストダウンを実現できる。
As described above, according to the present invention, it is possible to replace the conventional case where the case portion of the semiconductor device is made of ceramic with a thermosetting plastic resin case having a small island warp, thereby reducing the material cost. About 5
A cost reduction of 0% can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例1に係る半導体装置を示す一部
断面した斜視図である。
FIG. 1 is a partially sectional perspective view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同縦断面図である。FIG. 2 is a vertical sectional view of the same.

【図3】従来例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a conventional example.

【図4】アイランドソリを示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing an island sled.

【図5】本発明の実施例2を示す一部断面した斜視図で
ある。
FIG. 5 is a partially sectional perspective view showing a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 アイランド 2 上パッケージ 3 下パッケージ 4 リードフレーム 4a インナーリード 4b アウターリード 5 ペースト状樹脂 6 半導体素子 7 金属細線 8 透明体 9 溶融ガラス 1 Island 2 Upper Package 3 Lower Package 4 Lead Frame 4a Inner Lead 4b Outer Lead 5 Paste Resin 6 Semiconductor Element 7 Metal Wire 8 Transparent Body 9 Molten Glass

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/50 U ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 23/50 U

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 キャビティケースと、透明体と、半導体
素子と、アイランドとを有する半導体装置であって、 キャビティケースは、プラスチック樹脂からなる中空構
造のものであり、 透明体は、キャビティケースの開口部を閉塞するもので
あり、 半導体素子は、キャビティケース内に設けられ、透明体
を通して外部光を受光するものであり、 アイランドは、キャビティケースの内底部から凸条に隆
起して形成され、かつ連続して蛇行する形状に成形さ
れ、半導体素子が搭載されるものであることを特徴とす
る半導体装置。
1. A semiconductor device having a cavity case, a transparent body, a semiconductor element, and an island, wherein the cavity case has a hollow structure made of plastic resin, and the transparent body has an opening of the cavity case. The semiconductor element is provided in the cavity case and receives external light through the transparent body, and the island is formed by protruding from the inner bottom portion of the cavity case to the ridge, and A semiconductor device, characterized in that it is formed in a continuously meandering shape and has a semiconductor element mounted thereon.
【請求項2】 キャビティケースと、透明体と、半導体
素子と、アイランドとを有する半導体装置であって、 キャビティケースは、プラスチック樹脂からなる中空構
造のものであり、 透明体は、キャビティケースの開口部を閉塞するもので
あり、 半導体素子は、キャビティケース内に設けられ、透明体
を通して外部光を受光するものであり、 アイランドは、キャビティケースの内底部から凸条に隆
起して中空楕円形状に形成され、かつ中空楕円間が一点
で結合され、半導体素子が搭載されるものであることを
特徴とする半導体装置。
2. A semiconductor device having a cavity case, a transparent body, a semiconductor element, and an island, wherein the cavity case has a hollow structure made of plastic resin, and the transparent body has an opening of the cavity case. The semiconductor element is provided inside the cavity case and receives external light through the transparent body.The island is bulged from the inner bottom of the cavity case to a convex line and has a hollow elliptical shape. A semiconductor device, which is formed and has hollow ellipses connected at one point, and a semiconductor element is mounted thereon.
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