JPH0775190B2 - Surge absorption element - Google Patents
Surge absorption elementInfo
- Publication number
- JPH0775190B2 JPH0775190B2 JP22917292A JP22917292A JPH0775190B2 JP H0775190 B2 JPH0775190 B2 JP H0775190B2 JP 22917292 A JP22917292 A JP 22917292A JP 22917292 A JP22917292 A JP 22917292A JP H0775190 B2 JPH0775190 B2 JP H0775190B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- insulating
- electrodes
- absorbing element
- surge absorbing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器に侵入する過
渡的な異常電圧や雷サージ等のサージから電子部品を保
護するためのサージ吸収素子に関する。更に詳しくは相
対向する一対の電極が絶縁性管体に気密に封入されるサ
ージ吸収素子に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surge absorbing element for protecting electronic components from a surge such as a transient abnormal voltage or a lightning surge that enters an electronic device. More specifically, it relates to a surge absorbing element in which a pair of electrodes facing each other is hermetically sealed in an insulating tube.
【0002】[0002]
【従来の技術】この種のサージ吸収素子は、電子部品の
一対の入力線路にこの電子部品に並列に接続され、電子
部品の使用電圧より高い電圧で動作するように構成され
る。即ち、サージ吸収素子はその放電開始電圧より低い
電圧では抵抗値の高い抵抗体であるが、印加電圧がその
放電開始電圧以上のときには数10Ω以下の抵抗値の低
い抵抗体になる。電子部品に雷サージ等のサージ電圧が
瞬間的に印加されると、サージ吸収素子が放電し、サー
ジ電圧を吸収する。これによりサージ電圧は電子部品に
印加されず、サージ電圧による電子機器の故障や誤動作
が回避される。2. Description of the Related Art A surge absorbing element of this type is connected to a pair of input lines of an electronic component in parallel with the electronic component, and is configured to operate at a voltage higher than the operating voltage of the electronic component. That is, the surge absorbing element is a resistor having a high resistance value at a voltage lower than the discharge starting voltage, but becomes a resistor having a low resistance value of several tens Ω or less when the applied voltage is equal to or higher than the discharge starting voltage. When a surge voltage such as a lightning surge is momentarily applied to an electronic component, the surge absorbing element discharges and absorbs the surge voltage. As a result, the surge voltage is not applied to the electronic component, and the failure or malfunction of the electronic device due to the surge voltage is avoided.
【0003】従来のギャップ型サージ吸収素子のうち、
マイクロギャップ式放電管は、図6に示すように、外周
面が導電性皮膜1aで被覆された円柱状のセラミック素
体1を有する。このセラミック素体1の両端にはキャッ
プ電極2,3が冠着される。キャップ電極2,3が冠着
されたセラミック素体1の中央部分の外周面には数10
μmのマイクロギャップ1bが形成される。キャップ電
極2,3の端面には外面にリード線4,5をそれぞれ溶
着した封止電極6,7が当接される。サージ吸収素子9
は、キャップ電極2,3付きのセラミック素体1と、リ
ード線4,5付きの封止電極6,7を図示するように互
いに接触した状態でガラス管8内に収容し、この状態で
ガラス管8内に不活性ガスを満たし、ガラス管8を電極
6,7に封着することにより作られる。Among the conventional gap type surge absorbers,
As shown in FIG. 6, the microgap type discharge tube has a cylindrical ceramic body 1 whose outer peripheral surface is coated with a conductive film 1a. Cap electrodes 2 and 3 are attached to both ends of the ceramic body 1. There are several tens on the outer peripheral surface of the central portion of the ceramic body 1 to which the cap electrodes 2 and 3 are attached.
A microgap 1b of μm is formed. Sealing electrodes 6 and 7 having lead wires 4 and 5 welded to the outer surfaces thereof are in contact with the end surfaces of the cap electrodes 2 and 3, respectively. Surge absorption element 9
Holds the ceramic body 1 with the cap electrodes 2 and 3 and the sealing electrodes 6 and 7 with the lead wires 4 and 5 in the glass tube 8 in a state of being in contact with each other as shown in the figure. It is made by filling the tube 8 with an inert gas and sealing the glass tube 8 to the electrodes 6 and 7.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記従来のサージ吸収
素子では、レーザビームで導電性皮膜をトリミングする
ことによりセラミック素体の外周面にマイクロギャップ
を形成している。このレーザ加工装置の加工条件の設定
は複雑であるため、レーザビームによるマイクロギャッ
プの形成には時間がかかる不具合があった。またレーザ
ビームで形成されたマイクロギャップの大きさはばらつ
きを生じ易いため、この加工には熟練した技術を要し、
サージ吸収素子を簡便に製造することができない欠点が
あった。またサージ吸収時の放電はセラミック素体の円
周外表部で発生するため、このセラミック素体の周囲は
ある程度の空間を確保する必要があり、このためにセラ
ミック素体の両端にキャップ電極を冠着する必要があっ
た。その結果ガラス管の内径が大きくなり、サージ吸収
素子の全体の寸法としてはかなり大きなものとなってし
まう問題点があった。更に、上記レーザ加工のためにセ
ラミック素体の太さを大きくしなければならない問題点
があった。In the conventional surge absorbing element described above, a microgap is formed on the outer peripheral surface of the ceramic body by trimming the conductive film with a laser beam. Since the setting of the processing conditions of this laser processing apparatus is complicated, there is a problem that it takes time to form the microgap by the laser beam. In addition, since the size of the microgap formed by the laser beam tends to vary, this processing requires skilled technology,
There is a drawback that the surge absorbing element cannot be manufactured easily. In addition, since discharge during surge absorption occurs on the outer surface of the circumference of the ceramic body, it is necessary to secure a certain amount of space around this ceramic body.For this reason, cap electrodes are attached to both ends of the ceramic body. I had to wear it. As a result, the inner diameter of the glass tube becomes large and the overall size of the surge absorbing element becomes considerably large. Further, there is a problem that the thickness of the ceramic body has to be increased for the above laser processing.
【0005】本発明の目的は、複雑で熟練を要するレー
ザ加工によらずにギャップを形成し、簡便に効率よく製
造し得るサージ吸収素子を提供することにある。また本
発明の別の目的は、短小に製造し得るサージ吸収素子を
提供することにある。An object of the present invention is to provide a surge absorbing element which can be simply and efficiently manufactured by forming a gap without resorting to complicated and skillful laser processing. Another object of the present invention is to provide a surge absorbing element that can be manufactured in a short size.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の構成を図1及び図2に基づいて説明する。
本発明のサージ吸収素子19は、導電性皮膜12aで被
包されたセラミック円筒体12と、この円筒体12の片
側に配置され円筒体12の内径より大きい直径を有する
絶縁性セラミック球体11と、セラミック円筒体12の
外径と実質的に同一の外径を有し配置されたセラミック
円筒体12とセラミック球体11とを挾持する一対の電
極16,17と、この電極に挾持されたセラミック円筒
体12とセラミック球体11とを包みかつ不活性ガスを
満たして電極の外周に封着された絶縁性管体18とを備
えたものである。In order to achieve the above object, the structure of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
The surge absorbing element 19 of the present invention includes a ceramic cylindrical body 12 covered with a conductive film 12a, an insulating ceramic spherical body 11 arranged on one side of the cylindrical body 12 and having a diameter larger than the inner diameter of the cylindrical body 12, A pair of electrodes 16 and 17 for sandwiching the ceramic cylinder 12 and the ceramic sphere 11 which are arranged to have an outer diameter substantially the same as the outer diameter of the ceramic cylinder 12, and a ceramic cylinder sandwiched by the electrodes. 12 and the ceramic sphere 11 and is filled with an inert gas, and is provided with an insulating tube 18 sealed to the outer periphery of the electrode.
【0007】絶縁性セラミック球体11としては、アル
ミナ、ムライト、ジルコニア、ステアタイト、フォルス
テライト又はベリリアのような体積固有抵抗率が1014
Ωcm以上の絶縁性の高いセラミックスが好ましい。絶
縁性セラミック球体11の直径はセラミック円筒体12
の内径より大きくする必要がある。セラミック円筒体1
2は絶縁性材料であれば特に制限されないが、絶縁性セ
ラミック球体11と同一の材質でもよい。セラミック円
筒体12を被包してその表面に形成される導電性皮膜1
2aとしては、チタン、ニッケル、酸化錫又は窒化チタ
ンのような導電性に優れた金属薄膜が好ましい。この皮
膜はスパッタリング、真空蒸着等により円筒体12全体
を包んで形成される。電極16,17は絶縁性管体18
の封着時に管体にクラック等が入らないように、絶縁性
管体18と熱膨張係数が近い材質のものを選定する。絶
縁性管体がホウケイ酸ガラス、鉛ガラス等からなるガラ
ス管の場合には、ガラス管の熱膨張係数が整合するジュ
メット線(Dumet wire)又はアンバー(Invar)が好ま
しい。電極16,17は絶縁性管体18が封止する前に
リード線14,15を各外面に溶着しておくことも可能
である。また絶縁性管体18内にはアルゴンガスのよう
な希ガス、窒素ガス又はこれらの混合ガスが封入され
る。The insulating ceramic sphere 11 has a volume resistivity of 10 14 such as alumina, mullite, zirconia, steatite, forsterite or beryllia.
Ceramics having a high insulating property of Ωcm or more are preferable. The diameter of the insulating ceramic sphere 11 is equal to that of the ceramic cylinder 12.
Must be larger than the inner diameter of. Ceramic cylinder 1
2 is not particularly limited as long as it is an insulating material, but may be the same material as the insulating ceramic sphere 11. Conductive coating 1 formed on the surface of a ceramic cylindrical body 12 encapsulating it
2a is preferably a metal thin film having excellent conductivity such as titanium, nickel, tin oxide or titanium nitride. This film is formed by wrapping the entire cylindrical body 12 by sputtering, vacuum deposition or the like. The electrodes 16 and 17 are insulating tubes 18
A material having a thermal expansion coefficient close to that of the insulating tubular body 18 is selected so that the tubular body is not cracked during sealing. When the insulating tube is a glass tube made of borosilicate glass, lead glass or the like, a Dumet wire or an amber (Invar) with which the thermal expansion coefficient of the glass tube is matched is preferable. It is possible to weld the lead wires 14 and 15 to the outer surfaces of the electrodes 16 and 17 before the insulating tube 18 is sealed. A rare gas such as argon gas, nitrogen gas, or a mixed gas thereof is sealed in the insulating tube body 18.
【0008】本発明のサージ吸収素子は次の方法により
製造される。先ず、必要に応じてリード線14を溶着し
た一方の電極16を絶縁性管体18の一方の端部に挿入
し、絶縁性管体18の別の端部が上方にくるように絶縁
性管体18を鉛直方向に立てる。次いで、導電性皮膜1
2aの付いたセラミック円筒体12及び絶縁性セラミッ
ク球体11をこの順序で絶縁性管体18内に落とし込
む。次に、これらの上に必要に応じてリード線15を溶
着した他方の電極17を絶縁性管体18に挿入する。絶
縁性セラミック球体11とセラミック円筒体12を電極
16及び17で挾持した状態で絶縁性管体18の内部を
真空引きして空気を抜き、代わりに不活性ガスを導入す
る。この状態でカーボンヒータ(図示せず)により絶縁
性管体18及び電極16,17を加熱すると、絶縁性管
体18が電極16,17に封着される。The surge absorbing element of the present invention is manufactured by the following method. First, if necessary, one electrode 16 having the lead wire 14 welded thereto is inserted into one end of the insulating tube body 18 so that the other end of the insulating tube body 18 is positioned above. Stand the body 18 vertically. Then, the conductive film 1
The ceramic cylindrical body 12 with 2a and the insulating ceramic sphere 11 are dropped into the insulating tube body 18 in this order. Next, if necessary, the other electrode 17 having the lead wire 15 welded thereon is inserted into the insulating tubular body 18. With the insulating ceramic sphere 11 and the ceramic cylinder 12 held between the electrodes 16 and 17, the inside of the insulating tube 18 is evacuated to remove air, and an inert gas is introduced instead. When the insulating tubular body 18 and the electrodes 16 and 17 are heated by a carbon heater (not shown) in this state, the insulating tubular body 18 is sealed to the electrodes 16 and 17.
【0009】なお、本発明のサージ吸収素子は、図3に
示すように一対のセラミック円筒体12,13の間に絶
縁性セラミック球体11を挾持する構造でも良く、また
図4に示すようにセラミック円筒体12の両側に第1及
び第2絶縁性セラミック球体11a,11bを配置し、
電極16とセラミック円筒体12の間に第1絶縁性セラ
ミック球体11aを、電極17とセラミック円筒体12
の間に第2絶縁性セラミック球体11bをそれぞれ挾持
する構造でも良い。図3及び図4のサージ吸収素子は左
右対称であるため極性がなく好ましい。また、図示する
ように本発明のサージ吸収素子は電極16、17にリー
ド線14、15を溶着することも可能である。The surge absorbing element of the present invention may have a structure in which an insulating ceramic sphere 11 is sandwiched between a pair of ceramic cylinders 12 and 13 as shown in FIG. 3, and as shown in FIG. First and second insulating ceramic spheres 11a and 11b are arranged on both sides of the cylindrical body 12,
The first insulating ceramic sphere 11a is provided between the electrode 16 and the ceramic cylinder 12, and the electrode 17 and the ceramic cylinder 12 are provided.
The structure may be such that the second insulating ceramic spheres 11b are sandwiched between them. Since the surge absorbers of FIGS. 3 and 4 are bilaterally symmetrical, they have no polarity and are preferable. Further, as shown in the figure, the lead wires 14 and 15 can be welded to the electrodes 16 and 17 of the surge absorbing element of the present invention.
【0010】[0010]
【作用】電極16,17にサージ電圧が印加されると、
絶縁性セラミック球体11によって形成されたギャップ
を介して導電性皮膜12aと電極17との間でアーク放
電する。絶縁性セラミック球体11がセラミック円筒体
12の中空端部に着座するため、セラミック球体11の
挾持位置は一定し安定な放電空間が確保される。セラミ
ック球体11の外表部と絶縁性管体18の内壁とのクリ
アランスは大きいので、比較的大きなサージに耐えるこ
とができる。When the surge voltage is applied to the electrodes 16 and 17,
Arc discharge occurs between the conductive film 12a and the electrode 17 through the gap formed by the insulating ceramic sphere 11. Since the insulating ceramic sphere 11 is seated on the hollow end of the ceramic cylindrical body 12, the holding position of the ceramic sphere 11 is constant and a stable discharge space is secured. Since the clearance between the outer surface of the ceramic sphere 11 and the inner wall of the insulating tube 18 is large, it is possible to withstand a relatively large surge.
【0011】[0011]
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに説明す
る。本発明はこの実施例に限定されるものではない。 <実施例>図1及び図2に示すように、直径0.5mm
のジルコニアからなる絶縁性セラミック球体11をチタ
ンからなる導電性皮膜12aで被包されたセラミック円
筒体12の中空端部に着座させる。これによりセラミッ
ク球体11の球面がセラミック円筒体12の端部に当接
する。皮膜12aはスパッタリングにより形成される。
セラミック円筒体12は、長さ1mmで外径1mm、内
径0.4mmであって、アルミナからなる。外面にリー
ド線14が溶着された電極16がセラミック円筒体12
の外面に、また外面にリード線15が溶着された電極1
7が絶縁性セラミック球体11の球面にそれぞれ当接さ
れる。一対の電極16,17は直径1mmのジュメット
線を長さ約1.3mmに輪切りにしたものである。鉛ガ
ラスからなるガラス管18の中でセラミック円筒体12
と絶縁性セラミック球体11が電極16,17で挾持さ
れ、この状態でアルゴンガスで満たして絶縁性管体18
が電極16,17の外周に封着される。ガラス管18は
外径が2mm、内径が1.1mm、及び長さが4mmで
ある。EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described together with comparative examples. The invention is not limited to this example. <Example> As shown in FIGS. 1 and 2, the diameter is 0.5 mm.
The insulating ceramic sphere 11 made of zirconia is seated on the hollow end of the ceramic cylindrical body 12 covered with the conductive coating 12a made of titanium. As a result, the spherical surface of the ceramic sphere 11 contacts the end of the ceramic cylinder 12. The film 12a is formed by sputtering.
The ceramic cylindrical body 12 has a length of 1 mm, an outer diameter of 1 mm, an inner diameter of 0.4 mm, and is made of alumina. The electrode 16 having the lead wire 14 welded to the outer surface of the ceramic cylindrical body 12
Electrode 1 having a lead wire 15 welded to the outer surface of the
7 abuts on the spherical surface of the insulating ceramic sphere 11. The pair of electrodes 16 and 17 is a 1 mm diameter Dumet wire cut into a length of about 1.3 mm. Ceramic cylinder 12 in glass tube 18 made of lead glass
And the insulating ceramic sphere 11 are sandwiched between the electrodes 16 and 17, and in this state filled with argon gas, the insulating tube 18
Are sealed on the outer periphery of the electrodes 16 and 17. The glass tube 18 has an outer diameter of 2 mm, an inner diameter of 1.1 mm, and a length of 4 mm.
【0012】<比較例>図6に示される前述したサージ
吸収素子9を比較例とした。ここでセラミック素体1は
長さ3mm、直径1mmであって、ムライトからなる。
この表面には実施例と同一材質で同一厚さの導電性皮膜
1aが形成され、その中央部分の外周面には幅約50μ
mのマイクロギャップ1bが形成される。ステンレス製
のキャップ電極2,3の端面には長さ約2mm、直径約
1.5mmであって、実施例と同一材質の封止電極6,
7が当接される。キャップ電極2,3付きのセラミック
素体1と、リード線4,5付きの封止電極6,7がガラ
ス管8内に収容され、ガラス管8が内部にアルゴンガス
を満たして電極6,7に封着される。ガラス管8は外径
が2.7mm、内径が1.7mm、及び長さが7.5m
mである。<Comparative Example> The aforementioned surge absorbing element 9 shown in FIG. 6 was used as a comparative example. Here, the ceramic body 1 has a length of 3 mm and a diameter of 1 mm, and is made of mullite.
A conductive film 1a made of the same material and having the same thickness as that of the embodiment is formed on this surface, and the outer peripheral surface of the central portion has a width of about 50 μm.
A microgap 1b of m is formed. The end surfaces of the stainless steel cap electrodes 2 and 3 each have a length of about 2 mm and a diameter of about 1.5 mm.
7 is abutted. The ceramic body 1 with the cap electrodes 2 and 3 and the sealing electrodes 6 and 7 with the lead wires 4 and 5 are housed in a glass tube 8, and the glass tube 8 is filled with argon gas to form the electrodes 6 and 7. Is sealed to. The glass tube 8 has an outer diameter of 2.7 mm, an inner diameter of 1.7 mm, and a length of 7.5 m.
m.
【0013】実施例及び比較例のサージ吸収素子につい
て静電気寿命試験と、疑似サージ応答試験を行った。 <静電気寿命試験>図5に示される回路の出力端子21
及び22にサージ吸収素子のリード線を接続して静電気
寿命試験を行った。図5において23は10kVの直流
電源、24は静電容量1000pFのコンデンサ、25
は250Ωの抵抗体、26は充放電用切換スイッチであ
る。スイッチ26を図の実線に示すように接点aに切換
えコンデンサ24に10kVの電圧を印加してコンデン
サ24を充電した後、スイッチ26を図の破線に示すよ
うに接点bに切換えてコンデンサ24を放電させてサー
ジ吸収素子に静電気を印加した。実施例及び比較例のサ
ージ吸収素子に1000回ずつ繰返し上記静電気を印加
して、各サージ吸収素子の試験前後の放電開始電圧、絶
縁抵抗、静電容量をそれぞれ測定した。その結果、試験
前の比較例のサージ吸収素子は放電開始電圧が平均40
0V、標準偏差5V(試料数100)であり、一方実施
例のサージ吸収素子は放電開始電圧が平均411V、標
準偏差29V(試料数100)であり、また絶縁抵抗値
が1011Ω以上で静電容量は0.5pFであった。試験
後に測定したところ、実施例と比較例のサージ吸収素子
は放電開始電圧がそれぞれ平均411V、平均400V
であって、絶縁抵抗値が1011Ω以上で静電容量は0.
5pFであり、各値に変化がなかった。An electrostatic life test and a pseudo surge response test were conducted on the surge absorbing elements of the examples and comparative examples. <Electrostatic life test> Output terminal 21 of the circuit shown in FIG.
An electrostatic life test was conducted by connecting the lead wires of the surge absorbing element to Nos. 22 and 22. In FIG. 5, 23 is a 10 kV DC power source, 24 is a capacitor with an electrostatic capacity of 1000 pF, and 25
Is a 250Ω resistor, and 26 is a charge / discharge changeover switch. The switch 26 is switched to the contact a as shown by the solid line in the figure, and a voltage of 10 kV is applied to the capacitor 24 to charge the capacitor 24. Then, the switch 26 is switched to the contact b as shown by the broken line in the figure to discharge the capacitor 24. Then, static electricity was applied to the surge absorbing element. The above-mentioned static electricity was repeatedly applied 1000 times to the surge absorbing elements of Examples and Comparative Examples, and the discharge starting voltage, insulation resistance, and capacitance of each surge absorbing element before and after the test were measured. As a result, the surge absorption element of the comparative example before the test had an average discharge starting voltage of 40%.
0 V, standard deviation 5 V (100 samples), while the surge absorbing element of the example has an average discharge starting voltage of 411 V, standard deviation 29 V (100 samples), and an insulation resistance value of 10 11 Ω or more. The capacitance was 0.5 pF. When measured after the test, the surge absorption elements of the example and the comparative example have an average firing voltage of 411 V and an average of 400 V, respectively.
And the insulation resistance value is 10 11 Ω or more and the electrostatic capacitance is 0.
It was 5 pF, and there was no change in each value.
【0014】<疑似サージ応答試験>実施例と比較例の
サージ吸収素子に(1.2×50)μsec−2kVの
電圧サージを100回ずつ繰返し印加し、その動作電圧
を測定した。実施例と比較例のサージ吸収素子はいずれ
も直流放電開始電圧が400Vに設計されたものを用い
た。比較例のサージ吸収素子が平均610Vで放電を開
始し、その標準偏差が50Vであったのに対して、実施
例のサージ吸収素子は平均650Vで放電を開始し、そ
の標準偏差が71Vであった。以上のことから、実施例
のサージ吸収素子は比較例のサージ吸収素子と比較して
耐久性及びサージ吸収特性において劣らないことが判っ
た。<Pseudo Surge Response Test> A voltage surge of (1.2 × 50) μsec−2 kV was repeatedly applied 100 times to the surge absorbing elements of Examples and Comparative Examples, and the operating voltage was measured. The surge absorbing elements of the examples and the comparative examples were designed to have a DC discharge inception voltage of 400V. The surge absorbing element of the comparative example started discharging at an average of 610V and its standard deviation was 50V, whereas the surge absorbing element of the example started discharging at an average of 650V and its standard deviation was 71V. It was From the above, it was found that the surge absorbing element of the example is not inferior in durability and surge absorbing characteristics to the surge absorbing element of the comparative example.
【0015】[0015]
【発明の効果】以上述べたように、本発明のサージ吸収
素子は、従来のレーザ加工によらずにマイクロギャップ
を形成するため、簡便に効率よく製造することができ、
しかも従来のサージ吸収素子と同等の電気的特性を有す
る。また、レーザ加工時のハンドリング工程がないた
め、セラミック円筒体の長さと太さを小さくでき、本体
容積で従来品の1/3以下に小型化することができるの
で、サージ吸収素子の実装スペースをより小さくするこ
とができる。As described above, since the surge absorbing element of the present invention forms the microgap without the conventional laser processing, it can be simply and efficiently manufactured.
Moreover, it has the same electrical characteristics as the conventional surge absorbing element. Also, since there is no handling step during laser processing, the length and thickness of the ceramic cylinder can be reduced, and the volume of the main body can be reduced to 1/3 or less of the conventional product. Can be smaller.
【図1】本発明実施例のサージ吸収素子の断面図。FIG. 1 is a sectional view of a surge absorber according to an embodiment of the present invention.
【図2】その分解斜視図。FIG. 2 is an exploded perspective view thereof.
【図3】本発明の別の実施例のサージ吸収素子の断面
図。FIG. 3 is a sectional view of a surge absorber according to another embodiment of the present invention.
【図4】本発明の更に別の実施例のサージ吸収素子の断
面図。FIG. 4 is a sectional view of a surge absorbing element according to still another embodiment of the present invention.
【図5】実施例及び比較例の静電気寿命試験回路。FIG. 5 is an electrostatic life test circuit of Examples and Comparative Examples.
【図6】従来例のサージ吸収素子の断面図。FIG. 6 is a sectional view of a conventional surge absorber.
11 絶縁性セラミック球体 12,13 セラミック円筒体 12a,13a 導電性皮膜 14,15 リード線 16,17 電極 18 絶縁性管体 19 サージ吸収素子 11 Insulating Ceramic Sphere 12, 13 Ceramic Cylindrical Body 12a, 13a Conductive Film 14, 15 Lead Wire 16, 17 Electrode 18 Insulating Tube 19 Surge Absorbing Element
Claims (7)
ク円筒体(12)と、 前記円筒体(12)の片側又は両側に配置され前記円筒体(1
2)の内径より大きい直径を有する絶縁性セラミック球体
(11)と、 前記セラミック円筒体(12)の外径と実質的に同一の外径
を有し前記配置されたセラミック円筒体(12)と前記セラ
ミック球体(11)とを挾持する一対の電極(16,17)と、 前記電極(16,17)に挾持されたセラミック円筒体(12)と
絶縁性セラミック球体(11)とを包みかつ不活性ガスを満
たして前記電極(16,17)の外周に封着された絶縁性管体
(18)とを備えたサージ吸収素子。1. A ceramic cylindrical body (12) covered with a conductive film (12a), and the cylindrical body (1) arranged on one side or both sides of the cylindrical body (12).
Insulating ceramic sphere with a diameter larger than the inner diameter of 2)
(11), a pair of electrodes having an outer diameter substantially the same as the outer diameter of the ceramic cylinder (12) and sandwiching the arranged ceramic cylinder (12) and the ceramic sphere (11) (16, 17), the electrode (16, 17) wrapped around the ceramic cylinder (12) and the insulating ceramic sphere (11) sandwiched between the electrodes (16, 17) and filled with an inert gas Insulating tube sealed on the outer circumference
(18) A surge absorber with and.
に同形同大の一対のセラミック円筒体(12,13)と、 一対の前記セラミック円筒体(12,13)の間に配置され前
記セラミック円筒体(12,13)の各内径より大きい直径を
有する絶縁性セラミック球体(11)と、 前記セラミック円筒体(12,13)の各外径と実質的に同一
の外径を有し前記配置された一対のセラミック円筒体(1
2,13)と前記セラミック球体(11)とを挾持する一対の電
極(16,17)と、 前記電極(16,17)に挾持された一対のセラミック円筒体
(12,13)と絶縁性セラミック球体(11)を包みかつ不活性
ガスを満たして前記電極(16,17)の外周に封着された絶
縁性管体(18)とを備えたサージ吸収素子。2. Between a pair of ceramic cylinders (12, 13) of the same shape and size which are covered with a conductive film (12a, 13a), and between the pair of ceramic cylinders (12, 13). An insulating ceramic sphere (11) having a diameter larger than each inner diameter of the ceramic cylinders (12, 13) arranged, and an outer diameter substantially the same as each outer diameter of the ceramic cylinders (12, 13). The pair of ceramic cylinders (1
2, 13) and a pair of electrodes (16, 17) sandwiching the ceramic sphere (11), and a pair of ceramic cylinders sandwiched by the electrodes (16, 17)
(12, 13) and a surge absorbing element comprising an insulating ceramic sphere (11) and an insulating tube (18) which is filled with an inert gas and sealed to the outer periphery of the electrodes (16, 17) .
ムライト、ジルコニア、ステアタイト、フォルステライ
ト又はベリリアである請求項1又は2記載のサージ吸収
素子。3. The insulating ceramic sphere (11) is made of alumina,
The surge absorbing element according to claim 1 or 2, which is mullite, zirconia, steatite, forsterite or beryllia.
ル、酸化錫又は窒化チタンである請求項1又は2記載の
サージ吸収素子。4. The surge absorbing element according to claim 1, wherein the conductive film (12a, 13a) is titanium, nickel, tin oxide or titanium nitride.
1又は2記載のサージ吸収素子。5. The surge absorbing element according to claim 1, wherein the insulating tube body (18) is a glass tube.
ーである請求項1又は2記載のサージ吸収素子。6. The surge absorbing element according to claim 1, wherein the electrodes (16, 17) are Dumet wires or amber.
らの混合ガスである請求項1又は2記載のサージ吸収素
子。7. The surge absorbing element according to claim 1, wherein the inert gas is a rare gas, a nitrogen gas, or a mixed gas thereof.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22917292A JPH0775190B2 (en) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | Surge absorption element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22917292A JPH0775190B2 (en) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | Surge absorption element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661018A JPH0661018A (en) | 1994-03-04 |
| JPH0775190B2 true JPH0775190B2 (en) | 1995-08-09 |
Family
ID=16887921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22917292A Expired - Fee Related JPH0775190B2 (en) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | Surge absorption element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0775190B2 (en) |
-
1992
- 1992-08-05 JP JP22917292A patent/JPH0775190B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0661018A (en) | 1994-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10685805B2 (en) | Gas discharge tube assemblies | |
| CA1214508A (en) | Gas filled surge arrester | |
| US5559663A (en) | Surge absorber | |
| JPH0775190B2 (en) | Surge absorption element | |
| JPH05268725A (en) | Surge absorption element | |
| US4546402A (en) | Hermetically sealed gas tube surge arrester | |
| EP1691459B1 (en) | Discharge tube | |
| JPH0775191B2 (en) | Surge absorption element | |
| KR100257585B1 (en) | Gap Type Surge Absorber | |
| JP3265874B2 (en) | surge absorber | |
| JPH05258873A (en) | High pressure discharge lamp | |
| GB2203286A (en) | Surge arrester | |
| JP3134912B2 (en) | surge absorber | |
| JPH01311585A (en) | Discharge type surge absorbing element | |
| JP2707570B2 (en) | Micro gap surge absorber | |
| JPH08273799A (en) | Surge absorber for power supply | |
| EP0721242B1 (en) | Process of manufacturing a surge absorber | |
| JP3428610B2 (en) | Micro gap type surge absorber | |
| JP3536592B2 (en) | Discharge tube type surge absorber | |
| JP2615221B2 (en) | Gas input / discharge arrester | |
| KR200405295Y1 (en) | Chip surge arrester | |
| JPH0226154Y2 (en) | ||
| JP2023123251A (en) | surge protective element | |
| JPH11224761A (en) | High voltage surge absorber | |
| JP3745242B2 (en) | Discharge type surge absorber |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960312 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |