JPH0776809B2 - Ｐｌｚｔ表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明はPLZT（透明なセラミック）の複屈折を利用し
た溝型電極によるPLZT表示装置に係り、更に詳しくは複
雑なパターン配線を可能とするPLZT表示装置の製造方法
に関するものである。

［従 来 例］ 近年、PZTにLaを添加した透明なセラミックのPLZT（Pb
O,LaO,ZrO₂,TiO）が光バルブやディスプレイに用いられ
ようとしている。このPLZTを光バルブアレーや平面ディ
スプレイとして用いる場合、例えば第３図に示す表面電
極あるいは第４図に示す溝型電極が採られることにな
る。この第３図において、PLZT基板１の上には蒸着等の
方法により駆動電極２および共通電極（GND電極）３が
形成されている。また、第４図においては、PLZT基板１
には、例えばダイシングカッタ等の機械加工やエッチン
グによる溝に電極を埋め込むことで駆動電極４および共
通電極（GND）５が形成されている。この溝型の電極構
造は、上記表面電極構造よりも、PLZT基板１の電界分布
が良好になることから、駆動電圧を低くすることができ
るという利点がある。

［発明が解決しようとする課題］ 上記溝形成には、ダイシングカッタ等の機械加工か、化
学エッチングによることになるが、その溝が深い程光バ
ルブとしての効率が良いことから、化学エッチングより
深く、狭い（例えば深さ100μｍ、幅10μｍ）の溝を得
ることができる機械加工が有効である。

しかし、上記ダイシング等の機械加工は、直線加工に向
いているが、微細な加工（例えば短い溝の形成）や曲線
加工には不向きである。そのため、第５図に示されてい
るように、例えばPLZT基板１に微小な光バルブ６を形成
する場合、溝７が光バルブ６の領域以外にも延びること
になる。すると、この溝７に形成した駆動電極４および
共通電極５を外部に引き出す場合、薄膜技術等による配
線パターン８が溝７に渡って形成されることになるが、
同図の二点鎖線の丸印に示す部分（溝７の縁部分）でそ
の配線パターン８が切断してしまうことになる。すなわ
ち、薄膜技術等は、複雑な配線パターンを可能とする
が、表面に凹凸があると、パターン切れを発生すること
があるからである。

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その目
的は、配線パターンの切断をなくし、微細な光バルブア
レーやパネルディスプレイを得ることができるようにし
た溝型電極によるPLZT表示装置の製造方法を提供するこ
とにある。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するため、この発明は、PLZT基板に光バ
ルブ領域を残し、所定間隔にて化学エッチングにより底
部がほぼ平坦な配線パターン用の第１の溝を形成すると
ともに、上記配線パターン用の第１の溝に対してダイシ
ングカッタなどの機械加工により直角方向に所定の間隔
で電極用の第２の溝を同第１の溝と同じ深さをもって形
成し、上記電極用の第２の溝内にスパッタ法により交互
に溝型駆動電極と溝型共通電極とを形成し、かつ、上記
配線パターン用の第１の溝内にホトリソ法により上記溝
型駆動電極および上記溝型共通電極の外部引き出し配線
を形成することを特徴としている。

［作用］ 上記構成としたので、PLZT基板上には、化学エッチング
により光バルブ領域を残し、所定間隔で幅の広い配線パ
ターン用の溝が形成され、この配線パターン用の溝は底
がフラットにされる。また、電極用の溝がダイシングカ
ッタ等の機械加工により配線パターン用の溝に対して直
角方向に上記光バルブの全領域に渡って形成されるた
め、上記光バルブ領域には微細な光バルブが形成され
る。

そして、上記電極用の溝には駆動電極および共通電極が
スパッタ法により形成され、かつ、上記配線パターン用
の溝にはその駆動電極および共通電極を外部に引き出す
配線パターンが薄膜技術等により形成される。この配線
パターンの形成に際し、上記配線パターン用の溝と電極
用の溝との深さが略同じに形成され、配線パターン用の
溝の底がフラットにされているため、その配線パターン
に切断が発生することもない。

［実 施 例］ 以下、この発明の実施例を第１図および第２図に基づい
て説明する。なお、図中、第５図と同一部分および相当
部分には同一符号を付し重複説明を省略する。

第１図および第２図において、PLZT基板１には、光バル
ブ６となる領域Ａを残し、所定幅の配線パターン用の溝
（第１の溝）９が化学エッチングにより複数列形成さ
れ、また電極用の溝（第２の溝）10が光バルブ６となる
領域にその溝９に対して直角方向に複数列形成される。
この場合、配線パターン用の溝９は、化学エッチングに
より幅の広く、かつ、その底がフラットに形成されるた
め、複数本の配線を通すことができる。また、電極用の
溝10は、光バルブ６の全領域に直線状に形成されるた
め、ダイシングカッタ等の機械加工により深く、かつ、
狭く（例えば深さ100μｍ、幅10μｍ）形成することが
できる。なお、それら配線パターン用の溝９および電極
用の溝10は略同じ深さに形成されている。

そして、同図A,B領域において、電極用の溝10にはスパ
ッタ法により金属膜が成膜され、溝型の駆動電極４およ
び共通電極（GND）５が交互に形成され、かつ、上記配
線パターン用の溝10にはそれら溝型の駆動電極４および
共通電極５を外部に引き出す配線パターン８が薄膜技術
（ホトリソ工法）により形成される。このとき、溝９と
溝10との深さが略同じであるため、上記配線パターン８
の部分に段差（凹凸）がなく、その配線パターン８に切
断が生じるということもない。なお、第２図に示されて
いるように、配線パターン８の形成に際し、PLZT基板１
には薄膜技術により引き出し用電極11を形成することが
できる。

また、上記配線パターン用の溝９においては、上記複雑
な配線パターンを可能とする薄膜技術等により、電極引
き出しのための配線パターンだけでなく、例えば複数の
電極（隣接する駆動電極４同士および共通電極５同士）
を接続し、櫛形の駆動電極および共通電極を形成するた
めの配線パターンを形成することができる。

このように、配線パターン用の溝９を形成し、この溝９
に対して直角方向に電極用の溝10を形成するとともに、
それら溝9,10の深さを略同じとしたので、ダイシングカ
ッタ等の機械加工を用いて、短く、かつ、深くて狭い溝
を形成し、この溝により溝型電極を得ることができ、ま
た薄膜技術による配線パターン形成に際し、その配線パ
ターン８に切断が発生することもない。そのため、微小
な光バルブ６を得ることができ、かつ、複雑な配線パタ
ーン８が可能になり、上記PLZT基板１によるPLZT表示装
置を微細な光バルブアレーや平面ディスプレイとして利
用することが可能になる。

［発明の効果］ 以上説明したように、この発明の溝型電極によりPLZT表
示装置によれば、PLZT基板に光バルブ領域を残して配線
パターン用の溝を形成するとともに、この溝に対して直
角方向に同じ深さの電極用の溝を形成し、その電極用の
溝を金属膜を成膜するとともに、この成膜した部分（駆
動電極および共通電極）を外部に引き出す配線パターン
を上記配線パターン用の溝に形成するようにしたので、
微小な光バルブを形成することができ、かつ、切断のな
い複雑な配線パターンを形成することができるため、上
記溝型電極のPLZT表示装置を微細な光バルブアレーや平
面ディスプレイに利用することが可能になるという効果
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はこの発明の一実施例を示す溝型電
極によるPLZT表示装置の概略的斜視図および正面図、第
３図乃至第５図は従来の表面電極および溝型電極による
PLZT表示装置を説明するための概略的断面図および正面
図である。 図中、１はPLZT基板、４は駆動電極（溝型）、５は共通
電極（GND;溝型）、６は光バルブ、８は配線パターン、
９は溝（配線パターン用の）、10は溝（電極用の）、11
は引き出し用電極である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】PLZT基板に光バルブ領域を残し、所定間隔
   にて化学エッチングにより底部がほぼ平坦な配線パター
   ン用の第１の溝を形成するとともに、上記配線パターン
   用の第１の溝に対してダイシングカッタなどの機械加工
   により直角方向に所定の間隔で電極用の第２の溝を同第
   １の溝と同じ深さをもって形成し、上記電極用の第２の
   溝内にスパッタ法により交互に溝型駆動電極と溝型共通
   電極とを形成し、かつ、上記配線パターン用の第１の溝
   内にホトリソ法により上記溝型駆動電極および上記溝型
   共通電極の外部引き出し配線を形成することを特徴とす
   るPLZT表示装置の製造方法。