JPH0777024B2 - 磁気記録円盤 - Google Patents
磁気記録円盤Info
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- JPH0777024B2 JPH0777024B2 JP61271727A JP27172786A JPH0777024B2 JP H0777024 B2 JPH0777024 B2 JP H0777024B2 JP 61271727 A JP61271727 A JP 61271727A JP 27172786 A JP27172786 A JP 27172786A JP H0777024 B2 JPH0777024 B2 JP H0777024B2
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、面内記録型で硬質の磁気記録円盤に関するも
のである。
のである。
（従来の技術） 高密度で記録可能な媒体として、金属薄膜型磁気記録媒
体が注目され、実用化されはじめている。この金属薄膜
型磁気記録媒体には、非磁性基体上にCo、Co−Ni、Co−
Ni−Cr、Co−Ni−Fe、Co−Pt、Co−Pt−Niなどの磁性材
料からなる磁性層を形成して成る磁気記録媒体がある。
これらの磁気記録媒体は、面内方向で高い保磁力を示
し、面内記録型で硬質の磁気記録円盤に利用されつつあ
る。
体が注目され、実用化されはじめている。この金属薄膜
型磁気記録媒体には、非磁性基体上にCo、Co−Ni、Co−
Ni−Cr、Co−Ni−Fe、Co−Pt、Co−Pt−Niなどの磁性材
料からなる磁性層を形成して成る磁気記録媒体がある。
これらの磁気記録媒体は、面内方向で高い保磁力を示
し、面内記録型で硬質の磁気記録円盤に利用されつつあ
る。
面内記録型硬質磁気記録円盤は、磁気記録の高密度化及
び記録再生特性の向上に対する要求にともない、面内で
特に円盤の円周方向における媒体の高保磁力化、高残留
磁束密度化、角形比向上とともに、磁気異方性Ｓθ/Sr
の増大が要求される。
び記録再生特性の向上に対する要求にともない、面内で
特に円盤の円周方向における媒体の高保磁力化、高残留
磁束密度化、角形比向上とともに、磁気異方性Ｓθ/Sr
の増大が要求される。
従来、硬質磁気記録円盤は、ヘツドと媒体が密着するこ
とによる円盤の回転阻害を防ぐため、媒体の下地非磁性
基材面にあらかじめ細かい溝を形成するテクスチヤリン
グ処理を施している。この非磁性基体上にスパツタリン
グにより磁性層を形成させた磁気記録円盤は円周方向の
角形比Ｓθが、半径方向の角形比Srに比べて大きくなる
傾向のあることが知られている（参考文献：特開昭61−
202324号公報）。
とによる円盤の回転阻害を防ぐため、媒体の下地非磁性
基材面にあらかじめ細かい溝を形成するテクスチヤリン
グ処理を施している。この非磁性基体上にスパツタリン
グにより磁性層を形成させた磁気記録円盤は円周方向の
角形比Ｓθが、半径方向の角形比Srに比べて大きくなる
傾向のあることが知られている（参考文献：特開昭61−
202324号公報）。
また、非磁性基体上に、防着板を使用してスパツタリン
グまたは蒸着法により基体面に対し適宜入射角で磁性層
を形成させることにより円盤の円周方向の角形比Ｓθを
向上させた磁気記録媒体も知られている（参考文献：特
開昭61−145730号公報）。
グまたは蒸着法により基体面に対し適宜入射角で磁性層
を形成させることにより円盤の円周方向の角形比Ｓθを
向上させた磁気記録媒体も知られている（参考文献：特
開昭61−145730号公報）。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記の方法でデイスクの円周方向の角形
比Ｓθを向上させようとした場合、非磁性基体上にテク
スチヤリング処理を施す方法では、テクスチヤリング処
理条件、基体の温度などにより、円盤の円周方向の角形
比（Ｓθ）と半径方向の角形比（Sr）の比Ｓθ/Srが変
化して、制御することが難しく、さらに通常のテクスチ
ヤリングでは、Ｓθ/Srは２に満たない。また、円盤上
の位置すなわち、中心からの距離により、Ｓθ/Srの値
に差異を生じやすいという欠点がある。
比Ｓθを向上させようとした場合、非磁性基体上にテク
スチヤリング処理を施す方法では、テクスチヤリング処
理条件、基体の温度などにより、円盤の円周方向の角形
比（Ｓθ）と半径方向の角形比（Sr）の比Ｓθ/Srが変
化して、制御することが難しく、さらに通常のテクスチ
ヤリングでは、Ｓθ/Srは２に満たない。また、円盤上
の位置すなわち、中心からの距離により、Ｓθ/Srの値
に差異を生じやすいという欠点がある。
また、非磁性基体上にスパツタリングまたは蒸着法によ
り適宜入射角で磁性膜を形成させた磁気記録円盤は耐食
性が劣るという欠点があつた。
り適宜入射角で磁性膜を形成させた磁気記録円盤は耐食
性が劣るという欠点があつた。
本発明は前記のような欠点がなく、円周方向の角形比お
よび円周方向の抗磁力角形比が向上し、かつ磁気異方性
Ｓθ/Srが２以上である磁気記録円盤を提供することを
目的とする。
よび円周方向の抗磁力角形比が向上し、かつ磁気異方性
Ｓθ/Srが２以上である磁気記録円盤を提供することを
目的とする。
（問題点を解決するための手段） 本発明者らは前記目的を達成するために種々検討を行な
つた結果、磁性層を必ずしも適宜入射角で形成させなく
ても、円盤形非磁性基体と磁性層との間に適宜入射角の
非磁性金属酸化物蒸着層を設けることにより、円周方向
の角形比および円周方向の抗磁力角形比が充分に磁気異
方性Ｓθ/Srが２以上と大きく、しかも、このようにし
た磁気記録媒体は耐食性に優れていることを見出し本発
明に至つた。
つた結果、磁性層を必ずしも適宜入射角で形成させなく
ても、円盤形非磁性基体と磁性層との間に適宜入射角の
非磁性金属酸化物蒸着層を設けることにより、円周方向
の角形比および円周方向の抗磁力角形比が充分に磁気異
方性Ｓθ/Srが２以上と大きく、しかも、このようにし
た磁気記録媒体は耐食性に優れていることを見出し本発
明に至つた。
すなわち、本発明は円盤形非磁性基体上に適宜入射角の
非磁性金属酸化物蒸着層を設け、その上に磁性体蒸着層
および保護層を積層し、円周方向の角形比および円周方
向の抗磁力角形比がともに0.8以上であって、円周方向
の角形比（Ｓθ）と半径方向の角形比（Sr）の比が２以
上である磁気記録円盤である。
非磁性金属酸化物蒸着層を設け、その上に磁性体蒸着層
および保護層を積層し、円周方向の角形比および円周方
向の抗磁力角形比がともに0.8以上であって、円周方向
の角形比（Ｓθ）と半径方向の角形比（Sr）の比が２以
上である磁気記録円盤である。
以下、本発明について第１図および第２図を用いて説明
する。本発明において非磁性の基体１はアルミニウム、
ガラスなどの無機質のものまたはポリカーボネート、ポ
リエーテルイミドなどの耐熱性合成樹脂である。これら
の非磁性基体の表面は常法により鏡面仕上げを行ない、
必要に応じその表面に硬貨化膜を設けたり、蒸着のため
の表面活性化処理、テクスチユアリング処理などを行な
つてもよい。
する。本発明において非磁性の基体１はアルミニウム、
ガラスなどの無機質のものまたはポリカーボネート、ポ
リエーテルイミドなどの耐熱性合成樹脂である。これら
の非磁性基体の表面は常法により鏡面仕上げを行ない、
必要に応じその表面に硬貨化膜を設けたり、蒸着のため
の表面活性化処理、テクスチユアリング処理などを行な
つてもよい。
このようにして得られた円盤形非磁性基体上に適宜入射
角の非磁性金属酸化物蒸着層２を設ける。その厚さはと
くに制限はないが、普通は100〜500Å程度でよい。非磁
性金属酸化物はSiO2、TiO2、Al2O3、Y2O3、SnO2、NiO、
Nb2O5、Sb2O3、Yb2O3、Ta2O5、TeO2、Tb2O3などが用い
られる。蒸着とは真空中でのターゲツトの加熱蒸発によ
る単なる蒸着あるいはマグネトロンスパツタリング、電
子ビーム加熱蒸発による蒸着である。
角の非磁性金属酸化物蒸着層２を設ける。その厚さはと
くに制限はないが、普通は100〜500Å程度でよい。非磁
性金属酸化物はSiO2、TiO2、Al2O3、Y2O3、SnO2、NiO、
Nb2O5、Sb2O3、Yb2O3、Ta2O5、TeO2、Tb2O3などが用い
られる。蒸着とは真空中でのターゲツトの加熱蒸発によ
る単なる蒸着あるいはマグネトロンスパツタリング、電
子ビーム加熱蒸発による蒸着である。
ここで重要な点は上記蒸着を適宜入射角で行なうことで
ある。適宜入射角の蒸着とはターゲツトから跳び出した
蒸気流の流れ方向を揃えるか、または一定方向の流れの
蒸気流のみを選び出すことによつて、基体に対し一定の
角度で蒸着物質の蒸気流を差し向けて蒸着させることで
ある。その角度は最終的に得られる磁気記録円盤の磁気
特性とくに円周方向の角形比（以下、Ｓθという）およ
び円周方向の抗磁力角形比（以下、Ｓ＊という）に影響
するので、それらの特性値がともに0.8以上で、磁気異
方性Ｓθ/Srが２以上になるように実験的に定めなけれ
ばならない。
ある。適宜入射角の蒸着とはターゲツトから跳び出した
蒸気流の流れ方向を揃えるか、または一定方向の流れの
蒸気流のみを選び出すことによつて、基体に対し一定の
角度で蒸着物質の蒸気流を差し向けて蒸着させることで
ある。その角度は最終的に得られる磁気記録円盤の磁気
特性とくに円周方向の角形比（以下、Ｓθという）およ
び円周方向の抗磁力角形比（以下、Ｓ＊という）に影響
するので、それらの特性値がともに0.8以上で、磁気異
方性Ｓθ/Srが２以上になるように実験的に定めなけれ
ばならない。
ＳθおよびＳ＊がともに0.8以上でないと磁気記録の高
密度化が達成されない。また、Ｓθ/Srが２未満では十
分な記録再生特性が得られない。
密度化が達成されない。また、Ｓθ/Srが２未満では十
分な記録再生特性が得られない。
適宜入射角の非磁性金属酸化物蒸着法の上に磁性体蒸着
層３および保護層４を積層させる。磁性体の種類は従来
用いられている前記磁性体材料でよい。また保護層は炭
素質、シリカなどである。なお、磁性体の保磁力向上の
ために必要があれば、第２図に示すとおり適宜入射角の
非磁性金属酸化物蒸着層２と磁性体蒸着層３との間に厚
さ1000〜2000Åていどのクロム層５を設けてもさしつか
えない。
層３および保護層４を積層させる。磁性体の種類は従来
用いられている前記磁性体材料でよい。また保護層は炭
素質、シリカなどである。なお、磁性体の保磁力向上の
ために必要があれば、第２図に示すとおり適宜入射角の
非磁性金属酸化物蒸着層２と磁性体蒸着層３との間に厚
さ1000〜2000Åていどのクロム層５を設けてもさしつか
えない。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
（実施例） 実施例１ 平板マグネトロンスパツタ装置で、表面が平滑なNi−Ｐ
非磁性メツキアルミ基体上に、防着板により入射角37度
で厚さ200ÅのSiO2蒸着層を設けた。
非磁性メツキアルミ基体上に、防着板により入射角37度
で厚さ200ÅのSiO2蒸着層を設けた。
第３図に使用した平板マグネトロンスパツタ装置のシリ
カ蒸着源（ターゲツト）６、防着板８および基体１の位
置関係を示した。第３図でシリカ蒸着源は直径152mmの
円板、基体１は直径90mmの円板、防着板８はドーナツ状
で内周の直径30mm、シリカ蒸着源と基板の距離は60mm、
シリカ蒸着源と防着板の距離は35mm、シリカ蒸着源のエ
ロージヨン部分７は幅20mmで内径90mmのリング状、スパ
ツタ粒子の基体への入射角θは37゜であつた。スパツタ
条件としては、初期真空度１×10-5Torr、スパツタ時の
アルゴン圧力20×10-3Torr、スパツタ電力密度3.0W/cm2
そして基板温度は室温であつた。
カ蒸着源（ターゲツト）６、防着板８および基体１の位
置関係を示した。第３図でシリカ蒸着源は直径152mmの
円板、基体１は直径90mmの円板、防着板８はドーナツ状
で内周の直径30mm、シリカ蒸着源と基板の距離は60mm、
シリカ蒸着源と防着板の距離は35mm、シリカ蒸着源のエ
ロージヨン部分７は幅20mmで内径90mmのリング状、スパ
ツタ粒子の基体への入射角θは37゜であつた。スパツタ
条件としては、初期真空度１×10-5Torr、スパツタ時の
アルゴン圧力20×10-3Torr、スパツタ電力密度3.0W/cm2
そして基板温度は室温であつた。
次にこの基体のSiO2蒸着層上に、スパツタリングにより
厚さ2000Åのクロム層と厚さ600ÅのCo−Ni（Ni:80重量
％）磁性体蒸着層とその上にさらに厚さ200Åのカーボ
ン保護層を順次形成させ、磁気記録円盤を作製した。
厚さ2000Åのクロム層と厚さ600ÅのCo−Ni（Ni:80重量
％）磁性体蒸着層とその上にさらに厚さ200Åのカーボ
ン保護層を順次形成させ、磁気記録円盤を作製した。
この磁気記録円盤について、試料振動型磁力計（VSM）
により、円盤の円周方向と半径方向について、それぞれ
Ｂ−Ｈ曲線を測定し、Ｓθおよび半径方向の角形比（以
下、Srという）を求めた。さらに同じＢ−Ｈ曲線よりＳ
＊を求めた。これらの値は表に示す通りである。また、
これらの値は円盤のどの部分についても同じであり均一
性に優れていた。つぎにこの磁気記録円盤の耐食性を試
験するために円盤を温度60℃、相対湿度90％の恒温恒湿
槽内に500時間放置後、光学顕微鏡により表面を観察し
たが表に示すとおり異常は認められなかつた。
により、円盤の円周方向と半径方向について、それぞれ
Ｂ−Ｈ曲線を測定し、Ｓθおよび半径方向の角形比（以
下、Srという）を求めた。さらに同じＢ−Ｈ曲線よりＳ
＊を求めた。これらの値は表に示す通りである。また、
これらの値は円盤のどの部分についても同じであり均一
性に優れていた。つぎにこの磁気記録円盤の耐食性を試
験するために円盤を温度60℃、相対湿度90％の恒温恒湿
槽内に500時間放置後、光学顕微鏡により表面を観察し
たが表に示すとおり異常は認められなかつた。
実施例２ シリカ蒸着源と基体の距離を100mm、シリカ蒸着源と防
着板の処理を60mmとし、入射角を50度としてシリカ蒸着
層を形成させたこと以外は実施例１と同様な磁気記録円
盤を作製した。実施例１と同様にＳθ、SrおよびＳ＊を
測定し、耐食性の試験を行なつた。これらの結果は表に
示すとおり満足すべきものであつた。
着板の処理を60mmとし、入射角を50度としてシリカ蒸着
層を形成させたこと以外は実施例１と同様な磁気記録円
盤を作製した。実施例１と同様にＳθ、SrおよびＳ＊を
測定し、耐食性の試験を行なつた。これらの結果は表に
示すとおり満足すべきものであつた。
実施例３ 表面が平滑なNi−Ｐ非磁性メツキアルミ基体上に、電子
ビームで加熱した蒸着源よりSiO2を蒸着させて、厚さ約
200ÅのSiO2蒸着層を形成させた。使用した蒸着装置を
第４図に示した。第４図で基体１の中心とシリカ蒸着源
６の距離は100mm、基体の直径は90mmであつた。
ビームで加熱した蒸着源よりSiO2を蒸着させて、厚さ約
200ÅのSiO2蒸着層を形成させた。使用した蒸着装置を
第４図に示した。第４図で基体１の中心とシリカ蒸着源
６の距離は100mm、基体の直径は90mmであつた。
この基体のシリカ蒸着層上に、ランダム入射によるスパ
ツタリングにより厚さ900ÅのCo−Pt（Pt:30重量％）磁
性体蒸着層を形成させ、さらに厚さ300Åのカーボン保
護層を形成させて磁気記録円盤を作製した。
ツタリングにより厚さ900ÅのCo−Pt（Pt:30重量％）磁
性体蒸着層を形成させ、さらに厚さ300Åのカーボン保
護層を形成させて磁気記録円盤を作製した。
この磁気記録円盤について実施例１と同様にＳθ、Srお
よびＳ＊を測定し、耐食性の試験を行なつた。これらの
結果は表に示すとおり満足すべきものであつた。
よびＳ＊を測定し、耐食性の試験を行なつた。これらの
結果は表に示すとおり満足すべきものであつた。
実施例４ 表面が平滑なNi−Ｐ非磁性メツキアルミ基体上に実施例
３と同様に電子ビーム蒸着装置を用いて入射角60゜で厚
さ約200ÅのSiO2層を形成させた。このシリカ層上に、
加熱真空蒸着装置で、ランダム入射により厚さ2000Åの
Cr層と厚さ600ÅのCo−Ni（Ni:20重量％）層と厚さ300
Åのカーボン層を順次形成させ、磁気記録媒体を作製し
た。加熱真空蒸着の条件は、Cr、Co−Ni、カーボンとも
真空度１×10-4Torrで加熱温度1000℃であつた。
３と同様に電子ビーム蒸着装置を用いて入射角60゜で厚
さ約200ÅのSiO2層を形成させた。このシリカ層上に、
加熱真空蒸着装置で、ランダム入射により厚さ2000Åの
Cr層と厚さ600ÅのCo−Ni（Ni:20重量％）層と厚さ300
Åのカーボン層を順次形成させ、磁気記録媒体を作製し
た。加熱真空蒸着の条件は、Cr、Co−Ni、カーボンとも
真空度１×10-4Torrで加熱温度1000℃であつた。
この磁気記録円盤について実施例１と同様にＳθ、Srお
よびＳ＊を測定し、耐食性の試験を行なつた。これらの
結果は表に示すとおり満足すべきものであつた。
よびＳ＊を測定し、耐食性の試験を行なつた。これらの
結果は表に示すとおり満足すべきものであつた。
実施例５ 第５図に示すとおり、表面が平滑な直径90mmのガラス基
体１に、開き角30゜の防着板８を装置し、基体のみを毎
分40回転させながら、TiO2ターゲツト14からスパツタリ
ングにより、入射角θが40゜で基体表面に厚さ100ÅのT
iO2蒸着層を形成した。第５図で基体の中心とターゲツ
トの中心の距離は200mm、ターゲツトは直径152mmの円板
状であつた。
体１に、開き角30゜の防着板８を装置し、基体のみを毎
分40回転させながら、TiO2ターゲツト14からスパツタリ
ングにより、入射角θが40゜で基体表面に厚さ100ÅのT
iO2蒸着層を形成した。第５図で基体の中心とターゲツ
トの中心の距離は200mm、ターゲツトは直径152mmの円板
状であつた。
このTiO2蒸着層の上に厚さ1500ÅのCr層、厚さ500ÅのC
o−Ni−Cr（Ni:20重量％、Cr:10重量％）磁性体蒸着
層、および厚さ300Åのカーボン保護層をランダム入射
のスパツタリングにより順次形成させ、磁気記録円盤を
作製した。
o−Ni−Cr（Ni:20重量％、Cr:10重量％）磁性体蒸着
層、および厚さ300Åのカーボン保護層をランダム入射
のスパツタリングにより順次形成させ、磁気記録円盤を
作製した。
この磁気記録円盤について実施例１と同様にＳθ、Srお
よびＳ＊を測定し、耐食性の試験を行なつた。これらの
結果は表に示すとおり満足すべきものであつた。
よびＳ＊を測定し、耐食性の試験を行なつた。これらの
結果は表に示すとおり満足すべきものであつた。
比較例１ 直径90mmの表面が平滑なNi−Ｐ非磁性メツキアルミ円板
からなる基体上に非磁性金属酸化物蒸着層を設けること
なく、平板マグネトロンスパツタ装置によりランダム入
射角で厚さ2000Åのクロム層と厚さ600ÅのCo−Ni（Ni:
80重量％）磁性体層と、さらにその上に厚さ200Åのカ
ーボン保護層を順次形成させ、磁気記録円盤を作製し
た。
からなる基体上に非磁性金属酸化物蒸着層を設けること
なく、平板マグネトロンスパツタ装置によりランダム入
射角で厚さ2000Åのクロム層と厚さ600ÅのCo−Ni（Ni:
80重量％）磁性体層と、さらにその上に厚さ200Åのカ
ーボン保護層を順次形成させ、磁気記録円盤を作製し
た。
この磁気記録円盤について実施例１と同じ方法でＳθ、
SrおよびＳ＊を求めた。その結果、表に示すとおり、Ｓ
θおよびＳ＊の値は小さく、さらに、Ｓθ/Srの値も小
さく磁気記録円盤として劣つていた。
SrおよびＳ＊を求めた。その結果、表に示すとおり、Ｓ
θおよびＳ＊の値は小さく、さらに、Ｓθ/Srの値も小
さく磁気記録円盤として劣つていた。
比較例２ クロム層および磁性体層の形成をいずれも入射角37゜で
形成させた外は比較例１と同一方向、同一条件で磁気記
録円盤を作成した。この磁気記録円盤について実施例１
と同じ耐食性試験を行なつた結果、表に示すとおり円盤
の表面に変色が見られた。
形成させた外は比較例１と同一方向、同一条件で磁気記
録円盤を作成した。この磁気記録円盤について実施例１
と同じ耐食性試験を行なつた結果、表に示すとおり円盤
の表面に変色が見られた。
（発明の効果） 以上述べたとおり、本発明による磁気記録円盤は円周方
向の角形比および抗磁力角形比が高く、また磁気異方性
が高く記録再生特性に優れていることに加えて、耐食性
に優れている。
向の角形比および抗磁力角形比が高く、また磁気異方性
が高く記録再生特性に優れていることに加えて、耐食性
に優れている。
第１図および第２図は本発明の磁気記録円盤の断面図で
ある。第３図、第４図および第５図は実施例および比較
例で用いた蒸着装置の位置関係を示す説明図であり、第
３図および第４図は装置の断面図、第５図は斜視図であ
る。 符号１……基体、２……非磁性金属酸化物蒸着層、３…
…磁性体蒸着層、４……保護層、５……クロム層、６…
…シリカ蒸着源、７……エロージヨン部分、８……防着
板、９……真空槽、10……電子ビーム発生源、11……電
子ビーム、12……排気口、13……基体ホルダー、14……
TiO2ターゲツト
ある。第３図、第４図および第５図は実施例および比較
例で用いた蒸着装置の位置関係を示す説明図であり、第
３図および第４図は装置の断面図、第５図は斜視図であ
る。 符号１……基体、２……非磁性金属酸化物蒸着層、３…
…磁性体蒸着層、４……保護層、５……クロム層、６…
…シリカ蒸着源、７……エロージヨン部分、８……防着
板、９……真空槽、10……電子ビーム発生源、11……電
子ビーム、12……排気口、13……基体ホルダー、14……
TiO2ターゲツト
Claims (1)
- 【請求項１】円盤形非磁性基体上に適宜入射角の非磁性
金属酸化物蒸着層を設け、その上に磁性体蒸着層および
保護層を積層し、円周方向の角形比および円周方向の抗
磁力角形比がともに0.8以上であって、円周方向の角形
比（Ｓθ）と半径方向の角形比（Sr）の比Ｓθ/Srが２
以上であることを特徴とする磁気記録円盤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61271727A JPH0777024B2 (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 磁気記録円盤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61271727A JPH0777024B2 (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 磁気記録円盤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63127426A JPS63127426A (ja) | 1988-05-31 |
| JPH0777024B2 true JPH0777024B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=17503998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61271727A Expired - Fee Related JPH0777024B2 (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 磁気記録円盤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777024B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3114740A1 (de) * | 1981-04-11 | 1982-10-28 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zur herstellung einer metallischen duennfilm-magnetplatte und anordnung zur durchfuehrung dieses verfahrens |
| JPS59180829A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-15 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
-
1986
- 1986-11-17 JP JP61271727A patent/JPH0777024B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63127426A (ja) | 1988-05-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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