JPH078148B2 - ブリッジインバータ回路 - Google Patents
ブリッジインバータ回路Info
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- JPH078148B2 JPH078148B2 JP60025736A JP2573685A JPH078148B2 JP H078148 B2 JPH078148 B2 JP H078148B2 JP 60025736 A JP60025736 A JP 60025736A JP 2573685 A JP2573685 A JP 2573685A JP H078148 B2 JPH078148 B2 JP H078148B2
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- semiconductor
- switches
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- switch
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 129
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
- H02M7/42—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
- H02M7/5387—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はブリツジ接続された半導体スイツチの交互導通
により直流電源から交流電圧を出力するブリツジインバ
ータ回路に関する。
により直流電源から交流電圧を出力するブリツジインバ
ータ回路に関する。
第４図はブリツジインバータ回路の基本回路を示し、同
図において、（１）は第１半導体スイツチ、（２）は第
２半導体スイツチ、（３）は第３半導体スイツチ、
（４）は第４半導体スイツチで、これらはトランジスタ
により構成されている。（５）は100V〜200Vの直流電
源、（６）は負荷である。第１半導体スイツチ（１）及
び第２半導体スイツチ（２）は直流電源（５）のマイナ
ス側に接続され、第３半導体スイツチ（３）及び第４半
導体スイツチ（４）は直流電源（５）のプラス側に接続
されている。
図において、（１）は第１半導体スイツチ、（２）は第
２半導体スイツチ、（３）は第３半導体スイツチ、
（４）は第４半導体スイツチで、これらはトランジスタ
により構成されている。（５）は100V〜200Vの直流電
源、（６）は負荷である。第１半導体スイツチ（１）及
び第２半導体スイツチ（２）は直流電源（５）のマイナ
ス側に接続され、第３半導体スイツチ（３）及び第４半
導体スイツチ（４）は直流電源（５）のプラス側に接続
されている。
このインバータ回路では、半導体スイツチ（１）（２）
（３）（４）をオンオフさせて負荷（６）に交流電圧を
印加するのである。この場合第１及び第２半導体スイツ
チ（１）（２）はエミツタが電源（５）のマイナス端子
と接続されている為、第５図に示すように半導体スイツ
チ（７）（８）を設けることにより、第１及び第２半導
体スイツチ（１）（２）をオン、オフできるが、第３及
び第４半導体スイツチ（３）（４）は電源（５）によつ
てオン、オフすることは困難であり、通常第６図に示す
如くドライブ用の電源（９）（10）を別に設けている
（第１及び第２半導体スイツチ（１）（２）のドライブ
用としても約10V程度の別電源を設けることが多
い。）。又ドライブ用の半導体スイツチ（７）（８）
（11）（12）をオン、オフさせる制御回路（13）の電源
は直流電源（14）より得ていることが多い。半導体スイ
ツチ（７）（８）をオン、オフさせる信号は、電源
（５）（14）の一端が接続されている為、第７図に示す
ような回路構成によつて容易に得られるが、半導体スイ
ツチ（３）（４）をオン、オフさせるには、制御回路
（13）の電源（14）と電源（９）（10）とが直接接続さ
れていない為、従来フオトカプラー（15）やトランス等
を用い絶縁してオン、オフさせていた。
（３）（４）をオンオフさせて負荷（６）に交流電圧を
印加するのである。この場合第１及び第２半導体スイツ
チ（１）（２）はエミツタが電源（５）のマイナス端子
と接続されている為、第５図に示すように半導体スイツ
チ（７）（８）を設けることにより、第１及び第２半導
体スイツチ（１）（２）をオン、オフできるが、第３及
び第４半導体スイツチ（３）（４）は電源（５）によつ
てオン、オフすることは困難であり、通常第６図に示す
如くドライブ用の電源（９）（10）を別に設けている
（第１及び第２半導体スイツチ（１）（２）のドライブ
用としても約10V程度の別電源を設けることが多
い。）。又ドライブ用の半導体スイツチ（７）（８）
（11）（12）をオン、オフさせる制御回路（13）の電源
は直流電源（14）より得ていることが多い。半導体スイ
ツチ（７）（８）をオン、オフさせる信号は、電源
（５）（14）の一端が接続されている為、第７図に示す
ような回路構成によつて容易に得られるが、半導体スイ
ツチ（３）（４）をオン、オフさせるには、制御回路
（13）の電源（14）と電源（９）（10）とが直接接続さ
れていない為、従来フオトカプラー（15）やトランス等
を用い絶縁してオン、オフさせていた。
従つて、従来ではフオトカプラ等を要し回路構成が非常
に複雑で、製造費も高く付いた。
に複雑で、製造費も高く付いた。
本発明は上記問題点に鑑み、フオトカプラーやトランス
等を用いず簡単な回路構成で、プラス側の半導体スイツ
チをマイナス側の半導体スイツチに対応して確実にオ
ン、オフし得るようにしたものである。
等を用いず簡単な回路構成で、プラス側の半導体スイツ
チをマイナス側の半導体スイツチに対応して確実にオ
ン、オフし得るようにしたものである。
この技術的課題を解決する本発明の技術手段は、直流電
源（５）にブリツジ接続されたマイナス側の第１及び第
２半導体スイツチ（１）（２）とプラス側の第３及び第
４半導体スイツチ（３）（４）とを備え、第１及び第４
半導体スイツチ（１）（４）と第２及び第３半導体スイ
ツチ（２）（３）との交互導通により、第１及び第３半
導体スイツチ（１）（３）の接続点と第２及び第４半導
体スイツチ（２）（４）の接続点との間に、交流電圧を
出力するようにしたブリツジインバータ回路において、
前記第１、第２、第３及び第４半導体スイッチ1,2,3,4
が、夫々NPNトランジスタで構成され、第３及び第４半
導体スイッチ3,4の各ベースに、ベース電流を供給する
直流電源18,19が抵抗20,21を介して夫々接続され、第１
半導体スイッチ１のオン時に第３半導体スイッチ３への
ベース電流を阻止するように前記直流電源18から第１半
導体スイッチ１へ電流を流すダイオード22と、第２半導
体スイッチ２のオン時に第４半導体スイッチ４へのベー
ス電流を阻止するように前記直流電源19から第２半導体
スイッチ２へ電流を流すダイオード23とが、第３及び第
４半導体スイッチ3,4のベース側と第１及び第２半導体
スイッチ1,2との間に夫々接続され、第１半導体スイッ
チ１及び第２半導体スイッチ２の駆動によって第３半導
体スイッチ３及び第４半導体スイッチ４をオンオフさせ
るように、第１半導体スイッチ１及び第２半導体スイッ
チ２を交互導通させる制御回路が設けられている点にあ
る。
源（５）にブリツジ接続されたマイナス側の第１及び第
２半導体スイツチ（１）（２）とプラス側の第３及び第
４半導体スイツチ（３）（４）とを備え、第１及び第４
半導体スイツチ（１）（４）と第２及び第３半導体スイ
ツチ（２）（３）との交互導通により、第１及び第３半
導体スイツチ（１）（３）の接続点と第２及び第４半導
体スイツチ（２）（４）の接続点との間に、交流電圧を
出力するようにしたブリツジインバータ回路において、
前記第１、第２、第３及び第４半導体スイッチ1,2,3,4
が、夫々NPNトランジスタで構成され、第３及び第４半
導体スイッチ3,4の各ベースに、ベース電流を供給する
直流電源18,19が抵抗20,21を介して夫々接続され、第１
半導体スイッチ１のオン時に第３半導体スイッチ３への
ベース電流を阻止するように前記直流電源18から第１半
導体スイッチ１へ電流を流すダイオード22と、第２半導
体スイッチ２のオン時に第４半導体スイッチ４へのベー
ス電流を阻止するように前記直流電源19から第２半導体
スイッチ２へ電流を流すダイオード23とが、第３及び第
４半導体スイッチ3,4のベース側と第１及び第２半導体
スイッチ1,2との間に夫々接続され、第１半導体スイッ
チ１及び第２半導体スイッチ２の駆動によって第３半導
体スイッチ３及び第４半導体スイッチ４をオンオフさせ
るように、第１半導体スイッチ１及び第２半導体スイッ
チ２を交互導通させる制御回路が設けられている点にあ
る。
以下、本発明を図示の実施例に従つて説明すると、第１
図において、（18）（19）は10V程度のドライブ用の直
流電源で、第３及び第４半導体スイツチ（３）（４）の
ベースに夫々抵抗（20）（21）を介して接続され、半導
体スイツチ（３）（４）にベース電流を供給する。（2
2）（23）（24）（25）（26）（27）はダイオードで、
ダイオード（22）は第３半導体スイツチ（３）のベース
側と第１半導体スイツチ（１）との間に接続され、第１
半導体スイツチ（１）のオン時に第３半導体スイツチ
（３）へのベース電流を阻止するように直流電源（18）
から第１半導体スイツチ（１）へ電流を流す。ダイオー
ド（23）は第４半導体スイツチ（４）のベース側と第２
半導体スイツチ（２）との間に接続され、第２半導体ス
イツチ（２）のオン時に第４半導体スイツチ（４）への
ベース電流を阻止するように直流電源（19）から第２半
導体スイツチ（２）へ電流を流す。なお、第１半導体ス
イツチ（１）及び第２半導体スイツチ（２）は図示省略
の制御回路により従来と同様に交互導通するようにオン
オフ制御される。
図において、（18）（19）は10V程度のドライブ用の直
流電源で、第３及び第４半導体スイツチ（３）（４）の
ベースに夫々抵抗（20）（21）を介して接続され、半導
体スイツチ（３）（４）にベース電流を供給する。（2
2）（23）（24）（25）（26）（27）はダイオードで、
ダイオード（22）は第３半導体スイツチ（３）のベース
側と第１半導体スイツチ（１）との間に接続され、第１
半導体スイツチ（１）のオン時に第３半導体スイツチ
（３）へのベース電流を阻止するように直流電源（18）
から第１半導体スイツチ（１）へ電流を流す。ダイオー
ド（23）は第４半導体スイツチ（４）のベース側と第２
半導体スイツチ（２）との間に接続され、第２半導体ス
イツチ（２）のオン時に第４半導体スイツチ（４）への
ベース電流を阻止するように直流電源（19）から第２半
導体スイツチ（２）へ電流を流す。なお、第１半導体ス
イツチ（１）及び第２半導体スイツチ（２）は図示省略
の制御回路により従来と同様に交互導通するようにオン
オフ制御される。
次に動作を説明する。第１半導体スイツチ（１）がオフ
のとき、第２図に示す如く第３半導体スイツチ（３）に
直流電源（18）より抵抗（20）を介してベース電流IBが
流れ、該半導体スイツチ（３）がオンしている。第１半
導体スイツチ（１）がオフすると、ダイオード（22）
（24）がオンし、抵抗（20）を介して流れていた電流は
ダイオード（22）（24）を介して流れ、第３半導体スイ
ツチ（３）へのベース電流IBは流れなくなつて、第３半
導体スイツチ（３）はオフする。即ち、第２図に示す点
（ｂ）の電圧は点（ａ）を基準として約0Vとなる（点
（ｃ）は−0.6V、点（ｂ）は−0.6V＋0.6V＝0V）。
のとき、第２図に示す如く第３半導体スイツチ（３）に
直流電源（18）より抵抗（20）を介してベース電流IBが
流れ、該半導体スイツチ（３）がオンしている。第１半
導体スイツチ（１）がオフすると、ダイオード（22）
（24）がオンし、抵抗（20）を介して流れていた電流は
ダイオード（22）（24）を介して流れ、第３半導体スイ
ツチ（３）へのベース電流IBは流れなくなつて、第３半
導体スイツチ（３）はオフする。即ち、第２図に示す点
（ｂ）の電圧は点（ａ）を基準として約0Vとなる（点
（ｃ）は−0.6V、点（ｂ）は−0.6V＋0.6V＝0V）。
また、同様にして第２半導体スイツチ（２）がオフのと
き、第４半導体スイツチ（４）に直流電源（19）より抵
抗（21）を介してベース電流IBが流れ、該半導体スイツ
チ（４）がオンしている。第１半導体スイツチ（１）が
オフすると、ダイオード（23）（25）がオンし、抵抗
（７）を介して流れていた電流はダイオード（23）（2
5）を介して流れ、第４半導体スイツチ（４）へのベー
ス電流IBは流れなくなつて、第４半導体スイツチ（４）
はオフする。
き、第４半導体スイツチ（４）に直流電源（19）より抵
抗（21）を介してベース電流IBが流れ、該半導体スイツ
チ（４）がオンしている。第１半導体スイツチ（１）が
オフすると、ダイオード（23）（25）がオンし、抵抗
（７）を介して流れていた電流はダイオード（23）（2
5）を介して流れ、第４半導体スイツチ（４）へのベー
ス電流IBは流れなくなつて、第４半導体スイツチ（４）
はオフする。
第３図は他の実施例を示し、ダイオード（30）（31）
（32）（33）（34）及びダイオード（35）（36）（37）
（38）（39）を設けたものである。前記第１図の回路で
は負荷（６）が接続されておらず負荷電流ILが流れてい
ない場合は、ダイオード（24）（25）がオフし、抵抗
（20）（21）を介して流れる電流は第３半導体スイツチ
（３）又は第４半導体スイツチ（４）のベースへ流れ、
第３及び第４半導体スイツチ（３）（４）がオンしてし
まうことになるが、第３図のような回路構成にすること
により、このような不都合を防止できる。即ち、この回
路の場合第１半導体スイツチ（１）がオンのとき、点
（ａ）を基準とする点（ｂ）の電圧は、ダイオード（2
6）の電圧が0.6V、第１半導体スイツチ（１）のコレク
タ、エミツタ間電圧が約1V、ダイオード（22）の電圧が
0.6Vであるから、これらの電圧を加算して求めればよ
く、2.2Vとなるが、ダイオード（30）（31）（32）（3
3）により点（ｂ）が3V以上にならないとオンしないよ
うすると、第１半導体スイツチ（１）がオンしたとき第
３半導体スイツチ（３）がオフしないようになる。また
第４半導体スイツチ（４）についても同様である。
（32）（33）（34）及びダイオード（35）（36）（37）
（38）（39）を設けたものである。前記第１図の回路で
は負荷（６）が接続されておらず負荷電流ILが流れてい
ない場合は、ダイオード（24）（25）がオフし、抵抗
（20）（21）を介して流れる電流は第３半導体スイツチ
（３）又は第４半導体スイツチ（４）のベースへ流れ、
第３及び第４半導体スイツチ（３）（４）がオンしてし
まうことになるが、第３図のような回路構成にすること
により、このような不都合を防止できる。即ち、この回
路の場合第１半導体スイツチ（１）がオンのとき、点
（ａ）を基準とする点（ｂ）の電圧は、ダイオード（2
6）の電圧が0.6V、第１半導体スイツチ（１）のコレク
タ、エミツタ間電圧が約1V、ダイオード（22）の電圧が
0.6Vであるから、これらの電圧を加算して求めればよ
く、2.2Vとなるが、ダイオード（30）（31）（32）（3
3）により点（ｂ）が3V以上にならないとオンしないよ
うすると、第１半導体スイツチ（１）がオンしたとき第
３半導体スイツチ（３）がオフしないようになる。また
第４半導体スイツチ（４）についても同様である。
本発明によれば、第３及び第４半導体スイツチ（３）
（４）のベースにベース電流を供給する直流電源（18）
（19）と、第１半導体スイツチ（１）のオン時に第３半
導体スイツチ（３）へのベース電流を阻止するダイオー
ド（22）と、第２半導体スイツチ（２）のオン時に第４
半導体スイツチ（４）へのベース電流を阻止するダイオ
ード（23）とを設けているので、従来のようにフォトカ
プラーやトランス等を用いず、非常に簡単な回路構成
で、マイナス側の第１又は第２半導体スイッチ1,2がオ
ンしたとき、これに対応してプラス側の第３又は第４半
導体スイッチ3,4を確実にオフさせることができ、第１
半導体スイッチ１と第３半導体スイッチ３、第２半導体
スイッチ２と第４半導体スイッチ４が夫々同時に導通す
るのを防止できる。しかも、一方の第１半導体スイッチ
１及び第２半導体スイッチ２の駆動によって他方の第３
半導体スイッチ３及び第４半導体スイッチ４をオンオフ
させることができるので、第１半導体スイッチ１及び第
２半導体スイッチ２のみを交互導通するように制御すれ
ばよく、インバータ回路の制御回路が非常に簡単な構成
になるし、さらに、前記第１、第２、第３及び第４半導
体スイッチ1,2,3,4が、夫々NPNトランジスタで構成され
ているので、高耐圧のトランジスタを使用しても、PNP
トランジスタの場合と異なり安上りであり、従って、イ
ンバータ回路全体を製造容易でかつ安価に提供すること
ができる。また、上記の如く第１半導体スイッチ１及び
第２半導体スイッチ２の駆動によって他方の第３半導体
スイッチ３及び第４半導体スイッチ４をオンオフさせる
ことができるので、電源より半導体スイッチ1,3又は半
導体スイッチ2,4を介して短絡電流が流れる恐れがな
く、短絡電流による半導体スイッチ1,2,3,4の故障も防
止でき、その実用的効果は著大である。
（４）のベースにベース電流を供給する直流電源（18）
（19）と、第１半導体スイツチ（１）のオン時に第３半
導体スイツチ（３）へのベース電流を阻止するダイオー
ド（22）と、第２半導体スイツチ（２）のオン時に第４
半導体スイツチ（４）へのベース電流を阻止するダイオ
ード（23）とを設けているので、従来のようにフォトカ
プラーやトランス等を用いず、非常に簡単な回路構成
で、マイナス側の第１又は第２半導体スイッチ1,2がオ
ンしたとき、これに対応してプラス側の第３又は第４半
導体スイッチ3,4を確実にオフさせることができ、第１
半導体スイッチ１と第３半導体スイッチ３、第２半導体
スイッチ２と第４半導体スイッチ４が夫々同時に導通す
るのを防止できる。しかも、一方の第１半導体スイッチ
１及び第２半導体スイッチ２の駆動によって他方の第３
半導体スイッチ３及び第４半導体スイッチ４をオンオフ
させることができるので、第１半導体スイッチ１及び第
２半導体スイッチ２のみを交互導通するように制御すれ
ばよく、インバータ回路の制御回路が非常に簡単な構成
になるし、さらに、前記第１、第２、第３及び第４半導
体スイッチ1,2,3,4が、夫々NPNトランジスタで構成され
ているので、高耐圧のトランジスタを使用しても、PNP
トランジスタの場合と異なり安上りであり、従って、イ
ンバータ回路全体を製造容易でかつ安価に提供すること
ができる。また、上記の如く第１半導体スイッチ１及び
第２半導体スイッチ２の駆動によって他方の第３半導体
スイッチ３及び第４半導体スイッチ４をオンオフさせる
ことができるので、電源より半導体スイッチ1,3又は半
導体スイッチ2,4を介して短絡電流が流れる恐れがな
く、短絡電流による半導体スイッチ1,2,3,4の故障も防
止でき、その実用的効果は著大である。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図は同動
作説明用の回路図、第３図は他の実施例を示す回路図、
第４図乃至第７図は従来例を示す回路図である。 （１）（２）（３）（４）……半導体スイツチ、（５）
……直流電源、（18）（19）……直流電源、（22）（2
3）……ダイオード。
作説明用の回路図、第３図は他の実施例を示す回路図、
第４図乃至第７図は従来例を示す回路図である。 （１）（２）（３）（４）……半導体スイツチ、（５）
……直流電源、（18）（19）……直流電源、（22）（2
3）……ダイオード。
Claims (1)
- 【請求項１】直流電源（５）にブリッジ接続されたマイ
ナス側の第１及び第２半導体スイッチ（１）（２）とプ
ラス側の第３及び第４半導体スイッチ（３）（４）とを
備え、第１及び第４半導体スイッチ（１）（４）と第２
及び第３半導体スイッチ（２）（３）との交互導通によ
り、第１及び第３半導体スイッチ（１）（３）の接続点
と第２及び第４半導体スイッチ（２）（４）の接続点と
の間に、交流電圧を出力するようにしたブリッジインバ
ータ回路において、 前記第１、第２、第３及び第４半導体スイッチ（１）
（２）（３）（４）が、夫々NPNトランジスタで構成さ
れ、第３及び第４半導体スイッチ（３）（４）の各ベー
スに、ベース電流を供給する直流電源（18）（19）が抵
抗（20）（21）を介して夫々接続され、第１半導体スイ
ッチ（１）のオン時に第３半導体スイッチ（３）へのベ
ース電流を阻止するように前記直流電源（18）から第１
半導体スイッチ（１）へ電流を流すダイオード（22）
と、第２半導体スイッチ（２）のオン時に第４半導体ス
イッチ（４）へのベース電流を阻止するように前記直流
電源（19）から第２半導体スイッチ（２）へ電流を流す
ダイオード（23）とが、第３及び第４半導体スイッチ
（３）（４）のベース側と第１及び第２半導体スイッチ
（１）（２）との間に夫々接続され、第１半導体スイッ
チ（１）及び第２半導体スイッチ（２）の駆動によって
第３半導体スイッチ（３）及び第４半導体スイッチ
（４）をオンオフさせるように、第１半導体スイッチ
（１）及び第２半導体スイッチ（２）を交互導通させる
制御回路が設けられていることを特徴とするブリッジイ
ンバータ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60025736A JPH078148B2 (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | ブリッジインバータ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60025736A JPH078148B2 (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | ブリッジインバータ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61185077A JPS61185077A (ja) | 1986-08-18 |
| JPH078148B2 true JPH078148B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=12174100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60025736A Expired - Lifetime JPH078148B2 (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | ブリッジインバータ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH078148B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0425499U (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-28 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5571179A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-29 | Sanken Electric Co Ltd | Transistor inverter |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP60025736A patent/JPH078148B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61185077A (ja) | 1986-08-18 |
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